各种MOSFET参数大全
mosfet的基本参数
mosfet的基本参数MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，广泛应用于电子设备中。
它具有许多基本参数，这些参数对于了解和设计电路至关重要。
本文将重点介绍MOSFET的基本参数，包括漏极电流、漏极电压、栅极电流、栅极电压和沟道电阻。
1. 漏极电流（ID）：漏极电流是MOSFET中最基本的参数之一，它表示通过漏极的电流。
漏极电流的大小取决于栅极电压和漏极电压之间的差异，以及MOSFET的结构和工作状态。
漏极电流可以通过控制栅极电压来调节，从而实现对MOSFET的控制。
2. 漏极电压（VDS）：漏极电压是MOSFET的另一个重要参数，它表示在漏极和源极之间的电压。
漏极电压的大小对MOSFET的工作状态和性能具有重要影响。
当漏极电压超过一定值时，MOSFET将进入饱和区，此时漏极电流基本保持不变。
如果漏极电压进一步增加，MOSFET将进入截止区，漏极电流将急剧减小。
3. 栅极电流（IG）：栅极电流是通过栅极的电流，它对MOSFET的控制起着重要作用。
栅极电流的大小取决于输入信号的特性以及MOSFET的工作状态。
通过控制栅极电流的大小，可以调节MOSFET的导通能力和开关速度。
4. 栅极电压（VGS）：栅极电压是MOSFET的另一个关键参数，它表示栅极与源极之间的电压。
栅极电压的变化可以改变MOSFET的导通能力和截止状态。
当栅极电压超过一定值时，MOSFET将开始导通，形成一个通路。
如果栅极电压低于一定值，MOSFET将截止，电流无法通过。
5. 沟道电阻（RDS(on)）：沟道电阻是MOSFET的内部电阻，它表示MOSFET导通状态下沟道的电阻大小。
沟道电阻的大小对于MOSFET的导通能力和功耗具有重要影响。
较小的沟道电阻意味着更好的导通性能和更低的功耗。
MOSFET的基本参数包括漏极电流、漏极电压、栅极电流、栅极电压和沟道电阻。
这些参数对于设计和控制电路至关重要，可以通过调节栅极电压和栅极电流来改变MOSFET的工作状态和性能。
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种用来放大和控制电流的电子元件。
它是由一个金属门极与两个半导体区域（源极和漏极）组成。
在常见的场效应管中，有三种主要类型：结型场效应管（JFET），增强型场效应管（MOSFET）和绝缘栅极场效应管（IGBT）。
本文将重点介绍增强型场效应管（MOSFET）的常用参数及其代换方法。
一、常用参数1.电流参数(i)静态漏极电流（IDSS）：在门极电压VGS=0时，漏极电流的值。
(ii) 静态漏极电流温度系数：静态漏极电流随温度变化的变化率。
(iii) 动态漏极电流（ID）：在特定的电压和温度条件下，从漏极流出的电流的值。
2.电压参数(i)额定漏极到源极电压（VDS）：漏极和源极之间的最大电压。
(ii) 额定源极到栅极电压（VGS）：源极和栅极之间的最大电压。
(iii) 阈值电压（VT）：当栅极电压超过阈值电压时，通道开始导电。
(iv) 栅极欠压（VGS（th））：栅极电压低于这个电压时，场效应管处于截止区。
(v) 漏极饱和电压（VDS（sat））：漏极电压达到饱和时，在这个电压下，漏极与源极之间的电流达到最大值。
(vi) 最大可承受漏极电流（IDM）：超过这个电流值时，场效应管可能损坏。
3.输入参数(i) 栅极输入电容（Cgs）：栅极和源极之间的电容。
(ii) 栅极反向传导（gfs）：源极电流变化与栅极电压变化之间的比例关系。
4.输出参数(i) 漏极输出电容（Cds）：漏极和源极之间的电容。
(ii) 漏极跟随导纳（gd）：漏极电流变化与漏极电压变化之间的比例关系。
5.尺寸参数(i)源极宽度（W）：源极沿着通道长度方向的尺寸。
(ii) 通道长度（L）：源极和漏极之间的距离。
二、代换方法1.输出导纳代换场效应管的漏极跟随导纳gd可以用其中一个公式进行代换：gd ≈ 2IDSS/VGS（th）2.输出电容代换输出电容Cds可以用其中一个公式进行代换：Cds ≈ CM + CGS x VDS/VGS其中CM是一个常数，等于通道本身的电容，CGS是栅极和源极之间的电容。
场效应管参数大全
场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，在现代电子技术中应用广泛。
场效应管是由金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）和绝缘栅场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor，简称IGFET）两种类型组成，它们具有不同的结构和工作原理，但共同具备一些重要的参数。
下面将对这些参数进行详细介绍。
1. 阈值电压（Threshold Voltage）：阈值电压是指场效应管在栅电压达到一定值时，源极-漏极之间形成导通的电压。
它决定了场效应管是否开启。
2. 饱和电流（Saturation Current）：饱和电流是指场效应管在工作时，当栅电压接近阈值电压时，漏极-源极电压达到最小值的电流。
饱和电流对于场效应管的工作状态和性能都具有重要影响。
3. 最大漏极电流（Maximum Drain Current）：最大漏极电流是指场效应管能够承受的最大漏极电流，超过该值可能会导致管子损坏。
4. 最大漏极-源极电压（Maximum Drain-Source Voltage）：最大漏极-源极电压是指场效应管能够承受的最大漏极-源极电压，超过该值可能会导致管子损坏。
5. 输入电容（Input Capacitance）：输入电容是指场效应管输入端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输入阻抗，越小表示输入阻抗越大。
6. 输出电容（Output Capacitance）：输出电容是指场效应管输出端与接地之间的电容，它对应着场效应管的输出阻抗，越小表示输出阻抗越小。
7. 漏极电流增益（Transconductance）：漏极电流增益是指场效应管输出电流对输入电压变化的响应程度，它表示了场效应管的放大能力。
8. 寄生二极管（Parasitic Diode）：寄生二极管是指场效应管结构中由于材料和工艺的限制而产生的额外二极管。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解场效应管的参数对于正确选用和应用场效应管非常重要。
下面是一些常用的场效应管参数的介绍：1.电荷参数：- 输入电容（Ciss）：指在恒定的源极电压下，栅源电压从0V变化到开启电压时，输入的电荷。
一般情况下，输入电容越小，开关速度越快。
- 输出电容（Coss）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压从0V变化到开启电压时，可以作用在漏极电容上的输出电荷。
输出电容越小，开关性能越好。
2.静态电流参数：-偏置电流（IDSS）：指在恒定的栅源电压下，漏源电压为零时，漏极的电流。
偏置电流越大，MOSFET的放大能力越强。
- 截止电流（ID(off)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极开路时，导通电流的下限。
3.动态电流参数：- 开关时间（ton和toff）：指从栅源电压达到开启电压到漏源电压达到截止电压的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
- 开关过渡时间（tr和tf）：指从栅源电压从10%到90%或90%到10%的转换时间。
开关过渡时间越短，场效应管的切换速度越快。
4.饱和区电流参数：- 饱和漏源电流（ID(on)）：指在恒定的栅极电压下，当漏极电压达到饱和时，漏极的电流。
- 饱和压降（VDSat）：指在饱和状态下，漏极电压和源极电压之间的电压降。
5.开关特性参数：- 截止电压（VGS(off)）：指在恒定的源极电压下，栅源电压为零时，漏源电压的电压降。
- 开启电压（VGS(th)）：指在恒定的源极电压下，漏源电压达到截止电压时的栅源电压。
6.热特性参数：-热阻（θJA）：指导热回路中的芯片与环境之间的热阻，表示芯片散热的能力。
- 最大结温（TJmax）：指芯片能够承受的最高结温。
超过最大结温可能会损坏场效应管。
以上是一些常用的场效应管参数的介绍。
了解这些参数可以帮助我们选择和应用场效应管。
在实际应用中，我们通常根据具体的需求和电路要求来选择合适的场效应管，以保证电路性能的稳定和高效。
各种MOSFET参数大全
各种MOSFET参数大全MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，具有广泛的应用领域。
下面是MOSFET的各种重要参数的详细解释。
1. Drain-Source电压（VDS）：这是MOSFET管脚之间的电压差。
当VDS超过MOSFET的额定电压，会导致器件损坏。
2. Gate-Source电压（VGS）：这是MOSFET的控制电压。
改变VGS可以控制MOSFET的导通和截止。
3. 阈值电压（Vth）：这是MOSFET的开启电压。
当VGS超过阈值电压时，MOSFET开始导通。
4.静态漏极电流（IDSS）：这是在VGS=0时，MOSFET的漏极电流。
它是关闭时的最大漏极电流。
5. on状态电阻（RDS(on)）：这是MOSFET导通时的电阻。
较低的RDS(on)意味着更好的导通特性。
6.峰值漏极电流（IDP）：这是MOSFET能够承受的最大漏极电流。
如果超过此电流，MOSFET可能会损坏。
7. 雅各比增益（gfs）：这是MOSFET的小信号增益。
它决定了MOSFET的放大能力。
8. 输入电容（Ciss）：这是MOSFET输入端的总电容。
较高的Ciss将导致较高的输入电容负载。
9. 输出电容（Coss）：这是MOSFET输出端的总电容。
较高的Coss将导致较高的输出电容负载。
10.反向传导（GDS）：这是MOSFET导通时的反向电导。
它表示了在反向电压下电荷从漏极到源极的流动。
11. 速度参数（gm）：这是MOSFET的跨导。
它表示在VDS控制下的电流变化率。
12.破坏电压（BV）：这是MOSFET能够承受的最大电压。
超过该电压可能会导致器件击穿和损坏。
13.空载损耗（Pd）：这是MOSFET在导通状态下消耗的功率。
它取决于MOSFET的导通电阻和电流。
14.电压转移特性（VTC）：这是描述MOSFET开启和关闭之间的关系的曲线。
它显示了在不同VGS情况下MOSFET的导通特性。
MOSFET参数详解
MOSFET参数详解1. 导通电阻（Rds(on)）：是指当MOSFET处于导通状态时，从源极到漏极的导通电阻。
导通电阻越小，表示MOSFET在导通状态下有更好的导电能力，能够传输更大的电流，也能提供更低的功耗。
2. 泄漏电流（Igss）：是指MOSFET在关闭状态下的漏电流。
泄漏电流应尽可能小，以确保在关闭状态下无功率损失。
3. 阈值电压（Vth）：是指MOSFET开始导通的电压。
当控制电压超过阈值电压时，MOSFET开始导通。
阈值电压的选择取决于应用场景，一般情况下越低越好。
4. 最大漏源电压（Vdss）：是指MOSFET能够承受的最大漏源电压。
超过这个电压，MOSFET可能会烧毁。
因此，在实际应用中，要确保工作电压在MOSFET的最大承受范围内。
5.最大漏源电流（Id）：是指MOSFET能够承受的最大漏源电流。
超过这个电流，MOSFET可能会受损。
因此，在实际应用中，要确保工作电流在MOSFET的承受范围内。
6.开关速度：MOSFET的开关速度取决于导通和关断过程所需的时间。
开关速度的快慢直接关系到MOSFET的响应时间和效率。
较快的开关速度可以提高系统的性能。
7. 容量参数：包括输入电容（Ciss），输出电容（Coss）和反馈电容（Crss）。
这些参数影响MOSFET的高频响应和开关速度。
一般来说，输入电容越小越好，输出电容尽可能小，反馈电容尽可能大，以减少功耗和提高系统性能。
除了上述参数，还有一些其他参数也会对MOSFET的性能和应用产生影响，如温度系数、热阻、噪声系数等。
总的来说，了解和理解MOSFET的各个参数，可以帮助选取适合特定应用需求的器件，并设计出高性能的电路。
在应用过程中需根据实际需求权衡各个参数的优劣，并合理选择。
正确的理解和使用MOSFET参数，可以提高电路设计的效率和可靠性。
常用MOSFET技术参数
常用MOSFET技术参数MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的电子器件，在现代电子设备中广泛应用。
以下是常见的MOSFET技术参数：1.基本参数：- 导通电阻（Rds(on)）：指在MOSFET导通状态下，漏源之间的电阻。
导通电阻越小，表示MOSFET在导通状态下的能耗越低。
- 关断电阻（Rds(off)）：指在MOSFET关断状态下，漏源之间的电阻。
关断电阻越大，表示MOSFET在关断状态下的能耗越低。
- 阈值电压（Vth）：指控制MOSFET导通的门极电压。
当门极电压高于阈值电压时，MOSFET导通。
- 最大漏极电流（Id(max)）：指MOSFET可以承受的最大漏极电流。
超过这个电流值，MOSFET可能会损坏。
-动态电阻（Rd）：指在MOSFET导通过程中，漏源之间电压变化与电流变化的比值。
动态电阻越小，表示MOSFET开关速度越快。
2.耐压参数：- 漏源击穿电压（V(br)dss)）：指MOSFET可以承受的最大漏源电压。
超过这个电压值，MOSFET可能会损坏。
- 门源击穿电压（V(br)gss)）：指MOSFET可以承受的最大门源电压。
超过这个电压值，MOSFET可能会损坏。
3.功率参数：- 最大功率耗散（Pd(max)）：指MOSFET可以承受的最大功率耗散。
超过这个功率值，MOSFET可能会过热并损坏。
- 最大功率耗散温度（Tj(max)）：指MOSFET可以承受的最高结温。
超过这个温度值，MOSFET可能会过热并损坏。
4.开关参数：- 共源极电容（Ciss）：指MOSFET漏源极之间的输入电容。
共源极电容越大，表示MOSFET的开关效率越低。
- 输出电容（Coss）：指MOSFET漏源电容。
输出电容越大，表示MOSFET的开关速度越慢。
5.温度参数：- 热阻（Rth）：指MOSFET的导热性能，即单位功率耗散时，MOSFET的结温上升的温度差。
热阻越小，表示MOSFET的散热效果越好。
常用MOSFET技术参数
常用MOSFET技术参数MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，广泛应用于电子设备和电路中。
在选择合适的MOSFET时，需要考虑一系列的技术参数。
下面是一些常用的MOSFET技术参数的详细介绍：1.额定电压（VDS）：额定电压是指MOSFET能够承受的最大电压。
这个参数决定了MOSFET在电路中的使用范围。
同时，额定电压也与MOSFET 的功率处理能力相关。
2.额定电流（ID）：额定电流是指MOSFET能够通过的最大电流。
这个参数决定了MOSFET在电路中的负载能力和功率耗散。
3.阈值电压（VTH）：阈值电压是指控制MOSFET导通的门电压。
当MOSFET的门电压高于阈值电压时，MOSFET导通；当门电压低于阈值电压时，MOSFET截止。
4.开启电阻（RDS(ON)）：开启电阻是指当MOSFET导通时，导通信号在导通通路上产生的电阻。
这个参数决定了MOSFET在导通状态下的功率损耗和导通电流的大小。
5.动态电阻（RDS(ON)）：动态电阻是指MOSFET在开启和关闭状态之间切换时产生的电阻。
这个参数决定了MOSFET在开关过程中的功率损耗和开关速度。
6.开启时间（tON）：开启时间是指MOSFET由截止状态转变为导通状态需要的时间。
开启时间越短，MOSFET的开关速度就越快。
7.关闭时间（tOFF）：关闭时间是指MOSFET由导通状态转变为截止状态需要的时间。
关闭时间越短，MOSFET的开关速度就越快。
8.开启过压（VGS(TH)）：开启过压是指在MOSFET开启状态下，MOSFET的门电压高于阈值电压时，MOSFET产生的电压过高。
过高的电压可能导致设备损坏或故障。
9.关闭过压（VGS(TH)）：关闭过压是指在MOSFET关闭状态下，MOSFET的门电压高于阈值电压时，MOSFET产生的电压过高。
过高的电压可能导致设备损坏或故障。
10.热稳定性：热稳定性是指MOSFET在工作时不易产生过多的热能，以及能够通过散热系统保持较低的工作温度。
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2 2 分立器件分立器件功率 MOSFET1）特性参数功率MOSFET是我们最熟悉的绿色社会开拓者。
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（通用开关功率MOSFET、汽车功率MOSFET、IPD、电池功率MOSFET、通用放大器功率MOSFET）功率功率 MOSFET 参数介绍参数介绍第一部分最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏最大漏--源电压源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID ID -- 连续漏连续漏电流电流电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
IDM IDM --脉冲漏极电流脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。
区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。
这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。
考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。
单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不超过最大允许值。
可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论，来估计脉冲电流下结温的情况。
PD PD --容许沟道总功耗容许沟道总功耗容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。
TJ, TSTG TJ, TSTG--工作温度和存储环境温度的范围工作温度和存储环境温度的范围这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。
设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。
如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。
EAS EAS--单脉冲雪崩击穿能量单脉冲雪崩击穿能量如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。
雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。
定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。
额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。
EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
L是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。
电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。
雪崩击穿发生时，即使 MOSFET 处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。
电感上所储存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。
MOSFET并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全相同。
通常情况是：某个器件率先发生雪崩击穿，随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。
EAR EAR --重复雪崩能量重复雪崩能量 重复雪崩能量已经成为“工业标准”，但是在没有设定频率，其它损耗以及冷却量的情况下，该参数没有任何意义。
散热(冷却)状况经常制约着重复雪崩能量。
对于雪崩击穿所产生的能量高低也很难预测。
额定EAR的真实意义在于标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。
该定义的前提条件是：不对频率做任何限制，从而器件不会过热，这对于任何可能发生雪崩击穿的器件都是现实的。
在验证器件设计的过程中，最好可以测量处于工作状态的器件或者热沉的温度，来观察MOSFET器件是否存在过热情况，特别是对于可能发生雪崩击穿的器件。
IAR IAR -- 雪崩击穿电流雪崩击穿电流 对于某些器件，雪崩击穿过程中芯片上电流集边的倾向要求对雪崩电流IAR进行限制。
这样，雪崩电流变成雪崩击穿能量规格的“精细阐述”；其揭示了器件真正的能力。
第二部分静态电特性V(BR)DSS V(BR)DSS：漏：漏：漏--源击穿电压源击穿电压((破坏电压破坏电压)) V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。
这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。
V(BR)DSS是正温度系数，温度低时V(BR)DSS小于25℃时的漏源电压的最大额定值。
在-50℃, V(BR)DSS大约是25℃时最大漏源额定电压的90%。
VGS(th)VGS(th)，，VGS(off)VGS(off)：阈值电压：阈值电压：阈值电压 VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。
正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。
因此，VGS(th)的变化范围是规定好的。
VGS(th)是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。
RDS(on)RDS(on)：导通电阻：导通电阻：导通电阻 RDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。
IDSS IDSS：零栅压漏极电流：零栅压漏极电流：零栅压漏极电流 IDSS是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。
既然泄漏电流随着温度的增加而增大，IDSS在室温和高温下都有规定。
漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间的电压计算，通常这部分功耗可以忽略不计。
IGSS ―栅源漏电流栅源漏电流 IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。
第三部分动态电特性Ciss Ciss：输入电容：输入电容：输入电容 将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。
Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。
当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。
因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
Coss Coss：输出电容：输出电容：输出电容 将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。
Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振Crss Crss：反向传输电容：反向传输电容：反向传输电容在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。
反向传输电容等同于栅漏电容。
Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。
电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。
：栅电荷Qg：栅电荷Qgs, Qgd, 和Qg：栅电荷栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，既然开关的瞬间，电容上的电荷随电压的变化而变化，所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。
Qgs从0电荷开始到第一个拐点处，Qgd是从第一个拐点到第二个拐点之间部分（也叫做“米勒”电荷），Qg是从0点到vGS等于一个特定的驱动电压的部分。
漏电流和漏源电压的变化对栅电荷值影响比较小，而且栅电荷不随温度的变化。
测试条件是规定好的。
栅电荷的曲线图体现在数据表中，包括固定漏电流和变化漏源电压情况下所对应的栅电荷变化曲线。
在图中平台电压VGS(pl)随着电流的增大增加的比较小（随着电流的降低也会降低）。
平台电压也正比于阈值电压，所以不同的阈值电压将会产生不同的平台电压。
下面这个图更加详细，应用一下：：导通延时时间导通延时时间是从当栅源电压上升到10%栅驱动电压时到漏电流升到规定电流的10%时所经历的时间。
：关断延时时间td(off) ：关断延时时间关断延时时间是从当栅源电压下降到90%栅驱动电压时到漏电流降至规定电流的90%时所经历的时间。
这显示电流传输到负载之前所经历的延迟。
：上升时间tr tr：上升时间：上升时间上升时间是漏极电流从10%上升到90%所经历的时间。
：下降时间tf tf：下降时间：下降时间下降时间是漏极电流从90%下降到10%所经历的时间。
2）分类原理和优点分类：功率MOSFET可分成两类：P沟道及N沟道：中间箭头向里的是N沟道而箭头向外的是P沟道。
它有三个极：漏极（D）。
源极（S）及栅极（G）。
有一些功率MOS-FET内部在漏源极之间并接了一个二极管或肖特基二极管，这是在接电感负载时，防止反电势损坏 MOSFET。
这两类MOSFET的工作原理相同，仅电源电压控制电压的极性相反。
MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
优势：1、mosfet是电压控制型器件，因此在驱动大电流时无需推动级。
电路较简单2、输入阻抗高，可达百兆Ω以上3、工作频率范围宽，开关速度高（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关损耗小4、有较优良的线性区，并且mosfet的输入比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高，噪声也小，最适合制作Hi-Fi音响5、功率mosfet可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流。
•功率MOSFET都是增强型MOSFET，它具有优良的开关特性。