晶振的负载电容
mcu 晶振负载电容
mcu 晶振负载电容（实用版）目录一、什么是晶振负载电容二、晶振负载电容的作用三、晶振负载电容的选型与接法四、晶振负载电容的注意事项正文一、什么是晶振负载电容晶振负载电容是指在单片机晶振电路中，连接在晶振两端的电容。
它的主要作用是提供晶振工作所需的电容，以保证晶振能够正常震荡并发出稳定的时钟信号。
在单片机晶振电路中，负载电容通常分为并联谐振电容和串联谐振电容两种。
二、晶振负载电容的作用晶振负载电容的主要作用有以下几点：1.提供晶振工作所需的电容：晶振需要一定的电容来工作，否则无法正常震荡。
负载电容就是提供这些电容的元件。
2.影响晶振的谐振频率：负载电容的大小直接影响晶振的谐振频率。
一般情况下，负载电容越大，晶振的谐振频率越低；负载电容越小，晶振的谐振频率越高。
3.影响晶振的输出幅度：负载电容的大小还会影响晶振的输出幅度。
如果负载电容过大或过小，都可能导致晶振输出幅度不足，从而影响系统的稳定性。
三、晶振负载电容的选型与接法在选择晶振负载电容时，需要根据晶振的谐振频率和输出幅度来选型。
一般情况下，负载电容的容值应与晶振厂家提供的要求相匹配。
接法方面，晶振负载电容一般接在晶振的两个脚上，并与地之间形成一个并联谐振电路。
四、晶振负载电容的注意事项在使用晶振负载电容时，需要注意以下几点：1.负载电容的容值应与晶振厂家提供的要求相匹配，以保证晶振能够正常工作。
2.负载电容的接法应正确，一般接在晶振的两个脚上，并与地之间形成一个并联谐振电路。
3.注意负载电容的稳定性，避免在使用过程中出现电容失效或性能下降的情况。
4.如需调整晶振的谐振频率，可通过调整负载电容的容值来实现。
负载电容12pf晶振匹配电容
负载电容12pf晶振匹配电容
负载电容是指连接到晶振输出端的电容，用来调整晶振的频率。
晶振匹配电容是指用来匹配晶振频率的电容。
根据负载电容的大小，可以选择不同的晶振匹配电容进行匹配。
一般来说，负载电容为12pF的晶振，可以选择与负载电容相
等或相近的匹配电容。
所以，可以选择一个12pF的晶振匹配
电容进行匹配。
但具体的匹配电容大小还需要根据实际情况和应用需求进行调整和优化。
在实际设计中，可以通过实验或仿真来确定最佳的匹配电容大小。
负载电容对晶振的影响
负载电容对晶振的影响负载电容对晶振的影响，这话一听就让人觉得有点儿高深莫测，但其实不然。
想象一下，我们的晶振就像一位细腻的音乐家，演奏着稳定的音符，保证着电子设备的正常运转。
但是，突然间，给它加上了负载电容，就好比在它的演出中插入了几个不速之客。
这些“不速之客”可不是单纯的观众，它们会干扰音乐家，改变他的节奏，甚至让原本优雅的旋律变得有些跑调。
你可能会想，负载电容到底是什么东西呀？它就像是个调音器，帮助调整音调和音色。
电路设计中，晶振工作的时候需要一定的电容来保持频率的稳定。
但这可不是随便哪个电容都能上阵。
就好像你去参加派对，带错了饮料，结果就没法让大家开心。
合适的电容能让晶振发挥出最佳状态，频率稳如老狗，完全不用担心变调。
可问题来了，电容的大小也不是随心所欲。
要是负载电容太小，晶振就会觉得“这小子真不靠谱”，频率可能会升高，导致设备失控；要是太大，晶振又会觉得“压力山大”，频率可能会降低，整个人变得懒散。
这个过程就像在调节音响的低音和高音，稍微调高一点，音质瞬间变得浑厚；稍微调低一点，瞬间又变得轻飘飘的，缺乏力度。
说到这里，大家应该能感受到电容的魔力了吧。
实际上，电容的变化不仅仅是频率的改变，还会影响到晶振的启动时间。
晶振就像一位爱面子的歌手，启动慢了，观众就开始打瞌睡。
负载电容大了，启动时间就变长，演出效果变得拖沓；小了，启动快，但音色却可能不够饱满。
这样一来，这位音乐家的职业生涯就岌岌可危，根本没法再做主角。
别小看这负载电容的选择，有时候它会直接影响到整个电路的稳定性。
想象一下，如果你参加了一个很重要的比赛，结果因为一件小事而失利，那种心情真是让人无奈。
而电路设计中，如果负载电容不合适，可能导致频率漂移，甚至出现不稳定的信号。
这时候，整个系统就像一座摇摇欲坠的建筑，随时都有崩溃的可能，真是让人捏一把汗。
晶振的工作环境也是至关重要的。
温度、湿度都会对它的表现产生影响。
电容看似不起眼，但在极端环境下，它的作用显得尤为突出。
晶振负载电容
晶振负载电容
晶振负载电容是一种电子元件，广泛应用于电子设计，配合晶振使用，可以实现稳定、高效的电子设计。
它可以提高晶振的精密度，增强晶振线路的稳定性，并实现频率精度和频率稳定性的改善。
晶振负载电容是由普通电容材料，如压敏电阻和陶瓷电容器，或线路板制成的。
它与晶体晶振组成一个电路系统，其特殊性能使其能够作为频率控制和衰减等晶振电路的基本元件。
晶体晶振的负载电容是在晶体晶振的原件本身上，接上可调节负载电容，将其作为调节频率的基本元件，以此来调节晶振的频率。
晶振负载电容也可以用于低频震荡电路，广泛应用于模拟数字电路、音频电路、显示器电路、仪器仪表等。
一般情况下，电路的频率精度及相对稳定性随着晶振的负载电容的增加而提高，但是随着功率的增加，晶振的负载电容也会增大，以防止晶体晶振的功率泄漏和晶体晶振的频率扰动。
晶振负载电容在选型上需要考虑电路的漏电，串扰，功率损耗等一系列因素。
晶振负载电容的选型，要求电容容量越大，其对晶振的负载就越大，影响晶振的稳定性越强。
同时，电容的介质处理也非常重要，以保证电容的高稳定性。
最后，晶振负载电容的安装时的关键，必须确保电容与晶体晶振之间的固定及管脚接触良好，以确保稳定、高效的频率控制，满足电路要求。
总之，晶振负载电容是电子设计中非常重要的设备之一，配合晶
振可以实现稳定、高效的频率控制，也可以用于衰减或低频震荡电路。
正确选型和安装，能够有效地改善晶振的精度和稳定性，提高晶振的性能。
晶振负载电容与频率的关系
晶振负载电容与频率的关系
晶振负载电容与频率的关系是电子工程领域中的一个重要问题，
因为电子设备的稳定性及精度等因素很大程度上取决于晶振的频率。
在本文中，我们将逐步分步阐述晶振负载电容与频率的关系。
首先，晶振是一种微振荡器件。
当它被带上正向电压之后，会震
动起来，产生自身的谐振频率。
这个频率被称作振荡频率，可以用公
式f=1/(2π√（LC）)进行计算。
其次，晶振的频率是与负载电容直接相关的。
具体而言，当负载
电容越大时，晶振的频率会越低，当负载电容越小时，晶振的频率会
越高。
负载电容的作用是提供晶体谐振器上的电场，从而使晶体谐振
器能够稳定工作。
接着，需要注意的是，在选择负载电容时，应该根据晶振的规格
要求选择合适的数值。
选择不当的负载电容会导致晶振的频率不稳定
或不准确，给设备的正常工作带来不利影响。
最后，除了负载电容与晶振频率的关系外，还有其他一些因素可
以影响晶振的频率，例如晶体的品质、环境温度等。
为了确保晶振的
稳定性和精度，需要进行严格的测试和校准。
总结来说，晶振负载电容与频率的关系是密不可分的，正确选择
负载电容对于设备的稳定性和精度都至关重要。
在实际应用中，应该
根据晶振的规格要求选择合适的负载电容，并进行严格的测试和校准，以确保设备的正常工作。
8mhz晶振的负载电容
8mhz晶振的负载电容什么是晶振？晶振，也称为石英晶体振荡器，是一种用于产生稳定的高频信号的电子元件。
它由一个石英晶体和两个电极组成，当施加电压时，石英晶体会振动并产生高频信号。
为什么需要负载电容？在使用晶振时，需要通过添加负载电容来调整其频率。
这是因为石英晶体的共振频率受其尺寸和形状的影响。
当外部负载电容与石英晶体并联时，会改变其共振频率。
8MHz晶振的负载电容如何选择？对于8MHz的晶振，一般建议使用15pF或18pF的负载电容。
这是因为8MHz的共振频率较低，因此需要较大的负载电容来调整其频率。
另外，在选择负载电容时还需要考虑到PCB布局和线路长度等因素。
如果线路长度过长或布局不合理，可能会导致信号失真或不稳定。
如何计算8MHz晶振的负载电容？在实际应用中，可以通过以下公式来计算8MHz晶振所需的负载电容：Cload = 2(CL - Cs) - Cp其中，Cload为负载电容的总值，CL为晶振的额定负载电容，Cs为晶体的静态电容，Cp为线路和芯片引脚的等效电容。
对于8MHz晶振，一般假设CL=18pF，Cs=3pF，Cp=5pF，则可得到：Cload = 2(18pF - 3pF) - 5pF = 28pF因此，在实际应用中，可以选择两个15pF或一个22pF的负载电容来满足要求。
总结在使用晶振时，选择合适的负载电容非常重要。
对于8MHz晶振来说，一般建议使用15pF或18pF的负载电容，并根据实际情况进行计算和调整。
同时，在布局和线路设计时也需要注意避免信号失真和不稳定等问题。
晶振负载电容和并联电容计算
对于晶振负载电容和并联电容的计算，我们来分别讨论。
1. 晶振负载电容：
晶振负载电容是指连接到晶体振荡器输出端的电容，用于调整晶振的频率。
一般来说，晶振厂商会提供建议的负载电容数值，根据晶振的型号和工作频率来确定。
如果没有特定的建议，可以根据以下方法估算负载电容的大小：
-对于串联谐振型的晶振，负载电容的计算公式为：C_load = (CL * CI) / (CL + CI)，其中CL为晶振的额定负载电容，CI为晶振输入电容。
-对于并联谐振型的晶振，负载电容的计算公式为：C_load = CL + CI，其中CL为晶振的额定负载电容，CI 为晶振输入电容。
2. 并联电容：
并联电容是指将多个电容器以并联的方式连接在一起。
计算并联电容总值的方法很简单，只需将所有电容的值相加即可。
例如，假设有两个电容C1和C2需要并联，那么并联后的总电容C_total = C1 + C2。
需要注意的是，在实际应用中，电容器的值应选择最接近计算结果的标准值。
此外，还要注意电容的额定工作电压是否满足实际应用的需求。
总之，晶振负载电容和并联电容的计算方法可以根据具体情况使用不同的公式，但在实际应用中应尽量遵循厂商的建议和相关规范，以确保电路的稳定性和可靠性。
晶振负载电容
晶振负载电容
晶振负载电容（Load Capacitor）是晶振实际应用中使用最普遍的电容物理实体，它根据晶振使用环境特性，它的特性由两部分组成，即其本身的电容以及晶振的谐振系统的负载特征。
此外，晶振负载电容还具有控制晶振谐振环境的能力。
晶振负载实体具有两个主要要素：一是晶体管，二是电容，这两个要素组合在一起形成一个实体，实体定义晶振上电磁场负载抗阻，以做完整的晶振系统，由实体负载抗阻具有控制电场谐振特性，将晶体振荡器功能连接起来，形成实体本身。
晶振负载电容（Load Capacitor）的应用完全是取决于系统的特点。
由于它的作用，它的电容特性值应根据不同的谐振系统选择，其值可调节波形特性，使其最终符合应用要求。
晶振负载电容的最重要的性能就是精密的谐振特性，其以恒定的数值来衡量，一般是在范围1-1000Hz之间进行测量。
除此之外，它还具有高品质因数、低谐振值抖动、特殊谐振特性、抗谐振特性等功能。
此外，晶振负载电容在电子设备中还具有消除电子元件辐射杂散和减轻电路信号谐波及其他应用中也有用到它的典型环境。
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晶振要求的谐振电容值的含义
请老师指教：晶振的参数里有配用的谐振电容值。
比如说32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF. 这个值和实际电路中晶振上接的两个电容值是什么关系？像DS1302用的就是32.768K的晶振，它内部的电容是6pF的
回答：你所说的是晶振的负载电容值。
指的是晶振交流电路中，参与振荡的，与晶振串联或并联的电容值。
晶振电路的频率主要由晶振决定，但既然负载电容参与振荡，必然会对频率起微调作用的。
负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz，但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。
或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容？不是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。
为了准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。
你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容
晶振的负载电容
晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。
是指晶振要正常震荡所需要的电容。
一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。
要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。
应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。
此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容).就是说负载电容15pf的话，两边个接27pf的差不多了，一般a为6.5～13.5pF 各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器. 晶振引脚的内部通常是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联. 在晶振输出引脚XO 和晶振输入引脚XI 之间用一个电阻连接, 对于CMOS 芯片通常是数M 到数十M 欧之间. 很多芯片的引脚内部已经包含了这个电阻, 引脚外部就不用接了. 这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处与线性状态, 反相器就如同一个有很大增益的放大器, 以便于起振. 石英晶体也连接在晶振引脚的输入和输出之间, 等效为
. 晶体旁边的两个
接地点就是分压点. 以接地
, 但从并联谐振回路即石英晶体两端来看, 形成一个正反馈以保证电路持续振荡. 在芯片设计时, 这两个电容就已经形成了, 一般是两个的容量相等, 容量大小依工艺和版图而不同, 但终归是比较小, 不一定适合很宽的频率范围. 外接时大约是数PF 到数十PF, 依频率和石英晶体的特性而定. 需要注意的是: 这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的, 会影响振荡频率. 当两个电容量相等时, 反馈系数是0.5, 一般是可以满足振荡条件的, 但如果不易起振或振荡不稳定可以减小输入端对地电容量, 而增加输出端的值以提高反馈量.
设计考虑事项：
1.使晶振、外部电容器（如果有）与IC之间的信号线尽可能保持最短。
当非常
低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对EMC、ESD 与串扰产生非常敏感的影响。
而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。
2.尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。
3.当心晶振和地的走线
4.将晶振外壳接地
如果实际的负载电容配置不当,第一会引起线路参考频率的误差.另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降(不在峰点),影响混频信号的信号强度与信噪.
当波形出现削峰,畸变时,可增加负载电阻调整(几十K到几百K).要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻
晶振及其负载电容
什么是负载电容，它对电路上的晶振电容取值有什么影响吗？晶振上接个电阻有什么用？晶振的负载电容是分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。
它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。
晶振上接的一个电阻是反馈作用，使振荡器容易起振。
晶振负载电容取值直接关系到调频的准确度。
如果负载电容不够准确，那么买来的晶体准确度就会差，关于负载电容的计算方法即从晶体两端看进去电容的总和。
计算公式:
晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）经验值为3至5pf.。