台湾元玺精密电阻WMCSE0805~1206
广东红星科技有限公司 氧化锂电阻 rectifier SS12F-SS120F 产品说明书
FEATURES● For surface mounted applications● Metal silicon junction, majority carrier conduction ● Built-in strain relief, ideal for automated placement ● Low power loss, high efficiency. ● High forward surge current capability ● Plastic package has Underwriters LaboratoryFlammability Classification 94V-0MECHANICAL DATA● Case: SMAF Molded plastic ● Terminals: Pure tin plated, lead free ● Polarity: Indicated by cathode band ● Weight: 27mg (approx.)MAXIMUM RA TINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSRating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.2.P .C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areasParameterSymbolSS12F SS 13F SS 14F SS 15F SS 16F SS 18F SS 110F SS 115F SS 120FUnit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V Maximum RMS Voltage V RMS 14 21 28 35 42 56 70 105 140 V Maximum DC Blocking VoltageV DC 2030405060 80100150200V Maximum Average Forward Rectified Current I F(AV) 1.0 A Peak Forward Surge Current 8.3 ms Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method)I FSM30.0AMaximum Instantaneous Forward Voltage at 1A V F 0.45 0.55 0.70 0.85 0.95 V Maximum DC Reverse CurrentCat Rated DC BlockingVoltage@ T A =25°C@ T A =100°CI R 0.50.2mA 10.0 5.0 2.0mA Typical Junction Capacitance(Note1) C j 11090pF Typical Thermal Resistance (Note2) R θJA 88 °C/w Operating Temperature Range T J -50 to +150 °C Storage Temperature RangeT STG-50 to +150°CSMAFCathodeTypical Characteristics1.00.80.60.40.20.1 1.0 10 1000.01 0.1 1 10 1001001010.1REVERSE VOLTAGE,VOLTSt,PULSE DURATION,sec.FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCEFIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCENUMBER OF CYCLES AT 60 HzFIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARDFIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVEA V E R A G E F O R W A R D R E C T I F I E D C U R R E N T ,A M PE R E SJ U N C T I O N C A P A C I T A N C E , p FP E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T ,A M P E R ES1001010.10.010.001PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ,M I L L I A M P E R E ST R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E ,C /WAMBIENT TEMPERATURE, C FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARDCHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E SINSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,VOLTS5010.010.10.01UNITmm1.10.20 3.72.7 4.90.90.123.3 2.44.47°maxminmil maxmin43357.94.714613010694193173A C D E H E∠1.61.36351eBottom View Top View1.20.84731gPackage Outline Dimensions SMAF。
LR1206-21R050F4系列规格书贴片合金电阻推荐
0.074±0.010 (1.880±0.254) 0.044±0.010 (1.118±0.254) 0.079±0.010 (2.02±0.254) 0.074±0.010 (1.880±0.254) 0.044±0.010 (1.118±0.254) 0.066±0.010 (1.676±0.254) 0.044±0.010 (1.118±0.254) 0.085±0.010 (2.159±0.254) 0.071±0.010 (1.803±0.254)
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註
非經允許，禁止自行影印文件
60 Series No.
RALEC
旺詮
LR 金屬板微電阻規格標準書
4 尺寸及構造
1206 / 2010 / 2512 / 2725 / 2728
L
文件編號 版本日期 頁次
IE-SP-060 2015/07/01
4/19
4527 / 4527S
L
W H
T1
T2
0.038±0.010 (0.965±0.254) 0.038±0.010 (0.965±0.254)
備
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發行管制章 DATA Center.
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註
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60 Series No.
RALEC
旺詮
LR 金屬板微電阻規格標準書
文件編號 版本日期 頁次
4.1 合金板材料：
7.0~50.0 --
7.0~49 7.0~50
0.3~50.0 0.3~1.0 0.5~100 0.3~100
LR2512
0.3mΩ: ≦±150
嘉立创可贴片元器件清单
C1857 C1871 C5378 C8031 C12656 C13585 C13967 C14663 C14853 C14857 C14858 C15195 C15849 C15850 C16149 C16772 C19666 C19702 C21117 C21120 C21895 C22397 C23630 C23733 C23969 C28260 C28262 C28323 C29823 C31106 C31658 C32949 C35216 C37474 C38523 C39148 C45783 C46219 C47339 C49217 C49678 C53134 C53172 C53175 C53987 C57112 C59461 C1600 C1615 C1788 C1800 C1803 C1820 C67560 C1832 C1792
阻值(Ω)/容值 电压 (uF) 0.0010000000 50.00 0.1000000000 16.00 0.0022000000 50.00 0.0004700000 50.00 0.0001000000 50.00 0.0000120000 50.00 0.0000150000 50.00 0.0000180000 50.00 0.0000015000 50.00 0.0000220000 50.00 0.0000022000 50.00 0.0000330000 50.00 0.0010000000 50.00 0.0001500000 50.00 0.0015000000 50.00 0.0002200000 50.00 0.0022000000 50.00 0.0220000000 50.00 0.0033000000 50.00 0.0004700000 50.00 0.0470000000 50.00 0.4700000000 25.00 0.0006800000 50.00 0.0068000000 50.00 0.0000100000 50.00 0.0000015000 50.00 0.0000180000 50.00 0.0000200000 50.00 0.0000220000 50.00 0.0000270000 50.00 0.0000330000 50.00 0.0003300000 50.00 0.0000047000 50.00 0.0000470000 50.00 0.0000068000 50.00 0.0010000000 50.00 0.0100000000 50.00 0.0220000000 50.00 0.0330000000 50.00 0.3300000000 50.00 0.0004700000 50.00 0.0047000000 50.00 4.7000000000 25.00 0.0000100000 50.00 0.0001000000 50.00 0.0000150000 50.00 0.0000180000 50.00 0.0000200000 50.00 0.0000220000 50.00 0.0000300000 50.00 0.0000330000 50.00 0.0100000000 50.00 0.1000000000 50.00 1.0000000000 50.00 0.0002200000 50.00
zno压敏电阻 阻抗
zno压敏电阻阻抗
ZNO压敏电阻是一种常见的电子元器件，常用于电子电路中的过压保护和限流功能。
它由氧化锌粉末和少量其它物质制成，具有高阻值和压敏特性，能够在电路中起到重要的作用。
ZNO压敏电阻的阻值通常在几千欧姆至数百兆欧姆之间，其阻值随着电压的变化而变化，从而能够对高压下的电路进行限流和过压保护。
在电路中，ZNO压敏电阻通常与其它电阻、电容和变阻器等器件一起组成复杂的脉冲电路，可以用于温度传感器、光控设备、电子情报仪器等多个领域。
在压敏电阻中，氧化锌粉末是其最为重要的组成部分。
氧化锌粉末的选材和制造工艺是影响压敏电阻性能的主要因素，其制作精度和生产工艺的优化可以大幅提高压敏电阻的性能。
另外，在ZNO压敏电阻的生产过程中，通常会添加一些稀土元素、二氧化钇和镁等物质，以提高其敏感性和防止老化效应。
同时，在选择ZNI压敏电阻时，还需要考虑其额定电压、额定电流、温度系数、工作温度范围等多个因素，确保它能够正常工作，并能在其额定电压范围内发挥其过压保护和限流功能。
总之，ZNO压敏电阻作为一种常用的电子元器件，在多个领域都有重要应用，能够对电路进行过压保护和限流，为电子设备的稳定运行提
供了有力保障。
而在使用压敏电阻时，还需要注意选择合适的型号、
合理设计电路，以及进行正确的使用和维护，从而保证其性能和寿命。
深圳市晶科鑫实业有限公司 Crystal Oscillator Series 6N 型号 7.0X5
深圳市晶科鑫实业有限公司样品承认书客户代码：物料名称：贴片钟振规格型号：7050 OSC 50.000MHZ 1.8~3.3V ±30PPM CMOSP N/ SJK：6N50000G33YC承认签章供应商承认（）公司承认制定审核核准工程师审核批准林雁杨霞黄灏东盖章签署盖章签署日期日期批示：□接受□有条件接受备注：公司地址:深圳市龙岗区天安云谷产业园一期3栋C座12楼1204～1206室电话：传真：Approved by: 黄灏东Checked by: 杨霞Issued by: 玉静霞产品规格书SPECIFICATIONPN / SJK: 6N50000G33YC深圳市晶科鑫实业有限公司SHENZHEN CRYSTAL TECHNOLOGY INDUSTRIAL CO., LTD.公司地址:深圳市龙岗区天安云谷产业园一期3栋C座12楼1204～1206室电话：*************-837传真：*************修改记录版次修改日项目改定内容改定者确认者A1 2015-6-5 初版林雁杨霞1. ELECTRICAL SPECIFICATIONSStandard atmospheric conditionsUnless otherwise specified, the standard range of atmospheric conditions for making measurement and tests are as follow:Ambient temperature : 25±5℃Relative humidity : 40%~70%If there is any doubt about the results, measurement shall be made within the following limits: Ambient temperature : 25±3℃Relative humidity : 40%~70%Measure equipmentElectrical characteristics measured by MD 37WX-05M or equivalen t.Crystal cutting typeThe crystal is using AT CUT (thickness shear mode).Parameters SYMElectrical Spec. Notes MIN TYPE MAX UNITS1 Nominal Frequency 50.000000 MHZ2 FrequencyStabilityAT 25℃±10 PPM Over OperatingTemperature range±20 PPM3 Operating Temperature Topr -40 25 85 ℃4 Storage Temperature Tstg -55 ~ 125 ℃5 Supply Voltage VDD 1.8~3.3 ±10% V6 Input Current Icc 15 mA7 Enable Control Yes Pad18 Output Load : CMOS CL 15 pF9 Output Voltage High VoH 90%VddV10 Output Voltage Low VoL 10%VddV11 Rise Time Tr 5 ns 10%→90%VDDLevel12 Fall Time Tf 5 ns 90%→10%VDDLevel13 Symmetry (Duty ratio) TH/T 45 ~ 55 %14 Start-up Time Tosc 10 ms15 Enable Voltage High Vhi 70%VddV16 Disable Voltage Low Vlo 30%VddV17 Aging ±3 ppm/yr. 1st. Year at 25℃18 Output Disable Delay Time T off 150 us19 Output Enable Delay Time T on 150 us20 Phase Jitter （12KHZ~20MHZ）0.5 1.0 ps2. DIMENSIONS (Units :mm)MARKING3. TEST CIRCUITControl input (output enable/disable)Logic 1 or open on pad 1: Oscillator outputLogic 0 on pad 1 : Disable output to high impedance4. PART NUMBER GUIDESJK -6N— 50000 Frequency 50.000MHz — GFrequency tolerance—33Supply voltage — Y Fan out type X:TTL/CMOS — C Temperatur e5. WAVEFORM CONDITIONSWaveform measurement system shouldhave a min. bandwidth of 5 times thefrequency being tested.6. OUTPUT ENABLE / DISABLE DELAYThe following figure shows the oscillator timing during normal operation . Note that when the device is in standby,the oscillator stops. When standby is released, the oscillator starts and stable oscillator output occurs after a short delay7. SUGGESTED REFLOW PROFILE8. STRUCTURE ILLUSTRATIONNO COMPONENTSMATERIALS FINISH/SPECIFICATIONS1 LID Kovar (Fe/Co/Ni)2 Base(Package)Ceramic (AI2O3) + Kovar (Fe/Co/Ni)+ Ag/CuColor black 3 PAD Au Tungsten metalize+ Ni plating + Au plating4 Crystal blank SiO25 Conductive adhesiveAg Silicon resin6 Electrode Noble Metal7 IC chip8 Bonding wire Au Pad 1 options : NC is 5wires , EN is 6 wires.9. PACKING10. RELIABILITY TEST SPECIFICATION1.Mechanical EnduranceNo.Test Item Test Methods REF. DOC 1 Drop Test75 cm height,3 times on concrete floor .JIS C67012 Mechanical Shock Device are shocked to half sine wave ( 1000G ) three mutuallyperpendicular axes each 3 times. 0.5m sec.duration timeMIL-STD-202F3 VibrationFrequency range 10 ~ 2000 HzAmplitude 1.52 mm/20GSweep time 20 minutesPerpendicular axes each test time 4 Hrs(Total test time 12 Hrs)MIL-STD-883E4 Gross Leak Standard Sample For Automatic Gross LeakDetector, Test Pressure: 2kg / cm2MIL-STD-883E5 Fine Leak Helium Bomging 4.5 kgf / cm 2 for 2 Hrs6 SolderabilityTemperature 245 ℃ ± 5℃Immersing depth 0.5 mm minimumImmersion time 5 ± 1 secondsFlux Rosin resin methyl alcoholsolvent ( 1 : 4 )MIL-STD-883E2.Environmental EnduranceNo. Test Item Test Methods REF. DOC1 Resistance To SolderingHeatPre-heat temperature 125 ℃Pre-heat time 60 ~ 120 sec.Test temperature 260 ± 5 ℃Test time 10 ± 1 sec.MIL-STD-202F2 High Temp. Storage + 125 ℃ ±3 ℃ for 1000 ± 12 HrsMIL-STD-883E 3 Low Temp. Storage - 40 ℃ ± 3 ℃ for 1000 ± 12 Hrs4 Thermal Shock Total 100 cycles of the following temperaturecycleMIL-STD-883E5 Pressure CookerStorage121 ± 3℃ , RH100% , 2 bar , 240 Hrs JIS C67016 High Temp＆Humidity 85℃ ± 3℃, RH 85% , 1000 Hrs JIS C5023。
2512 3W合金电阻_顺海科技
2512 3W合金电阻，指的是2512的体积与3W的功率，这类合金电阻是目前非常通用的产品之一，主要是应用于各类大功率电源与工业自动化设备中。
2512 3W 合金电阻也是说明了合金电阻的体积与合金电阻的功率关系，合金电阻在选型的时候主要参考的数据就是体积，功率，阻值与精度，另外就是可靠性。
2512 3W合金电阻主要是哪些参数可以做到呢，下面初步列举：
2512 3W 材料区分可以分为铁铬铝合金电阻，陶瓷合金电阻，康铜合金电阻等等。
2512 3W 从电极可以分为普通3W合金电阻与长电极3W合金电阻
2512 3W 精度为1%，0.5%，也有部分国产厂家有5%的精度，正常这类合金电阻的精度为1%。
2512 3W 稳定性一般是从温度系数作为区分，常规的温度系数都是在50ppm/℃以内，这类产品都是以45℃做升温处理，跟电容一样，上升至125℃最高极限值的阻值变化率。
2512 3W 阻值范围一般控制在0.39R以内，长电极则可以做到0.75R以内，这个是由于产品的焊线与流过的大电流和散热效果岁觉得的。
（所谓的长电极的焊点就是刚好是普通电阻的侧边焊点）。
彩源电阻及零件规格介绍20110701
学习提要
１、苔藓植物的一般特征、繁殖器官（颈卵器、精子 器、 孢子体、配子体等）的概念及分类
２、苔纲代表植物──地钱的形态结构、营养繁殖及 生活史特点
３、藓纲代表植物──葫芦藓的形态结构、营养繁殖 及生活史特点
• 其它：泥炭藓、黑藓、角苔、光萼苔等
２、地钱叶状体结构：有上表皮、不能启闭的气孔、 气室、同化组织（同化丝）、贮藏组织、下表皮、 假根（平滑假根、舌状假根）、鳞片。
地 钱 的
精 子 器
颈卵器
孢子体
３、地钱的生长和生殖
地钱叶状体的生长是由位 于前端凹入处的顶端细胞 不断分生的结果，它一边 分裂叶状体不断向前生 长，同时也不断分叉，后 部老的部分则逐渐死去。 营养繁殖：由胞芽进行。 有性生殖：卵式生殖。
藓纲： 以葫芦藓为代表。植物
体为简单的茎叶体，叶具中 肋，茎具简单的中轴。配子 体还是主要的营养体，但孢 子体较苔纲复杂，具孢蒴、 蒴柄和基足三部分，上端还 有蒴盖、蒴齿、蒴轴的分化。 本纲分3目：泥炭藓目、真 藓目、黑藓目。
2、孢子体
由胚发育而来，寄生或半寄生于配子体上，其 结构包括：孢蒴（位于孢子体上部，有造孢组 织，产生孢子）、蒴柄（是连接孢蒴和基足的支 持结构）和基足（是伸入到配子体组织中吸取养 料的部分）。
后。
都是茎叶 单列细 发达，可
多较长且
藓 体，叶螺旋 胞组成 生出多个 有 有 有 在孢子成
纲 式排列，辐 的分枝 配子体。
熟后即迅
射对称。 假根。
速伸长。
主要代表植物
（一）、地钱属
苔纲、地钱目，常见于墙隅、井边或溪边阴湿土壤
贴片LED常用型号及参数表
贴片发光二极管特点
体积小、耗电量低、使用寿命长、高亮 度、环保、坚固耐用牢靠、适合量产、 反应快，防震、节能、高解析度、耐震
、可设计等优点
一，正面发光贴片LED
型号：3528/1210/1214 正面发光 规格：3.5x2.8x1.9mm
型号：5630 正面发光 规格：5.6x3.0mm
型号：3020/1208 正面发光 规格：3.0x2.0x1.3mm
晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成， 一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一 端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体 连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流 通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区 ，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发 出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光 的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
备厂商。 公司网站：
深圳市天豪世椿科技股份有限公司
联系人：吴先生 手机：13418727622 电 话： 0755-29724991/29724992 传 真： 0755-29724996 售后服务： 13760250272 技术咨询： 13632967077 投诉建议： 13798522097 E-mail ： 13418727622@ 地址：深圳市宝安区松岗镇罗田村大南 海广发工业园E栋四楼
展会风采
公司网站：
型号：3014 正面发光 规格：mm
型号：5050/2220/六角 正面发光 规格：5.0x5.0x1.9mm
型号：1608/0603正面发光 规格：1.6x0.8x0.6mm
型号：2112/0805正面发光 规格：2.0x1.25x0.75mm
型号：1206正面发光 规格：3.5x1.5x1.0mm
NTC贴片100k-3950
-19 991.1 29 83.91 77 13.98
-18 932.5 30 80.37 78 13.54
-17 877.8 31 77.00 79 13.11
-16 826.7 32 73.79 80 12.70
-15 779.0 33 70.74 81 12.31
-14 734.3 34 67.83 82 11.93
包装 1 数量:5 卷
包装 2 数量：12 盒
2． 卷标及标识 2.1 纸带胶盘上有卷标，包括以下内容：
①型号规格
②标称电阻及 B 值
③数量
⑤批号
⑥日期
⑦QC 盖章
2.2 包装盒子或箱子标识以下内容
①型号规格
②标称电阻及 B 值
③数量
⑤批号
⑥日期
⑦QC 盖章
④误差范围 ④误差范围
7.0 贮存方式
①贮存条件：温度：-10～40℃
由于产品外部采用了致密的玻璃保护层与无玻璃保护产品相比在耐酸碱腐蚀性耐潮湿及阻值的稳定性等方面都有显著提高能在恶劣的环境下使用
东莞市星响电子科技有限公司
编号：SK140715A 送样人：沈泽萍
承认书
品名： NTC 热敏电阻 （SMD0805） 供应厂商： 星响电子 发出日期： 2014-7-15
序号 1
代码 尺寸（英制）
D 0402
A 0603
B 0805
C 1206
③ 标称电阻值 为 25℃时的零功率电阻，单位为Ω， 前二位为有效数字，第三位数字表示有效数字后“0”的个数。.
④阻值公差代码（%）
代码
E
阻值公差
±0.5
⑤B 值常数,单位为 K
F ±1.0
zno压敏电阻 阻抗
ZNO压敏电阻阻抗介绍ZNO（氧化锌）压敏电阻是一种常见的功能材料，具有高阻抗和高耐压能力，广泛应用于电子元器件中。
本文将对ZNO压敏电阻的阻抗特性进行全面、详细、完整且深入地探讨。
电阻和阻抗的概念电阻电阻是指电子在导体中流动时遭受阻碍的程度，通常用欧姆（Ω）来表示。
电阻越大，表示对电子流动的阻碍越大。
阻抗阻抗是指电路中对交流电流的阻碍程度，包括电阻和电抗。
电抗又可分为电感抗和电容抗。
阻抗用欧姆（Ω）来表示，是复数形式，包括实部和虚部。
ZNO压敏电阻的特性ZNO压敏电阻具有以下几个特性，使其成为电子元器件中广泛使用的材料。
高阻抗能力ZNO压敏电阻的阻抗能力很高，能够有效地阻碍电流的流动。
这使得ZNO压敏电阻可以在电路中起到限流的作用，保护其他电子元器件。
快速响应速度ZNO压敏电阻在面对外部电压变化时，具有快速的响应速度。
这使得它能够迅速调整阻抗，保护电路免受过电流或过压的损害。
耐压能力强ZNO压敏电阻具有较高的耐压能力，能够承受较大的电压。
这使得它适用于需要处理高电压的电子设备中。
温度特性稳定ZNO压敏电阻的阻抗与温度的变化关系较小，具有较好的温度特性稳定性。
这使得它适用于在不同温度环境下使用的电子设备。
ZNO压敏电阻的结构与工作原理ZNO压敏电阻一般由氧化锌陶瓷制成。
它的结构可以分为三个部分：电极、氧化锌陶瓷和封装材料。
1.电极电极是连接电路的部分，通常由金属材料制成，如银、铜等。
电极的选材和制备工艺对ZNO压敏电阻的性能有着重要的影响。
2.氧化锌陶瓷氧化锌陶瓷是ZNO压敏电阻的核心部分，它具有高阻抗和压敏特性。
氧化锌陶瓷的制备过程包括原料选择、混合、成型、烧结等多个步骤。
3.封装材料封装材料用于保护ZNO压敏电阻不受外界环境的影响。
常见的封装材料包括树脂、玻璃等。
ZNO压敏电阻的工作原理基于ZNO陶瓷的压敏效应。
当外加电压在一定范围内时，ZNO陶瓷的阻抗保持较高，限制电流的流动。
而当外加电压超过一定阈值时，ZNO陶瓷的阻抗迅速下降，允许大电流通过。
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Document No: 20140317001 Issued Date: 2014/03/17 Version: A11
Application
◆Mobile electronic equipment-Cellular phone, NB Tablet PC, GPS, DSC, HDD ◆DC-DC converter, Adapter, Battery pack and charger ◆Switching power supply ◆Voltage Regulation module ◆Power management applications
WELLCOMP TECHNOLOGY CO., LTD
APPROVAL SHEET
Model Name Part Number Customer Name Customer P/N Issued Date
Metal Strip Current Sensing Resistor
WMCSE Series
F
3.5±0.05 3.5±0.05
W
8.0±0.2 8.0±0.2
P0
4.0±0.1 4.0±0.1
P1
4.0±0.1 4.0±0.1
P2
2.0±0.05 2.0±0.05
D0
1.55±0.05 1.55±0.05
T
0.97±0.1 0.97±0.1
Packaging Size EIA (EIAJ) Standard Packing Quantity (pcs /reel) 0805/1206 5,000
Part Numbering System
WMCSE 1206 R010 (1) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (2) (3) F C T A
(4) (5) (6) (7)
Series Code Size (EIA): Length x Width Resistance: R002=2mΩ, R010=10mΩ Tolerance: F=+/-1%, G=+/-2%, J=+/-5% Power Rating: S=1/2W, C=1W, D=1.5W, E=2W Packaging: T- Embossed paper tape, 7" reel E-Embossed plastic tape, 7” reel (7) Factory Code, A=TWN Factory
●All Specifications are subject to change without notice.
WMCSE Series
Metal Strip Current Sensing Resistor Tape Packaging Specifications ◆Paper Tape Specifications
Remark:
a. 0.5 W with total solder pad trace size of 100 mm². b. 1.0 W with total solder pad trace size of 100 mm². c. 1.5 W with total solder pad trace size of 200 mm². d. 2.0 W with total solder pad trace size of 300 mm².
WMCSE Series
Metal Strip Current Sensing Resistor Features
◆Able to withstand high temperature and high current ◆Ultra Low sensing resistance ◆Excellent frequency response ◆Chip size: 0805, 1206 ◆Lead free, RoHS compliant for global applications and halogen free
●All Specifications are subject to change without notice.
WMCSE Series
Metal Strip Current Sensing Resistor Function Performance No. Item Test Condition
Mount the chip to test substrate. Apply pressure in direction of arrow unit band width reaches 2mm(+0.2/-0mm) illustrated in the figure below and hold for 10±1 sec. (JIS-C5202-6.1)
Storage Conditions
Temperature：5~35℃, Humidity：40~75%
Recommended Solder Pad Layout
Type 0805 1206
Pad Layout Dimension (mm) a 1.20 2.20 b 1.20 1.30 c 1.20 1.80
Document No: 20140317001 Issued Date: 2014/03/17 Version: A11
Unit:mm
Type A
0805 1206
1.6±0.1 2.0±0.1
Carrier Dimensions B
2.4±0.1 3.6±0.1
E
1.75±0.1 1.75±0.1
Document No: 20140317001 Issued Date: 2014/03/17 Version: A11
Specification
1
Bending Strength
R: ±(1%+0.0005)
2
Solvent Resistance
The chip is completed immersion of the specimens in the isopropyl alcohol for 3 *+5, -0) min., 25°C ±5°C. ((MIL-STD-202, Method 215) The specimen chip shall be immersed into the flux specified in the solder bath 260±5℃ for 10±1 sec. (MIL-STD-202, Method 210) The specimen chip shall be immersed into the flux specified in the solder bath 235±5℃ for 2±0.5 sec. It shall be immersed to a point 10mm from its root. (Sn96.5/Ag3.0/Cu0.5) (JIS-C5 202-6.11)
WMCSE Series
Metal Strip Current Sensing Resistor
Document No: 20140317001 Issued Date: 2014/03/17 Version: A11
Performances
Environmental Performance
No. 1 Item Short Time Overload Temperature Coefficient of Resistance (T.C.R.) Test Condition Voltage equal to 5 time rated power for 5 sec , (JIS-C5202-5.5) +25°C /+125°C. (JIS-C5202-5.2) Refer to Electrical Specification Specification R: ±(1%+0.0005)
Document No: 20140317001 Issued Date: 2014/03/17 Version: A11
Operation Temp. Range
TCR (PPM/℃) ±50 ±100 ±50 ±100
Derating Curve
Construction
●All Specifications are subject to change without notice.
Dimension
Type (inch size)
WMCSE0805 WMCSE1206
L
2.10±0.20 3.10±0.20
W
Dimensions(mm) t
0.70±0.15 0.70±0.15
A
B
0.45±0.20 0.55±0.20
1.30±0.15 1.55±0.20
பைடு நூலகம்
0.40±0.20 0.50±0.20
2
3
Damp Heat with Load
The specimens shall be placed in a chamber and subjected to a relative humidity of 90~95% percent and a temperature of 40° ±2°C for the period of 1000 hrs. (MIL-STD-202, Method 103) The ship (mounted on board) is exposed in the heat chamber 125±3℃ for 1000 hrs. (JIS-C5202-7.2) Apply rated power at 70±2°C for 1000 hours with 1.5 hours ON and 0.5 hour OFF. (JIS-C5202-7.10) The chip (mounted on board) is exposed, -55±3°C (30min.)/+125±2°C (30min.) for 5 cycles. The following conditions as the following figure. (JIS-C5202-7.4)