半导体材料
什么叫半导体材料有哪些
什么叫半导体材料有哪些半导体材料是一类具有介于导体和绝缘体之间的电学性质的材料。
它们在电力分配、发光二极管（LED）等领域中发挥着重要作用。
半导体在当今的数字电子设备和信息技术领域中扮演了关键角色。
半导体材料的分类1.硅(Si)：硅是最常用的半导体材料之一，广泛应用于电子器件制造。
其原子结构稳定，制备成本相对较低，且具有良好的半导体性能。
2.锗(Ge)：锗也是一种常见的半导体材料，通常在高温下运行，用于特定领域的应用，如红外检测。
3.砷化镓(GaAs)：砷化镓属于III-V族化合物半导体，具有较高的电子迁移率和较高的截止频率，适用于射频和微波器件。
4.氮化镓(GaN)：氮化镓是一种宽禁带半导体，用于制造高功率、高频率的微波和光电子器件。
5.磷化铟(InP)：磷化铟是一种重要的III-V族化合物半导体材料，适用于光电子器件制造。
6.硒化锌(ZnSe)：硒化锌是一种II-VI族化合物半导体，用于制造光学器件和蓝光LED。
半导体材料的特性半导体材料具有以下特性：1.导电性可控：通过掺杂和半导体材料的特殊结构，可以调控其导电性质，从而制造出各种类型的电子器件。
2.光电性能：部分半导体材料具有光电转换特性，可用于制造太阳能电池、LED等光电子器件。
3.带隙：半导体材料具有一定大小的能带隙，使其在特定条件下能够导电，但又不会像金属那样导电性过高。
4.热稳定性：部分半导体材料在高温下能够保持稳定性，适用于高温环境下的应用。
总的来说，半导体材料在现代电子行业中具有重要的地位，而不同种类的半导体材料具有不同的特性和应用范围。
通过不断地研究和创新，半导体材料的性能和应用领域将会不断扩大和深化。
常见的半导体材料有哪些
常见的半导体材料有哪些
半导体材料是一类具有特殊电学性质的材料，它们在电子学和光电子学领域有
着广泛的应用。
常见的半导体材料包括硅、锗、氮化镓、氮化铝等。
接下来，我们将对这些常见的半导体材料进行介绍。
首先，硅是目前应用最广泛的半导体材料之一。
硅具有较好的半导体特性和化
学稳定性，因此被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
硅材料可以通过掺杂来改变其导电性能，从而实现不同的电子器件功能。
其次，锗是另一种常见的半导体材料。
与硅相比，锗的导电性能更好，因此在
一些特定的电子器件中有着重要的应用。
锗材料也可以通过掺杂来调节其电学性能，使其适用于不同的应用场景。
此外，氮化镓是一种在光电子器件中应用广泛的半导体材料。
氮化镓具有较大
的带隙能隙，因此在制备激光器、LED等光电子器件时有着独特的优势。
氮化镓
材料的发展推动了固态照明和显示技术的进步。
最后，氮化铝也是一种重要的半导体材料。
氮化铝具有较大的带隙能隙和优异
的热稳定性，因此在高温、高频电子器件中有着重要的应用。
氮化铝材料的发展推动了射频电子器件和功率器件的进步。
总的来说，常见的半导体材料包括硅、锗、氮化镓和氮化铝，它们在电子学和
光电子学领域有着广泛的应用。
这些半导体材料的不同特性使它们适用于不同的电子器件，并推动了电子科技的不断发展和进步。
希望通过本文的介绍，读者能对常见的半导体材料有所了解，并对其应用领域有更深入的认识。
半导体材料有哪些
半导体材料有哪些半导体材料按应用环节划分，可分为前端晶圆制造材料和后端封装材料两大类。
主要的晶圆制造材料包括：硅片、电子特气、光刻胶及配套试剂、湿电子化学品、抛光材料、靶材、光掩膜版等；主要的封装材料包括：引线框架、封装基板、陶瓷材料、键合金丝、切割材料等。
根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为35%；电子气体排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比6%；光刻胶配套材料占比8% ；湿电子化学品占比7%；CMP抛光材料占比6%；靶材占比2%。
封装材料中，封装基板占比最高，为48%；引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6 名，占比分别为15%、15%、10%、6%和3%。
1 半导体硅片：根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。
单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。
抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。
按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2 英寸）、75mm（3 英寸）、100mm（4 英寸）、125mm（5 英寸）、150mm（6 英寸）、200mm（8 英寸）与300mm （12 英寸）等规格。
目前全球半导体硅片以12英寸为主，2020 年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。
根据头豹研究院数据，12英寸对应3-90nm制程，产品包括手机SoC、CPU、GPU、存储、通信、FPGA、MCU、WiFi/蓝牙等；8英寸对应90nm-0.25μm制程，产品包括汽车MCU、射频、指纹识别、电源管理、功率、LED驱动等；6 英寸对应0.35μm -1.2μm制程，产品包括MOSFET、IGBT、MEMS等。
（1）半导体硅片竞争格局2020年，全球前五大半导体硅片企业信越化学、SUMCO、Siltronic、环球晶圆、SKSiltron合计销售额109.16亿美元，占全球半导体硅片行业销售额比重高达89.45%。
常用半导体材料
常用半导体材料
半导体材料是指介于导体和绝缘体之间的材料，具有导电能力的材料。
常用的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）等。
这些材料在电子器件中有着
广泛的应用。
硅是最常见的半导体材料，广泛应用于集成电路（IC）、太阳能电池、光电器件等领域。
硅具有良好的热稳定性、机械强度和可加工性，制备工艺成熟，成本相对较低，是目前集成电路工业所采用的主要材料。
锗是一种重要的半导体材料，具有较高的载流子迁移率和较小的禁带宽度，适用于高速电子器件的制备。
锗晶体的熔点较低，可以直接生长单晶，用于制备高频收发器、微波器件等。
氮化镓是一种宽禁带半导体材料，主要用于制作高亮度发光二极管（LED）和激光器。
氮化镓具有较大的能带隙，能够发射出可见光甚至紫外光，具有优异的光电性能和较长的寿命。
砷化镓是一种III-V族半导体材料，具有优异的电子和光电性能，适用于高速电子器件、光电器件等领域。
砷化镓的电子迁移率较高，适用于高频器件的制备，而其能带结构可以制作高效的太阳能电池。
除了以上几种常用的半导体材料，还有许多其他材料也具有半导体性质，如砷化磷（GaP）、碲化锌（ZnTe）、硒化镉（CdSe）等。
这些半导体材料在不同的应用领域具有独特的
优势，被广泛应用于电子、光电、信息、能源等高科技领域。
总之，半导体材料是现代科技领域中不可缺少的重要材料，对于电子器件的发展和应用起着关键作用。
随着科技的进步，新的半导体材料也将不断涌现，进一步推动各个领域的发展。
半导体材料的概念
半导体材料的概念半导体是指具有半导体特性的材料，它们在导电性能上介于导体和绝缘体之间。
半导体材料在电子、通信、能源、医疗等领域有着广泛的应用。
本文将介绍半导体材料的几种主要类型，包括元素半导体、化合物半导体、非晶半导体、有机半导体、金属间化合物、氧化物半导体以及合金与固溶体。
1.元素半导体元素半导体是指只由一种元素组成的半导体材料，如硅、锗等。
其中，硅是最常用和最重要的元素半导体之一，它具有高导电性能、高热导率以及稳定的化学性质，因此在微电子、太阳能电池等领域得到广泛应用。
2.化合物半导体化合物半导体是指由两种或两种以上元素组成的半导体材料，如GaAs、InP等。
这些化合物半导体具有较高的电子迁移率和特殊的能带结构，因此在高速电子器件、光电子器件等领域具有广泛的应用前景。
3.非晶半导体非晶半导体是指没有晶体结构的半导体材料，它们通常由化学气相沉积、物理气相沉积等方法制备。
非晶半导体具有较低的晶格缺陷和较高的电子迁移率，因此在太阳能电池、电子器件等领域得到广泛应用。
4.有机半导体有机半导体是指由有机分子组成的半导体材料，如聚合物的分子晶体、共轭分子等。
有机半导体具有较低的制造成本、较高的柔性和可加工性，因此在柔性电子器件、印刷电子等领域具有广阔的应用前景。
5.金属间化合物金属间化合物是指由两种或两种以上金属元素组成的化合物，如Mg3N2、TiS2等。
这些金属间化合物具有特殊的物理和化学性质，因此在电子器件、催化剂等领域具有潜在的应用价值。
6.氧化物半导体氧化物半导体是指由金属元素和非金属元素组成的氧化物，如ZnO、SnO2等。
这些氧化物半导体具有较高的电子迁移率和稳定性，因此在太阳能电池、电子器件等领域得到广泛应用。
7.合金与固溶体合金与固溶体是指由两种或两种以上的金属或非金属元素组成的混合物，如Ag-Cu合金、Zn-S固溶体等。
这些合金与固溶体具有特殊的物理和化学性质，因此在电子器件、催化剂等领域具有潜在的应用价值。
半导体材料是什么
半导体材料是什么半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有导电性能介于金属和非金属之间。
在半导体材料中，电子的导电能力介于导体和绝缘体之间，这使得半导体材料在电子学领域具有重要的应用价值。
半导体材料的研究和应用已经成为现代电子科学和技术领域的重要组成部分。
半导体材料的特性。
半导体材料具有许多独特的特性，这些特性使得它在电子器件中具有广泛的应用。
首先，半导体材料的电导率随温度的变化而变化，当温度升高时，电导率会增加，这使得半导体器件在不同温度下能够保持稳定的性能。
其次，半导体材料的导电性能可以通过掺杂来改变，通过掺入不同的杂质，可以改变半导体材料的导电性能，从而实现对电子器件性能的调控。
此外，半导体材料还具有较高的电阻率和较低的热导率，这使得它在微电子器件中能够实现微小尺寸和高集成度。
半导体材料的种类。
常见的半导体材料主要包括硅、锗、砷化镓、碳化硅等。
其中，硅是目前应用最为广泛的半导体材料，它具有丰富的资源、成本低廉、加工工艺成熟等优点，因此被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
锗是一种重要的半导体材料，它在红外探测器、激光器等领域具有重要应用价值。
砷化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，具有较高的电子迁移率和较高的饱和漂移速度，因此在微波器件、光电器件等领域有着重要的应用。
碳化硅是一种新型的半导体材料，具有较高的电子饱和漂移速度和较高的击穿电场强度，因此在高频功率器件、功率电子器件等领域具有广泛的应用前景。
半导体材料的应用。
半导体材料在电子器件中具有广泛的应用，例如，集成电路是半导体材料的重要应用领域之一，它通过在半导体材料上制备电子器件，实现了电路功能的高度集成和微小化。
此外，半导体材料还被广泛应用于太阳能电池、光电器件、激光器、发光二极管等领域，这些应用使得半导体材料在现代电子科学和技术中发挥着重要的作用。
总结。
半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有独特的电导特性，可以通过掺杂实现对电子器件性能的调控。
半导体材料定义
半导体材料定义
半导体材料是指在温度介于绝对零度和金属化温度之间时，逆转密度
从绝缘体增加至与金属相当，且具有良好电导率和半导体特性的材料。
这类材料可以分为两类：本质半导体和杂质半导体。
本质半导体指纯净的半导体材料，其中掺杂原子只有单一种类，如硅（Si）和锗（Ge）等材料。
这些材料在纯净的情况下，没有自由电子
或空穴存在，因此位于能带的中间，其电导率比金属和导体低，比绝
缘体高。
杂质半导体则是在本质半导体中掺入极少量的杂质原子，如磷（P）、硼（B）等，从而改变了能带结构和电流的传导方式。
这种杂质掺入的过程叫做“掺杂”，掺杂后的材料称为“掺杂半导体”，其中“施主
离子”和“受主离子”分别被用来描述杂质掺杂的两种情况。
施主离
子指掺入杂质后形成“自由电子”，受主离子则是指形成了“空穴”。
半导体材料具有较高的导热率和热扩散性能，使其在高温、高压下依
然能够保持良好的电性能，而且对电压、电流、光等各种信号的响应
速度都比较快，因此广泛应用于半导体器件、光电子器件、光伏、光
催化等方面，是现代电子技术和信息技术的基础材料之一。
总之，半导体材料是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的电性能，被广泛应用于电子、信息、光电领域，是现代科技发展进步的重要推动力。
半导体材料是什么
半导体材料是什么半导体材料是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的导电性质。
在它的基础上，可以制造出各种电子元器件，如晶体管、二极管和集成电路，广泛应用于现代电子技术领域。
本文将对半导体材料进行详细介绍。
半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为它的能带结构与导带和价带之间的带隙相对较小。
在绝缘体中，带隙较大，导电能力很弱，而在导体中，带隙几乎不存在，所以导电能力很强。
半导体材料的导电能力可以通过控制材料成分、杂质掺入和温度等因素来调节。
半导体材料的导电性质是由其原子结构和能带结构决定的。
在半导体材料中，每个原子都有四个价电子，这四个价电子可以与相邻原子共享，形成共价键。
共价键的形成使得半导体材料中的原子形成一个有序的三维晶格结构。
在这个结构中，能带被划分为价带和导带两个部分。
价带是最高能级的带，它的电子是不自由移动的。
导带是比价带能级更高的带，它的电子可以自由移动，并且可以传递电流。
半导体材料的导电能力与其带隙的大小有关。
带隙是价带和导带之间的能量差，当带隙较小时，电子可以通过吸收辐射或热激发等方式从价带跃迁到导带，形成导电。
这种导电方式被称为本征导电。
而当带隙较大时，电子很难从价带跃迁到导带，因此导电能力很弱。
半导体材料的导电性还可以通过掺杂来调节。
掺杂是在半导体材料中加入一些掺杂原子，这些原子与半导体原子有不同的电子和空穴能级，从而改变材料的导电性质。
根据掺杂原子的电子能级，掺杂可以分为n型和p型。
n型半导体是通过掺入能够提供自由电子的杂质原子，导致导带电子浓度增加，从而增加了导电性。
p型半导体是通过掺入能够接受电子的杂质原子，导致价带空穴浓度增加，从而增加了导电性。
半导体材料在现代电子技术中有着广泛的应用。
晶体管是半导体技术最重要的应用之一，它是一种能够控制电流的电子元器件。
通过控制晶体管的电子流，可以实现放大信号、开关电路和数字逻辑运算等功能。
集成电路是将数亿个晶体管和其他电子元器件集成在一起制成一个芯片，广泛应用于计算机、手机、电视等各个领域。
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第一章元素半导体§1.1 目前发现的元素半导体材料有Si、Ge、C(金刚石)、Se、α-Sn(灰锡)、P(磷)、Te(碲)和B(硼)这8种。
曾认为As、Sb和I是半导体，但对它们的深入研究表明: As、Sb是半金属, I是绝缘体。
Si 硅的化学性质硅在元素周期表中也处于ⅥA族位置，元素符号为Si，原子序数14，原子量28.08，具有金刚石晶体结构。
硅的地球储量仅次于氧，高达25.8%，主要以二氧化硅或金属的硅酸盐形式存在，最纯的硅矿物是石英和硅石。
Si有三种稳定的同位素，28Si(92.23％)，29Si(4.67%)和30Si(3.10%)。
Si 的价电子组态是3s23p2，其原子半径为0.01175nm，Si+4半径为0.039nm。
Si的化学键为共价键、每个原子与最近邻4个原子组成正四面体，每个原子周围都有8个电子(4个来自最近邻)。
这种结构与惰性气体类似，因此，在常温下，硅是稳定的。
室温时，Si晶体总是覆盖一层SiO2，650℃时开始更完全的氧化。
Si 的这种表面自钝化、易于形成本征SiO2层，是使Si成为当今最重要的固态器件材料的独特性能之一。
Si在常温下不溶于单一的强酸，易溶于碱。
常温下，除氟外，Si不与其他元素发生作用。
高温时，Si除与氧和水蒸气发生反应外，还可与H2、卤素、N2、S和熔融金属发生反应，分别生成SiH4、SiCl4、Si3N4、SiS2等和多种金属硅化合物。
Si与Ge 可以任意比例形成SiGe固溶体而与C则形成共价化合物。
2、硅的晶体结构和能带结构Si的晶体结构为金刚石结构，晶格常数为0.5431nm。
3、硅的电学性质（1）在200～500K温度范围内，Si的带隙Eg、导带态密度常数Nc和价带态密度常数Nv与温度T的关系可分别表示为：
Si的本征载流子浓度：
4. 硅的光学性质：Si对近红外光透明，对可见光不透明；Si对光的反射较强（30%）！
Si是半导体行业最重要的材料!（1）资源丰富，且易于提高到极纯的纯度。
（2）较易生长出（3）易于对Si进行可控掺杂，可达到很宽的掺杂浓度范围从(1014~1021 )；大直径无位错单晶。
其主要掺杂剂B、As、P的离化能都较小(<50meV）使它们在室温下可全部电离。
（4）易于通过沉积工艺制备出单晶Si、多晶Si和非晶Si薄层材料，它们在IC中发挥各自的作用。
（5）易于进行腐蚀加工，包括湿化学腐蚀(如用KOH进行腐蚀)或干腐蚀(如用CF6进行反应离子腐蚀)。
（6）带隙大小“适中”，在一般使用条件下，不致因本征激发而影响器件性能。
（7）Si有相当好的力学性能，其硬度较高，为不锈钢的两倍；抗屈强度为7×1010达因／cm2，为钨的1.8倍；较易于进行机械加工，使大直径晶体可以切出较薄的晶片(从而可提高材料的利用率)。
也有相当好的加工稳定性;8）Si本身是一种稳定的“绿色”材料，没有毒性（9）可利用多种金属和掺杂条件在Si材料上(易于)制作低阻欧姆接触，从而降低所制器件的寄生电阻。
（10）截断或解理Si晶体，不会使Si片表面造成大的损伤，与此相关的“界面态”问题也不严重，而且易于进行可控钝化;（11）最重要的也许是在Si表面上很容易制备高质量的介电层——SiO2层。
(它是自然的、“完美”的绝缘层，界面陷阱密度低，很方便地用于器件中的电气绝缘和表面钝化。
SiO2对于杂质扩散、离子注入又是很好的阻挡层，因而是良好的（层与层之间）掩膜材料。
)
Ge 锗的化学性质：Ge属于元素周期表中的ⅥA族，原子序数32，原子量为72.61。
它的价电子组态为4s24p2；原子价有- 4、+2、+4；共价半径0.122nm；电负性1.6(+2价)，1.8(±4价)。
Ge有5个稳定的同位素。
室温时，Ge在空气、水和氧气中稳定，不与盐酸、稀硫酸、浓氢氟酸和浓NaOH溶液发生反应。
受热时，Ge的化学性质变得活泼；400℃时在空气与氧气中开始氧化，600℃以上氧化加快生成GeO2。
Ge与卤素反应形成Ge的4价卤化物。
室温下，在氯(Cl2)、氟(F2)气氛中，粉末状Ge会“着火”。
Ge可溶于热的浓硫酸，浓硝酸和王水．在碱中加入H2O2，可使Ge与碱的反应急剧加快。
Ge可溶解在3％H2O2溶液中并形成GeO2沉淀。
Ge不与碳起反应，因而可使用石墨坩埚进行单晶生长。
锗的晶体结构和能带结构:单晶锗是银灰色晶体，它和Si 是仅有的两种由熔体结晶为金刚石结构的元素半导体材料。
晶格常数为0.5675nm ，熔点为937℃，沸点为2830℃。
室温下，禁带宽度为0.67eV
锗的电学和光学性质:本征吸收限为1.824μm ，电子迁移率为3900 cm2/(V ·s)，空穴迁移率为1800 cm2/(V ·s)。
//锗的禁带宽度较窄，光吸收长波限位于近红外区，对2.5～14μm 红外光的透明度高，在具有重要军事意义的热成像系统中，是制作窗口、透镜、棱镜、滤光片和转鼓等关键部件的重要材料。
金刚石 是一种碳结晶变体。
有多种多样的结晶形态，常见的有八面体和十二面休。
在金刚石结构中每个碳原子为四价状态．即sp3杂化状态。
碳原子以这钟杂化轨道与4个相邻的碳原子构成共价键，键长0.154nm ，键角109’28‘，有立方晶体和六方晶体。
天然金刚石晶体(俗称钻石)储量很少。
金刚石晶体中，碳原子半径小(0.077nm)，因而其单位体积键能很大，使它比任何其他材料硬度都高。
小的原子量和强有力的键合使金刚石有很高的热导率。
纯净的金刚石化学性质稳定，耐酸、碱腐蚀，高温下也不与浓氧氟酸、硝酸和HCIO3发生反应；只在NaCO3、NaNO3、KNO3的熔体中才可被腐蚀。
总的来说，金刚石半导体性能的利用仍处于基础实验和开发的阶段。
由于全刚石具有某些优异的性能，可望用金刚石(薄膜）制成在恶劣条件下工作的高频、高压和大功率的器件。
四、硒和碲//硒(Se)和碲(Te)是仅有的两个具有半导体性质的硫属元素。
//
1、硒 Se 在地壳中的丰度为5×10-6％，为典型的稀散元素。
Se 可与H
2、O2、卤素及大多数金属直接化合。
晶体Se 在150℃以下在水中是稳定的；非晶Se 则在100℃以下可与水发生缓慢反应。
在Se 的几种同素异构体中，研究得最多的是灰Se ，它是常压下，热力学上惟一稳定的固态Se 。
灰Se 总是p 型的。
带隙1.6～1.7eV 。
Se 是最早得到实际应用的元素半导体材料，早期曾用于制备整流器、光敏元件;目前则主要用于制备硫属化合物半导体材料。
非晶Se 则大量用于制作复印机中的硒鼓。
2、碲 Te 主要用于制备硫属化合物半导体材料和半导体热电致冷材料等。
由于它的提纯和单晶生长较为简单，载流子迁移率高、带隙小，可望在红外、夜视等器件方面获得应用。
§1.2 高纯硅的制备
粗硅 通常把95％~99％纯度的硅称为粗硅或工业硅。
它是用石英砂与焦炭在碳电极的电弧炉中还原制得的，其反应为 ：SiO 2 +3C==SiC+2CO 2SiC+SiO 2==3Si+2CO 这样制得的工业硅纯度约为97％，为满足半导体器件的要求，还必须经过化学提纯和物理提纯。
//方法：SiHCl3氢还原法具有产量大、质量高、成本低等优点。
硅烷法可有效地除去杂质硼和其他金属杂质，无腐蚀性、不需要还原剂、分解温度低和收率高。
但存在安全方面的问题，需要很好地解决。
SiCl4氢还原法，硅的收率低//
提纯 三氯氢硅氢还原法 由于SiHCl3 中有一个Si-H 键，所以它比SiCl4活泼易分解。
它的沸点低，容易制备、提纯和还原。
1、三氯氢硅的制备：工业上最常用的方法是用干燥的HCl 气体与硅粉反应制备SiHCl3 。
工业硅经过酸洗、粉碎，将符合粒度要求的硅粉送入干燥炉内，经热氯气流干燥后，将硅粉送入沸腾炉，并从炉底部通人适量的干燥HCl ，进行三
氯氢硅的合成，其反应为： 合成时，还伴
随一系列副反应，产生一定量的SiCl4 、 SiH2Cl2等副产品，故应控制好工艺条件：
1）反应温度280-300℃；2）向反应炉中通一定量的H2，与HCl 气的比应保持在H2:HCl ＝1:3-5之间；硅粉与HCI 在进入反应炉前要充分干燥，并且硅粉粒度控制在0.18-0.12mm 为宜；合成时加入少量铜、银、镁合金作催化剂，可降低合成温度和提高SiHCl3 的产率。
2、三氯氢硅的提纯 kJ/mol 2.309323300280++−−−→←+︒-H SiHCl HCl Si C。