宁波大学2020年《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷
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宁波大学高级数字系统设计2015--2016,2018,2020年考博初试真题
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
四、（20 分）利用 ROM 和累加器设计一个频率分辨率小于 0.5Hz 的 DDS 正弦信号发生器，ROM 采用 256×8bit，频率控制字 M 为 8 位。
试给出：1. 相位累加器的最少位数，时钟频率，最高输出频率。（12 分） 2. 画出电路结构框图。（8 分）
③ 完成上述操作后，返回初始状态。
画出该数字系统的算法状态机图。（15 分）
6．简述数字电路设计中流水线技术提升电路运行速度的原理。（20 分）
第2页共2页
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
4. 电路及输入信号波形如下所示，（1）试画出输出信号波形，说明此电路功能；（2）用 HDL 描述该 电路。 （20 分）
Signal DQ
DQ
Out 异或 门
Clk
第1页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 2606 总分值： 100 科目名称：
五、（20 分）设计 4 位乘 3 位二进制数乘法器的算法流程图，电路结构如图 1 所示。
Start
A4 B3
乘法电路
7P
图1
第3页共3页
宁波大学 2015 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(B 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
高级数字系统设计 微纳信息系统
科目代码： 2606
表1
第1页共3页
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
四、（20 分）利用 ROM 和累加器设计一个频率分辨率小于 0.5Hz 的 DDS 正弦信号发生器，ROM 采用 256×8bit，频率控制字 M 为 8 位。
试给出：1. 相位累加器的最少位数，时钟频率，最高输出频率。（12 分） 2. 画出电路结构框图。（8 分）
③ 完成上述操作后，返回初始状态。
画出该数字系统的算法状态机图。（15 分）
6．简述数字电路设计中流水线技术提升电路运行速度的原理。（20 分）
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宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称：
高级数字系统设计
4. 电路及输入信号波形如下所示，（1）试画出输出信号波形，说明此电路功能；（2）用 HDL 描述该 电路。 （20 分）
Signal DQ
DQ
Out 异或 门
Clk
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宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 2606 总分值： 100 科目名称：
五、（20 分）设计 4 位乘 3 位二进制数乘法器的算法流程图，电路结构如图 1 所示。
Start
A4 B3
乘法电路
7P
图1
第3页共3页
宁波大学 2015 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(B 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
高级数字系统设计 微纳信息系统
科目代码： 2606
表1
第1页共3页
宁波大学2020年《3816细胞生物学》考博专业课真题试卷
三、论述题（共 22 分）
1. 论述 cAMP 信号通路对基因转录的激活过程。（本题 10 分） 2．描述一种观察巨噬细胞对异物吞噬的方法，并分析其原理。（本题 12 分）
第1页共1页
细胞生物学
二、简答题（共 48 分）
1. 简述细胞质膜的基本功能。（本题 7 分） 2. 简述肌肉收缩原理。（本题 8 分） 3. 概述由内质网到高尔基体进行蛋白质糖基化的类型、加工过程及生理意义。（本题 7 分） 4. 简述染色质的组装过程。（本题 8 分） 5. 介绍 5 种常用的模式生物及其在细胞生物学研究中的应用。（本题 10 分） 6. 简述细胞凋亡与坏死的区别?有什么常用方法鉴定细胞凋亡？（本题 8 分）
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 3816 总分值： 100 科目名称：
一、 名词解释（每题 3 分，共 30 分） 1. 核孔复合物
2. 细胞连接 3. 钙泵 4. 微丝 5. 第二信使 6. 细胞质基质 7. 细胞自噬 8. 端粒 9. 细胞周期蛋白依赖性激酶 10. 异染色质
宁波大学2020年《3825运筹学》考博专业课真题试卷
运筹学
方
需求状况
案 高需求 中等需求 低需求
A1
800
320
-250
A2
600
300
-200
A3
300
150
50
A4
400
250
100
第3页共3页
时间
所需售货人员数
星期日
28
星期一
15
星期二
24
星期三
25
星期四
19
星期五
31
星期六
28
（15 分）2. 考虑如ຫໍສະໝຸດ 线性规划问题回答以下问题：
1）请用单纯形法求最优解；
2）直接写出上述问题的对偶问题及其最优解；
3）若问题中列 的系数变为
，问最优解是否有变化？如有变化，将新的解求出；
4）由由 1 变为 2，是否影响最优解？如有影响，将新的解求出。
（4）等待服务的平均顾客数；
（5）顾客在店内等待时间超过 10 分钟的概率（已知
）。
（10 分）7. 某公司为经营业务的需要，决定要在现有生产条件不变的情况下，生产一种新
产品，现可供开发生产的产品有 I、II、III、IV 四种不同产品，对应的方案为 A1、A2、A3、
A4。由于缺乏相关资料背景，对产品的市场需求只能估计为大、中、小三种状态，而且对
（15 分）3、已知运输问题的调运和运价表如下，求最优调运方案和最小总费用。
销地
B1
B2
B3
产量
产地
A1
5
9
2
15
A2
3
1
7
11
A3
6
2
8
20
宁波大学2020年《3824生物信息学》考博专业课真题试卷
A. RNA-seq B. 全基因组测序 C. 靶向测序 D. ChIP-seq
6. 以下哪一个不属于世界三大生物序列信息数据库_______
A. NCBI B. DDBJ C. EMBL D. KEGG
7. 下列不属于新一代测序技术的平台是_______
A. Illumina B. Ion Torrent C. Sanger Sequencing D. SOLID
第3页共3页
10. 下列不可以预测蛋白质三维结构的软件是_______
A. MOE B. HHpred C. MODELLER
D. PSIPRED
第1页共3页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3824 总分值： 100 科目名称：
生物信息学
二、选择题（每题 2 分，共 20 分）
1. 下列哪种实验方法不能测定 DNA 甲基化数据________
A. SNP 芯片 B. Illumina 测序 C. western blot D. 454 测序
2. 下列哪种实验方法不能获得真正意义上的基因组范围组蛋白修饰数据________
A. ChIP-chip B. ChIP-SAGE C. Affymetrix tiling arr30 分）
1. 列举 UCSC 基因组浏览器所能显示的基因组内容。 2. NCBI 数据库 BLAST 有 5 种不同的序列搜索类型，列举并解释。 3. 简述几种常见的 miRNA 靶基因预测方法。
四、综合分析题（20 分）
阅读如下材料，回到下列问题。 2019 年，Clinical Cancer Research 期刊上发表了题为“Multi-Omics Profiling Reveals Distinct
2014-2015年宁波大学考博真题3801弹性力学 B
宁波大学2014年攻读博士学位研究生
入学
考试试题(B
卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:弹性力学科目代码：3801适用专业:工程力学
第1页共1页1.(35分)已知下图所示问题的非零应力解为
确定未定常数
2.(30分)一个正八面体的方向余弦为2221/3
l m n
===，我们可以据此求出八面体上的正应力和剪应力。
若该点的应力状态用主应力表示，试求出八面体上的正应力和剪应力，并证明它们是应力不变量。
3.(35分)证明并解释弹性力学的解的唯一性定理。
宁波大学2015 年攻读博士学位研究生
入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)
考试科目: 弹性力学科目代码：3801
适用专业: 工程力学
第1页共1页。
宁波大学2020年《3811信息功能材料》考博专业课真题试卷
3. 什么是光纤色散？光纤色散主要有几种类型？其对光纤通信系统有何影响？
第2页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3811 总分值： 100 科目名称：
信息功能材料
一、 单项选择题：本大题共 10 小题，每小题 3 分，共 30 分。
1. 半导体的发光原理为（ ），即电子从高能态向低能态跃迁的同时，以光子形式释放多余能量。
5. 下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是（ ）。 （A）P 型半导体中，费米能级靠近导带 （B）在热平衡下，PN 结两边的半导体具有同一条费米能级 （C）N 型半导体中，费米能级靠近价带 （D）在外加电压下，PN 结两边的半导体具有同一条费米能级
6. 为了获取高的太阳电池转换效率，不需要的是（ ）。 （A）高的开路电压；（B）大的短路电流；（C）大的填充因子；（D）大的掺杂浓度
10. 材料的非线性效应是由于激发源的（ ）高于材料本身阈值所产生的。 （A）波长；（B）功率密度；（C）色散；（D）损耗
二、判断题：本大题共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分，对的打√，错的打。
1. 电子和空穴的移动都能形成电流。（ ） 2. 金属与半导体导电机制的区别在于：金属由自由电子导电，半导体由非平衡载流子导电。（ ） 3. 费米能级物理意义是指：该能级上的一个状态被电子占据的几率是 1/2。（ ） 4. 四能级固体激光器比三能级或准三能级激光器容易产生振荡发射。（ ） 5. 掺铒碲化物光纤放大器具有超宽的增益带宽特性，其增益带宽可达 80nm，特别适合于 DWDM
三、简答计算题：共 50 分，第 1 题 15 分，第 2 题 20 分，第 3 题 15 分。
第2页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3811 总分值： 100 科目名称：
信息功能材料
一、 单项选择题：本大题共 10 小题，每小题 3 分，共 30 分。
1. 半导体的发光原理为（ ），即电子从高能态向低能态跃迁的同时，以光子形式释放多余能量。
5. 下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是（ ）。 （A）P 型半导体中，费米能级靠近导带 （B）在热平衡下，PN 结两边的半导体具有同一条费米能级 （C）N 型半导体中，费米能级靠近价带 （D）在外加电压下，PN 结两边的半导体具有同一条费米能级
6. 为了获取高的太阳电池转换效率，不需要的是（ ）。 （A）高的开路电压；（B）大的短路电流；（C）大的填充因子；（D）大的掺杂浓度
10. 材料的非线性效应是由于激发源的（ ）高于材料本身阈值所产生的。 （A）波长；（B）功率密度；（C）色散；（D）损耗
二、判断题：本大题共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分，对的打√，错的打。
1. 电子和空穴的移动都能形成电流。（ ） 2. 金属与半导体导电机制的区别在于：金属由自由电子导电，半导体由非平衡载流子导电。（ ） 3. 费米能级物理意义是指：该能级上的一个状态被电子占据的几率是 1/2。（ ） 4. 四能级固体激光器比三能级或准三能级激光器容易产生振荡发射。（ ） 5. 掺铒碲化物光纤放大器具有超宽的增益带宽特性，其增益带宽可达 80nm，特别适合于 DWDM
三、简答计算题：共 50 分，第 1 题 15 分，第 2 题 20 分，第 3 题 15 分。
宁波大学911电子线路(模拟电路+数字电路)2020年考研专业课真题
(答案必须写在考点提供的答题纸上)一、选择题（每小题5分，共5题，共25分）1. 测得 PNP 型三极管各电极对地电位分别为 VE ＝ -4V ， VB ＝-4.7V ， VC ＝-4.6V ，说明此三极管处在哪个工作区（ ）。
A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D. 反向击穿区2.如下图所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。
A. 电路正常工作B. 电容C 开路C. 负载R L 开路D. 电容C 和二极管D 1同时开路3. LC 正弦波振荡电路如图所示，该电路（ ）。
A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡B. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡C. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡D. 满足振荡条件能产生正弦波振荡科目代码： 911总分值： 150科目名称：电子线路（模拟电路+数字电路）(答案必须写在考点提供的答题纸上)4. 如图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝( ) 。
A ．L 2CES CC 2)21(R U V -B ．L2CES CC )21(R U V - C ． L 2CES CC 2)(R U V - D.2()CC CES L V U R -5. 在图示电路中，稳压管 D Z 的稳定电压 U Z = 6V ，最小稳定电流 I Zm i n = 5 mA ，输入电压 U I =12V ，电阻 R=100，要保证输出稳定电压6V ，I L 最大不应超过 ( )。
A. 60 mAB. 55 mAC. 45 mAD. 40 mA二、简答题（每小题5分，共5题，共25分）1． 用逻辑代数的基本公式和常用公式将化为最简与或式。
ABC C AB C B A BC A C B A Y ++++=2. 如图所示，请写出Y 的表达式。
宁波大学智能数据处理2019--2020年考博初试真题
满足 F (ti ) di , for i 1,..., N ，显然是不切实际的，在这种情况下，请给
出一个合理的解决方案，并设计具体的学习算法。
(13 分)
3. Boltzmann 机是一个全相联的随机型神经网络，如果将其简化处理，限定为只
含一个可见层和一个隐单元层，取消层内连接，仅保留层间的加权连接，这种
（1）试画出 ER 图，并在图上注明属性、联系的类型。 （2）将 ER 图转换成关系模型，并注明主键和外键。
9.（ 8%） 数 据 库 的 并 发 操 作 会 带 来 哪 些 问 题 ？ 如 何 解 决 ？
10.（6%，每个小题 2 分）设有关系模式 R（职工编号，日期，日营业额，部门 名，部门经理），该模式统计商店里每个职工的日营业额，以及职工所在的部 门和经理信息。如果规定：每个职工每天只有一个营业额；每个职工只在一个 部门工作；每个部门只有一个经理。试回答下列问题： （1）根据上述规定，写出模式 R 的基本 FD 和关键码； （2）说明 R 不是 2NF 的理由； （3）分解 R 成 3NF 模式集。
层后，要求输出尽量与输入接近，其处理数据的效果非常类似于 PCA 分析， 请为 AutoEncoder 设计一个合理的学习算法（建议采用梯度下降法）。(12 分)
2. 假设一个含 M 单元的 RBF 网络的输出为
M
F (x) wj (|| x xj ||) ， j0
对于 N 个不同的学习样本 ti , i 1,..., N ，如果 N M ，要实现精确的插值，即
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宁波大学 2019 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3809 总分值： 100 科目名称：
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宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：
Hale Waihona Puke 数字集成电路设计基础一、设计满足下列要求的电路图，要求使用的 MOS 管最少。（15 分）
1．用静态互补 CMOS 电路实现逻辑关系 Y ABD CD ；（8 分）
D cp3 cp1
cp1
cp1
cp2
Q
Q
V(cp1)
V(D)
三、求如图所示的 CMOS 反相器在理想阶跃输入情况下的上升和下降时间。设VTP ,VTN 分别为 PMOS 和 NMOS 的阈值电压， KP , KN 分别表示 PMOS 和 NMOS 的器件跨导。(15 分)
VDD
Vin CL
四、 如图所示是一个 CMOS 版图，采用 0.25um 双阱 CMOS 工艺，NMOS 宽长比 6λ/2λ，PMOS 宽长比 6λ/2λ。（15 分）
数字集成电路设计基础
(N-diffusion)、P+扩散层(P-diffusion)、各类通孔(Vias)；
3) 标明版图尺寸（MOS 管使用指定尺寸，其它版图使用最小尺寸）。
五、设 N 型扩散层（n-diffusion）的方块电阻 Rndiff=2Ω/□，N 型扩散层底部电容（bottomwall capacitance）Cndiff, 为 bot 0.6fF/um2,N 型扩散层侧壁电容（sidewall capacitance）Cndiff, side 为 0.3fF/um，λ=0.25um。计算图示所示的漏极寄生电阻与寄生电容。（20 分）
多晶硅
源极
漏极 16λ
4λ
六、推导 CMOS 反相器的充放电功耗、静态功耗、短路功耗公式。（20 分）
第2页共2页
2. 用动态电路级联实现逻辑功能 Y ABC ，画出其相应的电路图。（7 分）
二、分析如图所示 CMOS 电路的工作过程和功能，并画出 CP1、 CP1 、CP2、 CP2 和 CP3 时序图。 假设 Q 的初始值为 0，画出 Q 的波形。(15 分)
cp3
cp1
cp2
cp3
cp1
cp2
cp1 cp2
1）画出晶体管级电路图； 2）请标出各部分名称：
P 阱（P-Well）；N 阱（N-Well）；金属线（Metal 1）；多晶硅（Poly）、N+扩散层
第1页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：
Hale Waihona Puke 数字集成电路设计基础一、设计满足下列要求的电路图，要求使用的 MOS 管最少。（15 分）
1．用静态互补 CMOS 电路实现逻辑关系 Y ABD CD ；（8 分）
D cp3 cp1
cp1
cp1
cp2
Q
Q
V(cp1)
V(D)
三、求如图所示的 CMOS 反相器在理想阶跃输入情况下的上升和下降时间。设VTP ,VTN 分别为 PMOS 和 NMOS 的阈值电压， KP , KN 分别表示 PMOS 和 NMOS 的器件跨导。(15 分)
VDD
Vin CL
四、 如图所示是一个 CMOS 版图，采用 0.25um 双阱 CMOS 工艺，NMOS 宽长比 6λ/2λ，PMOS 宽长比 6λ/2λ。（15 分）
数字集成电路设计基础
(N-diffusion)、P+扩散层(P-diffusion)、各类通孔(Vias)；
3) 标明版图尺寸（MOS 管使用指定尺寸，其它版图使用最小尺寸）。
五、设 N 型扩散层（n-diffusion）的方块电阻 Rndiff=2Ω/□，N 型扩散层底部电容（bottomwall capacitance）Cndiff, 为 bot 0.6fF/um2,N 型扩散层侧壁电容（sidewall capacitance）Cndiff, side 为 0.3fF/um，λ=0.25um。计算图示所示的漏极寄生电阻与寄生电容。（20 分）
多晶硅
源极
漏极 16λ
4λ
六、推导 CMOS 反相器的充放电功耗、静态功耗、短路功耗公式。（20 分）
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2. 用动态电路级联实现逻辑功能 Y ABC ，画出其相应的电路图。（7 分）
二、分析如图所示 CMOS 电路的工作过程和功能，并画出 CP1、 CP1 、CP2、 CP2 和 CP3 时序图。 假设 Q 的初始值为 0，画出 Q 的波形。(15 分)
cp3
cp1
cp2
cp3
cp1
cp2
cp1 cp2
1）画出晶体管级电路图； 2）请标出各部分名称：
P 阱（P-Well）；N 阱（N-Well）；金属线（Metal 1）；多晶硅（Poly）、N+扩散层
第1页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码： 3810 总分值： 100 科目名称：