模拟电子技术 题库(2020年整理).doc

一、填空题1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其多数载流子是__________,少数载流子是__________。

当PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。

2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和输出相位相同的是____________。

3、场效应管与双极晶体管比较,____________为电压控制器件,____________为电流控制器件,____________的输入电阻高。

4、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。

5、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过低,将会引起失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。

6、直流稳压电源由 、 、及 组成。

7、并联稳压电路中,稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。

二、选择题1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于( )A 、掺杂浓度B 、工艺C 、温度D 、晶体缺陷2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 ( )A .A 是基极,B 是发射极,C 是集电极,是NPN 管B .A 是集电极,B 是基极,C 是发射极,是PNP 管C .A 是集电极,B 是发射极,C 是基极,是PNP 管D .A 是发射极,B 是集电极,C 是基极,是NPN 管3、P 沟道增强型场效应管处于放大状态时要求( )A 、UGS >0,UDS >0B 、UGS <0,UDS <0C 、UGS >0,UDS <0D 、UGS <0,UDS >04、某仪表的放大电路,要求Ri 很大,输出电流稳定,则应采用( )形式来达到性能要求。

A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re 的作用是:( )A 、提高RiB 、提高AvdC 、提高K CMRD 、提高Avc6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时,其K CMR 将会( )。

A 、增大B 、减小C 、不变D 、不能确定7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?( )A 、100%B 、78.5%C 、50%D 、20%8、某单管共射基本放大电路,因晶体管损坏,采用β值为原来2倍的晶体管替换;问该放大电路的电压增益如何变化?( )A 、增大为原来的2倍B 、降低为原来的一半C 基本不变D 、不能确定9、某双电源互补对称功率放大电路,如果要求电路的最大可以输出10W 的功率,则选用的BJT 应保证其最大允许管耗P CM 不小于( )。

A 、10WB 、5WC 、2WD 、1W10、单相桥式整流、滤波电路如图所示。

已知Ω=100L R ,V U 122=,估算o U 为( )A 、12VB 、14.4VC 、17VD 、无法计算三、判断题1、功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。

( )2、三极管从结构上看是由两个PN 结背靠背串联而成的,所以可以用两个二极管背靠背串联连接构成三极管。

( )3、对于正弦波振荡电路而言,只要不满足相位平衡条件,即使放大电路的放大倍数很大也不可能产生正弦波振荡。

( )4、场效应管的导电机理和双极型三极管相似,均为多数载流子和少数载流子参与导电。

( )5、在深度负反馈放大电路中,闭环放大倍数Af=1/F ,它与反馈系数有关,而与放大电路开环增益A 无关,因此基本放大电路的参数没有实际意义。

( )四、简答题1、在图所示的各电路图中E =5V , ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压的波形。

2、试求如图所示,电路输出电压与输入电压的运算关系式。

3、由集成运放和复合管组成的反馈放大电路如图所示。

试回答下列各问题:1.要使R2引入的反馈为负反馈,请用“+”“-”号分别标出集成运放的同相输入端和反相输入端;2.判断R2所引入的交流负反馈的反馈组态。

4、如图所示电路或者一个正弦波振荡电路,问(1)为保证电路正常的工作,节点,K J L M应该如何连接?(2)R2应该选多大才能振荡?(3)振荡的频率是多少?五、计算题1、已知如图所示电路中晶体管的,,电容的容量足够大,对交流信号可视为短路(1)要求电路静态mA I CQ 3.1=,,估算c b R R ,的值(2)求电压放大倍数u A ,输入电阻i R ,输出电阻o R2、具有集电极调零电位器R p 的差分式放大电路如图LT_01所示。

已知β=50,V BE1=V BE2=0.7V ,当R p 置中点位置时,(1)求电路的静态工作点。

(2)双端输入、双端输出时的差模电压增益vd A ,共模电压增益vc A 、共模抑制比CMR K3、功放电路如图所示,设Ω==8,12L cc R v V ,功率BJT 的极限参数为w P V V A I CM CEO BR CM 5,30,2)(===,试求:(1)最大输出功率om P 值,并检验所给功率BJT 是否能安全工作:(2)放大电路在6.0=η时的输出功率o P 值填空题1、N 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其多数载流子是__________,少数载流子是__________。

P 型半导体和N 型半导体放在一起时会形成PN 结,当PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层 。

2、要使晶体三极管能正常工作在放大状态,应使发射结处于 ,集电结处于 。

3、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过高,将会引起失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。

4、直流稳压电源由 、 、及 组成。

5、引入负反馈后,放大电路的放大倍数 ,而放大电路的稳定性。

6、若两个输入信号电压的大小 ,极性 ,就称为差模输入信号。

7、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。

选择题1、杂质半导体的多数载流子浓度取决于( )A 、掺杂浓度B 、工艺C 、温度D 、晶体缺陷2、测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V ,5.3V 和-6V ,则该三极管的类型为( )A 、硅PNP 型B 、硅NPN 型C 、锗PNP 型D 、锗NPN 型3、P 沟道增强型场效应管处于恒流状态时要求( )A 、UGS >0,UDS >0B 、UGS <0,UDS <0C 、UGS >0,UDS <0D 、UGS <0,UDS >04、某仪表的放大电路,要求Ri 很大,输出电压稳定,则应采用( )形式来达到性能要求。

A 、电流串联负反馈;B 、电压并联负反馈;C 、电流并联负反馈;D 、电压串联负反馈5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re 的作用是:( )A 、提高Ri ;B 、提高Avd ;C 、提高K CMR ;D 、提高Avc6、差分放大电路的输出由单端输出改为由双端输出时,其K CMR 将会 ( )。

A 、增大 ;B 、减小 ;C 、不变 ;D 、不能确定7、甲类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?( )A 、100% ;B 、78.5% ;C 、50% ;D 、20%8、某单管共射基本放大电路,因晶体管损坏,采用β值为原来21倍的晶体管替换;问该放大电路的电压增益如何变化?( )A 、增大为原来的2倍;B 、降低为原来的一半;C 基本不变;D 、不能确定9、某双电源互补对称功率放大电路,如果要求电路的最大可以输出10W 的功率,则选用的BJT 应保证其最大允许管耗P CM 不小于( )。

A 、10W ;B 、5W ;C 、2W ;D 、1W10、单相桥式整流、滤波电路如图所示。

已知Ω=100L R ,V U 122=,估算o U 为( )A 、12VB 、14.4VC 、17VD 、无法计算判断题1、场效应管属于电压型控制器件,其g 、s 间阻抗要远大于三极管b 、e 间的阻抗( )2、只有正反馈电路才能产生自激振荡,负反馈电路不能产生自激振荡。

( )3、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的作用是“隔直”,防止直流经负载短路( )4、要求得到一个由电流控制的电压源,应引入电压并联负反馈( )5、在深度负反馈放大电路中,闭环放大倍数Af=1/F ,它与反馈系数有关,而与放大电路开环增益A 无关,因此基本放大电路的参数没有实际意义。

( )简答题1、在图所示的各电路图中E =5V , ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压的波形。

2、试求如图所示,电路输出电压与输入电压的运算关系式。

3、分别判断如图电路的反馈类型( ) ( )4、如图所示电路或者一个正弦波振荡电路,问(1)为保证电路正常的工作,节点,K J L M 应该如何连接?(2)R2应该选多大才能振荡?(3)振荡的频率是多少?(+)(+)∞+-+(+)R f i u o u R 1R s s u +-+-f u R L +-(+)∞+-+(+)(+)R f i u o u s u +-+-f u R L +-R s o i +-计算题1、求电路的静态参数(IB 、IC 、VCE),及动态参数(AV 、Ri 、Ro)2、差动放大电路如图所示,RW 起到调电路两边对称程度的作用。

已知:UCC =UEE =12V ,Rb =Rc =Re =10千欧,Rw =200欧,滑动头位于中点,UBE =0.7V ,放大倍数为50,rbe =2.5千欧。

试估算电路的静态工作点3、功放电路如图所示,设Ω==8,12L cc R v V ,功率BJT 的极限参数为w P V V A I CM CEO BR CM 5,30,2)(===,试求:(1)最大输出功率om P 值,并检验所给功率BJT 是否能安全工作:(2)放大电路在6.0=η时的输出功率o P 值+-R c +U CC R b R e u O R W T 2T 1+-u id R b -U EE R c\图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是,输入电阻最小的电路是,输出电阻最小的电路是,频带最宽的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是;只能放大电流,不能放大电压的电路是;只能放大电压,不能放大电流的电路是。

2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。

填空:(1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为,U CEQ的表达式为(2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为(3)若减小R B,则I CQ将,r bc将,A 将,R i将,R ou将。

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大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1.PN 结反向偏置时,PN 结的内电场 。

PN 具有 特性。

2.硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压V th 约为 伏。

3.为了保证三极管工作在放大区,要求:发射结 偏置,集电结 偏置。

对于NPN型三极管,应使V BC 。

4.放大器级间耦合方式主要有阻容(RC )耦合、直接耦合和 耦合三大类。

5.在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,组态有电流放大作用, 组态有倒相作用; 组态带负载能力强。

6.将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路;半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 倍;全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压(即变压器副边电压)有效值的 倍。

7.为了分别达到下列要求,应引人何种类型的反馈:①降低电路对信号源索取的电流:。

②当环境温度变化或换用不同值的三极管时,要求放大电路的静态工作点保持稳定: 。

③稳定输出电流: 。

8.某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000,反馈系数F =0.01,则闭环放大倍数≈⋅f A 。

二、选择题1.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V ,这说明放大电路的输出电阻为( )。

A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( )。

βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3.与甲类功率放大方式比较,乙类OCL互补对称功放的主要优点是()。

A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4.有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()。

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术

(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1《模拟电子技术基础》试卷及参考答案1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价2、稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏4、(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小5、U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定7、选用差分放大电路的原因是。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。

A.差B.和C.平均值9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。

A.输入电阻增大 B.输出量增大C.净输入量增大 D.净输入量减小11、交流负反馈是指。

A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈12、功率放大电路的转换效率是指。

A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比13、整流的目的是。

A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波14、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差15、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)一、单选题(共100题,每题1分,共100分)1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。

()A、对 :B、错正确答案:A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案:D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案:C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案:A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

()A、错B、对 :正确答案:A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案:B8、N型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案:C9、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案:C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案:A11、理想集成运放的输出电阻为()。

A、不定。

B、∞;C、0;正确答案:C12、PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案:D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为()A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案:C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

模拟电子技术题库

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模拟电子技术-题库1、半导体材料制作电子器件的原因是半导体材料具有热敏性、光敏性和掺杂性。

答案:正确2、本征半导体是纯净的半导体单晶答案:正确3、在T=0K时,本征半导体中有自由电子答案:错误4、在T>0或者有光照时,本征半导体产生本征激发答案:正确5、本征激发要释放能量答案:错误6、复合是本征激发的逆过程,复合要释放能量。

答案:正确7、在半导体内部,复合和本征激发同时存在。

答案:正确8.半导体中的载流子为空穴和()。

A、负离子B、自由电子C、价电子答案: B9、N型半导体是由本征半导体掺杂制成的,掺入的是三价的杂质。

答案:错误10、N型半导体的多数载流子是自由电子,所以N型半导体显示负电性。

答案:错误11、N型半导体的内部掺杂了()。

B、 Be元素答案: A12、P型半导体的内部掺杂了()。

A、 P元素B、 Be元素答案: B13、漂移是由于()在内电场的作用下形成的。

A、少数载流子B、多数载流子C、正离子D、负离子答案: A14、PN结正向导通时电压所加的方向为( )A、 P正N负B、 P负N正答案: A15、当PN结加反向电压时,PN结()A、变宽B、变窄C、不变D、无法确定答案: A16、PN结外加正向电压时,扩散电路()漂移电流A、大于B、小于C、等于答案: A17、二极管的反向击穿时的电压被称为()A、击穿电压B、死区电压答案: A18、Si二极管的正向导通压降为()A、 0.6V~0.8V,工程上习惯取0.7答案: A19、二极管反向击穿后便不能正常使用。

答案:错误20、下列说法正确的是()。

A、 PN结正偏导通,反偏导通B、 PN结正偏截止,反偏导通C、 PN结正偏导通,反偏截止D、 PN结正偏截止,反偏截止答案: C21、在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而()。

A、增大B、不变C、减小D、不确定答案: A22、二极管两端电压大于()电压时,二极管才导通。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级:姓名总分:一、填空(每空1分,共15分)1. 二极管最主要的特性是(),它的两个主要参数是反映正向特性的()。

2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。

3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。

4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。

5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。

6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。

二、选择题(每空2分,共10分)1. 在图示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V,则()。

A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以()。

A. 减小温漂B.增大放大倍数C. 提高输入电路D. 减小噪声3. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()负反馈。

A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联4. 欲实现Au=-100的放大电路,应选用()电路。

模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
(1)信号是反映消息的物理量,电信号是指随时间而变化的电压或电流。

(2)模拟信号在时间和数值上均具有连续性,数字信号在时间和数值上均具有离散性。

(3)模拟电路是处理模拟信号的电路。

(4)构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。

1.2 (1)在设计电子系统时,应尽量可能做到哪几点?
答:必须满足功能和性能的指标要求;
在满足功能和性能指标要求的前提下,电路要尽量简单,所用元器件尽可能少;
考虑电磁兼容性;
系统的调试应简单方便,而且生产工艺应简单。

第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解:
2.13 求解电路的运算关系。

第三章
3.2
(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素,如磷等;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素,如硼等。

(2)PN结加正向电压时,由扩散运动形成电流,其耗尽层变窄;加反向电压时,由漂移运动形成电流,其耗尽层变宽。

第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入电流串联负反馈。

(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力,应引入电压串联负反馈。

第十章。

模拟电子技术复习题(填空选择)

填空题1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。

PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压V th 约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ增大,I CQ增大,U CEQ减小。

20春-模拟电子技术-题库

20春-模拟电子技术-题库1、直流稳压电源中滤波电路的目的是()A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、使脉动的直流电变得平滑答案: C3、半导体是一种导电能力介于与之间的物质。

常用的半导体单晶材料是和。

答案:导体;绝缘体;硅;锗;4、为了稳定放大电路的输出电流,增大输入电阻,应引入的反馈类型为()。

A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈C、电压串联负反馈D、电压并联负反馈答案:A5、交流负反馈是指A、阻容耦合放大电路中所引起的负反馈B、只有放大交流信号时才有的负反馈C、在交流通路中的负反馈答案: C6、直流负反馈是指A、直接耦合放大电路中所引起的负反馈B、只有放大直流信号时才有的负反馈C、在直流通路中的负反馈答案: C7、噪声的种类有和。

答案:电阻的热噪声;三极管噪声;8、PN结的特性是:。

答案:单向导电性9、共集电极放大电路的特点是:。

答案:输入电阻高、输出电阻低、电压增益接近1;10、产生自激振荡的幅频条件是,相频条件是。

答案:;;12、晶体三极管实现放大作用所需的外部条件是发射结,集电结。

答案:正偏;反偏;13、测得某放大电路在无交流信号输入时,三极管的三个极对地电位分别为V1=6V , V2=2V , V3=1.3V , 则三极管的管型(NPN或PNP),基极、发射极、集电极排列的顺序为。

答案:NPN;集电极、基极、发射极;14、小功率直流稳压电源一般由变压器、、和四部分组成。

答案:整流;滤波;稳压;15、答案:6;7 ;16、正弦波振荡器一般由放大、、和稳幅组成。

答案:选频;反馈;17、要获得+9V的稳定,集成三端稳压器应选择()A、 CW7812B、 CW7809C、 CW7909D、 CW7805答案: B18、对于NPN型晶体管组成的基本共射放大电路,若静态工作点取得过高将产生(A、交越失真B、截止失真C、饱和失真D、无法判断答案: C19、集成运算放大电路的第一级均采用差分放大电路,主要是因为差分放大电路()A、电路简单B、输入电阻高C、放大倍数高D、能有效抑制零点漂移答案: D20、一个三级电压放大电路,各级电压增益分别为-20、-50、1,若输入电压为1mV,则输出电压为()。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。

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