P沟道低导通电阻MOSFET系列
MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET选型注意事项及应用实例MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。
在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。
当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。
导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。
如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。
当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。
虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。
1）沟道的选择。
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。
在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
2）电压和电流的选择。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。
就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。
在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。
脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。
超低导通电阻MOSFET
Ｑ系 列 和 Ｈ 系 列 则 适 用 于 ８ ｋＨ ｚ 上 的 ０ 以
而可降低Ｆ ＧＡ成本，简化 电路板布线； Ｐ
速 配 双 工 （ Ｍ Ｑ ｕ ｉＣ ｋ ａ ｔｅ
ｍ ｉ：ｂ ｓｎ ｓ ａｉ＠ｖｓ ａ ＣＩ ａｌ ｕ ｉｅｓ ｓａ ｉｈ ｙ．０Ｉ １
ｔ ／ｗｗｗ． ｉ ｈａ ． ｏ ｎ ｔ ／ ｐ： ｖｓ ｙｃ ｒ
ＤｕＰ ｅ ＱＭ Ｄ） 缆 连 接 器 采 用 创 ｌ ｘ， ＬＣ光
通道 功耗仅 为２ ０ ５ ｍＷ ，比 同类产 品功 率 标 准 ，包 括 支 持 大 屏 幕 电视 机 的 最 高
耗 降 低 ６ ％。此 外 ，ＤＡ Ｃ ４ ４ ５ ３ ８ 由于 采 用 分 辨 率 ４ ×２ Ｎ Ｄ电视 机 的 最 高 分 辨 Ｋ Ｋ＊ ３ ０ ３ １８ ｐ 多行ＱＦＮ封装 ，比其他４ 通道ＤＡＣ 解决 率 ６ Ｈｚ Ｄ ０ ０ 。此 外 ，其 他 消 费 电 音 视 方案 小４ ％，并 支持高达 ２ ０ Ｈｚ ０ ５ Ｍ 的宽 子 设 备 如 投 影 机 和 ＡＶ （ 频 ／ 频 ）接 Ｄ电 视 机 带 功 率 放 大 器 线 性 化 。具 有 更 高输 入 总 收 机 也 将 能 支 持 最 高 分 辨 率 ３ 线 的 Ｄ ３ Ｈ８ 或 双 通 道 Ｄ ３ ８ 可 支 所 要 求 的极 高 图 像 能 力 。Ｈ Ｄｐ ａ 还 完 ＡＣ ４ ４ ＡＣ ４ ２ ｌＹ
引脚 为低电平 ，使芯片进 入掉 电工作模
式 ，功 耗 电流 仅０ ４ Ａ。 ．
Ｈ ＤＰｌ ａＹ视 频 互 连 产 品 采 用 干 连 续 导 通 模 式 （ 升 压 式 功 率 因数 ＣＣＭ） Ｔｒ ｎ ｗｉｃ 美 商 传 威 专 有 的 ＨＤＰ 术 ， 校 正 （ ＦＣ 电路 ，并 在 硬 开 关 应 用 中 用 ａ Ｓ ｔｈ 技 Ｐ ）
超级结mos与沟槽mos
超级结mos与沟槽mos超级结MOSFET（SJ-MOS）和沟槽MOSFET都是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的改进型，它们在结构和工作原理上有一定差异，以下为它们的主要区别：1. 结构特点：超级结MOSFET（SJ-MOS）：- SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。
P层和N层交替排列。
- 通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展受到P柱的限制。
- SJ-MOS结构在保持高电压的同时实现了低导通电阻。
沟槽MOSFET：- 沟槽MOSFET的主要特点是具有沟槽结构，沟槽两侧分别为N层和P层。
- 栅极通过沟槽与源极和漏极相连，从而降低了栅极电荷。
- 沟槽MOSFET的制造工艺相较于常规MOSFET更加复杂，主要体现在沟槽的填充外延制造方法上。
2. 工作原理：超级结MOSFET（SJ-MOS）：- SJ-MOS在正向导通时，P柱起到降低导通电阻的作用。
- 在反向阻断时，P柱限制了耗尽层的扩展，从而提高了隔离电压。
- SJ-MOS具有低导通电阻、高开关速度、低栅极电荷等优点。
沟槽MOSFET：- 沟槽MOSFET在工作过程中，栅极通过沟槽与源极和漏极相连，形成低电阻通道。
- 沟槽MOSFET在关断状态下，栅极与沟槽之间的氧化层能够有效抑制栅极电压对漏极电流的影响。
- 沟槽MOSFET具有较低的导通电阻和较高的阻断电压。
应用领域：超级结MOSFET（SJ-MOS）和沟槽MOSFET均适用于高压（600V-800V）领域，主要应用于电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统等大功率电源应用。
其中，SJ-MOS在大功率电源应用领域具有较高的效率和可靠性，如太阳能逆变器、电动汽车驱动电源等。
沟槽MOSFET则在常规电源应用中表现出较低的导通电阻和较高的阻断电压，有助于提高系统性能。
总之，超级结MOSFET和沟槽MOSFET都是针对传统MOSFET的优化结构，它们在不同的应用领域具有各自的优势。
正确选择MOSFET四大要素
正确选择MOSFET四大要素作为电气系统中的基本部件，MOSFET需要工程师深入了解其关键特性及指标，以做出正确选型。
本文讲述正确选择MOSFET的方法，包括确定N/P沟道、确定额定电流、确定热要求、决定开关性能四大步骤，根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。
MOSFET的选择MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。
在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。
当在N沟道MOSFET 的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。
导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。
如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。
当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。
虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。
在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。
就选择MOSFET 而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。
选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。
从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。
MOSFET结构介绍
图10:体二极管正向特性
9.体二极管反向恢复
当二极管从导通状态切换为关断状态时， MOSFET的寄生体二极管产生反向恢复，因 为存储的少子电荷必须被清除，在器件内部， 或者通过负电流主动的清除，或者通过复合 被动的清除。
在数据表中，有三个参数列出来表示二极管 的反向恢复。
trr: 体二极管反向恢复时间。 IRM: 体二极管反向峰值电流。 Qrr: 体二极管反向恢复电荷，就是二极管电
图6: MOSFET寄生电容
MOSFET的电容是非线性的，是直流偏置电压的函数。图7示出了电容如何随 VDS电压增加而变化。所有的MOSFET的寄生电容来源于不依赖于偏置的氧化 物电容和依赖于偏置的硅耗尽层电容的组合。当电压增加时，和VDS相关电容 的减小来源于耗尽层电容减小，耗尽层区域扩大。
图7b示出了当VGS电压增加大于阈值电压，VDS电压值低，MOSFET栅极电容 也增加，因为MOS沟道电子反形层形成，在沟漕底部形成电子聚集层。这也 是为什么一旦电压超过QGD阶级，栅极电荷特性曲线的斜率增加的原因。
图4 Rds on对栅极偏置和温度
阈值电压
阈值电压VGS(TH)定义为最小的栅极偏置电压，此时，在源极和漏极间形成导 通的沟道。对于功率MOSFET，通道在250uA的漏源极电流时测量。栅极氧 化层厚度和沟道掺杂集中度用来控制阈值电压。10-15V的驱动电压，其典型 值设计为2-4V。使用CMOS技术缩减，功率MOSFET的栅极驱动电压可以降 到的2.5-4.5V。因此，这些应用需要更低的阈值电压1-2V。阈值电压具有负 的温度系数，温度增加，阈值电压降低。
下一步，测试器件的栅极继续充电到最终的值，漏源极电压变为RDSON x ID。 栅源极电压自由的上升，上升的斜率由栅极的充电电流和CISS决定,在VGS>VTH 时，CISS更高，图7b所示，导致在栅极电荷曲线上，更低的斜率，直到栅源 极电压达到最大值。这个栅极的电荷是所有栅极电荷QG。
ldmos工作原理
ldmos工作原理LDMOS工作原理。
LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），在射频和微波功率放大器中得到广泛应用。
LDMOS器件具有低电阻、高电压和高频特性，因此在无线通信、广播、雷达和其他射频应用中具有重要作用。
本文将介绍LDMOS的工作原理，以便更好地理解其在功率放大器中的应用。
LDMOS的结构。
LDMOS器件通常由N型衬底上的P型沟道和N型扩散层组成。
在P型沟道区域，有一层金属氧化物绝缘层（MOS结构），用于控制沟道中的电子流。
P型沟道和N型扩散层之间的结构使得LDMOS器件具有较高的耐压能力，适合用于高电压应用。
LDMOS的工作原理。
当在LDMOS器件的门极上施加正向电压时，形成的电场使P型沟道中的电子被吸引到N型扩散层，从而形成导通通道。
当信号电压施加在沟道上时，电子将在沟道中形成连续的电流，从而实现信号的放大。
在LDMOS器件中，电子的主要流动路径是沿着P型沟道和N型扩散层的界面。
由于P型沟道的电阻较低，电子在沟道中的移动速度较快，因此LDMOS器件能够实现较高的电流传输能力。
同时，N型扩散层的结构使得LDMOS器件能够承受较高的电压，适合用于功率放大器等高压应用。
LDMOS的优势。
与其他功率MOSFET相比，LDMOS器件具有较低的电阻和较高的耐压能力，适合用于高频、高功率的射频应用。
同时，LDMOS器件的制造工艺成熟，成本相对较低，因此在市场上得到了广泛的应用。
总结。
LDMOS器件是一种常见的功率MOSFET，具有较低的电阻、较高的耐压能力和较高的频率特性。
其工作原理是通过在P型沟道和N型扩散层之间形成导通通道，实现信号的放大。
在射频和微波功率放大器中，LDMOS器件具有重要作用，广泛应用于无线通信、广播、雷达等领域。
通过本文的介绍，相信读者对LDMOS器件的工作原理有了更深入的理解，能够更好地应用于实际工程中。
mosfet 型号介绍
【产品名称】P沟道MOSFET--AP9435/APM9435/SI9435
【产品类别】集成电路
【市场价】
【本站价】
【产品用途】 P沟道MOSFET
【产品规格】 AP9435/APM9435/SI9435
【生产厂家】
【产品说明】 P沟道MOSFET--AP9435/APM9435/SI9435
简介:
AP9435/APM9435/SI9435是单路增强型的P沟道MOSFET。
每个MOSFET连续电流可达5A. 耐压可达30V。
据有低漏电流，低导通电阻等特点。
典型导通内阻为50mR @ -10v。
均为小型SOP8封装。
封装:SOP-8。
特征:
GS间电压：±25V
GS间漏电流：<100nA
低导通电阻：-10v时典型50mR, -4.5v时典型70mR
DS间耐压：典型35V
DS间漏电流：<1uA
控制启动电压：典型1.4v
DS连续电流：可达5A
内部二级管压降：<1.2V
应用:
DC-DC转换器
锂电池保护板
MP3,MP4,GPS
移动电源
液晶显示器
SI2301是P沟道增强型功率场采用高单元密度的DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
这种低损耗需采用小尺寸封装。
用途：笔记本电源管理，便携式设备，电池电源系统，DC／DC转换，负载开关，LCD显示适配器。