等离子体物理
等离子体物理基础
等离子体物理基础等离子体是一种以等离子体态的物质状态，它是由气体或固体在高温、高压或强辐照等条件下失去或获得电子而形成的，具有正离子和自由电子的等离子体。
等离子体物理研究的是等离子体的性质、行为和应用，并在诸多领域中有着广泛的应用。
一、等离子体形成的条件和特点1. 形成条件：等离子体形成有多种条件，如高温、高压和强电磁场等。
在高温条件下，物质分子能够克服束缚力，失去电子，形成带正电荷的离子和自由电子。
高压也能够促进电子的跃迁，使物质形成等离子体。
此外，强电磁场的作用也能够使等离子体形成。
2. 特点：等离子体具有电中性，但整体呈带电状态。
等离子体中自由电子的存在使得它具有导电性和磁场感应性。
另外，等离子体还具有高可压缩性和高扩散性，能够通过电场和磁场受力。
二、等离子体的分类根据温度和密度的不同，等离子体可以分为等离子普通态、等离子凝聚态和等离子极端态。
1. 等离子普通态：等离子普通态是指在常规条件下形成的等离子体。
它常见于自然界中的闪电和恒星等高温物质，以及工业和科研实验室中的等离子体设备，如等离子切割和等离子喷涂。
2. 等离子凝聚态：等离子凝聚态是指在较低温度和高密度条件下形成的等离子体。
其中包括电子气、等离子流体和凝聚态等离子体。
等离子凝聚态在材料科学、凝聚态物理和聚变能等领域有着广泛的应用。
3. 等离子极端态：等离子极端态是指在极端条件下形成的等离子体，如在极低温度、极高压力或强磁场条件下形成的等离子体。
这些条件下的等离子体在科学研究和天体物理学中具有重要作用。
三、等离子体物理的研究领域等离子体物理作为一门综合性的学科，涉及到许多领域和应用，如天体物理学、磁约束聚变、等离子体加热和等离子体诊断等。
以下是部分研究领域的介绍：1. 天体物理学：天体物理学研究宇宙中的等离子体，如恒星、星际等离子体，以及与宇宙射线和宇宙成分的相互作用。
这一领域的研究对于理解宇宙的起源和演化过程有着重要意义。
2. 磁约束聚变：磁约束聚变是一种利用等离子体自身的磁场来达到高温和高密度条件的核聚变技术。
等离子体物理学
植等离子体物理学
等离子体物理学是研究等离子体性质的物理学分支。
等离子体是物质的第四态，是由电子、离子等带电粒子及中性粒子组成的混合气体，宏观上表现出准中性，即正负离子的数目基本相等，整体上呈现电中性，但在小尺度上具有明显的电磁性质。
等离子体还具有明显的集体效应，带电粒子之间的相互作用是长程库仑作用，单个带电粒子的运动状态受到其它许多带电粒子的影响，又可以产生电磁场，影响其它粒子的运动。
等离子体物理学目的是研究发生在等离子体中的一些基本过程，包括等离子体的运动、等离子体中的波动现象、等离子体的平衡和稳定性、碰撞与输运过程等等。
等离子体物理学具有广阔的应用前景，包括受控核聚变、空间等离子体、等离子体天体物理、低温等离子体等等。
等离子体物理学常用的有单粒子轨道理论、磁流体力学、动理学理论三种研究方法。
单粒子轨道理论不考虑带电粒子对电磁场的作用以及粒子之间的相互作用。
磁流体力学将等离子体作为导电流体处理，使用流体力学和麦克斯韦方程组描述。
这种方法只关注流体元的平均效果，因此是一种近似方法。
动理学理论使用统计物理学的方法，考虑粒子的速度分布函数。
等离子体物理
等离子体物理等离子体是一种由离子和自由电子组成的第四种物质状态，除了固态、液态和气态之外。
等离子体在自然界中广泛存在，例如太阳、闪电和星际空间中的恒星等。
它们具有独特的物理特性，对研究者来说既神秘又吸引人。
本文将探讨等离子体的物理特性、应用领域和研究现状。
等离子体的物理特性1. 等离子体的定义等离子体是一种由离子和自由电子组成的气体，通常在较高的能量状态下。
在等离子体中，电子可以从原子中脱离，形成带正电的离子，同时产生自由电子。
这种离子化过程需要提供足够的能量，通常通过高温或高能量辐射来实现。
2. 等离子体的性质•导电性: 由于含有自由电子，等离子体具有极好的导电性，是研究等离子体物理的重要特性之一。
•辐射性: 等离子体能够发射出特定频率的辐射，这种辐射被广泛应用于激光、等离子体屏等领域。
•热力学性质: 等离子体在温度较高时伴随着明显的热力学效应，这对等离子体的研究和应用提出了挑战。
等离子体的应用领域1. 核聚变能源等离子体在核聚变反应堆中起着至关重要的作用。
通过在高温高能条件下将氢等离子体制成等离子体，实现核聚变反应，释放出大量能量。
核聚变反应被认为是未来清洁能源的重要选择。
2. 等离子体显示技术在等离子体显示技术中，等离子体被用作显示面板中的光源。
激发气体等离子体会发出明亮的光，常用于电视和广告牌等领域。
3. 医疗应用等离子体在医学领域也有广泛应用，例如等离子刀技术。
医生利用由等离子体产生的高能电子切割组织，用于手术和治疗癌症等疾病。
等离子体物理的研究现状目前，等离子体物理领域的研究涵盖了从基础理论到应用技术的广泛范围。
研究者们通过实验和数值模拟等手段，不断深入探索等离子体的性质和行为，以期在能源、材料科学和医学等领域取得重要突破。
结语等离子体作为第四种物质状态，具有丰富的物理特性和广泛的应用前景。
通过不懈的研究与探索，等离子体物理将为人类社会带来更多创新与进步。
希望本文能够为读者提供一些关于等离子体的基础知识，并引发更多对等离子体物理的兴趣与思考。
等离子体物理
等离子体物理等离子体是一种独特而神奇的物质状态。
它由高温或高能量下的气体中的带电粒子组成，这些带电粒子失去了电子，形成了电离态。
在这个状态下，等离子体展现出了许多与普通气体不同的性质和行为。
等离子体物理是研究这种特殊状态下物理现象和过程的学科，它在众多领域中发挥着重要的作用。
一、等离子体的形成等离子体可以通过多种方式形成。
其中一种是通过高温来激发气体中的原子和分子，使其失去部分或全部电子。
这种过程被称为热电离，常见于高温等离子体中，如太阳表面等。
另一种形成等离子体的方式是通过电场或激光等外部能量的作用，使气体电离。
这种方式称为非热电离，常见于等离子体在实验室中的产生。
二、等离子体的性质一旦形成，等离子体具有多种特殊的性质。
首先，等离子体是导电的。
由于其中带电粒子的存在，等离子体可以传导电流。
这种导电性使得等离子体在航空航天、聚变能源等领域产生了广泛的应用。
其次，等离子体具有自洽性。
带电粒子在外部电场的作用下会发生运动和加速，进而改变电场分布。
这种相互作用形成了一种自洽的状态，被称为等离子体振荡。
由于自洽性的存在，等离子体可以通过自我调节而维持稳定状态，这在等离子体控制和应用中是非常重要的。
此外，等离子体还具有辐射、吸收和散射等电磁波的能力。
由于带电粒子与电磁波的相互作用，等离子体在电磁波传播和反射中发挥着重要的影响。
这种性质使得等离子体在通信、雷达和光谱学等领域有着广泛的应用。
三、等离子体的应用等离子体物理在众多领域中都有着重要的应用。
在天文学中，等离子体物理帮助我们理解了星球大气层、太阳风等天体现象。
在聚变能源研究中，等离子体物理是理解和控制等离子体的关键。
只有高温等离子体的稳定和控制才能产生出可持续、清洁的聚变能源。
在材料科学中，等离子体物理常用于表面处理和涂层制备。
等离子体可以改变材料表面的化学和物理性质，形成具有特定功能的表面，如耐磨、防腐蚀和生物相容等。
这种表面处理技术在航空航天、汽车制造和生物医学等领域中有着重要的应用。
等离子体物理
等离子体物理等离子体物理是研究等离子体的形成及其各种性质和运动规律的学科。
宇宙间的大部分物质处于等离子体状态。
例如：太阳中心区的温度超过一千万度，太阳中的绝大部分物质处于等离子体状态。
地球高空的电离层也处于等离子体状态。
19世纪以来对于气体放电的研究、20世纪初以来对于高空电离层的研究，推动了等离子体的研究工作。
从20世纪50年代起，为了利用轻核聚变反应解决能源问题，促使等离子体物理学研究蓬勃发展。
第1章聚变能利用和研究进展本章先介绍聚变反应、聚变能利用原理、聚变能利用条件、实现聚变能利用的途径、方法和当前研究的进展，为学习等离子体物理提供一个背景和讨论的平台。
然后介绍等离子体的性质、特点和研究方法。
1.1 聚变反应和聚变能1.聚变反应的发现19世纪末，放射性发现之后，太阳能的来源很快地被揭开。
英国化学家和物理学家阿斯顿(Aston)利用摄谱仪进行同位素研究，他在实验中发现，氦-4质量比组成氦的2个质子、2个中子的质量之和大约小1％(质量亏损)。
这一质量亏损的结果为实现核聚变并释放能量提供了实验依据。
同一时期，卢瑟福也提出，能量足够大的轻核碰撞后，可能发生聚变反应。
1929年英国的阿特金森（R.de Atkinson）和奥地利的胡特斯曼（F.G.Hout-ersman）证明氢原子聚变为氦的可能性，并认为太阳上进行的就是这种轻核聚变反应。
1932年美国化学家尤里（Urey）发现氢同位素氘（重氢，用D表示），为此，1934年他获得诺贝尔化学奖。
6序言受控热核聚变研究旨在探索新能源，因此它是当代备受世人瞩目的重大研究课题。
半个多世纪以来，经过世界各国科学家的努力探索，磁约束核聚变装置（托卡马克）现在已进入能源开发工程的实验阶段。
特别是2006年11月21日，中国、欧盟、美国、俄罗斯、日本、韩国和印度七方代表在巴黎正式签署了《国际热核聚变实验堆（International Yhermonuclear Experimental Reactor，ITER）联合实施协定》，这标志着ITER计划进入了正式实施和开工建设阶段。
等离子体物理解析
等离子体物理解析等离子体是一种高度激发的物态，由气体或固体在高温或高压下电离后形成的。
等离子体物理是研究等离子体特性和行为的学科。
本文将对等离子体物理进行解析，重点探讨等离子体的形成、性质和应用。
一、等离子体的形成等离子体的形成通常包含两个主要过程：电离和复合。
1. 电离电离是指将气体或固体中的原子或分子激发到足够高的能级，以至于电子从原子或分子中脱离的过程。
电离可以通过多种方式实现，如热电离、电子碰撞和光电离等。
当原子或分子失去电子后，形成的带正电荷的离子和自由电子构成等离子体。
2. 复合复合是指原本已被电离的离子和自由电子重新结合成中性的原子或分子的过程。
在等离子体中，复合和电离是同步进行的。
复合过程受到温度、密度和化学成分等因素的影响。
在高温高密度条件下，离子与电子重组的速率较慢，使等离子体保持电离状态。
二、等离子体的性质等离子体具有一些独特的性质，使其在许多领域具有广泛的应用。
1. 导电性由于等离子体中自由电子的存在，它具有很好的导电性。
等离子体中的电荷可以通过外加电场进行运动，形成等离子体的电流。
2. 等离子体共振等离子体中的电磁波与等离子体内的自由电子发生相互作用，会导致等离子体共振现象的出现。
这种共振现象在等离子体物理中有重要的应用，如等离子体屏蔽和等离子体固体相互作用等。
3. 自然脉冲在等离子体中发生自然脉冲是等离子体物理中的一个重要现象。
这种脉冲会导致等离子体释放出大量能量，产生强烈的辐射和激波。
三、等离子体的应用等离子体物理的研究成果在许多领域都有实际应用价值。
1. 等离子体物理在核聚变领域的应用核聚变是一种将氢同位素聚变成氦并释放出巨大能量的方法，等离子体物理对于核聚变的实现起着关键作用。
通过研究等离子体的性质和行为，科学家可以更好地理解并控制核聚变的过程。
2. 等离子体物理在等离子体显示器领域的应用等离子体显示器（Plasma Display Panel，PDP）是一种使用等离子体和发光材料制成的平板显示器。
等离子体物理
等离子体：等离子体(plasma)又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质，尺度大于德拜长度的宏观电中性电离气体，其运动主要受电磁力支配，并表现出显著的集体行为。
它广泛存在于宇宙中，常被视为是除去固、液、气外，物质存在的第四态。
等离子体是一种很好的导电体，利用经过巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。
等离子体物理的发展为材料、能源、信息、环境空间、空间物理、地球物理等科学的进一步发展提供了新的技术和工艺。
等离子体是不同于固体、液体和气体的物质第四态。
物质由分子构成，分子由原子构成，原子由带正电的原子核和围绕它的、带负电的电子构成。
当被加热到足够高的温度或其他原因，外层电子摆脱原子核的束缚成为自由电子，就像下课后的学生跑到操场上随意玩耍一样。
电子离开原子核，这个过程就叫做“电离”。
这时，物质就变成了由带正电的原子核和带负电的电子组成的、一团均匀的“浆糊”，因此人们戏称它为离子浆，这些离子浆中正负电荷总量相等，因此它是近似电中性的，所以就叫等离子体。
等离子体物理：等离子体物理是研究等离子体的形成及其各种性质和运动规律的学科。
宇宙间的大部分物质处于等离子体状态。
发展历史19世纪以来对于气体放电的研究、20世纪初以来对于高空电离层的研究，推动了等离子体的研究工作。
从20世纪50年代起，为了利用轻核聚变反应解决能源问题，促使等离子体物理学研究蓬勃发展。
研究方法：等离子体物理学已发展成为物理学的一个内容丰富的新兴分支。
由于等离子体种类繁多、现象复杂、而且应用广泛，对这一物质状态的研究，正方兴未艾，从实验、理论、数值计算三个方面，互相结合，向深度和广度发展。
（1）实验研究用实验方法研究等离子体有如下特点。
对于天然的等离子体，即天体、空间和地球大气中出现的等离子体，人们不可能用地面上实验室中的一般方法主动地调节实验条件或加以控制，而主要只能通过各种日益增多的天文和空间观测手段,如光学、射电、X射线以及现代的高空飞行器和人造卫星──“空间实验室”，来接收它们所发射的各种辐射（包括各种粒子）。
等离子体物理
等离子体物理等离子体物理是研究等离子体性质及其在自然界和人工应用中的现象和行为的科学学科。
等离子体是相对于气体、液体和固体而言的第四种物态，是由自由电子和正离子组成的带电的气体。
等离子体在自然界中广泛存在，如太阳、恒星、闪电、极光等都是等离子体现象。
等离子体的物理特性使其在科学研究和技术应用中具有重要的地位。
本文将介绍等离子体的基本概念、性质和应用。
首先，让我们了解一下等离子体的基本概念。
等离子体是由电子和离子组成的带电气体，电子和离子是通过准粒子相互作用而形成的。
在等离子体中，电子和离子之间通过库仑力相互吸引，并以一定的能量进行碰撞。
由于电子的质量比离子小得多，所以电子在电场中的运动速度远远超过了离子。
这就导致了等离子体中的电荷分离现象，即正离子和负电子在电场的作用下分别向相反方向运动。
这种带电粒子的运动形成了等离子体的电流和电场，这也是等离子体与普通气体之间最本质的差别。
等离子体的性质在很大程度上受到温度和密度的影响。
由于等离子体的带电粒子具有较高的能量，因此等离子体通常具有较高的温度。
在太阳等热源中，温度甚至可达到数百万度。
此外，等离子体的密度也较普通气体大，几乎与固体相当。
这使得等离子体具有良好的导电性和较强的辐射性。
接下来，让我们来看看等离子体在自然界中的一些现象和行为。
太阳是一个巨大的等离子体球，太阳的核心处存在着高温高密度的等离子体，这是太阳能源的产生和释放的地方。
在太阳表面，可见到太阳耀斑和太阳风等等等离子体现象。
太阳耀斑是太阳表面的一种爆发现象，释放出巨大的能量，引起太空天气的变化。
太阳风是太阳大气层的一种喷流，由太阳等离子体和磁场共同产生。
这些现象的研究不仅有助于了解太阳的起源和演化，也对地球的气候和通信系统等产生重要影响。
除了太阳，地球的磁场也与等离子体有着密切的联系。
地球磁场中存在着范艾伊曼层，这是由太阳风与地球大气层的等离子体相互作用形成的。
范艾伊曼层对太阳风的入射和地球上空的无线电通信起到了屏蔽和反射的作用。
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在强激光等离子体相互作用中正电子束的发射第一个测量强激光产生正电子束的装置已经制成。
在不同的激光产生条件下通过测量不同的正电子能量峰值下的正电子发散和源尺寸得到发射值。
对于其中一个激光产生条件，我们使用了一个空间paper-pot 技术来改善发射值。
相比于使用在现在加速器上的正电子源，在100和500mm.mard之间激光产生正电子有一个几何发射。
在5-20Mev能量范围中，每束1010-1012个正电子中，这种低的束流发射度是准单能的，这可能在未来加速器中能作为替代正电子源。
最近的实验表明，在FWHM中大约20-40度的发散角下，用强短脉冲激光照射富含高Z的目标靶可以产生数量众多的准单能兆电子伏特的正电子。
这个实验表明了可以使用激光产生正电子作为直线加速器中的替代源的可能性。
使用激光产生正电子作为新的替代源取决于一些潜在的优势，大大减小的物理尺寸，更少的成本和束流品质的提高比如每个脉冲的粒子数，能量范围，束流发射度。
这些优势正是基于激光尾场的电子加速器概念所追求的。
传统的正电子源通常包含高能量的电子束和富含Z的目标靶。
例如，SLC使用了一个120 Hz, 30 GeV, 30kW的电子束和一个24mm厚，水冷却式W(90%)-Rh(10%)目标靶来产生正电子。
一个两千米长的直线加速器需要产生电子驱动束。
在2-20 MeV范围内，大约500mm.mrad的几何发散度下，在加速系统中可以捕捉到每束5×1010的正电子束。
在被放进加速器之前，被收集到的正电子束要先被加速到 1.2 GeV并且被传送到一个发射制动环中。
用强激光产生正电子的同时会在高Z目标靶中产生相似的电子。
用一个持续的非常短强激光脉冲照射一个1mm厚，直径2mm的金制目标靶，产生1010-1012个5-20MeV的准单能正电子。
既然这是总电子能量其中包含了决定正电子产量的兆电子伏特电子，所以激光的功率会比激光的强度更重要。
相同的物理过程在基于正电子源的的加速其中是有优势的。
在BH过程中，激光产生热电子制造能产生和原子核相互作用的正负电子对的轫致辐射光子。
考虑到对比每个脉冲的粒子数和粒子能量，这篇文章会阐述激光产生正电子束的几何发射度，和与在SLC 中~500mm.mard的比较结果。
几何发散度 ，被定义为，其中x和x'表示在x轴上的粒子的位置和发散，代表一束中粒子的平均数。
发散角的上限，其中和分别是原尺寸和发散角度的平方根。
这篇文章说明了四个驱动激光正电子能量6,12,17,28MeV的发射度上限。
我们展示的发散度是通过1-D方法得到的。
考虑到非常小的激光焦点的结合和在20至40度范围内测量正电子束的发散，可能会预期正电子发射度可能小于10mm.mard。
然而，实际的源尺寸和激光产生正电子束的发散度比预想的更大，如图1a所示。
在激光中产生的热电子通过目标靶传送，所以，在目标靶任意深度中，正电子构成的区域都会比激光中焦点区域大。
小部分有足够动能的正电子可以跃出目标靶并且成为有用的作为正电子源。
跃出表面的正电子在目标靶背面的横向分布决定了原尺寸大小。
源尺寸和角发散都会受到最初等离子体激光的相互作用和带电粒子通过目标靶运输的影响，两者都依赖于激光和目标靶的条件。
这篇文章展示了在我们的实验条件下源尺寸是，在一定的激光能量范围内束发散为。
激光产生正离子束的发散上限为100至500mm.mard,和SLC中正离子源相比。
实验中使用了LawrenceLivermore National Laboratory波长为1.054，10ps 激光脉冲的Titan激光，和Omega EP激光器在Laboratory for Laser Energtics，University of Rochester。
能量为200-320 J (Titan) 和250-850 J (Omega EP)的激光被聚焦到8um(Titan)和25(OmegaEp)的直径斑点上,产生峰值强度为从5×1018到6×1019W/cm2的激光。
两个激光中相对于主脉冲强度的钱脉冲大约是106。
一个大的等离子体会减少在临界表面的激光能量对电子的耦合，我们发现了一个适中的界面对于等离子体，增强激光能量对兆电子伏特电子的耦合所需要的正电子代。
所有的目标靶为1mm后的金制磁盘。
图1.激光器和目标靶几何原理图（a）和正电子发散测量示意图(b)（不按比例）。
正电子（和电子）源取决于从目标靶背面逸出的粒子。
在（b），分光仪的磁场垂直于分光仪的轴线，取决于激光束和分光仪的轴线。
在不同位置的发散的测量（A,B,C）覆盖了整束发散角的一半，图中被给的每个粗黑线仅仅是束的一小部分。
实验的设置如图1所示。
主要的特点是用一个磁分光仪测量电子和正电子作为他们动能的函数。
为了测出正电子发射度的上限值，我们使用了线性狭缝阵列附属于光谱仪上瞄准仪和磁场的平行方向。
使用了两个不同的狭缝阵列，一个是每200um15个狭缝，隔开200um，另一个是从50到1000不等的狭缝，隔开850um。
狭缝的目的是反映在平行磁场方向的正电子源，和充当已经被广泛研究用来测量束发散度的1-D pepper-pot。
在源位置的视场中每一个狭缝都大大超过了可能的横断面源的尺寸，保证了得到一个清晰地源图像。
如图1b所示，通过整束半角发散观察在束和光谱仪的轴线的角度是不同的。
这个程序是必须的，因为光谱仪放置在距离源105-300mm处，束的尺寸会比狭缝阵列的尺寸更大。
轴对称强度分布的激光器通常会导致平面标靶产生轴对称电子代，所以会出现轴对称正电子束。
所以，在实验中，只需要观察一半的束角分布。
通过保持激光器和标靶条件稳定在不同角度记录正电子束强度来测量束的发散角。
当计算归一化强度时激光器能量的波动被看做是线性的。
束的角度数据和高斯函数相符合。
图2展示了在10ps激光器能量为～300J。
发散角度大概是20+/-6度。
通过这些激光参数，正电子分布的峰值在～12MeV。
这个结果通过在标靶背面通过鞘电场加速正电子得到的。
不确定符合角分布主要因为束强度的分散，是由激光前置脉冲条件不同引起的。
虽然前脉冲能量通常与主脉冲激光能量成比例，但是在前脉冲条件下是很复杂的，一个简单的线性褶皱是不足以包含正电子束强度的影响。
以此类推，在能量为～850J，脉冲持续时间10ps的Omega EP和2mm直径，1mm 厚的金制标靶条件下测量发散角。
在这些测量中，磁分光仪仅仅用于瞄准镜，也就是说没有狭缝阵列。
FWHM角分散为～22度。
正电子能量的峰值转移到～18MeV由于激光能量的提高。
图2，Tian激光，激光能量～300J，脉冲持续时间10ps，测量正电子束发散角度。
正电子能量峰值分布是12MeV。
插图分布是正电子束分散角相对于激光能量的函数图像。
在～300J Titan激光器和～800J Omega EP激光器条件下获得的数据。
正电子源尺寸通过界限不明的图像测量，图像通过在线性阵列中200,250，和1000um宽的狭缝产生。
在界限不明的图像系统中，检测器信号图像的剖面是源尺寸，狭缝函数，系统放大倍率和检测器分辨率的卷积。
1000um宽的狭缝边缘在镜像平面投射出源的一个界限不明的图像。
假定源的强度轮廓接近于高斯函数，在界限不明的图像上12%和88%两个强度点与FWHM一致。
对狭缝函数，系统放大倍率和检测器分辨率这些数据去卷积，得到源尺寸，和峰值分布下的能量是一致的。
正电子束的轴对称性被证实通过在狭缝阵列取向平衡和垂直于角扫描方向条件下的源尺寸数据。
结果表明，狭缝方向不同的情况下图像尺寸相同，证明了我们预想的正电子束的轴对称性。
图3，图像显示了在不同狭缝宽度200,1000,50,100,250um下的狭缝阵列的电子能谱。
狭缝阵列平行于正负电子能谱仪的的磁场方向。
源尺寸中错误的数据来源于几个因素，例如狭缝尺寸测量，系统放大率的计算，适配步骤，统计过程，和仪器像素大小。
这其中最重要的是放大率和仪器空间分辨率。
在实验中使用的磁分光仪，虽然可以分开正负电子，但是受限制于系统的分辨率，l/L=1.2-1.6，由于从狭缝阵列到探测器的短漂移距离。
另外，仪器是一个富士图像（BAS-IP-2040 SR），当扫描在像素在50到100um时有一个空间分辨率大约为80-150um HWHM。
小的放大率和检测器分辨率的结合受限于原尺寸测量的分辨率大约为+/-120um。
磁分光仪的边缘场导致了额外的一个错误，对束有一个轻微的散焦影响。
所有单个错误的积为+/-150um.图4展示了正电子源尺寸相对于束能量的函数。
峰值能量在6.5MeV到16MeV 相对应于源尺寸从800到400um，其中大的源尺寸相对应于小的峰值能量，这也可能作为热电子自生磁场准直的证据。
图4，从左至右为正电子束通过狭缝宽度为200,1000,50,100,250um的狭缝输出的图像。
在最大振幅上通过在高度12%和88%截取横坐标得到两值，两数值的平均值用来计算源尺寸。
插图显示了测量的正电子源尺寸作为在不同Titan 激光条件下几个激光的射击下正电子能量的函数。
在图5中展示了在一系列激光能量下，从测量到的正电子束发散和束源尺寸得到的几何发射度上限。
在图5也标识出了在激光能量～300J，10ps下通过对发射度测量的细节分析所得到的结果。
这个分析遵循了已经推导过被设定好的1-D 方程式。
图5，激光产生正电子和SLC 的测量发射度的简要对比。
空心长方形和空心圆分别代表在Titan 和Omega Ep 激光由束发散和源尺寸测量决定的发射度上限。
实心长方形和实心三角形是由在～12MeV 的Titan 激光分别使用已测量的数据点和数据点的其他连续点通过1-D 方法得到的结果。
后两个数据转移到11MeV 会使数据更清晰。
水平直线所表示的错误数据代表正电子束的FWHM 能量发散。
SLC 正电子发射度和它的浮动范围由带有阴影区域和其中虚线代表。
N 是通过狭缝正电子的总和∑=sj j n N ，其中是通过第j 个狭缝正电子的数目。
x j 和x j '是第j 个狭缝的位置和分散，x -和x '-分别代表狭缝位置和分散的平均值。
σ2,'x j 是第j 个狭缝分散的均方根。
由于狭缝投影的平顶分布我们修正σ2,'x j ，其中l 是源到狭缝的距离，L 是狭缝到图像平面的距离。
M 是系统的放大率，d 是狭缝的宽度。
把测量数据代入上述方程，我们得到束的发射度101+/-44mm.mard.如果通过高斯函数插入一个适合的束强度数据点，在这种理想情况下得到了更小的束发散62+/-58mm.mard.总而言之，激光产生正电子和使用在SLC 上的480mm.mard 的源有可比性，但在某方面会较小。