具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET
MOSFET
MOSFET1.1 MOSFET概述MOSFET作为电子电路一种很重要的元器件，在主板的开关电源中也有广泛应用。
MOSFET与晶体三极管很类似，不过三极管是通过电流控制电流的器件，而MOSFET是通过电压控制。
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
MOSFET和三极管一样有三个极，但名称和三极管不一样，分别是：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)。
1.2 MOSFET分类MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N 沟道增强型。
在主板电路中，常用MOSFET为NMOS管，用作开关电源和电源，在CPU，北桥，内存供电都有用到。
1.3 MOSFET内部结构及基本原理MOSFET内部结构如下图所示。
图 MOSFET内部结构MOSFET用作开关静态特性：MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。
由于MOS管是电决定其工作状态。
如下图为MOS管作为开压控制元件，所以主要由栅源电压uGS关的原理图示。
图 MOS管作为开关的导通和截止状态转移特性和输出特性曲线如下图所示：工作特性如下：u GS＜开启电压U T：MOS管工作在截止区，漏源电流i DS基本为0，输出电压u DS≈U DD，MOS管处于“断开”状态。
u GS＞开启电压U T：MOS管工作在导通区，漏源电流i DS=U DD/(R D+r DS)。
其中，r DS为MOS管导通时的漏源电阻。
输出电压U DS=U DD·r DS/(R D+r DS),如果r DS＜＜R D，则u DS≈0V，MOS管处于“导通”状态。
元器件与组件
根限制测 量角度的金属管 而得以实现
漏源 电压（ ０ 一４ Ｖ和 一 ０ 及可 由逻辑 门 非 常小的范 围内 ，从而大 大地减少 后面 的 。通过对温度计的调校 ，（ ６ Ｖ） 温度 ）测量 驱动产品 。由于采用 了 ＵＭＯ 一 Ｓ ４工艺 ， 的器件受到 静 电冲击 的能量 ，很好 地保 的精确性仍然能够得 到很 好的保持。
新型压敏 电阻器可杜绝 由过压或漏
５ｓ ０ 的超快 速点火 时间以及高 达 ７ ％ 的 异 。 ０ 无火 ／点火 比。Ｅ Ｉ Ｐ Ｃ电阻 （ 也称 为桥式
电流过大 引起的火灾 或爆炸危 险。特殊
这一 系列低导通 电阻器件符合 Ｐ沟 塑胶涂 层也 可防止烟 雾的产生 。当故障
电阻 ）件 ，可在精 确的 电热转 换过程 中 道器件在汽车 电子 应用中 日益增长 的需 发生时 ，不会对压敏 电阻 器附 近的其他
Ｓ ｍｉｅ ｅ ｔｌ
一
阻芯片
新产 品按 照ＡＥＣ －ＱＩ １ Ｏ 流程制造 ，
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Ｐ ｌ５ Ｐ ０６Ｓ Ｌ Ｇ Ｊ 烟火 启动 器 电阻芯片 Ｅ Ｉ Ｐ Ｃ是可提 供焦 （Ｎ ）～５５ ０ｍ 新型家电用矗可靠性 压敏 电阻器
耳效应 点火的此类 器件 ，该 器件 可实现 （ ｌ ０ ０ Ｐ Ｇ） 因芯 片不 同而有所差 ＮＰ ０ Ｐ ４ Ｌ ，
功率MOSFET场效应管的特点
功率MOSFET场效应管的特点
功率MOS 场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，简称功率MOSFET，它是一种电压控制器件。
根据载流子的性质，MOSFET 可分为N 沟道和P 沟
道两种类型，图形符号如图所示。
根据导电结构，MOSFET 有垂直导电结构与
横向导电结构，而功率MOSFET 几乎都是由垂直导电结构组成的，这种晶体
管称为VMOSFET。
(a)N 沟道类型：(b)P 沟道类型
图功率MOSFET 的图形符号
VMOSFET 的主要特点：
(1)开关速度非常快。
VMOSFET 为多数载流子器件，不存在存贮效应，故开
关速度快，其一般低压器件开关时间为10ns 数量级，高压器件为100ns 数量级，适扩合于做高频功率开关。
(2)高输入阻抗和低电平驱动。
VM0S 器件输入阻抗通常10(7)Ω以上，
直流驱动电流为0.1μA 数量级，故只要逻辑幅值超过VM0S 的阈值电压
(3.5～4V)，则可由CM0S 和LSTTL 及标准TTL 等器件直接驱动，驱动电路简
单。
(3)安全工作区宽。
VM0S 器件无二次击穿，安全工作区由器件的峰值电流、
击穿电压的额定值和功率容量来决定，故工作安全，可靠性高。
(4)热稳定性高。
VMOS 器件的最小导通电压由导通电阻决定，其低压器件的
导通电阻很小，但且随着漏极-源极间电压的增大而增加，即漏极电流有负的温
度系数，使管耗随温度的变化得到一定的自补偿。
MOSFET导通电阻偏高因素的测试分析和解决途径的研究
通常有两个方法可以提升功率ＭＯＳＦＥＴ的导通电阻性能。一种是提高给定尺寸芯片 上面的晶体管的密度。第二个方法更简单些，是增加芯片的面积，但后果可能是设备的尺 寸更大。由于尺寸的增加，导致使用该功率ＭＯＳＦＥＴ的终端设备成本的增加，面ｌ临的挑战
英飞凌科技公司的研究表明，随着肖特基二极管零反向恢复电荷整流技术成为现实，因
此可以利用现代功率ＭＯＳＦＥＴ器件的快速导通速度来减小丌关损耗．随着超级结（ＳＪ）原
理的应用，功率ＭＯＳＦＥＴ（如ＣｏｏｌＭＯＳ）在性能方面也取得了令人印象深刻的进步。２００５ 年推向市场的最新技术使得采用Ｔ０２２０封装的ＣｏｏｌＭＯＳ ＣＳ系列６００Ｖ额定电压的 ＭＯＳＦＥＴ的导通电阻ＲＤＳＯＮ降到了１００ｍ Ｑ以下。由于ＭＯＳ单元密度的提高以及更低
３
是在晶体管单元密度增加的同时，提高封装电阻，这是一个在导通电阻，芯片实际尺寸和
外壳热阻之『白Ｊ很难做出取舍的过程。解决这个问题的一个途径是对现有封装进行改进，提 高器件热性能。例如，热性能增强的Ｄ２ＰＡＫ封装版本，采用了专有的引线框设计，实现了
采用这种封装器件的业界最低的热阻，这也依赖于使用的芯片尺寸。与常规使用的Ｄ２ＰＡＫ 封装器件相比，采用热性能增强的封装版本的器件可提升２９％的最大电流，达到１００Ａ； 提升了７５％的散热，达到４３７、『＼『，导通电阻仅有２．３ｍＱ。
ｏｆ ｔｈｒｅｅ ｐａｒｔｓ：Ａｓｓｅｍｂｌｙ ４０％，３０％ｅａｃｈ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ ｃｉｒｃｕｉｔ ａｎｄ ｂａｓｅ．Ｉｎ ｓｏｍｅ ｏｆ ｔｈｅ ｌａｔｅｓｔ
mosfet管的选型
mosfet管的选型MOSFET管的选型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在选择MOSFET管时，我们需要考虑多个因素，以确保电路的性能和稳定性。
本文将介绍一些关键的选型要点和常见的MOSFET参数，帮助读者更好地进行选型决策。
我们需要了解MOSFET的基本工作原理和结构。
MOSFET由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。
通过在栅极施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。
MOSFET有两种类型：N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET），其区别在于电荷载流子类型的不同。
在选型过程中，第一个要考虑的因素是MOSFET的工作电压（Vds）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。
选择合适的工作电压范围是至关重要的，以确保MOSFET在实际应用中不会受到过电压的损坏。
第二个要考虑的因素是MOSFET的最大漏极电流（Id）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极电流。
根据实际应用需求，我们需要选择合适的最大漏极电流，以确保MOSFET能够正常工作，并不会因为过大的电流而发生故障。
除了工作电压和最大漏极电流，还有一些其他重要的参数需要考虑。
其中之一是阈值电压（Vth），它是指在栅极和源极之间的电压，MOSFET开始导通的最低电压。
阈值电压的选择将直接影响MOSFET 的导通特性和工作状态。
我们还需要考虑MOSFET的导通电阻（Rds(on)）。
导通电阻是指当MOSFET导通时，漏极和源极之间的电压降。
较低的导通电阻将导致更高的效率和更小的功耗，因此在一些高性能应用中，选择具有较低导通电阻的MOSFET是非常重要的。
除了这些参数，还有一些其他因素也需要考虑，例如开关速度、温度特性、封装类型和价格等。
这些因素根据实际应用需求和预算来决定。
为了确保选型的准确性，我们可以参考厂商提供的数据手册和应用指南。
这些资料通常包含详细的参数表、性能曲线和应用电路，可以帮助我们更好地了解和评估不同型号的MOSFET。
MOSFET详解
MOS管的基本知识（转载）(来自百度壓力山大)现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。
由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满足维修人员需求。
一、什么是MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。
因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。
在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
1、MOS管的构造；在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。
这就构成了一个N沟道（NPN 型）增强型MOS管。
显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。
图1-1所示 A 、B 分别是它的结构图和代表符号。
同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。
图1-2所示A 、B分别是P沟道MOS 管道结构图和代表符号。
图1 -1-A图1 -2-A2、MOS管的工作原理：图1-3是N沟道MOS管工作原理图图1-3-A图1-3-B从图1-3-A可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN 结。
当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。
SiA975DJ：P沟道功率MOSFET
式电子设备的超小 Ｐ ｗ ｒ Ｋ Ｓ －０ ｏ ｅＰ Ｃ７ 封装。新器件可用于游 Ａ
戏 及手机 、 机 智能手机 、Ｐ Ａ和 Ｍ ３ Ｄ Ｐ 播放器等便携式设备中
的负载、Ｐ Ａ和电池开关。 对于这些 设备 ，ＳＡ ７ Ｄ ｉ９ ５ Ｊ的更低导 通电阻意味着 更 低的传导 损耗 ，使器件 能够 用比以往市场上采用超小封装
的双 路 Ｐ沟道功 率 ＭＯＳ Ｅ Ｆ Ｔ更少 的能量 完成开关工 作 ，
从而延长两次充 电之间的 电池寿命。ＭＯＳ Ｅ Ｆ Ｔ的低导通 电 阻还 意味着在峰值 电流下 的电压 降更低 ，能够更好地防止
Ｉ Ｃ和负载出现欠压锁 定情 况。这样 ，设计者就可 以使用 电
压更低的电池 。新款 ＳＡ９ ５ ＪＴｅ ｃ Ｆ Ｔ功率 ＭＯＳ Ｅ ｉ ７ Ｄ ｒｎ ｈ Ｅ ＦＴ 现可提供样 品，并已实现量产 。
电阻为６ｍ ￣ ０ Ｄ。 ０ ｉ和８ｍ ． 这些数值分别比 Ｇ １
ＳＡ ７ Ｄ ｉ９ ５ Ｊ高 ３ ％ 和 ２ ％ ； ２ ５
・ Ｐ ｗｅＰ Ｃ ７封 装 占位 ２ ｍｍ， ｏ ｒＡＫ Ｓ ． ｍｍ ｘ２ 是 Ｔ ＯＰ ６尺寸 的一半 ，而导通 电阻 则相 Ｓ －
差无 几 ；
道器件 中最低 的导 通电阻 ，采用 ２ ｍｍ ｍｍ 占位面积 的 ｘ２ 热增强型 Ｐ ｗｅＰ ＫＳ －０封装 。 ｏ ｒＡ Ｃ ７
推 出 Ｓ ９ ５ Ｊ ｉ ａ 将 其 第三代 Ｐ沟道 Ｔｅ ｃ Ｆ Ｔ ｉ ７ Ｄ ，Ｖ ｈｙ Ａ ｓ ｒｎｈ Ｅ
技术扩展到双路 １ Ｖ功率 ＭＯ Ｆ Ｔ ２ Ｓ Ｅ ，并且采用了适用于手持
Ｇ２
・ＭＯ Ｅ ＳＦ Ｔ经 过 了 １ ０ 的 Ｒ 测 试 ， 符 ０％ 。
合 ＩＣ ６ ２ ９２２ Ｅ １ ４ ．．１的无 卤 素 规 范 ，符 合
常用mos管开关电路
常用mos管开关电路一、引言MOS管（MOSFET）是一种常用的电子器件，在电子电路中起着重要的作用。
它具有低导通电阻和高阻断电阻的特点，被广泛应用于各种开关电路中。
本文主要介绍常用的几种MOS管开关电路。
二、MOS管的基本工作原理MOS管是一种基于金属-氧化物-半导体结构的三电极器件，由栅极（G）、源极（S）和漏极（D）组成。
通过控制栅极与源极之间的电压，可以控制漏极和源极之间的导通情况。
当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时，MOS管处于导通状态，电流可以流过；当栅极与源极之间的电压超过阈值电压时，MOS管处于截止状态，电流无法流过。
三、开关电路中的常用MOS管1. 单N沟道MOS管（NMOS）单N沟道MOS管是最为常见的一种MOS管。
在开关电路中，当栅极与源极之间的电压高于阈值电压时，漏极和源极之间转变为低导通电阻，实现导通；当栅极与源极之间的电压低于阈值电压时，漏极和源极之间的电阻增大，实现截止。
2. 单P沟道MOS管（PMOS）单P沟道MOS管与单N沟道MOS管相反，当栅极与源极之间电压低于阈值电压时，漏极和源极之间转变为低导通电阻，实现导通；当栅极与源极之间电压高于阈值电压时，实现截止。
3. N沟道与P沟道MOS管混合使用在一些特殊的开关电路中，可以通过N沟道和P沟道MOS管的混合使用实现更复杂的功能。
如N沟道MOS管和P沟道MOS管串联使用，可以实现更好的电压控制特性；N沟道MOS管和P沟道MOS管并联使用，可以实现更高的电流控制特性。
四、常见的MOS管开关电路应用1. 开关电源在开关电源中，常用MOS管作为开关元件，通过控制其导通和截止状态，实现整个电源的开关控制。
由于MOS管具有低导通电阻和高截止电阻，可以提高开关电源的效率和稳定性。
2. DC-DC变换器DC-DC变换器是一种常用的电源转换电路，广泛应用于各种电子设备中。
MOS管作为DC-DC变换器的主要开关元件，通过控制其导通和截止状态，实现电能的高效转换。