半导体材料期末复习(1)
半导体物理复习与总结1答辩
no p0 Nc NV e
Ec EF kT
e
E E F v kT
Nc NV e
Eg kT
非简并半导体的统计分布规律
本征半导体
f ( E) f B ( E ) Ae
E k0T
杂质半导体
1 f D (E) 1 ED EF 1 exp( ) 2 k 0T 1 f A (E) 1 EF E A 1 exp( ) 2 k 0T
NA
1
pA N A pA
NA 1 2e
EF E A kT
非简并半导体中载流子浓度
2kTmdn 导带中电子浓度： no N / V 2 e 2 h
3/ 2 Ec EF kT 价带中空穴浓度po NV e
EF Ev kT
2kTmdp NV 2 h2
3/ 2
电子和空穴的乘积
nD N D f ( E D )
1 e 2
ED EF kT
ND
1
— 未电离的施主浓度
电离的施主浓度nD+为：
n N D nD 2e
D
ED EF kT
ND
1
没有电离的受主浓度pA为：
pA N A f p (EA )
电离的受主浓度pA-为：
1 e 2
E A EF kT
非简并半导体
服从费米统计规律 电子：
1 f (E) E EF 1 exp( ) k0T 1 f p (E) 1 f (E) EF E 1 exp( ) k0T
注：只有重掺杂的半导体才有可能是简并半导 体
《半导体物理》期末复习题目
《半导体物体复习资料》1、本征半导体是指（A ）的半导体。
A. 不含杂质和晶格缺陷B. 电阻率最高C. 电子密度和空穴密度相等D. 电子密度与本征载流子密度相等2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（D ）。
A. 不含施主杂质B. 不含受主杂质C. 不含任何杂质D. 处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级E F随温度上升而（D ）。
A. 单调上升B. 单调下降C. 经过一个极小值趋近EiD. 经过一个极大值趋近Ei4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（ C ）。
A. 金属B. 本征半导体C. 掺杂半导体D. 高纯化合物半导体5、公式中的是半导体载流子的（ C ）。
A. 迁移时间B. 寿命C. 平均自由时间D. 扩散时间6、下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（ A ）A. 含硼1×1015cm-3的硅B. 含磷1×1016cm-3的硅C. 含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅D. 纯净的硅7、室温下，如在半导体Si中，同时掺有1×1014cm-3的硼和1.1×1015cm-3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级为（ G ）。
将该半导体由室温度升至570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级为（ I ）。
（已知：室温下，n i≈1.5×1010cm-3；570K时，n i≈2×1017cm-3）A、1×1014cm-3B、1×1015cm-3C、1.1×1015cm-3D、2.25×105cm-3E、1.2×1015cm-3F、2×1017cm-3G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（ C ）附近，常见的是（ E ）陷阱。
(整理)九年级上物理期末复习：半导体.
2010九年级上物理期末复习：半导体三点提示重点：1.导体、绝缘体、半导体导电性能的差异；2.知道半导体二极管的单向导电性．难点：半导体的导电性能考点：1.导体、绝缘体、半导体导电性能2.半导体的应用基础在线1．根据导电性的不同，材料可分为__________、___________、___________三大类。
材料的导电性能是由材料内部_______运动状况决定的。
2.条形码扫描器内有由______________、______________等元件构成的电路。
3．当光照到半导体时，半导体内将会产生电流，根据这个特点，人们制成了无污染电源: ____________________________。
4.有一种二极管在通电时发光，叫发光二极管，在电路图中的符号为“”。
如图1所示电路中，开关闭合后，发光二极管能发光的是图______________ (填"甲"或"乙")。
图15．你能说说生活中哪些地方用到了半导体材料吗？（请举两例）①______________________________________；②______________________________________；6．城市马路的十字路口都安装了红绿指示灯，其原理如图2，开关与______接触时，提示行人可行走；开关与_______接触时，提示行人停止行走．图27．关于半导体，以下说法错误的是( )A．半导体的导电性能受温度、光照等外界因素的影响远比导体、绝缘体大得多B．楼道自动开关中的光敏电阻就是半导体C．盐水的浓度对导电性能有很大的影响，调节盐水的浓度就可以使盐水成为半导体D．集成电路是用半导体材料制作的8．超市条形码识别仪的光敏二极管的主要材料是( )A．导体B．半导体C．超导体D．绝缘体9.对半导体导电性能大小的叙述正确的是( )A．半导体的电阻等于零B．半导体的电阻比导体要小C．一般来说，半导体的导电性能比绝缘体大得多，但比导体小得多D．半导体的电阻比绝缘体大10．半导体材料有着广泛的应用，下面物体不需要应用半导体材料的是( )A．机器人B．条形码扫描器C．电磁铁D．微处理器和收音机要点点击1．小刚拆开了家庭电路中常用的白炽灯泡和灯头，如图3所示，则以下灯泡和灯头上的各部件中全部属于绝缘体的是（）A．灯头后盖、螺旋B．玻璃泡、锡块C．螺旋、金属片D．灯头后盖、玻璃泡2．在通常情况下，下列物体中，不容易导电的是（ ）A ．金属B ．食盐水C ．橡胶D ．大地3．下列材料属于半导体材料的是（ ）A.铜B.石墨C.橡胶D.硅4.下列设备中，利用光照产生电流的是 ( )A.微处理器B.发光二极管C 、太阳电池 D.电铃5．下列是制成铅笔的几种材料，通常条件下属于绝缘体的是（ ）A ．木材、橡皮B ．石墨、金属C ．木材、金屑D ．石墨、橡皮6．以下物体中，不属于半导体材料的是（ ）A ．锗B ．硅C ．食盐水D ．砷化镓7.—般发光二极管正常工作电流约为10mA ，但电流达到3mA 就可以发光．但通过的电流过大会烧坏发光二极管，使用时常______一个电阻．如图4，设电源电压为3V ，发光二极管导电时的电阻约为250Ω，则限流电阻阻值约为______. 8.如图5所示，在常温下闭 合开关，发现灯泡不亮，如图 (甲)，这说 明常温下玻璃是______________体;当闭合电路， 将玻璃珠加热到红炽状态时，发现灯泡发 光，如图(乙)，这说明红炽状态下的玻璃是______________体。
半导体硅材料基础知识.1
微秒是10-6秒）。
所谓非平衡载流子是指当半导体中载流子的产生与复合处于平衡状态时，由于受某种外界条件的作用，如受到光线照射时而新增加的电子——空穴对，这部分新增加的载流子叫作非平衡载流子。
对于P型硅而言：新增加的电子叫作非平衡少数载流子；而新增加的空穴叫作非平衡多数载流子。
对于N型硅而言：新增加的空穴叫作非平衡少数载流子；而新增加的电子叫作非平衡多数载流子。
当光照停止后，这些非平衡载流子并不是立即全部消失，而是逐渐被复合而消失，它们存在的平均时间就叫作非平衡载流子的寿命。
非平衡载流子的寿命长短反映了半导体材料的内在质量，如晶体结构的完整性、所含杂质以及缺陷的多少，因为硅晶体的缺陷和杂质往往是非平衡载流子的复合中心。
少子寿命是一个重要的参数，用于高能粒子探测器的FZ硅的电阻率高达上万Ωcm，少子寿命上千微秒；用于IC工业的CZ硅的电阻率一般在5—30Ωcm范围内，少子寿命值多要求在100μs以上；用于晶体管的CZ硅的电阻率一般在30—100Ωcm，少子寿命也在100μs以上；而用于太阳能电池CZ硅片的电阻率在0.5—6Ωcm，少子寿命应≥10μs。
5. 氧化量：指硅材料中氧原子的浓度。
太阳能电池要求硅中氧含量＜5×1018原子个数/cm3。
6. 碳含量：指硅材料中碳原子的浓度。
太阳能电池要求硅中碳含量＜5×1017原子个数/cm3。
7、晶体缺陷另外：对于IC用硅片而言还要求检测：微缺陷种类及其均匀性；电阻率均匀性；氧、碳含量的均匀性；硅片的总厚度变化TTV；硅片的局部平整度LTV等等参数。
一、我公司在采购中常见的几种硅材料1.Cell：称为电池片，常常是电池片厂家外销的产品，它实际是一个单元电池。
2.Wafer：这通常指的是硅片，可能是圆片，也可能是方片。
圆片包括：硅切片，硅磨片、硅抛光片、图形片、污渍片、缺损片。
3.Ingot：常常指的是单晶硅锭，且是圆柱形的硅锭，也有用指多晶硅铸锭的。
半导体试卷(经典考题).
(15分)
求耗尽层内电势的分布V(x)；(7分)
当Vs=0.4V时的耗尽层宽度Xd和最大耗尽宽度Xdm的表达式；(8分)
解：（1）根据耗尽层近似，空间电荷区的电荷密度为ρ(x)=qND,故泊松方程可写为: (1)
A.变大，变小 ； B.变小，变大； C.变小，变小； D.变大，变大。
12、如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（ B ）空穴的俘获率，它是（ D ）。 A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的复合中心； E. 有效陷阱。
13、在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A）。A. In (Wm=3.8eV) ； B. Cr (Wm=4.6eV)； C. Au (Wm=4.8eV)； D. Al (Wm=4.2eV)。
――由于扩散，单位时间、单位体积中空穴的积累数；（2分）
――由于漂移，单位时间、单位体积中空穴的积累数；（2分）
――由于复合，单位时间、单位体积中空穴的消失数；（2分）
――由于其他原因，单位时间、单位体积中空穴的产生数。（2分）
四、计算题（共30分，15＋15，共2题）
1、有一金属与n型Si单晶接触形成肖特基二极管，已知Wm=4.7eV，Xs=4.0eV，Nc=1×1019cm-3,ND=1×1015cm-3，半导体的相对介电常数εr=12。若忽略表面态的影响，试计算在室温下：（ε0=8.85×10-14，q=1.6×10-19C）
1.如金属和一p型半导体形成金属－半导体接触，请简述在什么条件下，形成的哪两种不同电学特性的接触，说明半导体表面的能带情况，并画出对应的I-V曲线。（忽略表面态的影响）（10分）
2014年浙江师范大学半导体材料期末考试复习大纲-作者 李泊位
第一章绪论1、掌握半导体的概念和分类半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
2、掌握半导体材料的五大特性整流效应、光电导效应、负电阻温度效应、光生伏特效应和霍尔效应3、理解影响半导体材料发展的两大关键因素半导体材料的不纯，半导体物理理论的不完善4、了解摩尔定律、摩尔定律的极限、研发新器件的思路能带论、导电机理模型和扩散理论得到了半导体理论。
半导体材料工艺可概括为提纯、单晶制备和杂质控制。
化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。
悬浮区熔法－－生长高纯硅单晶水平区熔法－－生产锗单晶垂直定向结晶法－－生长碲化镉、砷化镓外延生长的优点1. 外延生长中，外延层中的杂质浓度可以方便地通过控制反应气流中的杂质含量加以调节，而不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。
单晶生长需要进行杂质掺杂。
2. 外延生长可以选择性的进行生长，不同材料的外延生长，不同成分的外延生长，这对于器件的制备尤为重要。
3. 一些半导体材料目前只能用外延生长来制备，如GaN集成度指单块芯片上所容纳的原件数目。
集成电路的意义它标志着半导体器件由小型化开始进入集成化时期。
所谓集成电路指的是把二极管、三极管（晶体管）以及电阻、电容都制做在同一个硅芯片上，使一个片子所完成的不再是一个晶体管的放大或开关效应，而是具有一个电路的功能。
摩尔定律的极限1. 功耗的问题2. 掺杂原子均匀性的问题3. SiO2层量子遂穿漏电的问题4. 量子效应的问题改良的方法延长摩尔定律1. 氧化物绝缘层的击穿和漏电问题，可以改用介电常数大的介质，厚度就会增加。
即用新的介电材料来代替SiO2，就可以避免由于量子隧穿导致的漏电问题。
2. 把硅CMOS 器件的源或漏电极集成一个共振隧穿器件，在不增加功耗和器件尺寸情况下，就可以把器件的逻辑功能提高上百倍千倍！这种混合集成的办法虽不能彻底克服硅微电子技术遇到的挑战，可以用于延长摩尔定律的寿命。
复习题半导体物理学
复习题：半导体物理学引言：半导体物理学是研究半导体材料的电学和光学性质的科学学科。
半导体材料由于其特殊的能带结构，介于导体和绝缘体之间。
在半导体物理学中，我们研究电子行为、能带理论、掺杂效应和半导体器件等方面的内容。
本文将通过一系列复习题来回顾半导体物理学的相关知识。
一、电子行为：1. 什么是载流子？在半导体中有哪两种类型的载流子？在半导体中，带有电荷的粒子称为载流子。
一种是带负电荷的电子，另一种是带正电荷的空穴。
2. 什么是能带？能带理论是用来描述什么的？能带是指具有一定能量范围的电子能级分布。
能带理论用于描述电子在半导体中的分布和运动行为。
3. 什么是禁带宽度？它对半导体的导电性质有什么影响？禁带宽度是指能带中能量差最小的范围，该范围内的能级没有允许态。
禁带宽度决定了半导体的导电性能。
能带中存在禁带宽度时，半导体表现出绝缘体的性质；当禁带宽度足够小的时候，允许电子状态穿越禁带，半导体表现出导体的性质。
二、掺杂效应：1. 什么是掺杂？常见的掺杂元素有哪些？掺杂是指向纯净的半导体中引入少量杂质元素，以改变半导体的导电性质。
常见的掺杂元素有磷、锑、硼等。
2. 控制掺杂浓度的方法有哪些？掺杂浓度可以通过掺杂杂质元素的量来控制。
掺杂浓度越高，半导体的导电性越强。
3. P型和N型半导体有什么区别？P型半导体是指通过掺杂三价元素使半导体中存在过剩的空穴，空穴是主要的载流子。
N型半导体是指通过掺杂五价元素使半导体中存在过剩的电子，电子是主要的载流子。
三、半导体器件：1. 什么是PN结？它的主要作用是什么？PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构。
PN结的主要作用是将半导体材料的导电性质从P型区域传导到N型区域，形成电子流和空穴流。
2. 什么是二极管？它的特点是什么？二极管是PN结的一种常见应用。
它具有单向导电性，允许电流从P区域流向N区域，而阻止电流从N区域流向P区域。
3. 什么是晶体管？它的工作原理是怎样的？晶体管是由三个掺杂不同类型的半导体构成的器件。
期末复习 半导体材料知识讲解
半导体材料的分类（按化学组成分类）
• 无机物半导体
– 元素半导体：（Ge, Si） – 化合物半导体
• 三、五族GaAs • 二、六族
• 有机物半导体
6
能带理论（区别三者导电性）
• 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的 能带是部分占满的，所以金属是良好的导体。
• 半导体由于禁带宽度比较小，在温度升高或有光 照时，价带顶部的电子会得到能量激发到导带中 去，这样在导带中就有自由电子，在价带中就相 应的缺少电子，等效为带有正电子的空穴，电子 和空穴同时参与导电，使得半导体具有一定的导 电性能。
• 一般对于绝缘体，禁带宽度较大，在温度升高或 有光照时，能够得到能量而跃迁到导带的电子很 少，因此绝缘体的导电性能很差。
7
半导体结构类型
• 金刚石结构（Si/Ge):同种元素的两套面心 立方格子沿对角线平移1/4套构而成
• 闪锌矿（三、五族化合物如GaAs)：两种元 素的两套面心立方格子沿对角线平移1/4套 构而成
效应
12
作业
• 1.什么是分凝现象？平衡分凝系数？有效分凝系 数？
• 2.写出BPS公式及各个物理量的含义，并讨论影响 分凝系数的因素。
• 3.分别写出正常凝固过程、一次区熔过程锭条中 杂质浓度Cs公式,并说明各个物理量的含义。
• 4.说明为什么实际区熔时，最初几次要选择大熔 区后几次用小熔区的工艺条件。
半导体材料
期末复习
2
考试题型
• 填空30分，每空一分 • 判断题10分，每题一分 • 名词解释20分，每题4分 • 问答题40分，6个题目 • AB卷
3
半导体材料概述
• 从电学性质上讲（主要指电阻率）
– 绝缘体1012—1022 Ω.cm – 半导体10-6—1012 Ω.cm – 良导体≤10-6Ω.cm – 正温度系数（对电导率而言） – 负温度系数（对电阻率而言） – 导体？？？？
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18
晶体的外形
• 从能量的角度：晶体的平衡形状是总界面能最小 的形状。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
2021/3/6
19
作业
• 试述结晶相变的热力学条件、动力学条件、 能量及结构条件。
• 什么叫临界晶核？它的物理意义及与过冷度 的定量关系如何？
• 形核为什么需要形核功？均匀形核与非均匀 形核形核功有何差别？
2021/3/6
20
➢ 区熔次数的选择
区熔次数的经验公式 n=(1-1.5)L/l
➢ 质量输运 通过使锭料倾斜一个角度，用重力作用消除质量输运效 应
2021/3/6
12
锗的水平区熔提纯
根据提纯要求确定区熔长度、区熔速度和次数；清洗 石墨舟、石英管、锗锭；将舟装入石英管、通氢气或抽 真空，排气；熔区产生；高频感应炉（附加电磁搅拌作 用）；区熔若干次
• 2.写出BPS公式及各个物理量的含义，并讨论影响 分凝系数的因素。
• 3.分别写出正常凝固过程、一次区熔过程锭条中 杂质浓度Cs公式,并说明各个物理量的含义。
• 4.说明为什么实际区熔时，最初几次要选择大熔 区后几次用小熔区的工艺条件。
2021/3/6
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三.晶体生长理论基础
• 晶体生长的方式 • 晶体形成的热力学条件 • 晶体生长的三个阶段 • 均匀成核，非均匀成核 • 均匀成核过程中体系自由能随晶胚半径的变化关
半导体材料
2021/3/6
1
期末复习
2021/3/6
2
考试题型
• 填空20分，每空1分 • 判断题20分，每题2分 • 名词解释20分，每题4分 • 问答题40分，6个题目 • 闭卷 • AB卷
2021/3/6
3
考试内容
• 前8章 • 课上补充内容 • 作业 • 期末复习题 • 复习資料
2021/3/6
解决？
• SOI 材料的制备方法有哪些？各自是如何实现的？
2021/3/6
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作业
• 什么是同质外延,异质外延,直接外延,间接外 延?
• 什么是自掺杂?外掺杂?抑制自掺杂的途径有 哪些?
• 什么是SOS,SOI技术 • SOI材料的生长方法有哪些?每种方法是如何
实现的?
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六 三五族化合物半导体
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1.什么是传统机械按键设计？
传统的机械按键设计是需要手动按压按键触动PCBA上的开关按键来实现功能 的一种设计方式。
传统机械按键结构层图：
按键
PCBA
开关键
传统机械按键设计要点：
1.合理的选择按键的类型，尽量选择 平头类的按键，以防按键下陷。
2.开关按键和塑胶按键设计间隙建议 留0.05~0.1mm，以防按键死键。 3.要考虑成型工艺，合理计算累积公 差，以防按键手感不良。
4
半导体材料概述
• 从电学性质上讲（主要指电阻率）
– 绝缘体1012—1022 Ω.cm – 半导体10-6—1012 Ω.cm – 良导体≤10-6Ω.cm – 正温度系数（对电导率而言） – 负温度系数（对电阻率而言） – 导体？？？？
2021/3/6
5
半导体材料的分类（按化学组成分类）
• 无机物半导体
➢ 熔区长度
➢ 一次区熔的效果，l越大越好 ➢ 极限分布时，l越小，锭头杂质浓度越低，纯度越高 ➢ 应用：前几次用宽熔区，后几次用窄熔区。
➢ 熔区的移动速度
➢ 电磁搅拌或高频电磁场的搅动作用，使扩散加速， δ 变薄，使 keff与Ko接近，分凝的效果也越显著
➢ 凝固速 度 f 越慢，keff与Ko接近，分凝的效果也越显著
– 元素半导体：（Ge, Si） – 化合物半导体
• 三、五族GaAs • 二、六族
• 有机物半导体
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6
能带理论（区别三者导电性）
• 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的 能带是部分占满的，所以金属是良好的导体。
• 半导体由于禁带宽度比较小，在温度升高或有光 照时，价带顶部的电子会得到能量激发到导带中 去，这样在导带中就有自由电子，在价带中就相 应的缺少电子，等效为带有正电子的空穴，电子 和空穴同时参与导电，使得半导体具有一定的导 电性能。
• 纤锌矿
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对禁带宽度的影响
• 对于元素半导体： 同一周期，左-〉右，禁带宽度增大 同一族，原子序数的增大，禁带宽度减小
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一.锗、硅的化学制备
• 硅锗的物理化学性质比较
• 高纯硅的制备方法 • 各种方法的具体步骤以及制备过程中材料的
提纯 • 高纯锗的制备方法及步骤
LPE，CBE，ALE ，MLE • 名词解释 • 气相外延 液相外延 • 金属有机物气相沉积 分子束外延 化学束外延 • 蒸发 溅射
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八三五族多元化合物半导体
• 什么是同质结？ 异质结？异质结的分类有 哪些？
• 什么是超晶格？势阱？势垒？量子阱？
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• 认真复习期末复习ppt和期末复习题 • 考试时认真审题，不要遗漏问题
• 尽量回答所有空格，问答题
• 问答题（名词解释）回答要规范化，否则要 扣分。
• 考试时不能携带复印或打印资料，否则算作 弊。
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• 一般对于绝缘体，禁带宽度较大，在温度升高或 有光照时，能够得到能量而跃迁到导带的电子很 少，因此绝缘体的导电性能很差。
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半导体结构类型
• 金刚石结构（Si/Ge):同种元素的两套面心立 方格子沿对角线平移1/4套构而成
• 闪锌矿（三、五族化合物如GaAs)：两种元 素的两套面心立方格子沿对角线平移1/4套 构而成
• 什么是直接跃迁型能带,什么是间接跃迁型 能带?硅锗属于什么类型,砷化镓属于什么类 型?
• 砷化镓单晶的生长方法有哪几种？ • 磷化镓单晶的生长方法
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七 三五族化合物半导体的外延生长
• MBE生长原理 • 写出下列缩写的中文全称 • CVD，PVD，VPE，SOS ，SOI ，MOCVD，MBE，
四、硅锗晶体中的杂质和缺陷
• 硅锗中杂质的分类 • 杂质对材料性能的影响 • 直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制方法 • 位错对材料性能的影响 • 位错对器件的影响
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五 硅外延生长
• 名词解释 同质外延,异质外延,直接外延,间接外延，正外延，反外 延，自掺杂，外掺杂
• 外延不同的分类方法以及每种分类所包括的种类 • 硅气相外延原料 • 硅气相外延分类 • 用SiCL4外延硅的原理以及影响硅外延生长的因素 • 抑制自掺杂的途径？ • 如何防止外延层的夹层？ • 硅的异质外延有哪两种 • 在SOS技术中存在着外延层的生长和腐蚀的矛盾，如何
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二、区熔提纯
• 分凝现象，平衡分凝系数，有效分凝系数，正常 凝固，
• 平衡分凝系数与杂质集中的关系P20图2－1 • BPS公式及各个物理量的含义；分析如何提高分
凝效果，如何变成对数形式 • 影响区熔提纯的因素 • 区熔的分类，硅和锗各采用什么方法
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影响区熔的因素
硅的悬浮区熔提纯
采用悬浮区熔的原因：高温下硅很活泼，易反应，悬 浮区熔可使之不与任何材料接触；利用熔硅表面张力大 而密度小的特点，可使熔区悬浮。
质量输运问题的对策：硅的熔体密度小，质量迁移向 熔区方向进行。因此将熔区从下向上移动，靠重力作用 消除质量迁移。
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作业
• 1.什么是分凝现象？平衡分凝系数？有效分凝系 数？
系分析；图3－2－－P39，各种晶胚的特点 • 硅锗单晶的生长方法 • 直拉法生长单晶的工艺步骤p63 • 结晶过程中的结晶驱动力和溶解驱动力
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结晶驱动力
• 结晶通常在恒温恒压下进行，相变向自由能减 小的方向进行，若体积自由能大于表面能，就 是结晶驱动力，若相反，就是熔解驱动力
2021/3/6