封装 工艺试题及答案

1.集成电路芯片封装狭义：是指利用膜技术及微加工技术，将芯片及其他要素在

框架或基板上布置粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。

2.封装的分类：依引脚分布，封装元件有单边引脚、双边引脚、四边引脚与底部

引脚四种。

3.芯片封装所用材料包括：金属、陶瓷、玻璃、高分子等(金属最具气密性)

4.为了获得最佳的共晶贴装，IC芯片背面通常先镀上一层金的薄膜或在基板的芯

片承载座上先植入预型片。

5.芯片互连方法：打线键合、载带自动键合、倒装芯片键合。

6.TAB技术分为以下三方面：一芯片凸点制作技术，二TAB载带制作技术，三

载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术。

7.厚膜浆料的两个共性：（2）由两种不同的多组分相组成，一个是功能相，提供

最终膜的电学和力学性能，另一个是载体相，提供合适的流变能力。

8.三个参数表征厚膜浆料：①颗粒、②固体粉末百分比含量、③粘度

9.厚膜电阻：把金属氧化物颗粒与玻璃颗粒混合，在足够的温度\时间进行烧结，

以使玻璃熔化并把氧化物颗粒烧结在一起。

10.薄膜技术方法：真空蒸镀、溅射镀膜、电镀、光刻工艺

11.常见电路板有硬式印制电路板、软式印制电路板、金属夹层电路板、射出成型

电路板

12.污染种类：非极性/非离子性污染、极性/非离子性污染、离子性污染、不溶解/

粒状污染

13.氧化铝为陶瓷封装最常用的材料，浆料的准备为陶瓷封装工艺的首要步骤

14.无机材料中添加玻璃粉末的目的：调整纯氧化铝的热膨胀系数、介电系数等特

性；降低烧结温度

15.芯片封装完成之后，要进行质量和可靠性两方面的检测

16.塑料封装的成型技术：转移成型技术、喷射成型、预成型技术，最主要的转移

成型

17.球栅阵列式BGA技术四种主要形式：塑料球栅阵列、陶瓷球栅阵列、陶瓷圆

柱栅格阵列和载带球栅阵列1.厚膜技术：

厚膜技术按不同的方式进行分类：聚合物厚膜、难熔材料厚膜和金属陶瓷厚膜；金属陶瓷厚膜浆料具有四种主要成分：1有效物质，确立膜的功能，2粘贴成分，提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体，3有机粘贴剂，提供丝网印制的合适流动性能，4溶剂或稀释剂，它决定运载剂的粘度。

2.芯片封装基本过程：

封装工艺流程：硅片减薄—硅片切割—芯片贴装—芯片互连—成型技术—去飞毛刺—切筋成型—上焊锡—打码

划片减薄DBG和减薄划片DBT的解释和区别：DBG即在背面磨削之前将硅片的正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面的磨削；DBT即在减薄之前先用机械或化学的方式切割出切口，然后用磨削方法到一定厚度以后，采用ADPE腐蚀技术去掉剩余加工量，实现裸芯片的自动分离。优点：这两种方法都有效的避免或减少了减薄引起的硅片翘曲及划片引起的芯片边缘损害，特别是对于DBT技术，各向同性的Si刻蚀剂不仅能去除硅片背面研磨损伤，而且能除去芯片引起的微裂和凹槽，大大增强了芯片的抗碎裂能力。

3.封装过程中的缺陷：

封装过程中的缺陷：金线偏移、翘曲、锡珠、墓碑现象、空洞；；

产生金线偏移的原因：

⑴树脂流动而产生的拖拽力，这是最主要也是最常见的原因；⑵导线架变形；⑶气泡的移动；⑷过保压/迟滞保压；⑸填充物的碰撞。

4.封装技术层次：

：第一层又称芯片层次的封装，是把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的黏贴固定、电路连线与封装保护的工艺。第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电路卡工艺。第三层次，将数个第二层次完成的电路卡组合在一个电路板上，使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层次，将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程

5.PCB基板制作工艺：

论述：

1.封装发展方向、要求：

集成电路的发展主要表现在：（1）芯片的尺寸越来越大（2）工作频率越来越高（3）发热量日趋增大（4）引脚越来越多

对封装的要求：随着微电子产业的迅速发展，芯片封装技术朝着小型化，适应高发热方向发展，集成度高，同时适应大芯片要求，高密度化、适应多引脚，高温度环境，高可靠性，考虑环保要求

2.再流焊工艺特点；影响再流焊质量的原因：

再流焊工艺先将微量铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定位置上，最后将贴装好元器件的印制板放在再流焊设备传送带上，进行再流焊。

如果PCB焊盘设计不正确或元器件断头与印制焊盘可焊性不好，即使贴装位置十分精确，再流焊时由于表面张力不平衡，焊接后也会出现元器件位置偏离、吊桥、桥连、润湿不良等焊接缺陷，这是再流焊工艺最大的特点。由于再流焊具有“再流动”及“自定位效应”的特点，使再流焊工艺对贴装精度要求比较宽松，易实现高速自动化与高速度。