模拟电子技术习题

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(完整版)模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

(完整版)模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
(1)信号是反映消息的物理量,电信号是指随时间而变化的电压或电流。

(2)模拟信号在时间和数值上均具有连续性,数字信号在时间和数值上均具有离散性。

(3)模拟电路是处理模拟信号的电路。

(4)构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。

1.2 (1)在设计电子系统时,应尽量可能做到哪几点?
答:必须满足功能和性能的指标要求;
在满足功能和性能指标要求的前提下,电路要尽量简单,所用元器件尽可能少;
考虑电磁兼容性;
系统的调试应简单方便,而且生产工艺应简单。

第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解:
2.13 求解电路的运算关系。

第三章
3.2
(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素,如磷等;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素,如硼等。

(2)PN结加正向电压时,由扩散运动形成电流,其耗尽层变窄;加反向电压时,由漂移运动形成电流,其耗尽层变宽。

第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入电流串联负反馈。

(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力,应引入电压串联负反馈。

第十章。

模拟电子技术基础习题及答案

模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。

(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。

模拟电子技术习题答案

模拟电子技术习题答案

模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题:1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。

9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。

10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。

11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量 的能力。

12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。

13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。

14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。

15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。

二、某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路? 解: Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻R i =1MΩ,输出电阻R o =10Ω,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。

2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。

(b)VD截止,U AB=-12 V。

(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。

(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。

图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a)三极管已损坏,发射结开路(b)放大状态(c)饱和状态(d)三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
(1)信号是反映消息的物理量,电信号是指随时间而变化的电压或电流。

(2)模拟信号在时间和数值上均具有连续性,数字信号在时间和数值上均具有离散性。

(3)模拟电路是处理模拟信号的电路。

(4)构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。

1.2 (1)在设计电子系统时,应尽量可能做到哪几点?
答:必须满足功能和性能的指标要求;
在满足功能和性能指标要求的前提下,电路要尽量简单,所用元器件尽可能少;
考虑电磁兼容性;
系统的调试应简单方便,而且生产工艺应简单。

第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解:
2.13 求解电路的运算关系。

第三章
3.2
(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素,如磷等;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素,如硼等。

(2)PN结加正向电压时,由扩散运动形成电流,其耗尽层变窄;加反向电压时,由漂移运动形成电流,其耗尽层变宽。

第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入电流串联负反馈。

(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力,应引入电压串联负反馈。

第十章。

模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题

第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 解:二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。

理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。

◇ 题 1-4已知在图P1-4中,u1=10sin ωt(V),R L =1k Ω,试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

解:波形见图。

◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性,它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数,大一些好还是小一些好?解:动态内阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,即稳压性能愈好。

一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻r Z 愈小,稳压性能也愈好。

但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。

温度系数a U 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

◇ 习题 1-7 在图P1-7 中,已知电源电压V =10V ,R=200Ω,R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V,试求: ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ,I Z 将变为多少? ③当V 仍为10V ,但R L 改为2 k Ω时,I Z 将变为多少? 解:① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管,稳压仁政值均为6V ,当工作在正向时管压降均为0.7V ,如果将它们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案:B2、根据作业指导书或样板之要求,不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案:C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了? ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案:D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案:B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案:A6、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高,各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小,变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案:C8、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案:D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案:C10、某三极管,测得其发射结反偏,集电结反偏,则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案:B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案:B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为:1、100、-100,则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案:B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案:D14、在基本放大电路中,集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案:C15、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

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V 2 V V 18V
-
V 2 V 1
D2 抢先导通,U O 6V
D1反偏而截止。
模拟电子技术习题解 第2章 半导体三极管及其放大电路
• 2-1 测得某放大电路的三极管的三个电极A、B、C的对地电 位分别为UA=9V,UB=6V,UC=6.7V,试分析A、B、C中哪个是 基极、发射极、集电极,并说明三极管是NPN型还是PNP 型,是硅管还是锗管。
+
uo
-
图题1-5
1.5题波形图:
ui
v+1i0v
t
0
v-10v
uo
10.4.7Vv
t
-10v
u u u 1压-7U电路Z 如8V图,设题1-7所s 示1,5稳si压n管t为V硅,试管画,出正电向压导通电o 的压波o形 0。.7V 且稳定电
解:
当us 正半周,稳压
u 管u稳s 负压半,周o ,8V稳;压当管
V 20V,V 10V V V
U 所以二极管导通, 10V O
UO 10V
+ UO (a)
+
UO
(b)
(c)假设二极管不导通,则有:
V 10V ,V 20V VV
U 所以二极管导通, 20V O
(d)假设二极管不导通,则有:
D1:V 20V ,V 0V , V 1 20V. D2 :V 10V ,V 0V , V 2 10V. V 1 V 2,D1抢先导通,U O 20V.
通,则有:
+
V 6V ,V 12V
UO
-
V V 二极管导通,
,
(a)
UO 6V
模拟电子习题解
• (C)假设二极管是不通的,则有:
D1 :V 0V ,V 12V
V V ,D1导通。
+
D2 :V 15V ,V 12V
uo
V V , D2 截止。
U O 0V .
-
(c)
解: (b) 假设二极管是不通的,则有:
V 15V ,V 12V ,
V V ,二极管截止,
+
U O 12V.
uo
(c) 假设二极管是不通 的,则有:
(b)
模拟电子技术习题解
• (d)假设二极管不通,则有:
D1 :V 12V ,V 0V
+
V 1 V V 12V
UO
D2 :V 12V ,V 6V
• 解:UC>UB0.7V,说明C极是基极,B极是发射极,而且是 NPN型硅管。
2-4 试说明图2-4所示的电路对正弦交流信号有无放大作用。 解:(a)三极管的放大条件是发射结正偏, 集电结反偏。本电路三极管发射结没有 偏压,所以不能放大正弦交流信号。
(a)
模拟电子技术习题解
• (b)图(b)电路集电极没有加反偏电压,所以 • 对正弦交流信号没有放大作用。
+
UO
(c)
+
UO
(d)
注:D1抢先导通后,D2反偏而截止。
1.5 电路如图题1-5所示,电源 us 10sintV.
二极管采用恒压降模型,试画出二极管两端电
压uo 的波形,并标出幅值。
u 解:当 s 正半周二极管导通,
u uo 0.7V,当
负半周,二极管
s
u 截止,uo us 。
二极管两端电压 o波形如下:
(b) • (c)图(c)电路输入端对地交流短路,所以没有 • 交流放大作用。
(c)
模拟电子技术习题解
• (d) 图(d)电路无集电极电阻RC, • 输出端对地短路,故没有交流 • 放大作用。
(d)
• (e) 图(e)电路基极偏置电阻RB接 • 地,发射结无偏压,不满足三 • 极管放大条件,所以没有 交流 • 放大作用。
U V I R
6 0.6 5 3V
CEQ
CC
CQ c
• (2)画微变等效电路
模拟电子技术习题解
• 2-9题微变等效电路如下:
ii→
ib→
ui
rbe

ri
i← c
io→
ib
uo

ro
模拟电子技术习题解
• (3)求电压放大倍数
'
u R o
L
Au
u r i
be
300 (1 ) 26 300 (1 60) 26 2.9K
模拟电子技术习题解
第1章 半导体二极管及其应用电路
1.3 电路如图题1-3所示,二极管为理想二极管,试分别 求图题1-3(a)、(b)、(c)、(d)输出端电压。
解:(a) 假设二极管是不导 通的,则有:
V 0V,V 10V
V V
所以二极管截止,U 0 0V
(bo 0.7V,
uo
其波形图如下:
-
图题1-7
ui
v+15i V +8V
-0.7V
t
-15V uo
+8V
t
-0.7V
自测题二、电路如图测1-1所示,试分析判断图测1-1(a)、(b)、(c)、(d)所 示二极管是导通还是截止,并求输出电压 的值,设二极管为理想模型。
解:(a)假设二极管不导
CQ
BQ
U V I R
16 10.4 0.13 0.4V
CEQ
CC
CQ c
• 可见:
I U 增加, 减小,三极管工作在饱和区。
CEQ
CEQ
模拟电子技术习题解
• 2-9 在图题2-9所示的放大电路中,
R R R V 530K, 5K, 1K, 6V, 60
b
C
L
CC
• (1)试画出放大电路的中频段微变等效电路。
rbe
0.6
I CQ
R R R ' // 5 // 5 2.5K
L
c
L
Au
BE 16 0.7 16 0.13mA
I BQ
120 120
Rb
I I 40 0.13 5.2mA
CQ
BQ
图2-5
U V I R
16 5.21.5 8.2V
CEQ
CC
CQ c
模拟电子技术习题解
I • (2) 80时, 不变。 BQ
I I 80 0.13 10.4mA
(e)
模拟电子技术习题解
• 2-5 在图2-5所示的放大电路中,Rb=10k,Rc=1.5k ,
I •
Ucc=16v, 40,
0.
CEO
• (1)求静态工作点的

I I U 、 、 .
BQ CQ
CEQ
• (2)若
80,
I I U 、 、 如何变化?
BQ CQ
CEQ
• 解:(1)
V U
CC

(2)求电压放大倍数
Au
uo ui

r r • (3)求输入电阻 i 和输出电阻 o 。
A • (4)求源电压放大倍数 us 。
ui
uo
图题2-9
模拟电子技术习题解
• 解:(1)求Q点
V U
CC
BEQ 6 0.7 10A
I BQ
530
Rb
I I 60 0.01 0.6mA
CQ
BQ
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