半导体快速热处理温度范围
半导体专业用语
金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W 塞(WPLUG)钝化层(PaSSiVaIion)acceptor受主，如B,掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator 激励ADI After develop inspection 显影后检视AEI After etching inspection 蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key):对位标记Alignment排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammonium fluoride： NHFAmmonium hydroxide： NHOHAmorphous silicon：α -Si,非晶硅(不是多晶硅) amplifier放大器AMU原子质量数Anak>g：模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom： A (E-m)埃AniSOtrOPiC:各向异性(如PoLYETCH) Antimony(Sb)Warc chamber 起弧室ARC： anti-reflect coating 防反射层Argon(Ar)MArsenic Eoxide(AsO)三氧化二珅Arsenic(As)WArsine(AsH)Cassette装晶片的晶舟CD： critical dimension关键性尺寸,临界尺寸Chamber反应室Chart图表Child lot 子批chiller制冷机Chip (die)晶粒Chip：碎片或芯片。
clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂布，光阻覆盖Computer-aided design (CAD)：计算机辅助设计。
Contact Hole 接触窗Control Wafer 控片Correlation：相关性。
sic mos管正常工作温度
sic mos管正常工作温度
SIC MOS管是一种基于碳化硅材料的金属氧化物半导体场效应晶体管。
它具有高电压和高温特性，通常被用于高温、高频和高压的应用环境。
关于SIC MOS管的正常工作温度，需要考虑到其材料和结构特性。
首先，SIC MOS管的碳化硅材料具有优异的热导性和耐高温特性，一般来说，SIC MOS管的正常工作温度范围可以达到150摄氏度至250摄氏度。
这个温度范围可以满足许多高温环境下的应用需求。
其次，SIC MOS管的工作温度还取决于具体的器件设计和制造工艺。
不同厂家生产的SIC MOS管可能具有不同的工作温度规格，因此在实际应用中需要参考厂家提供的规格书来确定具体的工作温度范围。
此外，SIC MOS管在高温下的性能表现也会受到温度的影响，包括导通特性、损耗特性、绝缘特性等。
因此，在选择和应用SIC MOS管时，需要充分考虑其在高温环境下的工作特性，以确保其稳定可靠地工作。
总的来说，SIC MOS管的正常工作温度一般在150摄氏度至250摄氏度之间，但具体的工作温度范围还需要根据器件的设计和制造工艺来确定，同时在实际应用中需要综合考虑其在高温环境下的性能表现。
半导体热处理工艺
半导体热处理工艺
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半导体热处理工艺：
①预热阶段：首先将半导体晶片缓慢加热至目标温度以下，以减少热冲击，防止损伤晶片。
②退火处理：将晶片加热至特定高温并维持一段时间，促使晶格缺陷修复，激活掺杂杂质，改善电学性能。
常用退火方式包括批量式炉退火、快速热退火(RTA)及激光退火，其中RTA仅需约10秒，而激光退火针对表面区域，更快速精确。
③冷却过程：完成退火后，晶片需被缓慢冷却，控制降温速率，避免产生新的内应力或损坏结构。
④合金化处理：特定情况下，热处理用于促进形成金属硅化物层，增强电极接触，提高器件性能。
⑤氧化处理：通过热氧化形成高质量的二氧化硅(SiO2)层，作为绝缘栅或保护层，控制气氛和温度确保良好介电性能。
整个热处理工艺通过精确控制温度、时间和气氛条件，对半导体材料的电学特性和晶体结构进行优化，是半导体制造中不可或缺的关键步骤。
二氧化硅退火
二氧化硅退火
1. 退火原理
退火过程中,二氧化硅中的非晶态结构会向更稳定的形态转变,从而降低内部应力和缺陷。
同时,退火也能改变二氧化硅的折射率、密度和化学组成等性质。
2. 退火工艺
常见的退火工艺包括常规退火、快速热处理和离子注入退火等。
温度范围通常在800-1200°C,时间从几分钟到几小时不等。
退火气氛可选用惰性气体(氮气或氩气)或氧化性气体(氧气)。
3. 应用领域
(1) 半导体制造:用于生长掺杂二氧化硅、改善栅介质、平坦化等工序。
(2) 光纤制备:提高玻璃材料的均匀性和光学性能。
(3) 光学元件:改善透镜和反射镜的质量。
(4) 微机电系统(MEMS):调控二氧化硅膜层的机械和电学性质。
4. 发展趋势
未来,二氧化硅退火工艺将朝着更精确的温度控制、更短的处理时间和更高的能源效率发展。
新型退火设备和模拟软件的应用,将进一步提高退火质量和生产效率。
二氧化硅退火是一种重要的材料加工技术,对半导体、光电子和微系
统等领域的发展具有重要意义。
多晶硅生产工艺流程(3篇)
第1篇一、引言多晶硅是光伏产业和半导体产业的重要原材料，广泛应用于太阳能电池、太阳能热利用、半导体器件等领域。
随着新能源产业的快速发展，对多晶硅的需求量日益增加。
本文将详细介绍多晶硅的生产工艺流程，旨在为相关企业和研究人员提供参考。
二、多晶硅生产工艺流程概述多晶硅的生产工艺流程主要包括以下几个阶段：原料处理、还原反应、熔融提纯、铸造、切割、清洗、包装等。
三、多晶硅生产工艺流程详解1. 原料处理多晶硅的生产原料主要是冶金级硅（Si），其含量在98%以上。
首先，将冶金级硅进行破碎、研磨等处理，使其达到一定的粒度要求。
2. 还原反应还原反应是多晶硅生产的关键环节，其主要目的是将冶金级硅中的杂质去除，得到高纯度的多晶硅。
还原反应分为以下几个步骤：（1）将处理后的冶金级硅加入还原炉中。
（2）在还原炉中通入还原剂，如碳、氢气等，与冶金级硅发生还原反应。
（3）在还原过程中，炉内温度保持在约1100℃左右，反应时间为几小时至几十小时。
（4）反应结束后，将还原炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
3. 熔融提纯还原反应得到的粗多晶硅中仍含有一定的杂质，需要通过熔融提纯的方法进一步去除。
熔融提纯主要包括以下几个步骤：（1）将粗多晶硅加入熔融炉中。
（2）在熔融炉中通入提纯剂，如氢气、氯气等，与粗多晶硅发生反应，生成挥发性杂质。
（3）将挥发性杂质通过炉顶排气系统排出，实现提纯。
（4）提纯结束后，将熔融炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
4. 铸造将提纯后的多晶硅熔体倒入铸造炉中，进行铸造。
铸造过程主要包括以下几个步骤：（1）将熔融的多晶硅倒入铸锭模具中。
（2）在铸锭模具中通入冷却水，使多晶硅迅速凝固。
（3）待多晶硅凝固后，将铸锭模具从熔融炉中取出，得到多晶硅铸锭。
5. 切割将多晶硅铸锭切割成所需尺寸的硅片。
切割过程主要包括以下几个步骤：（1）将多晶硅铸锭放置在切割机上。
（2）在切割机上安装切割刀片，将多晶硅铸锭切割成硅片。
NOR闪存及其制作方法与制作流程
图片简介:本技术介绍了一种NOR闪存及其制作方法，该闪存包括存储单元，其包括层叠的栅极结构，该结构依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅，浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角，所述浮栅边角为圆滑形貌。
该制作方法，包括在晶圆上形成存储单元的步骤，完成晶圆源极自对准刻蚀和离子注入的步骤；对晶圆进行第一次快速热处理，使存储单元的浮栅边缘形成一层二氧化硅薄膜的步骤；通过湿法刻蚀工艺去除浮栅边缘的二氧化硅薄膜的步骤；对晶圆进行第二次快速热处理，使存储单元的浮栅边角的形貌由尖锐变得圆滑，形成圆滑形貌的浮栅边角的步骤。
本技术能够改善NOR闪存的存储单元中浮栅的抗串扰性能，提高NOR闪存的可靠性。
技术要求1.一种NOR闪存，包括存储单元，其特征在于，所述存储单元包括层叠的栅极结构，所述栅极结构从下到上依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅，所述浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角，所述浮栅边角为圆滑形貌。
2.如权利要求1所述的NOR闪存，其特征在于，所述存储单元还包括形成在外延层的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极结构的各个侧面。
3.一种NOR闪存的制作方法，其特征在于，包括在晶圆上形成存储单元的浮栅和控制栅的步骤，还包括以下步骤：S100，完成晶圆源极自对准刻蚀和离子注入的步骤；S200，对晶圆进行第一次快速热处理，使存储单元的浮栅边缘形成一层二氧化硅薄膜的步骤；S300，通过湿法刻蚀工艺去除浮栅边缘的二氧化硅薄膜的步骤；S400，对晶圆进行第二次快速热处理，使存储单元的浮栅边角的形貌由尖锐变得圆滑，形成圆滑形貌的浮栅边角的步骤。
4.如权利要求3所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，形成在晶圆上存储单元的步骤，包括形成层叠的栅极结构的步骤，以及在所述栅极结构各个侧面的外延层形成源极和漏极的步骤。
5.如权利要求4所述的NOR闪存的制作方法，其特征在于，形成层叠的栅极结构的步骤，包括依次在衬底之上形成外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层和控制栅的步骤。
半导体专业术语.
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. Acid：酸4. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5. Align mark(key)：对位标记6. Alloy：合金7. Aluminum：铝8. Ammonia：氨水9. Ammonium fluoride：NH4F10. Ammonium hydroxide：NH4OH11. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12. Analog：模拟的13. Angstrom：A（1E-10m）埃14. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17. Argon(Ar)氩18. Arsenic(As)砷19. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20. Arsine(AsH3)21. Asher：去胶机22. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25. Baseline：标准流程26. Benchmark：基准27. Bipolar：双极28. Boat：扩散用（石英）舟29. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
集成电路快速热处理
集成电路快速热处理
集成电路快速热处理是一种在短时间内对半导体晶片进行加热处理的方法，其设备通常采用单片热处理设备，如快速热处理(RTP)设备。
这种设备可以在短时间内将晶圆的温度快速升至工艺所需温度（如200-1300℃），并且能够快速降温，升/降温度速率约为20-250℃/分钟。
RTP设备具有多种优良的工艺性能，如极佳的热预算和更好的表面均匀性，尤其适用于大尺寸的晶圆片。
此外，RTP设备还可以灵活、快速地转换和调节工艺气体，使得在单个热处理过程中可以完成多段热处理工艺。
例如，在离子注入完成后，使用RTP设备可以修复离子注入产生的损伤，激活掺杂质子并有效抑制杂质扩散。
在实际应用中，RTP系统的加热灯被固定在一个封闭的腔内，透光罩将加热灯与腔内环境和位于腔内的一个或多个晶片隔离开，并确保将灯发出的大部分辐射热能射向半导体晶片。
在灯和基片之间还设有薄的平面石英衬片，通过控制辐射热能在腔中的分布并取消了通常在现有技术的RTP系统中用于隔离灯的厚平面石英窗，从而提高了生产率和可靠性。
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半导体的快速热处理（Rapid Thermal Processing，简称RTP）是一种重要的半导体制造工艺，用于改善半导体材料的电学和机械性能。
快速热处理通常涉及到将硅晶圆在几秒钟或更短的时间内加热到超过1000摄氏度的温度，然后慢慢降低温度，以防止热冲击导致的变形或破裂。
快速热处理的温度范围广泛，具体取决于所需的处理效果和使用的设备。
以下是一些常见的快速热处理温度范围：
1. 激活掺杂物：在一定的温度区间（例如350-550摄氏度）内，可以激活硅晶圆中的掺杂物，提高其电导率。
2. 化学气相沉积（CVD）前的预处理：在化学气相沉积过程中，快速热处理可以用来去除晶圆表面的污染物，活化表面以促进沉积过程。
3. 热处理以改变电阻率：通过在特定温度（例如550-800摄氏度）下处理，可以改变硅晶圆的电阻率，这在制造某些类型的半导体器件时是有用的。
4. 沉淀和层错缺陷控制：在较高的温度区间（例如800-1200摄氏度），快速热处理可以用来控制氧在硅晶圆中的沉淀，以及由此产生的层错缺陷。
5. 还原直拉单晶硅片中的氧：在1200摄氏度的高温下，快速热处理可以用来还原硅晶圆中的氧，这是提高硅纯度和电学性能的重要步骤。
快速热处理工艺的精确控制和优化对于生产高质量的半导体器件至关重要。
为了实现准确的温度控制和均匀的热分布，通常会使用高强度的激光器、灯源或其他加热手段，并结合先进的温度监测和控制系统。
通过这种方式，可以确保快速热处理工艺在不同批次和不同设备之间具有较好的重复性和一致性。