铟镓砷磷InGaAsP半导体材料简介
铟镓砷光电管
铟镓砷光电管全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：铟镓砷光电管（InGaAs光电管）是一种广泛应用于激光测距、红外摄像、光谱分析等领域的光电探测器。
它采用了铟（In）和镓（Ga）合金为主要主动层，砷（As）为包层的半导体器件，具有响应速度快、高灵敏度、波长范围广等特点。
本文将深入介绍铟镓砷光电管的结构、工作原理、性能特点以及应用领域等方面。
一、铟镓砷光电管的结构铟镓砷光电管主要由铟镓砷三元化合物半导体材料组成，其结构主要包括以下几个部分：光电转换层、探测区、光电二极管等。
光电转换层作为主动层，起到吸收光子并将光子转换为电子的作用；探测区是光电二极管的活动区域，用来产生电流信号；光电二极管则是将产生的电流信号放大，可输出到外部电路进行信号处理。
铟镓砷光电管的工作原理主要是基于半导体材料的光电效应。
当光子入射到光电转换层时，光子能量被吸收并激发半导体中的载流子，形成电子-空穴对。
其中正负载流子在电场的作用下被分离，正载流子向阳极聚集，负载流子向阴极聚集，从而产生电流信号。
1. 高响应速度：铟镓砷光电管响应速度快，能够在纳秒量级的时间内产生电流信号。
2. 高灵敏度：铟镓砷光电管具有高灵敏度，能够检测到微弱的光信号。
3. 波长范围广：铟镓砷光电管的波长范围覆盖了近红外波段至中红外波段，适用于不同波长范围的光信号检测。
4. 热稳定性好：铟镓砷光电管具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作。
铟镓砷光电管广泛应用于激光测距、红外摄像、光谱分析、遥感探测、通信等领域。
在激光测距领域，铟镓砷光电管能够快速准确地测量目标距离；在红外摄像领域，铟镓砷光电管可用于夜视设备；在光谱分析领域，铟镓砷光电管可以实现对物质成分的精确分析；在遥感探测领域，铟镓砷光电管可用于探测地表物体等。
第二篇示例：铟镓砷光电管（Indium Gallium Arsenide photodetector，简称InGaAs PD）是一种广泛应用于红外探测领域的传感器器件。
铟镓砷光电二极管生产工艺_概述说明以及解释
铟镓砷光电二极管生产工艺概述说明以及解释1. 引言1.1 概述铟镓砷光电二极管是一种关键的光电器件，具有广泛的应用前景。
本文旨在详细介绍铟镓砷光电二极管的生产工艺，并对其特性进行分析与解释。
通过深入了解生产工艺流程和性能测试方法，可以进一步提高该器件的制造质量和性能效能。
1.2 文章结构本文共分为五个部分。
首先，在引言部分对文章的概述进行介绍。
然后，在第二部分中，我们将概述铟镓砷光电二极管的生产工艺，包括介绍光电二极管及铟镓砷材料特性，并对生产工艺流程进行总体概述。
接下来，在第三部分中，我们将详解铟镓砷光电二极管的生产工艺，包括晶体衬底制备过程、材料混合与晶体生长以及离子注入与扩散过程。
在第四部分中，我们将进行铟镓砷光电二极管性能分析，包括器件响应特性测试方法、温度与光强度对性能的影响以及电压-流动曲线分析。
最后，在第五部分中，我们将总结本文的主要内容，并展望铟镓砷光电二极管生产工艺的优化方向。
1.3 目的铟镓砷光电二极管是目前广泛应用于光通信、光探测等领域的重要器件。
了解其生产工艺及性能特点对提高制造质量和器件性能至关重要。
本文旨在通过概述和详解铟镓砷光电二极管的生产工艺，对相关领域的科研人员和技术人员提供全面而有价值的信息和指导。
同时，我们还希望通过对铟镓砷材料特性、工艺流程以及性能分析的详细阐述，为该领域的未来发展提出一些建设性意见与展望。
2. 铟镓砷光电二极管生产工艺概述2.1 光电二极管介绍光电二极管（Photodiode）是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件。
它主要由P-N结构组成，其中P型半导体往往具有高浓度的掺杂源，而N型半导体则较轻掺杂。
当光照射到P-N结构时，光子会激发出在材料中自由移动的电子和空穴，并且这些载流子会通过外部连接的电路流动。
2.2 铟镓砷材料特性铟镓砷（InGaAs）是一种常用于光电二极管制造的重要半导体材料。
它具有以下几个特性：- 带隙范围：铟镓砷的带隙范围通常介于0.75eV至1.35eV之间，适用于近红外区域的光信号接收和检测。
半导体的主要原材料
半导体的主要原材料
半导体的主要原材料包括：
1. 硅（Silicon）：硅是最常用的半导体材料，因为它具有适合
制造晶体管的特性，如稳定性和可控性。
2. 砷化镓（Gallium Arsenide）：砷化镓是另一种常用的半导
体材料，特别适用于高频和高功率应用，如雷达和通信设备。
3. 砷化磷（Gallium Phosphide）：砷化磷在光电子器件中具有
广泛应用，如光纤通信和光伏电池。
4. 碳化硅（Silicon Carbide）：碳化硅具有优异的热导性和耐
高温特性，因此被广泛应用于高功率电子设备和高温工况下的应用。
5. 硒化铟（Indium Selenide）：硒化铟主要应用于太阳能电池、光传感器和半导体激光器等领域。
6. 砷化铟（Indium Arsenide）和砷化铟磷（Indium Gallium Arsenide）：砷化铟和砷化铟磷在光电子器件中具有重要应用，如光传感器和红外探测器。
7. 氮化镓（Gallium Nitride）：氮化镓在光电子和功率电子器
件中广泛应用，如LED和功率放大器等。
除了以上主要的半导体原材料外，还有一些其他材料如硒化锌（Zinc Selenide）、氮化硼（Boron Nitride）等也被用于特定
的半导体器件制造中。
InGaAs量子点外延技术研究
InGaAs量子点外延技术研究简介：InGaAs量子点外延技术是一种重要的纳米材料生长技术，用于制备半导体纳米结构材料。
该技术具有广泛的应用前景，可以在光电子学和纳米电子学领域中发挥重要作用。
本文将对InGaAs量子点外延技术的研究进行探讨。
第一部分：InGaAs量子点外延技术的概述InGaAs量子点外延技术是一种通过化学气相沉积或分子束外延等方法，在衬底上有序生长InGaAs纳米颗粒的纳米材料制备技术。
InGaAs是由In（铟）和GaAs（砷化镓）组成的半导体材料，具有优异的光电特性。
通过调节生长条件和控制衬底表面状况，可以制备出尺寸均一、形状规则的InGaAs量子点阵列。
第二部分：InGaAs量子点外延技术的研究方法InGaAs量子点外延技术的研究方法主要包括生长条件优化、衬底处理、外延片结构和光电性能的表征等方面。
首先，生长条件的优化对于量子点外延技术至关重要。
通过调节气相反应的温度、气体流量、半导体材料组分比例和衬底表面的处理等因素，可以控制纳米颗粒的尺寸和形状。
例如，通过增加外延时间，可以实现量子点的融合生长，提高纳米颗粒的均一性。
其次，衬底的处理对于纳米颗粒的生长也非常重要。
通过表面热退火或表面镀层等方法，可以改善衬底表面的结晶质量，从而利于后续的外延生长。
衬底的选择也是影响生长质量的关键因素之一，常用的衬底材料包括GaN（氮化镓）和Si（硅）。
然后，对外延片的结构和光电性能进行表征是评价量子点外延技术的重要手段之一。
通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和原子力显微镜等表征技术，可以观察纳米颗粒的大小、形貌和分布等信息。
同时，可以利用光致发光光谱和光电导率等测试手段，研究量子点的发光特性和载流子输运性质。
第三部分：InGaAs量子点外延技术的应用前景InGaAs量子点外延技术具有广泛的应用前景。
首先，由于量子点具有限制维度效应，其能带结构与体材料不同，可以调控发光波长和带隙能级。
因此，在激光器、光探测器和太阳能电池等光电子器件中，InGaAs量子点可作为新型材料来应用，从而提高器件性能。
ingaas相对介电常数
ingaas相对介电常数
InGaAs是铟镓砷化物的简称，是一种重要的半导体材料，其相
对介电常数是一个重要的物理特性。
相对介电常数通常用εr表示，它是材料相对于真空的介电常数。
对于InGaAs材料而言，其相对介
电常数通常在 12 到 15 之间。
这个范围的变化取决于材料的具体
组成和生长条件。
相对介电常数的大小影响着材料的电学性能，比
如对电子和空穴的束缚情况、载流子的迁移率等都有一定的影响。
此外，相对介电常数还影响着材料在电磁场中的响应特性，比如在
微波器件中的应用等。
需要注意的是，相对介电常数通常还会随着
频率的变化而变化，这也是需要在实际应用中进行考虑的因素。
总
的来说，InGaAs材料的相对介电常数是其重要的物理特性之一，对
于材料的性能和应用具有重要的影响。
毫米波芯片分类介绍
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毫米波芯片分类介绍
作者：
来源：《通信产业报》2017年第29期
目前，毫米波芯片主要有砷化镓（GaAs）和InP（磷化铟）毫米波芯片、氮化镓（GaN）毫米波芯片和硅基（CMOS、SiGe等）毫米波芯片。
砷化镓（GaAs）和InP（磷化铟）毫米波芯片
GaAs和InP在毫米波频段具有良好的性能，是毫米波频段的主流集成电路工艺。
近几年，GaAs和InP工艺和器件取得了长足的进步。
基于该类工艺的毫米波器件类型主要有高电子迁移率晶体管（HEMT）、改性高电子迁移率晶体管（mHEMT）和异质结双极性晶体管（HBT）等。
氮化镓（GaN）毫米波芯片
GaN具有高电子迁移率和击穿场强等优点，器件功率密度是GaAs功率密度的5 倍以上，可显著地提升输出功率、减小体积和成本。
随着GaN材料制备技术的逐渐成熟，GaN器件和电路已成为化合物半导体电路研制领域的热点方向，美国、日本、欧洲等国家将GaN作为微波毫米波器件和电路的发展重点。
近十年来，GaN的低成本衬底材料碳化硅（SiC）也逐渐成熟，其晶格结构与GaN相匹配，导热性好，极大加快了GaN器件和电路的发展。
硅基（CMOS、SiGe等）毫米波芯片
硅基工艺传统上以数字电路应用为主。
但由于硅工艺在成本和集成度方面的巨大优势，日本、美国、加拿大都开始了硅基毫米波亚毫米波集成电路的研究。
我国在政策支持下，东南大学毫米波国家重点实验室也快速开展相关研究并取得进展。
铟镓砷载流子寿命
铟镓砷载流子寿命
《铟镓砷载流子寿命》
铟镓砷（InGaAs）是一种常用于半导体器件中的材料，其载流子寿命是评估其电子运动特性和性能的重要参数。
载流子寿命是指载流子在半导体中存活的平均时间，这对于半导体器件的性能和稳定性具有重要意义。
铟镓砷载流子寿命的长短直接影响着半导体器件的速度和响应时间。
通过对其载流子寿命的研究和调控，可以改善半导体器件的性能和稳定性，提高其在通信、光电子等领域的应用价值。
近年来，科研人员在铟镓砷材料的载流子寿命方面进行了深入的探索和研究。
通过优化材料制备工艺、调控掺杂和表面处理等手段，成功地提高了铟镓砷的载流子寿命。
这为其在光电子器件中的应用带来了新的发展机遇。
然而，铟镓砷载流子寿命的研究仍然面临一些挑战，如如何进一步提高其寿命、降低材料损耗、提高器件可靠性等问题。
这需要科研人员继续深入研究，并不断提出新的解决方案和技术手段。
综合来看，铟镓砷载流子寿命的研究对于进一步提高半导体器件的性能和稳定性具有重要的意义。
在不断深入研究和创新的推动下，相信铟镓砷载流子寿命的问题将会得到有效解决，为其在光电子领域的应用提供更加稳定和可靠的基础。
半导体常用材料
半导体常用材料半导体材料是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分。
它们的特殊性质使得半导体材料成为了我们日常生活中各种电子设备的基础。
本文将介绍一些常见的半导体材料，并探讨它们在电子领域中的应用。
1. 硅(Si)硅是最常见的半导体材料之一。
由于其丰富的资源和良好的电学性能，硅在电子技术中得到了广泛的应用。
硅片是制造集成电路的基础，它的高纯度和晶体结构决定了集成电路的性能。
硅材料还可以用于制造光电器件、太阳能电池等。
2. 砷化镓(GaAs)砷化镓是另一种常用的半导体材料。
它具有较高的电子迁移率和较小的能带间隙，使得它在高频电子器件和光电器件中有着广泛的应用。
砷化镓可以用于制造高速场效应晶体管、激光二极管等。
3. 砷化锗(Ge)砷化锗是一种具有较高迁移率的半导体材料。
它在红外光电探测器、光纤通信等领域有着广泛的应用。
砷化锗的高迁移率使得它在高速电子器件中有着独特的优势。
4. 氮化镓(GaN)氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有较高的电子饱和迁移率和较大的能带间隙。
它在高功率电子器件、蓝光发光二极管等方面有着重要的应用。
氮化镓的特殊性质使得它在节能环保领域中具有巨大的潜力。
5. 磷化铟(InP)磷化铟是一种常用的III-V族半导体材料。
它在光电器件和微波器件中有着广泛的应用。
磷化铟的优异电学性能使得它在光通信、雷达等领域中发挥着重要作用。
6. 碳化硅(SiC)碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有较高的热稳定性和较大的击穿电场强度。
它在高温高压电子器件和功率电子器件中有着广泛的应用。
碳化硅的特殊性质使得它在新能源领域中具有重要的地位。
总结起来，半导体材料在电子技术中发挥着重要的作用。
硅、砷化镓、砷化锗、氮化镓、磷化铟和碳化硅等材料在不同领域中有着各自的应用优势。
随着科学技术的不断发展，人们对于半导体材料的研究和应用也将不断取得新的突破。
相信在不久的将来，半导体材料将继续推动电子技术的发展，为我们的生活带来更多的便利和创新。
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光電子學期末報告Introduction to InGaAsPSemiconductor Materials指導教師:郭艷光(Yen-Kuang Kuo) 教授學生:蔡政訓學號:8522022系別:物理系班級:四年級乙班內容大綱：（一）前言（二）波長範圍與能隙（Eg）寬（三）起振條件與輸出功率：（四）各種不同結構的雷射（五）先進的半導體結構及其性能（六）結語（七）參考書目（一）、前言現在是資訊時代，為了高速處理資訊社會所擁有的龐大資料，利用光和電子技術之光電業於焉誕生。
應用同調(coherence)光的工業在1984年度(以光學式影像機為中心)的生產規模為6600億日元，到西元2000年，預料將以光通訊為中心，生產規模也將成長為12兆日元。
其製品包括同調光通訊系統、光IC(光電子積體電路，OEIC)光電算機等。
光IC 係將光與電子的功能特性集積在一片基板上，而以砷化鋁鎵及磷砷化銦鎵系半導體技術最為先進，其與化合物半導體IC 同樣，有實現的可能。
光電半導體材料之研究十分積極，已開發出砷化鎵、磷化銦、砷化鋁鎵、磷砷化銦鎵等。
至於光通訊系統方面，與傳統的有線通訊系統比較起來，光纖通訊具有較大的通訊頻寬，較小的訊號衰減，不受電磁波干擾，沒有串音、保密性高、線徑小、重量輕、可靠度高、、等優點，因此可已知道隨著資訊的暴漲，據高速大容量高品質的光纖通訊系統毫無疑問的將是未來資訊傳遞的主流。
而光纖系統中最重要的關鍵性元件就是它的光源，也就是雷射二極體，本文就是要介紹在光纖系統中最常被使用的雷射：磷砷化銦鎵 ( InGaAsP) 的特性以及其結構。
（二）、波長範圍與能隙（Eg ）寬光纖通訊中最常使用的波長為1.3以及1.55微米，主要是由於光在石英光纖中的傳輸損失在這兩個波長最低，在1.3微米處約0.6dB/km ，而在1.55微米處約0.2 dB/km 。
在光纖中，由於材料色散的緣故，不同波長的光在光纖中有不同的色散，因而傳輸速率的不同，會造成訊號的波形變形，而限制了傳輸的距離。
波長於1.3微米附近的色散是零，因此雖然其損失比1.55微米時大，但仍然最常用來當作短距離光纖通訊的光源。
在光纖通訊所使用的長波長範圍內，最常用InP 為基板材料。
為了能與InP 的晶格常數（a=5.87埃）相匹配，必須使用四元化合物InGaAsP 。
當晶格與InP 相匹配時（y=2.2x ），其能隙Eg （單位是eV ）的變化為 212.072.035.1y y Eg +-=則我們由公式 ： Eg24.1=λ可知由0.92到1.65微米的整個波長範圍均被此種材料系統所涵蓋。
這個關係式如圖（一）所示（其中Eg以電子伏特eV為單位，波長以微米 為單位）m（圖一）至於在活性層兩旁的光侷限層材料，通常選擇其組成的能隙比活性層大大約200meV的材料為主。
至於在材料的製造方面，在1970年首次用LPE法成長，現在已經逐漸的為有機金屬氣相沈積法（Metal-orgain Chemical Vapor Deposition MOCVD）所取代，而分子束磊晶成長法（Molecular Beam Epitaxy MBE）也漸漸被大家所使用。
（三）起振條件與輸出功率：雖然當有電流注入半導體雷射時會立即產生受激放射，但必須在電流超過某一臨界值時雷射才能放出光，這一臨界電流稱為起振電流。
典型的雷射光輸出功率和電流的關係為：當輸入的電流由零逐漸增加時，光輸出功率起初增加十分緩慢且微弱，此時所發出的光屬於自發放射。
當輸入的電流繼續增加到臨界電流時，光的輸出功率便開始急速的增加，開始產生雷射光，也就是受激放射。
這是因為當有電流達到某一定值時，有足夠多的電子注入導電帶，因而使得半導體達到光透明的狀況，也就是達到居量反轉的條件。
當電流再繼續的增加，則DH 結構的活性區域出現光增益，可表示為g = A ( N - N 0 )其中A=dN dg 為微分增益，N 為注入電子密度，而N 0為達到光透明所需要的電子密度。
A 與N 0這兩個參數均是材料常數，由能帶結構所決定。
在InGaAsP DH 雷射中，A 的值約為1.2~2.521610cm -⨯，而N 0的值大約為0.9~1.531810-⨯cm ，其數值依照雷射波長與參雜濃度而定。
利用在非常薄的活性層中之量子侷限作用，我們可以藉著改變能帶結構而使A 值變的更大，同時N 0變小，以增大光增益。
在Fabry-Perot 半導體雷射中，利用自然斷裂面形成共振腔，這是由於半導體材料的折射率很大，以InGaAsP 雷射而言，其折射率n=3.5，可以在雷射端面造成約30%的反射率 ，則我們可以推導出輸出光的功率與電流的關係為 []th I I qhv d P -=)2(0η 其中η為微分量子效率（或外在量子效率），為光子逃逸速率與光子產生速率的比值，ν為光頻率，而th I 為起振電流，由此式可已知道，當電流超過起振區域時，η與輸出光對電流變化曲線的斜率成正比當電流在起振電流附近時，η為一定值且隨著電流增大引起的熱效應而減小，（圖二）是一個典型的1.3微米Double Channel Planar Heterostructure (DCPBH)雷射在不同溫度時的輸出光對電流變化的特性曲線。
這元件可以直流連續操作至攝氏130度，在室溫時的起振電流約為10-15mA 之間。
（圖二）（四）各種不同結構的雷射（1）Fabry Perot 半導體雷射在此種雷射中，活性層形成一個光波導層，電子與電洞在其中結合而從波導方向發光，左右兩邊的端面依照晶體特定方向劈開形成鏡面，與光波導層形成共振器，光在光波導層中來回震盪，放大，因而射出雷射光。
以InGaAsP雷射而言大約可以分成三種：1、增益波導型雷射(Gain-guided Laser)最典型之增益波導型雷射為條狀接觸(Contact Stripe)雷射，截面如圖三（a）所示，使用SiO2或Si3N4絕緣膜限制電流只能流經條狀接觸區域。
圖三（b）為以質子撞擊(Proton Bonbardment)法將P侷限層撞擊成半絕緣，結果電流亦只能從中間區域流過，圖三（c）則以Zn擴散法，使電流集中從擴散區域通過。
以上這些構造之活性層均為平面且連續的，因此不論是載子或光的侷限效果均較差，因此Ith較高（100～150mA），量子效率較低，且縱向模(Longitudinal Mode)較多，由於光纖之色散，使得數據傳輸之速率降低。
圖（三）各種不同InGaAsP增益波導雷射結構（a）為氧化條狀（b）為質子佈值（c）條狀結構（d）自動定位２、弱折射率波導型雷射(Weakly Index-guided Laser)由於增益波導結構在活性層面上之效折射率差，係由電流載子密度分佈而生，只有約53⨯，相當微弱，使得光電特性欠佳。
圖（四）所示為幾10-種InGaAsP雷射簡單之折射率波導（Weakly Index Guide）結構之縱剖面示意圖，圖十一（a）稱為脊狀波(Ridge Waveguide)結構，電流當然僅從介電質(SiO2或Si3N4)所界定區域通過同時脊狀兩側介電質提供部份有效之折射率波導。
圖十一（d）所示結構稱為溝狀波導(Rib Waveguide)，溝槽兩側之材料不同而產生折射波導。
這兩種結構之有效折射率波導約1210-⨯，因此臨限電流可降至40～80mA。
圖四各種不同的弱折射率波導型雷射（a）脊狀波導（b）臺階式基板（c）通道凹溝基板平面波導（d）凹型波導3、強折射率波導型（Strongly Index Guided）圖五所示為幾種InGaAsP雷射較常用之強折射率波導(Strongly Index Guide)結構雷射之縱剖面圖，例如(b)圖結構稱為埋藏式平面雙槽異質結構(Double-Channel Planar Buried Heterostructure;DCPBH)。
這些結構之活性層四週均被能隙較高、折射率較低之材料所包圍，加上內建之電流限流層，因此無論是載子或光的侷限效果均甚佳，臨限電流可低至10～15mA，同時量子效率也較高，側模亦較少。
但這種雷射結構需要多次磊晶步驟，所以在製作上較為困難。
圖五各種不同的強折射波導型雷射結構（a）蝕刻高臺掩埋式雙異質結構（b）雙通道平面掩埋式雙異質結構（c）平面掩埋式雙異質結構（d）條狀掩埋式雙異質結構（2）單模態半導體雷射當已上所介紹的FP半導體雷射在高速傳輸調變時，其縱向便會變成多模態，這些多模態的出現因為光纖色散會限制很多資訊傳輸，降低了光纖的頻寬。
因此，我們在高速傳輸時便需要一個非常穩定的縱向單態模的半導體雷射，也就是說這個雷射只有一個頻率，特別在波長1.55微米的光纖通訊傳輸系統更是迫切需要。
過去利用了縮短雷射共振腔長度，劈分耦合式共振腔（Cleaved Coupled Cavities,C3）以及附加短耦合式共振腔等方式，研製能單頻操作的元件，短共振腔雷射工作原理是利用拉大的光模態間格，加大其增益值差距，而耦合式共振腔是利用多腔光互相干涉的效果，產生與頻率有關的損耗。
然而這些元件對於早期實驗系統雖然是有用的實驗室產物，但要把他們商業化確是很困難的。
一直到DFB雷射研發後這些問題才解決。
傳統FP雷射其光回饋（feedback），是藉著鏡面反射，其大小對縱向每個模態都是相同的，而其模態差異是由於雷射本身的增益分佈來決定的，但是由於增益分佈位常比縱向模態寬度大，所以模態大小彼此差異不顯著。
解決之道就是製造一個以頻率為依存的回饋，致使對不同的模態其在共振腔的損失也不同，目前有兩種在使用：（1）分佈回饋型（Distributed Feedback，DFB）以及（2）耦合共振器型（Coupled cavity）。
DFB雷射其回饋並非藉由共振器的兩鏡面而已，而是分佈在整個共振器長，所以需要製造出一個光柵使某層厚度沿著共振器而有週期性的變化，在固定的波長下，只要做出合適的週期，即可做出有用的DFB雷射。
圖六是兩種符合布拉格繞射的雷射結構，即是DFB和DBR雷射（Distributed Bragg Reflector），而兩者不同之處在於，DFB光柵是做在鄰近活性層的波導層裡，如果是DBR雷射，光柵是做在沿著共振腔方向的活性層外鄰。
圖六由於光柵區域具有週期性的折射率變化，它使共振腔內的各種來回光波互相耦合。
最接近Bragg波長的光波相耦合效應最強。
在一個沒有尾端鏡面反射的理想結構下，縱向模態以為中心，成一等距離分佈光譜，其波長為：⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡+±=Le n m g B B 2)5.0(2λλλ 其中m 是模態階數（m = 0, 1….），Le 是等效光柵長度。
因為光柵造成的週期性折射率變化，產生光波的抑止帶（Stop Band ），而在此抑止帶內的光波其通過光柵區域的機率是零。