集成电路版图设计
集成电路设计3-版图设计

版图设计的重要性
1
版图设计是集成电路制造过程中的关键环节,它 决定了集成电路的性能、功能和可靠性。
2
通过版图设计,可以将电路设计转化为实际制造 的物理结构,从而实现电路设计的目标。
3
版图设计的精度和质量直接影响到集成电路的性 能和制造良率,因此需要高度的专业知识和技能。
在芯片内部加入自测试模块,实现自动测试和 故障诊断。
可测性增强
通过增加测试访问端口和测试控制逻辑,提高芯片的可测性。
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集成电路版图设计的挑 战与解决方案
设计复杂度挑战
总结词
随着集成电路规模不断增大,设计复杂 度呈指数级增长,对设计效率提出巨大 挑战。
VS
详细描述
随着半导体工艺的不断进步,集成电路设 计的规模越来越大,晶体管数量成倍增加 ,导致设计复杂度急剧上升。这不仅增加 了设计时间和成本,还对设计精度和可靠 性提出了更高的要求。
03
还需要考虑存储器的功耗和散热问题,以确保在各种应用场景下的稳 定运行。
04
高密度存储器版图设计需要具备高容量、高速、低功耗和高可靠性等 特点,以满足大数据、云计算等领域的需求。
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感谢您的观看
04
还需要考虑散热设计,以确保在高负载情况下CPU的 稳定运行。
案例二:低功耗MCU版图设计
低功耗MCU版图设计需要重点 关注功耗优化,采用低功耗工 艺和电路技术,如CMOS工艺
、低功耗逻辑门等。
还需要考虑低电压供电和电源 管理设计,以确保MCU在各种 应用场景下的稳定运行。
设计过程中需要优化芯片内部 结构和电路布局,降低芯片的
本科生课-集成电路版图设计-实验报告

西安邮电大学集成电路版图设计实验报告学号:XXX姓名:XX班级:微电子XX日期:20XX目录实验一、反相器电路的版图验证1)反相器电路2)反相器电路前仿真3)反相器电路版图说明4)反相器电路版图DRC验证5)反相器电路版图LVS验证6)反相器电路版图提取寄生参数7)反相器电路版图后仿真8)小结实验二、电阻负载共源放大器版图验证9)电阻负载共源放大器电路10)电阻负载共源放大器电路前仿真11)电阻负载共源放大器电路版图说明12)电阻负载共源放大器电路版图DRC验证13)电阻负载共源放大器电路版图LVS验证14)电阻负载共源放大器电路版图提取寄生参数15)电阻负载共源放大器电路版图后仿真16)小结实验一、反相器电路的版图验证1、反相器电路反相器电路由一个PMOS、NPOS管,输入输出端、地、电源端和SUB 端构成,其中VDD接PMOS管源端和衬底,地接NMOS管的漏端,输入端接两MOS管栅极,输出端接两MOS管漏端,SUB端单独引出,搭建好的反相器电路如图1所示。
图1 反相器原理图2、反相器电路前仿真通过工具栏的Design-Create Cellview-From Cellview将反相器电路转化为symbol,和schemetic保存在相同的cell中。
然后重新创建一个cell,插入之前创建好的反相器symbol,插入电感、电容、信号源、地等搭建一个前仿真电路,此处最好在输入输出网络上打上text,以便显示波形时方便观察,如图2所示。
图2 前仿真电路图反相器的输入端设置为方波信号,设置合适的高低电平、脉冲周期、上升时间、下降时间,将频率设置为参数变量F,选择瞬态分析,设置变量值为100KHZ,仿真时间为20u,然后进行仿真,如果仿真结果很密集而不清晰可以右键框选图形放大,如图3所示。
图3 前仿真结果3、反相器电路版图说明打开之前搭建好的反相器电路,通过Tools-Design Synthesis-Laout XL新建一个同cell目录下的Laout文件,在原理图上选中两个MOS管后在Laout中选择Create-Pick From Schematic从原理图中调入两个器件的版图模型。
集成电路版图设计(适合微电子专业)

①了解工艺现状,确定工艺路线
确定选用标准pn结隔离或对通隔离工艺或等平面 隔离工艺。由此确定工艺路线及光刻掩膜版的块数。 由制版和光刻工艺水平确定最小接触孔的尺寸和 光刻套刻精度。光刻工艺的分辨率,即能刻蚀图形的 最小宽度,受到掩膜分辨率、光刻胶分辨率、胶膜厚 度、横向腐蚀等多因素的限制。套刻精度与光刻机的 精度和操作人员的熟练程度关系密切。
功能设计 设 计 逻辑设计 电路设计 功能图 逻辑图 电路图 符号式版图 , 版图
图
版图设计
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举例:
功能描述 x=a’b+ab’ 的逻辑图
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CMOS与非门的电路图
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场SiO2
栅SiO2 栅SiO2
CMOS反相器的掩膜版图
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版图设计就是按照线路的要求和一定 的工艺参数,设计出元件的图形并进行排 列互连,以设计出一套供IC制造工艺中使 用的光刻掩膜版的图形,称为版图或工艺 复合图。 版图设计是制造IC的基本条件,版图 设计是否合理对成品率、电路性能、可靠 性影响很大,版图设计错了,就一个电路 也做不出来。若设计不合理,则电路性能 和成品率将受到很大影响。版图设计必须 与线路设计、工艺设计、工艺水平适应。 版图设计者必须熟悉工艺条件、器件物理、 电路原理以及测试方法。 16
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要了解采用的管壳和压焊工艺。封 装形式可分为金属圆筒塑(TO-5型)、扁 平封装型和双列直插型(DIP)等多种,管 芯压点分布必须和管壳外引脚排列相吻 合。当采用热压焊时,压焊点的面积只 需70μm×70μm,超声压焊需 100μm×100μm ~125μm×25μm,金丝 球焊需125μm ×125μm,金丝球焊牢固 程度高,金丝在靠近硅片压点处是垂直 的,可压到芯片纵深处(但必须使用温度 SiO2纯化层),使用起来很灵活。
集成电路版图设计

02 集成电路版图设计基础
CHAPTER
电路设计基础
01
模拟电路设计
02
运算放大器
03
比较器
04
触发器
电路设计基础
01
数字电路设计
02
组合逻辑电路
时序逻辑电路
03
04
可编程逻辑电 路
版图设计基础
版图编辑软件 ICEDrawer
版图设计基础
01
Laker
02
P甩 Pro
版图设计规则
03
版图设计基础
管的形状和尺寸等。
案例二:低功耗模拟电路版图设计
总结词
通过优化模拟电路的版图设计,实现低功耗的目的, 以满足便携式电子设备和物联网等领域的需求。
详细描述
低功耗模拟电路版图设计需要考虑模拟电路的性能和 功耗等方面,同时还需要考虑噪声和失真等方面的因 素。为了实现低功耗的设计,需要采用优化的版图设 计方法,如使用低阻抗的走线、优化晶体管的形状和 尺寸等。
3
antenna effect simulation
物理验证基础 01
P/R/O/L/C分析
热学参数分析(T)
03
02
电学参数分析(P/R/O)
电磁兼容性分析(EMC)
04
03 集成电路版图设计技术
CHAPTER
逻辑电路版图设计
逻辑电路
逻辑电路是实现逻辑运算和逻辑控制的电路,分为组合逻 辑电路和时序逻辑电路。在版图设计中,需要考虑到电路 的复杂性、功耗、速度等因素。
提高芯片的可测试性。
可制造性版图设计实践
符合制造规范
遵循制造规范和流程,确保版图设计具有良好的可制 造性。
集成电路版图设计(反向提取与正向设计)

集成电路设计综合实验报告班级:微电子学1201班姓名:学号:日期:2016年元月13日一.实验目的1、培养从版图提取电路的能力2、学习版图设计的方法和技巧3、复习和巩固基本的数字单元电路设计4、学习并掌握集成电路设计流程二.实验内容1. 反向提取给定电路模块(如下图所示),要求画出电路原理图,分析出其所完成的逻辑功能,并进行仿真验证;再画出该电路的版图,完成DRC验证。
2. 设计一个CMOS结构的二选一选择器。
(1)根据二选一选择器功能,分析其逻辑关系。
(2)根据其逻辑关系,构建CMOS结构的电路图。
(3)利用EDA工具画出其相应版图。
(4)利用几何设计规则文件进行在线DRC验证并修改版图。
三.实验原理1. 反向提取给定电路模块方法一:直接将版图整体提取(如下图)。
其缺点:过程繁杂,所提取的电路不够直观,不易很快分析出其电路原理及实现功能。
直接提取的整体电路结构图方法二:将版图作模块化提取,所提取的各个模块再生成symbol,最后将symbol按版图连接方式组合成完整电路结构(如下图)。
其优点:使电路结构更简洁直观、结构严谨、层次清晰,更易于分析其原理及所实现的功能。
CMOS反相器模块CMOS反相器的symbolCMOS传输门模块 CMOS传输门的symbolCMOS三态门模块 CMOS三态门的symbolCMOS与非门模块 CMOS与非门的symbol各模块symbol按版图连接方式组合而成的整体电路经分析可知,其为一个带使能端的D锁存器,逻辑功能如下:①当A=1,CP=0时,Q=D,Q—=D—;②当A=1,CP=1时,Q、Q—保持;③当A=0,Q=0,Q—=1。
2.CMOS结构的二选一选择器二选一选择器(mux2)的电路如图所示,它的逻辑功能是:①当sel=1时,选择输入A通过,Y=A;②当sel=0时,选择输入B通过,Y=B。
二选一选择器(mux2)由三个与非门(nand)和一个反相器(inv)构成(利用实验1 的与非门和反相器symbol即可)。
集成电路版图设计岗位职责职位要求

集成电路版图设计岗位职责职位要求(实用版)编制人:______审核人:______审批人:______编制单位:______编制时间:__年__月__日序言下载提示:该文档是本店铺精心编制而成的,希望大家下载后,能够帮助大家解决实际问题。
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第14章集成电路版图设计PPT课件

• 完成一个反相器的版图设计
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版图设计中的相关主题
1. Antenna Effect 2. Dummy 的设计 3. Guard Ring 保护环的设计 4. Match的设计
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层次表示 含义
Nwell
N阱层
Active
N+或P+有源 区层
Poly 多晶硅层
Contact 接触孔层
Metal Pad
金属层
焊盘钝化 层
标示图
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Hale Waihona Puke N阱设计规则编 描 述尺
目的与作用
号
寸
1.1 N阱最小宽 (1μ0m.) 保证光刻精度和器
• 设计规则是各集成电路制造厂家根据本身的工艺特点和技术水平而制定的。 因此不同的工艺,就有不同的设计规则。
• 掩膜上的图形决定着芯片上器件或连接物理层的尺寸。因此版图上的几何图
形尺寸与芯片上物理层的尺寸直接相关。
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版图几何设计规则
• 版图设计规则:是指为了保证电路的功能和一定的成品率而提出的一 组最小尺寸,如最小线宽、最小可开孔、线条之间的最小间距。
• 1.设计规则检查(DRC) • 2.版图寄生参数提取(LPE) • 3.寄生电阻提取(PRE) • 4.电气规则检查(ERC) • 5.版图与线路图比较程序(LVS)
集成电路版图设计

《集成电路版图设计》课内实验学院:信息学院专业班级:学号:学生姓名:指导教师:模拟集成电路版图设计集成电路版图是电路系统与集成电路工艺之间的中间环节,是一个不可少的重要环节。
通过集成电路的版图设计,可以将立体的电路系统变为一个二维的平面图形,再经过工艺加工还原于基于硅材料的立体结构。
因此,版图设计是一个上承的电路系统,下接集成电路芯片制造的中间桥梁,其重要性可见一斑。
但是,集成电路版图设计是一个令设计者感到困惑的一个环节,我们常常感到版图设计似乎没有什么规矩,设计的经验性往往掩盖了设计的科学性,即使是许多多年版设计经验的人有时候也说不清楚为何要这样或者那样设计。
在此,集成电路版图设计是一门技术,它需要设计者具有电路系统原理与工艺制造方面的基础知识。
但它更需要设计者的创造性,空间想象力和耐性,需要设计者长期工作的经验和知识的积累,需要设计者对日异月新的集成电路发展密切关注和探索。
一个优秀的版图设计者对于开发超性能的集成电路是极其关键的。
在版图的设计和学习中,我们一直会面临匹配技术降低寄生参数技术熟悉电路作用(功能,频率)电流密度的计算(大电流和小电流的电流路径以及电流流向)等这些基本,它们也是最重要的问题。
版图的设计,从半导体制造工艺,到最后的后模拟过程都是非常关键的,里面所涉及的规则有1500——2000条,一些基本问题的解决方法和设计的调理化都将在下面提及。
模拟集成电路版图设计流程:阅读研究报告理解电路原理图了解电路的作用熟悉电流路径晶大小知道匹配器件明白电路中寄生,匹配,噪声的产生及解决方案对版图模块进行平面布局对整个版图进行平面布局熟练运用cadence软件进行版图绘制Esd的保护设计进行drc与lvs检查整理整个过程中的信息时刻做记录注意在设计过程中的交流集成电路制造工艺双极工艺:Cmos(p阱)工艺:版图设计经验总结:1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查.3 布局前考虑好出PIN的方向和位置4 布局前分析电路,完成同一功能的MOS管画在一起5 对两层金属走向预先订好。
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《集成电路版图设计》
学院:_____________ 专业班级:_____________ 学号:_____________ 学生姓名:_____________ 指导教师:_____________
摘要
什么是集成电路?把组成电路的元件、器件以及相互间的连线放在单个芯片上,整个电路就在这个芯片上,把这个芯片放到管壳中进行封装,电路与外部的连接靠引脚完成。
什么是集成电路设计?根据电路功能和性能的要求,在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下,尽量减小芯片面积,降低设计成本,缩短设计周期,以保证全局优化,设计出满足要求的集成电路。
《集成电路版图设计》基于Cadence软件的集成电路版图设计原理、编辑和验证的方法。
本次实验是基于Cadence版图设计软件平台,采用L50C7工艺库,设计一个运算放大器,并且,为了防止电路中各元件间产生闩锁效应,在实际生产流片中每个元件都应该添加保护环,以防止各元件间电流之间产生各种影响。
并且增加电路的稳定性和可靠性。
电路的验证采用的是Calibre验证工具,对电路版图进行了DRC验证和LVS验证。
关键词:Calibre,运算放大器
目录
一、电路设计流程 (1)
二、版图的制作流程 (2)
三、二级运算放大器的原理图 (3)
四、器件尺寸的计算 (4)
五、二级运算放大器原理图 (5)
六、二级运算放大器版图 (9)
心得体会 (11)
参考文献 (12)
一、电路设计流程
二、版图的制作流程
由于设计目标已经电路的构造课本已经讲述的十分详细。
所以我讲接着阐述版图的制作过程。
首先将电路图转为相应的版图, 意思就是把相对 应的器件进行布局布线。
因制造工艺精度有限,所以版图必须满足一定的规则要求。
按照设计规则布局布线后,接着就要对它进行检查。
由于版图是人工布局布线,因此 或多或少的存在一些错误。
这时就需要软件来进行“设计规则检查”(DRC )。
软件所依 据的是DRC 文件,它与画版图时使用的规则是一致的,只不过规则文件是给版图设计 者参考使用的,而DRC 文件是由软件编写的。
当版图没有了DRC 错误,完全符合设计规则之后,再依靠LVS 文件,将其与电路原理 图进行比较。
若有不同之处,LVS 将进行报错,经过修改之后还要重复DRC 、LVS 过程。
若两者相同,说版图与原理图一致。
到这一步就完成了版图的制作了。
完成版图之后, 还可以利用工具提取版图中的寄生参数,对包含这些寄生参数的电路再次进行仿真, 从而更准确确定电路的性能。
最后把图形格式的版图文件转换为通用二进制文件(GDS 文件),提交给生产厂制造。
三、二级运算放大器的原理图
我们要设计的是以上这个原理图所示的二级运算放大器。
其中二级运算放大器每个管子的参数如下表:
运算放大器框图:
输入中间输出
偏
置
二级运放结构原理:
输入级:输入电阻高,能减小零点漂移和抑制干扰信号,都采用带恒流源的差分放大器。
中间级:要求电压放大倍数高。
常采用带恒流源的共发射极放大电路构成。
输出级:与负载相接,要求输出电阻低,带负载能力强,一般由互补对称电路或射极输出器构成。
偏置电路: 由镜像恒流源等电路组成
工作原理图:
四、器件尺寸的计算
五、二级运算放大器原理图
1.打开虚拟机,键入代码打开cadence软件。
2.选择tool-library manager-来先建立一个库。
3.键入要设置的名字,按ok。
4. view,建立子元器件库,Cell Name键入名字czc_yuanlitu。
并且在View Name选择schematic (一般默认为这个)。
Tool选择Composer Schematic(一般也是默认的)。
最后点ok。
5.下边的是对各个cmos管的参数及位置、连线等进行编辑。
万变不离其宗,下边只介绍其中一个步骤,其他照葫芦画瓢就可以了。
在菜单栏点击add--instance,此时弹出对话框。
在此对话框选择browse。
选择工艺库L50C7--pmos_P--symbol.
选择nmos的话就在同一个工艺库中选择nmos_N--symbol.
选择电容:L50C7--cap_CI--symbol.
选择电阻:L50C7--res_M1--symbol.
6.当所有元器件都按以上步骤摆好了,然后就需要连线,按照原理图连线就可以了。
操作是:add--wire(narrow),此时弹出对话框:直接选择hide就可以连线了。
原理图完成后的效果:
7.连线完成后,还需要更改各个元器件的参数。
步骤如下:
选中要编辑的器件--点击左边的property,弹出对话框,只需要按图下表示更改四个指标就可。
六、二级运算放大器版图
最终结果图:
7.DRC验证及其操作
菜单栏选择Calibre--run DRC,然后选rules,在第一个框上选择路径,如图所示路径。
然后在左边选择inputs,files栏文件名正确就可以直接按左边菜单栏的”Run DRC”结果如图示,显示出来的错误按所示位置进行修改,修改到没有出现错误为止。
心得体会:
这次版图实验中我做了与非门。
二级运放和基准电流源的设计。
在我做集成电路版图设计过程的一开始分不清楚集成器件的工艺层次结构。
因此导致一开始画得很困难。
后来经过慢慢的练习,使我慢慢的熟悉了器件的工艺层次结构。
在设计版图的过程中。
对于工艺部分的尺寸调节这个环节是个相当繁琐的工作,不过在后来的摸索中我使我熟悉了调节的规则。
方便了我在后来的版图设计与调试。
在画版图之前。
首先我们要画好原理图,然后仿真。
这有助于检验电路是否设
计正确和有助于在版图设计中如何连线。
在画版图时。
我们要注意的地方非常多。
例如管子的匹配,给器件画保护环,
布局布线等等。
由于一开始不熟悉。
所以很多地方画得不好。
后来慢慢的在老师和同学的帮助下逐渐改进,逐步完善版图。
因为每个工艺库的工艺都不一样。
所以在画版图之前应该了解工艺的尺寸。
这样可以更好帮助我们画版图,以减少错误。
我认为学好半导体制造对画版图时非常有帮助的,因为它可以使你更好的理解怎么样去画,可以很好的帮助你去解决错误。
本次实验中我的收获还是比较大的,初始设计出版图的时候错误非常多,违反
设计规则的也有很多内容,修改的过程也是头痛不已,一开始很多地方不懂,但是在老师和同学们的帮助下,使我慢慢的了解设计规则和解决问题。
当所有问题解决之后,心里有一种成就感。
因为觉得自己很多地方都画得不好,后来我就通过不断的练习以提高和巩固老师说的知识。
版图设计的要点在于,在设计版图之前一定要对电路的原理进行分析,同时也要根据电流的流向和器件的对称等因素综合考虑器件的布局。
可以使用交叉匹配式的的电路,满足电路的设计业更加的美观。
通过本次实践,我对版图设计的整个流程有了深刻的认识。
在这次版图实验中,不仅让我学到了画版图的技巧。
还让我学会了做事要有耐心和细心,不能急于求成。
最后感谢老师的指导和同学们的帮助。
参考文献:
1、王自强.CMOS集成放大器设计.国防工业出版社.2007.269~310
2、Alan Hastings.王志功译.模拟电路版图艺术(第二版).电子工业出版社.2007
3、朱正涌.半导体集成电路.清华大学出版社.2000.282~285
4、饶妮妮.模拟电路基础.成都:电子科技大学出版社.2001
5、Saint J.Saintz 著周润德金申美译.集成电路掩模设计——基础版图技术.
清华大学出版社.2012
6、Phillip E.Allen,Douglas R.Holberg 著冯军李智群译.CMOS模拟集成电路设
计(第二版).电子工业出版社.2011
7、何乐年王忆模拟集成电路设计与仿真.科学出版社。