催化剂程序升温技术

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固体催化剂的表征方法—程序升温脱附还原(TPDTPR)

固体催化剂的表征方法—程序升温脱附还原(TPDTPR)
田部浩三,新固体酸和碱及其催化
两种常用的研究酸技术的比较
酸量
程序升温脱 吡啶红外 附
峰面积计算 峰面积计算
酸强度
酸分布 酸型
可以,温度 范围较宽
不可以
可以,只能 比较300℃以 内的
可以
不可以
可以
简要操作
❖ 1.吹扫:吹扫吸附在催化剂上的水分和杂质 ❖ 2.吸附气体 ❖ 3.吹扫物理吸附的气体 ❖ 4.程序升温
固体催化剂的表征 方法—
程序升温脱附/还 原(TPD/TPR)
*** 2009年3月
60年代,Ovetanovio和Amenomiya成 功建立和发展了程序升温技术,在最近的 几十年中,不管是理论上还是在实验上都 得到了充分的完善,并且有广泛的应用, 通过此方法可以得到气体在催化剂上吸附 键的强弱等信息。
例1
❖ 在Cu-Mn-Si耦合反应合成 环己酮和2-甲基呋喃的研究
❖ A3: Cu:Mn=1:2.32 A4: Cu:Mn:Si=1:1.12:2.32 A5: Cu:Mn:Si=1:1.12:1.13 A6: Cu:Mn:Si=1:1.12:0.67
结论:弱酸对环己醇脱氢没有 太大的影响,而中等强度的 酸对环己酮的收率影响大
储伟 ,催化剂工程 肖丰收,辛勤,催化研究中的TPD-IR-MS方法
2.程序升温还原(TPR)
TPR常应用于表征负载型金属或过渡金属 氧化物催化剂,对TPR结果进行分析可以获 得金属与载体的相互作用,金属的价态和是 否形成合金等方面的信息。
徐柏庆,徐奕德等,程序升温原位分析方法
程序升温还原原理
当负载的金属的价态,聚集状态,与载体 的作用发生改变的时候,其还原温度,还原 后的价态将会发生改变,如果能测出程序升 温还原过程中氢气的消耗量,还原温度等, 就能得到负载金属的一些状态参数。

程序升温技术

程序升温技术

TPD理论
均匀表面的TPD理论 不均匀表面的TPD理论
d
催化循环包括扩散,化学吸附,表面反应,脱附和反向扩散五个步骤。化学吸附是 多相催化过程中的一个重要环节,而且反应分子在催化剂表面上的吸附,决定着反 应分子被活化的程度以及催化过程的性质,例如活性和选择性。
化学吸附与催化的关联(1):一个固体物质产生催化活性的必要条件,是至少有一个 反应物在表面进行化学吸附(一个固体物质只有当其对反应物分子(至少一种)具有化 学吸附能力时,才有可能催化其反应)。(2) 为了获得良好的催化活性,固体表面对 反应物分子的吸附要适当(如果一个反应能被若干固体物催化,则单位表面上的反 应速率,在相同覆盖度时与反应物的吸附强度成反比)。
程序升温分析方法是由Amenomiya和Cvetanovic在闪脱技术的基础上 发展和完善起来的一种非稳态分析测试方法。早期的研究主要集中在 TPD和TPR方面。当被气体覆盖的催化剂以一定的速度进行升温时, 吸附在催化剂表面的气体分子逐渐脱附,表面覆盖度逐渐随之下降, 在某一脱附温度下会达到最大值。
总 结
表面吸附中心的类型,密度和能量分布;吸附分子和吸附 中心的键合能和键合态 催化剂活性中心的类型,密度和能量分布;反应分子的动 力学行为和反应机理
活性组分和载体以及助催化剂之间的相互作用
各种催化效应:协同效应,溢流效应,合金化效应,助催 化效应,载体效应等,密度和能量分布;吸附分子和吸附中心的键合能和键 合态 2)催化剂活性中心的类型,密度和能量分布;反应分子的动力学行为和反应机 理 3)活性组分和载体,活性组分和活性组分,活性组分和助催化剂,助催化剂和 载体之间的相互作用 4)各种催化效应-协同效应,溢流效应,合金化效应,助催化效应,载体效应等
5)催化剂失活和再生

程序升温

程序升温

程序升温脱附方法就是预先把吸附了某种 气体分子的催化剂,在程序加热升温下,通 入稳定流速的气体,使吸附在催化剂表面上 的分子在一定温度下脱附出来,随着温度升 高而脱附速度增大,经过一个最大值后而脱 附完毕。对脱附出来的气体,可用色谱技术 检测出其浓度随温度变催化剂性能研究
NH3-TPD吸附图谱
曲线a为沉淀沉积法 曲线b为共沉淀法 曲线c为浸渍法
a: MnOx-CeO2(D); b: MnCe/TiO2(C); c: Mn-Ce/TiO2(I)
图谱分析
根据 SCR 反应机理, NH3 首先吸附在催化剂表面 酸性位上活化, 形成配位态的 NH3, 再与气相中 NO 或 者与吸附在催化剂表面的 NO 反应, 最终分解为 N2 和 H2O. 因此催化剂表面强酸性位有利于 低温下 NH3 的吸 附与活化 [19,20], 提高低温催化活性 . 如图 6 可 知 , Mn-Ce/TiO2(C)催化剂在 100~350 ℃区间内的 NH3 脱 附面积 最大, 所以在 60 ℃时活性高于另两种催化剂; 在 550~800 ℃内, Mn-Ce/TiO2 (C)催化剂有 3 个 NH3 强酸性位脱附峰[21], 使其保持 了最高的低温催化活性. 而 Mn-Ce/TiO2 (I)催化剂在 550~800 ℃强 酸性位脱附 峰面积较大, 使其在 80 ℃后低温催化活性迅速增加. 在 500~750 ℃温度范围内 MnOx-CeO2 (D)催化剂的脱 附峰面积 小即强酸性位较少, 使其催化活性增加低于另 两种催化剂, 但是在 500 ℃存在中等酸性位 NH3 脱附 峰, 所以在 80 ℃时活性突然增加 高于另两种催化剂. 对比可知, Mn-Ce/TiO2 (C) 催化剂脱附温度区 间大于 Mn-Ce/TiO2 (I), NH3 脱附量大于 MnOx-CeO2 (D), 说明 共 沉淀法制备的催化剂具有更好的低温活性.

第七讲程序升温分析技术在催化剂表征中的应用

第七讲程序升温分析技术在催化剂表征中的应用

第七讲程序升温分析技术在催化剂表征中的应用多相催化过程是一个极其复杂的表面物理化学过程,这个过程的要紧参与者是催化剂与反应分子,因此要阐述某种催化过程,首先要对催化剂的性质、结构及其与反应分子相互作用的机理进行深入研究。

分子在催化剂表面发生催化反应要经历很多步骤,其中最要紧的是吸附与表面反应两个步骤,因此要阐明一种催化过程中催化剂的作用本质及反应分子与其作用的机理,务必对催化剂的吸附性能(吸附中心的结构、能量状态分布、吸附分子在吸附中心上的吸附态等)与催化性能(催化剂活性中心的性质、结构与反应分子在其上的反应历程等)进行深入研究。

这些性质最好是在反应过程中对其进行研究,这样才能捕捉得到真正决定催化过程的信息,而程序升温分析法(TPA T)则是其中较为简易可行的动态分析技术之一。

当然除TPAT技术之外,还有原位红外光谱法(包含拉曼光谱法)、瞬变应答技术与其它原位技术均能够在反应或者接近反应条件下有效地研究催化过程。

程序升温分析技术(TPAT)在研究催化剂表面上分子在升温时的脱附行为与各类反应行为的过程中,能够获得下列重要信息:l表面吸附中心的类型、密度与能量分布;吸附分子与吸附中心的键合能与键合态。

l催化剂活性中心的类型、密度与能量分布;反应分子的动力学行为与反应机理。

l活性组分与载体、活性组分与活性组分、活性组分与助催化剂、助催化剂与载体之间的相互作用。

l各类催化效应——协同效应、溢流效应、合金化效应、助催化效应、载体效应等。

l催化剂失活与再生。

程序升温分析技术具体、常见的技术要紧有:u程序升温脱附(TPD)将预先吸附了某种气体分子的催化剂在程序升温下,通过稳固流速的气体(通常为惰性气体),使吸附在催化剂表面上的分子在一定温度下脱附出来,随着温度升高而脱附速度增大,通过一个最大值后逐步脱附完毕,气流中脱附出来的吸附气体的浓度能够用各类适当的检测器(如热导池)检测出其浓度随温度变化的关系,即为TPD技术。

程序升温技术在催化研究中的应用

程序升温技术在催化研究中的应用

2011 年第 40 卷
备方法、不同前处理条件以及加入不同助剂的环己 醇脱氢制环己酮新型催化剂的还原性,并与催化反 应活性和稳定性相关联。可见,采用适当还原条件 可显著提用 TPR 对一系列具有相同 W 含 量和不同 Ni 含量的硫化态 Ni - W / Al2 O3 催化剂进 行了表征,以考察催化剂中不同硫物种的数量及还 原性能。并且用 TPR 方法对氧化态和硫化态 Ni - W / Al2 O3 催化剂进行了表征,获得了催化剂的组成 和结构方面的信息,同时,定量地计算了活性组分的 硫化度,从而对氧化态催化剂中不同物种的硫化性 能有了更深入的认识。 2. 2 TPR 研究金属催化剂中金属组分和载体间及 金属组分间相互作用[2]
一种纯的金属氧化物具有特定的还原温度,所 以可用此温度表征氧化物的性质。两种氧化物混合 在一起,如果在 TPR 过程中彼此不发生作用,则每 一种氧化物仍保持自身的还原温度不变。如果两种 氧化物彼此发生固相反应,则原来的还原温度要发 生变化。程序升温还原( TPR) 技术广泛用于催化剂 还原性质的研究,多数研究者从 TPR 图谱的峰温、 峰形定性地分析催化剂的还原性质。
例如 薛 青 松[7] 等 利 用 TPR 方 法,研 究 了 Pt / CeO2 / Al2 O3 催化剂中 Pt 与 CeO2 / Al2 O3 载体间的强 相互作用,考察了 γ - Al2 O3 、CeO2 / Al2 O3 载体和 Pt / CeO2 / Al2 O3 催化剂焙烧温度、Pt 和 CeO2 负载量对 催化剂还原行为的影响。表征结果显示,用 800℃ 焙烧的 γ - Al2 O3 负载质量分数 15% 的 CeO2 ,再在 450℃ 焙烧后制备的 CeO2 / Al2 O3 载体的 CeO2 还原 活性最好,以该载体负载质量分数 0. 8% 的 Pt 再在 600℃ 焙烧后制备的 Pt / CeO2 / Al2 O3 催化剂为最优 化催化剂。

催化剂程序升温技术课件

催化剂程序升温技术课件
催化剂程序升温技术课件
• 催化剂程序升温技术实际应用案 • 催化剂程序升温技术前沿进展与
技术定义和历史发展
定义
历史发展
技术优点和应用范围
优点 • 高效性:可以在较短时间内评估催化剂的活性,提高研发效率。
• 精确性:通过程序控制温度,可以精确测量催化剂在不同温度下的活性。
技术优点和应用范围
• 适用性广:适用于多种类型的催化剂和反应体系。
技术优点和应用范围
01
02
03
04
技术原理和基本流程
技术原理和基本流程
基本流程 1. 准备阶段:选择合适的催化剂和反应物,设定升温程序。
2. 升温阶段:按照设定的程序,将催化剂和反应物加热至设定温度。
技术原理和基本流程
3. 反应阶段 4. 数据记录与分析 5. 结果评估与应用
选择性氧化
该技术还可应用于选择性氧化反应。例如,通过精确控制反应温度和催化剂组成,可以选择性地将丙烯氧化为丙 烯醛或丙烯酸,实现产品的高选择性和收率。
环境催化领域应用
柴油车尾气净化
工业废气处理
前沿技术进展介绍
新型催化剂材料
近年来,研究者们致力于开发与探索新 型催化剂材料,以提高催化剂的活性、 选择性和稳定性。例如,金属有机框架 (MOFs)材料和多孔碳材料等,这些新 型材料在催化剂程序升温技术中展现出 巨大的潜力。
中的可靠性。
催化剂选择性评价
根据程序升温曲线中的产物分布 数据,分析催化剂的选择性,即 其对不同反应物的选择性催化能 力,以指导催化剂的优化设计。
数据报告与结果展示
数据可视化 数据报告 结果展示
石油化工领域应用
烃类裂解
深度脱硫
化学反应工程应用

程序升温技术

程序升温技术

由于化学吸附象化学反应一样只能 在特定的吸附剂吸附质之间配对进行, 所以具有专一性(specificity),并且在表 面上只能吸附一层 。相反,物理吸附 由于是范氏力起作用,而范氏力是在同 类或不同类的任何分了间都存在的,所 以是非专一性的.在表面上上可吸附多 层。
物理吸附与化学吸附的主要差别
v-t作图法:利用N2吸附公共曲线.就可以
把某样品的氮吸附实验数据V-p/ps转换成v-t 关系,如图:
• 上面的右图是一条通过原点的直线,这
是因为多层吸附在无空间阻碍时,表面的 吸附液膜体积vl(ml/g),应该等于吸附层 厚t(nm)和表面积St(m2/g)的乘积,其中 103是单位换算因子。 • vl=v*0.001547=St*t/103 • 即 St=1.547*v/t=(vl/t)*103 • 式中St是用v-t作图法算得的比表面。 0.001547是标准状态下1ml氮气凝聚后的 液态氮毫升数。
分子的相互作用比吸附质和吸
附剂之间的强造成的。
BET公式C小于2,可以描述这
种吸附等温线。
现代催化剂表征方法-辛勤主编,page16
吸附等温线形状分析
VI型等温线,反应无孔均匀表
面多层吸附的结果,如结晶的
金属表面和石墨表面。催化中
很少用。
现代催化剂表征方法 - 辛勤主编,page16
毛细凝聚现象和回滞环
• 大量实验结果显示在IV型等温线上会出现滞后环,及吸附量随 平衡压力增加时测定的吸附分支和压力减小时所测定脱附分支 不能重合。
这一现象发生在中孔材料的吸 附上,BET公式不能处理回滞 环,必须用Kelvin公式(毛细 凝聚现象)来理解和处理
了解回滞环 对理解孔的类型和 特点非常重要

程序升温技术-..

程序升温技术-..
程序升温技术
化学吸附
• 化学吸附在多相催化中占有非常重要的地位。 因为多相催化反应是多步骤过程,其中某些步 骤是在吸附相中进行的。分子在吸附相中的行 为决定着催化过程的本质。 • 多相催化反应的实现要通过五个步骤:(1) 反应 物向催化剂表面扩散;(2) 反应物在催化剂表面 吸附;(3) 在吸附层中进行表面反应;(4) 反 应生成物由催化剂表面脱附;(5) 生成物扩散后 离开邻近催化剂的表面区。
征该氧化物的性质。
两种氧化物混合在一起,如果在TPR过程中每一种氧化 物保持自身还原温度不变,则彼此没有发生作用。 反 之,发生了固相反应的相互作用,原来的还原温度也要 变化。
TPR应用1
CeO2-ZrO2间的 固相反应
随着球磨时间增加, 高温峰下降,低温 峰上升且向高温移 动 XRD:长时间球磨 后,CeO2-ZrO2间发 生相互作用 固熔体Ce0.5Zr0.5O2 形成
TPR应用2
5%,两个TPR峰 5%,出现第三个峰, 表示 和不变, 峰温和强度随 负载量剧增。
15% 10% 5% 3%
XRD:5%后出现晶相CuO
和峰为小晶粒CuO,高分 散,CeO2相互作用大 是大晶粒CuO,还原温度高
2%
CuO/CeO2催化剂的TPR谱
20oC(5%O2 )再
在反应升温速率受控的条件下,连续检测反应体系
输出变化的一种表征方法
一种较为简易可行的动态分析技术
技术前提:程序升温技术、即时检测技术
作用
在研究催化剂表面上分子在升温时的脱附行为和各种反 应行为的过程中,可以获得以下重要信息: 表面吸附中心的类型、密度和能量分布;吸附分子和 吸附中心的键合能和键合态 催化剂活性中心的密度和能量分布;反应分子的动力 学行为和反应机理 活性组分和载体、活性组分和活性组分、活性组分和 助催化剂、助催化剂和载体之间的相互作用 各种催化效应——协同效应、溢流效应、合金化效应、 助催化效应、载体效应等
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催化剂程序
2020年4月12日星期日
小分子气体(O2, H2, CO2, N2, CO和C2H4)在金属或 氧化物表面的吸附,其催化作用与其表面对反应物的 化学吸附紧密相关,通过研究吸附态分子与表面的作 用以及吸附态分子的相互作用来揭示催化作用的本质 。
一、氢吸附, VIIIB金属上进行加氢和脱氢反应。化 学吸附热QH最小。解离吸附。常用HREELS和EELS 研究,得到H2在金属表面吸附的光谱特征。
❖没有再吸附发生的情况下,TPD方程为:
n=1时,
(1-7) (1-8)
F。c无关Tm,和即Fc有得关式时(1,-7)T、PD(1过-8程)。伴这随时着,在T吸PD附变,成如单果纯加的大脱F附c使过Tm程和 ❖通过改变可以判断TPD过程有无再吸附发生以及消除再吸附 现象的发生。 ❖对于脱附动力学是二级(n=1)的,TPD谱图呈现不对称图形 , ❖脱附动力学是二级(n=2)的,TPD谱图呈现对称形,因此可 以从图形的对称与否,判定n的值。
二、CO吸附,偶极活性大。红外光谱表征,线式、 桥式和孪生吸附态。
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程序升温分析技术
❖ 定义:当固体物质或预吸附某些气体的固体物

质,在载气流中以一定的升温速率加热

时,检测流出气体组成和浓度的变化或

固体(表面)物理和化学性质变化的技术。
❖ 可分为:程序升温还原(TPR)
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1.1 均匀表面的TPD理论
❖Amenomiya进一步推导出实用的TPD方程
Tm为TPD谱图高峰出的相应温度; △Ha为吸附热焓 ( -△Ha=Qa及吸附热);Vs为吸附剂体积;Vm为单层饱和吸附体 积;Fc为载气流速。
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1.1 均匀表面的TPD理论
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1.2.1 多吸附中心模型
❖ ra为吸附速率。各中心的脱附速率方程为
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1.2.1 多吸附中心模型
❖ 从反应床上的物料平衡来看,气相中的分子浓度为
Ns为吸附中心总数;X1、X2分别表示中心1和2所占的分数, ❖ 可以导出净脱附速率
t=0, T=T0
1.1 均匀表面的TPD理论
分子从表面脱附的动力学可用Polanyi-Wigner方程来描述。 ❖忽略了分子从表面到次层的扩散和分子之间的相互作用。
式中 为表面覆盖度;ka为吸附速率常数;kd为脱附速率常 数;cG为气体浓度;Ed为脱附活化能;v为指前因子;n为脱附 级数;T为温度,K;R为气体常数;t为时间。


❖ N和TPD曲线高度成正比, 同TPD曲线面积A成正比,见图 5a。
❖ 则lnN∝lnh, ln ∝lnA, ❖ 式(1-17)表明,脱附速率和覆盖度有关。
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1.2.3 脱附活化能分布与TPD曲线的关系
❖ 吸附剂(含催化剂)表面不均匀主要表现在表面中心的能量 有一定的分布,即表面中心的能量是不均一的,各部位的能 量不同。

程序升温脱附(TPD)

程序升温表面反应(TPSR)

程序升温氧化(TPO)
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1. TPD理论
TPD过程中,可能有以下现象发生:
➢ 分子从表面脱附,从气相再吸附到表面; ➢ 分子从表面扩散到次层(subsurface),从次层扩散到表面
; ➢ 分子在内孔的扩散。
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1.2 不均匀表面的TPD理论
❖吸附剂(或催化剂)在很多情况下其表面能量分布是不 均匀的, ❖或者说其表面存在性质不同的吸附中心或活性中心。 ❖研究吸附剂或催化剂的表面性质是催化理论研究重要 课题。 ❖出现两个或多个更多的峰(分离烽或重叠峰),一般 来说这正是表面不均匀的标志。 ❖存在吸附分子之间发生横向作用或吸附分子在表面和 次层之间发生正逆方向扩散 ❖或吸附剂具有双孔分布也都能引起多脱附峰的出现。 ❖ 不同的TPD峰彼此相互分离,则可把每个峰看成是 具有等同能量的各个表面中心所显示的TPD峰,中心 的各种参数:Ed(或△Ha ),v,n等。
1.1.1 脱附动力学参数的测定
(2)图形分析法
❖在TPD凸现最高峰hm(其相 应温度为Tm)以右斜坡曲线 上取不同峰高h1, ❖同时得到相应的不同Ti和Ai (如图1),


作图,
则可求得Ed和v。
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1.2.1 多吸附中心模型
❖若
,即

❖若
,即

❖不能通过独立的模拟每种中心的TPD规律来描述多中心TPD规律, ❖尤其当两种中心的能量相差不是很大时更是如此。 ❖如果两种中心的能量相差很大,即TPD峰相互分离,这是因为一种 中心上的分子随温度的上升而脱附时,另一种能量高的中心上的分 子不发生脱附。 ❖可以用均匀表面的TPD过程的处理方法,分别处理两种中心上吸附 分子的TPD过程。
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1. 假设 在脱附过程中气相不吸附 =1;
; 反应级数n
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2. 当 T=Tm 时, 峰顶温度,rd最大,
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TPD试验时,载气流速和升温速率是两个最重要的操作因素。
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说明:
❖ 改变Fc或β,两个峰的相对大小基本不变。这是两个吸附中 心的TPD的重要特征。
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1.2.2 脱附速率等温线分析法处理不均匀表面的脱附动力学 ❖ 不发生再吸附时,脱附动力学方程的一般式为
1.1.1 脱附动力学参数的测定
(1)通过改变
影响出峰温度,
❖可以通过实验改变 得到相应的Tm值,

对1/Tm作图,由直线斜率求出吸附热焓
△Ha (有再吸附发生(用改变Fc来判断))。
❖不发生再吸附时,n=1时, 线斜率求出脱附活化能,
对1/Tm作图,由直
❖由Ed和截距求出指前因子v值。
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