半导体复习参考试题
半导体物理复习试题及答案(复习资料)
半导体物理复习试题及复习资料一、选择题1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。
A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A. 电子和空穴B.空穴C. 电子3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。
A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。
A.相同B.不同C.无关6.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A. 直接B. 间接8. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。
A. 施主B. 受主C. 陷阱D. 复合中心9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。
A. 大于1/2B. 小于1/2C. 等于1/2D. 等于1E. 等于010. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C -V 特性图中，AB 段代表（ A ），CD 段代表（B ）。
A. 多子积累B. 多子耗尽C. 少子反型D. 平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。
A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0B. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。
半导体公司笔试题
半导体公司笔试题
半导体公司笔试题目通常会涵盖半导体技术、半导体市场、半导体工艺等方面的知识点。
以下是一些可能的题目：
1.什么是半导体？请简述半导体的基本特性。
2.什么是PN结？请简述PN结的形成过程。
3.请简述晶体管的放大原理。
4.请简述集成电路的基本构成和分类。
5.请简述半导体制造的基本工艺流程。
6.什么是CMOS图像传感器？请简述其工作原理。
7.请简述半导体存储器的基本分类和特点。
8.请简述集成电路封装的基本类型和作用。
9.请简述半导体的应用领域和发展趋势。
10.请简述半导体的主要生产国家和地区，并分析其优劣势。
以上题目仅供参考，具体的笔试题目还需要根据具体的半导体公司和招聘岗位来确定。
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
半导体物理复习试题及答案复习资料
半导体物理复习试题及答案复习资料一、引言半导体物理是现代电子学中至关重要的一门学科，其涉及电子行为、半导体器件工作原理等内容。
为了帮助大家更好地复习半导体物理，本文整理了一些常见的复习试题及答案，以供大家参考和学习。
二、基础知识题1. 请简述半导体材料相对于导体和绝缘体的特点。
答案：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。
与导体相比，半导体的电导率较低，并且在无外界作用下几乎不带电荷。
与绝缘体相比，半导体的电导率较高，但不会随温度显著增加。
2. 什么是本征半导体？请举例说明。
答案：本征半导体是指不掺杂任何杂质的半导体材料。
例如，纯净的硅（Si）和锗（Ge）就是本征半导体。
3. 简述P型半导体和N型半导体的形成原理。
答案：P型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量三价元素，如硼（B），使其成为施主原子。
施主原子进入晶格后，会失去一个电子，并在晶格中留下一个空位。
这样就使得电子在晶格中存在的空位，形成了称为“空穴”的正电荷载流子，因此形成了P型半导体。
N型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量五价元素，如磷（P）或砷（As），使其成为受主原子。
受主原子进入晶格后，会多出一个电子，并在晶格中留下一个可移动的带负电荷的离子。
这样就使得半导体中存在了大量的自由电子，形成了N型半导体。
4. 简述PN结的形成原理及特性。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体的结合所形成。
P型半导体和N型半导体在接触处发生扩散，形成电子从N区流向P区的过程。
PN结具有单向导电性，即在正向偏置时，电流可以顺利通过；而在反向偏置时，电流几乎无法通过。
三、摩尔斯电子学题1. 使用摩尔斯电子学符号，画出“半导体”的符号。
答案：半导体的摩尔斯电子学符号为“--..-.-.-...-.”2. 根据摩尔斯电子学符号“--.-.--.-.-.-.--.--”，翻译为英文是什么？答案：根据翻译表，该符号翻译为“TRANSISTOR”。
半导体复习参考试题
半导体复习参考试题⼀、填空题1. ⾃由电⼦的能量与波数的关系式为（0222)(m k h k E =），孤⽴原⼦中的电⼦能量（⼤⼩为2220408n h q m E n ε-=的分⽴能级），晶体中的电⼦能量为（电⼦共有化运动）所形成的（准连续）的能带。
2. 温度⼀定时，对于⼀定的晶体，体积⼤的能带中的能级间隔（⼩），对于同⼀块晶体，当原⼦间距变⼤时，禁带宽度（变⼩）。
3. 玻尔兹曼分布适⽤于（⾮简并）半导体，对于能量为E 的⼀个量⼦态被电⼦占据的概率为（)ex p()ex p()(00Tk ET k E E f F B -?=），费⽶分布适⽤于（简并）半导体，对于能量为E 的⼀个量⼦态被电⼦占据的概率为（)e x p (11)(0Tk E E E f F-+=），当EF 满⾜（Tk E E T k E E V F F C 0022≤-≤-或）时，必须考虑该分布。
4. 半导体材料中的（能带结构（直接复合））、（杂质和缺陷等复合中⼼（间接复合））、（样品形状和表⾯状态（表⾯复合））等会影响⾮平衡载流⼦的寿命，寿命值的⼤⼩反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的⼀个重要指标。
5. Si 属于（间接）带隙半导体。
导带极⼩值位于布⾥渊区的（<100>⽅向）上由布⾥渊区中⼼点Г到边界X 点的（0.85倍）处，导带极值附近的等能⾯是（长轴沿<100>⽅向的旋转椭球⾯），在简约布⾥渊区，共有（6）个这样的等能⾯。
6. Ge 属于（间接）带隙半导体。
导带极⼩值位于布⾥渊区的（<111>⽅向）上由布⾥渊区边界L 点处，导带极值附近的等能⾯是（长轴沿<111>⽅向的旋转椭球⾯），在简约布⾥渊区，共有（4）个这样的等能⾯。
7. GaAs 属于（直接）带隙半导体。
导带极⼩值位于布⾥渊区中⼼点Г处，极值附近的等能⾯是（球⾯），在简约布⾥渊区，共有（1）个这样的等能⾯。
在布⾥渊区的（<111>⽅向）边界L 点处，存在⾼于能⾕值0.29eV 的次低能⾕，简约布⾥渊区⼀共有（8）个这样的能⾕。
半导体器件期末考试试题
半导体器件期末考试试题# 半导体器件期末考试试题## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为： - A. 温度影响- B. 掺杂效应- C. 晶格结构- D. 电子空穴对2. PN结形成后，其两侧的电势差是：- A. 正值- B. 负值- C. 零- D. 无法确定3. 下列哪个不是半导体器件的特性参数：- A. 载流子浓度- B. 迁移率- C. 击穿电压- D. 频率响应4. MOSFET的全称是：- A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管- B. 金属-半导体-氧化物场效应晶体管- C. 金属-氧化物-半导体二极管- D. 金属-氧化物-半导体变容二极管5. 以下哪个是半导体器件的制造工艺：- A. 光刻- B. 焊接- C. 铸造- D. 热处理## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述PN结的工作原理及其在半导体器件中的应用。
2. 描述MOSFET的工作原理，并说明其在集成电路设计中的重要性。
3. 解释半导体材料的掺杂过程，并举例说明掺杂对半导体器件性能的影响。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个N型半导体的掺杂浓度为\[10^{15}\] cm\[^{-3}\]，计算其在室温下的电子浓度。
假设电子的亲和力为0.7eV。
2. 给定一个PN结，其正向偏置电压为0.7V，反向击穿电压为100V。
若PN结处于反向偏置状态，计算其反向偏置电压为50V时的耗尽区宽度。
假设耗尽区宽度与电压的关系为线性。
## 四、论述题（共30分）1. 论述半导体器件在现代电子技术中的重要性，并展望其在未来技术发展中的潜在应用。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能根据教学大纲和课程内容有所不同。
考生应根据所学知识和理解，认真作答。
半导体复习参考精彩试题
一、填空题1. 自由电子的能量与波数的关系式为（0222)(m k h k E =），孤立原子中的电子能量（大小为2220408n h q m E n ε-=的分立能级），晶体中的电子能量为（电子共有化运动）所形成的（准连续）的能带。
2. 温度一定时，对于一定的晶体，体积大的能带中的能级间隔（小），对于同一块晶体，当原子间距变大时，禁带宽度（变小）。
3. 玻尔兹曼分布适用于（非简并）半导体，对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概率为（)ex p()ex p()(00T k E T k E E f F B -⋅=），费米分布适用于（简并）半导体，对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概率为（)ex p(11)(0T k E E E f F -+=），当EF 满足（T k E E T k E E V F F C 0022≤-≤-或）时，必须考虑该分布。
4. 半导体材料中的（能带结构（直接复合））、（杂质和缺陷等复合中心（间接复合））、（样品形状和表面状态（表面复合））等会影响非平衡载流子的寿命，寿命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一个重要指标。
5. Si 属于（间接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区的（<100>方向）上由布里渊区中心点Г到边界X 点的（0.85倍）处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<100>方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（6）个这样的等能面。
6. Ge 属于（间接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区的（<111>方向）上由布里渊区边界L 点处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<111>方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（4）个这样的等能面。
7. GaAs 属于（直接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区中心点Г处，极值附近的等能面是（球面），在简约布里渊区，共有（1）个这样的等能面。
在布里渊区的（<111>方向）边界L 点处，存在高于能谷值0.29eV 的次低能谷，简约布里渊区一共有（8）个这样的能谷。
《半导体集成电路》考试题目及参考答案
？ ？第一部分 考试试题第 0 章 绪论1.什么叫半导体集成电路？2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响6.名词解释：集成度、wafer size 、die size 、摩尔定律？第 1 章 集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。
3.简单叙述一下 pn 结隔离的 NPN 晶体管的光刻步骤？4.简述硅栅p 阱 CMOS 的光刻步骤？5.以 p 阱 CMOS 工艺为基础的BiCMOS 的有哪些不足？6.以 N 阱 CMOS 工艺为基础的BiCMOS 的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
7. 请画出 NPN 晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。
8.请画出 C MOS 反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第 2 章 集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。
2. 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？3. 什么是 MOS 晶体管的有源寄生效应？4. 什么是 MOS 晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?5. 消除“Latch-up ”效应的方法？6.如何解决 MOS 器件的场区寄生 MOSFET 效应？7. 如何解决 MOS 器件中的寄生双极晶体管效应？第 3 章 集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和 MOS 集成电路中常用的电阻都有哪些？2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻 200 欧，阻值为 1K 的电阻，已知耗散功率为 20W /c ㎡,该电阻上的压降为 5V,设计此电阻。
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一、填空题1. 自由电子的能量与波数的关系式为（0222)(m k h k E =），孤立原子中的电子能量（大小为2220408n h q m E n ε-=的分立能级），晶体中的电子能量为（电子共有化运动）所形成的（准连续）的能带。
2. 温度一定时，对于一定的晶体，体积大的能带中的能级间隔（小），对于同一块晶体，当原子间距变大时，禁带宽度（变小）。
3. 玻尔兹曼分布适用于（非简并）半导体，对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概率为（)ex p()ex p()(00T k E T k E E f F B -⋅=），费米分布适用于（简并）半导体，对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概率为（)ex p(11)(0T k E E E f F -+=），当EF 满足（T k E E T k E E V F F C 0022≤-≤-或）时，必须考虑该分布。
4. 半导体材料中的（能带结构（直接复合））、（杂质和缺陷等复合中心（间接复合））、（样品形状和表面状态（表面复合））等会影响非平衡载流子的寿命，寿命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一个重要指标。
5. Si 属于（间接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区的（<100>方向）上由布里渊区中心点Г到边界X 点的（0.85倍）处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<100>方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（6）个这样的等能面。
6. Ge 属于（间接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区的（<111>方向）上由布里渊区边界L 点处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<111>方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（4）个这样的等能面。
7. GaAs 属于（直接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区中心点Г处，极值附近的等能面是（球面），在简约布里渊区，共有（1）个这样的等能面。
在布里渊区的（<111>方向）边界L 点处，存在高于能谷值0.29eV 的次低能谷，简约布里渊区一共有（8）个这样的能谷。
8. Si 、Ge 和GaAs 能带结构的共同点：1)禁带宽度具有负温度系数2)价带顶位于布里渊区中心，k=0处，等能面不是球面，有轻重空穴之分。
9. 有效质量是（半导体内部势场）作用的概括。
由于晶体内部的各向异性，在k 空间的三个主轴上，有效质量可以表示为（222*11x x k E h m ∂∂=、222*11y y k E h m ∂∂=、222*11zz k E h m ∂∂=，一般情况下，*x m ，*y m ，*zm 是不等的）。
在能带底部，22k E ∂∂为(正)值，即)0(*>n m ；在能带顶部，22kE ∂∂为(负)值，即)0(*<n m 。
在k E ~关系的拐点处，（∞→*n m ），说明此处电子（不受外电场作用，电子从外场获得的能量，全部释放给晶格）。
内层电子形成的能带（窄），kE ~曲线曲率（小），22k E ∂∂（小），所以*n m （大）。
外层电子能带（宽），22kE ∂∂（大），所以*n m （小），共有化运动强，在外力作用下，可以获得更大的加速度。
10. 一种晶体中导带底电子能量E 与波矢K 的关系为A k h E E c 222+=，其中c E 为导带底能量，A 是常数，则电子的有效质量：（A dk E d h m n==*)(222）。
11.一维晶体中电子能量E 与波矢K 的关系为B k k h E 202)(-=，其中0k 和B 是常数，则电子速度：（Bh dk dE h v 21==）。
12. 半导体的陷阱中心使其中心光电导灵敏度（提高），并使其光电导衰减规律（延长衰减时间）。
13. 当系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统（每增加一个电子）所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。
费米能级标志了（电子填充能级）的水平。
它主要受（掺杂浓度）、（掺杂种类）和（温度）的影响。
在绝对零度时，F E E >的能级（没有）电子占据；而F E E <的能级（完全被）电子占据。
随着温度的升高，电子占据F E E >的能级概率（增大），空穴占据F E E <的能级概率（增大）。
二、选择题1. 施主杂质电离后向半导体导带提供（ B ），受主杂质电离后向半导体价带提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ AB ）。
A. 空穴 B. 电子2. 室温下，半导体Si 掺硼的浓度为1014cm -3，费米能级（B ）；继续掺入浓度为1.1×1015cm -3的磷，费米能级（A ）；将该半导体升温至570K ，费米能级（C ）。
（已知：室温下，n i ≈1.5×1010cm -3，570K 时，n i ≈2×1017cm -3）A. 高于E i B. 低于E i C. 约等于E i3. 对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（C ），本征流子浓度（A ），多子浓度（B ），少子浓度（A ）。
A. 变大 B. 不变 C. 变小4. 最有效的复合中心能级位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（C ）附近。
A. E AB. E DC. E FD. E i5. 扩散系数反映了载流子在（A ）作用下运动的难易程度，迁移率反映了载流子在（B ）作用下运动的难易程度。
A. 浓度梯度 B. 电场 C. 光照 D.磁场6. 最小电导率出现在（ B ）型半导体。
A. n B. p C. 本征7. 电子在晶体中的共有化运动是指（C ）。
A. 电子在晶体中各处出现的几率相同。
B. 电子在晶体原胞中各点出现的几率相同。
C. 电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同。
D. 电子在晶体各原胞对应点的相位相同。
8. 本征半导体是指（D ）的半导体。
A. 电子浓度等于本征载流子浓度B. 电阻率最高C. 电子浓度等于空穴浓度D.不含杂质与缺陷9. II-VI 族化合物中的M 空位V m 是（C ）。
A. 点阵中的金属原子间隙B. 一种在禁带中引入施主的点缺陷C. 点阵中的点阵中的金属原子空位D. 一种在禁带中引入受主的位错10. 若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（A ）。
A. 处于绝对零度B. 不含任何杂质C. 不含任何缺陷D. 不含施主11. Si 中掺金的工艺主要用于制造（B ）器件。
A. 高可靠性B. 高频C. 大功率D. 高电压12. 半导体的载流子扩散系数大小决定于其（D ）。
A. 复合机构B. 能带结构C. 晶体结构D. 散射机构13. 公式*n c m qB =ω和3230*)2(2h T k m N n C π=中的*n m 对于（A ）取值相同。
A. GaAs B. GaP C. Si D. Ge14. 若用N 取代GaP 中的一部分P ，半导体的禁带宽度（A ）；若用As 则禁带宽度（C ）。
A. 变大B. 不变C. 变小15. GaAs 的导带极值位于布里渊区（D ）。
A. <100>方向边界处B. <111>方向边界处C. <110>方向边界处D.中心16. 重空穴指的是（C ）。
A. 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B. 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C. 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D. 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴17. 根据费米分布函数，电子占据（T k E F 0+）能级的几率（B ）。
A. 等于空穴占据（T k E F 0+）能级的几率B. 等于空穴占据（T k E F 0-）能级的几率C. 大于电子占据F E 的几率D. 大于空穴占据F E 的几率18. 对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级F E 随温度升高而（D ）。
A. 单调上升B. 单调下降C. 经过一个极小值后趋近i ED.经过一个极大值后趋近i E19. 若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（D ）。
A. 本征半导体B. 金属C. 化合物半导体D. 掺杂半导体20. 公式*mq τμ=中的τ是载流子的（C ）。
A. 渡越时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散系数21. 在太空的空间实验室里生长的GaAS 具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料（D ）。
A. 无杂质污染B. 受宇宙射线辐射C. 化学配比合理D. 晶体完整性好22. 在光电转换过程中，Si 比GaAs 量子效率低，因为其（D ）。
A. 禁带较窄B. 禁带较宽C. 禁带是间接跃迁型D. 禁带是直接跃迁型23. 若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（C ）。
A ．金属．B ．本征半导体C ．掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体C ．平均自由时间D ．扩散系数24．在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。
A. 曲率大；B. 曲率小；C. 大；D. 小；E. 重空穴；F. 轻空穴25. 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。
A. 施主B. 受主C.复合中心D.陷阱 F. 两性杂质26. 在通常情况下，GaN 呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。
A ．纤锌矿型；B. 闪锌矿型；C. 六方对称性；D.立方对称性；E.间接带隙；F. 直接带隙 27. 同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4，m*/m 0是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/828. 一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。
A.1/4 ；B.1/e ；C.1/e 2 ；D.1/229. 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i >> /N D -N A/ 时，半导体具有 （ B ） 半导体的导电特性。
A. 非本征 B.本征 30.在室温下，非简并Si 中电子扩散系数D 与Ｎ有如下图 （C ） 所示的最恰当的依赖关系31.在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（ A ）移动；当掺杂浓度一定时，温度从室温逐步增加，费米能级向( C )移动。