集成电路讲义
集成电路讲义
集成电路讲义————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：训超联集团IC运营中心产品知识培训编制：王惠2007年3月目录一、集成电路的定义、分类及命名方法概述二、重点品牌介绍三、IC封装缩略语四、IC封装实例图五、如何简单从型号识别IC品牌？一、集成电路的定义、分类及命名方法概述（一）集成电路的定义集成电路其实就是把若干个不同或相同功能的单元集中加工在一个基晶片而形成具有一定功能的器件。
（二）集成电路的应用范围集成电路已成为计算机、通信、控制、以及整个电子工业发展的重要器件。
（三）集成电路的分类1、按工艺分可分为TTL、MOS、COMS、HCOMS、BICMOS等；（其中COMS是我们工作比较常见的一种半导体工艺，释为互补金属氧华物半导体）2、按产品等级分可分为商业级（0℃~+70℃）、工业级（-40℃~+85℃）、军用级（-55℃~+125℃）。
其中军用级集成电路也分三级：MIL-STD-883C（最低级，可由厂商标注）；SMD（军用标准的意思，该标准和MIL-STD-883C不同之处就是一个是由厂商提供，一个是由美国国防电子器材供应中心提供）；MIL-M-38510（这是最高一级的军用标准，可保证在各种环境下的可靠性，可用于战场设备等，这个级别也分地面级CLASS B及航空级CLASS S）也有按工作状态和用途分类的，总之目前尚无统一的规定。
（四）集成电路的命名由于集成电路应用十分广泛，即使是功能相同的集成电路，在不同的使用场合，所选的型号也不尽相同。
一种集成电路往往在主要性能或功能相同的前提下，由于产品级别、封装材料、封装形式、电路制造工艺、引脚多少、筛选情况、电路运行速度、输入/输出特性、功耗、生产厂家等不同，会产生不少的新品种。
同一个字母或数字在不同厂家的产品型号中表示了不同的含义，甚至是同一厂商的产品，该字母或数字在型号中所处位置前后不同，也表达了不同的含义。
第1单元集成电路基础ppt课件
产品
钢筋 小轿车 彩电 计算机 集成电路
单位质量对国民生产值（GNP： Gross National Product）的贡献
1 5 30 1000 2000
1. 集成电路概述
1965年，Intel联 合创始人戈登·摩尔提 出了他著名的理论： 半导体芯片上可集成 的元器件的数目每12 个月便会增加一倍。
品测试，由封装测试公司（Assemble & Test）完成。
IC芯片
引线框架冲制 局部镀金 粘接芯片 导线丝焊接
模塑料
制柸
高频预热
模具塑封
成品
打弯成型 去溢料
引线切筋
镀锡
2. 集成电路产业链
常见封装形式
2. 集成电路产业链
➢ 集成电路测试业
集成电路产业链中测试与产品的设计、芯片制造和封装 的关系如下所示
2. 集成电路产业链
➢ 集成电路芯片制造业 现代集成电路芯片制造业（Foundry）以订单加工为主业
，只负责利用企业现有成熟工艺进行芯片制造。
晶圆尺寸（mm）
Φ38→Φ50→Φ75→Φ100→Φ125→Φ150→Φ200→Φ300→Φ450→…
加工特征尺寸
μm：8.0→6.0→5.0→4.0→3.0→2.0→1.5→1.0→0.8→0.6→0.35→0.25 →0.18→0.13→
1956年，威廉·肖克莱（William Shockley）、约翰·巴丁 （John Bardean）、沃特·布拉顿（Walter Brattain）共同获得 诺贝尔物理学奖。
1. 集成电路概述
1952年5月，英国皇家研究所的达默（G. W. A. Dummer ）第一次提出“集成电路”的设想。
1958年9月，美国德州仪器（TI）公司的杰克·基尔比（ Jack Kilby）发明集成电路，1959年2月申请专利并于1964年 获得授权，2000年12月获得诺贝尔物理学奖。
集成电路讲义
数字电路可用集成电路实验1 常见门电路功能测试说明：此实验输入端接逻辑电平，输出端接发光二极管（LED），逻辑电平的H和灯亮为1，逻辑开关的L和灯灭为0.一、测试与非门（74LS00）、或非门（74LS02）、异或门（74LS86）功能，分别列出测得的功能表。
二、 测试与或非门74LS54的功能表74LS54的真值表： Y=ABCDE 的真值表三、用两输入与非门、两输入或非门、两输入异或门分别组成反相器，画出接线图并测试功能。
四、利用现有门电路，五变量函数Y=ABCDE ，画出电路并实现。
实验二 TTL 与非门基本参数测试一、用反相器74LS04中任选一个门，用万用表测试开路输出的V OH 、V OL 二、按图2-1接线，用万用表逐点测U I -U O ，并绘出电压传输特性曲线。
表2-1 U I 、U O 值三、搭建图2-2，测试TTL 反相器74LS04输入负载特性，绘出输入负载特性曲线。
（注意：用万用表测R I ，要断开电阻与门的接线。
建议：R I 的阻值小于1千欧时，电位器改用1千欧）表2-2 R I 、U I 值四、用最少的两输入与非门实现异或运算Y=AB思考题：TTL 门电路，输入端悬空，输入电压是高还是低？实验三 SSI 组合逻辑电路一．图3-1为交通灯故障检测电路，理论分析该电路输出L 。
然后搭建电路，验证实验结果与理论分析是否一致，并用文字说明该电路的功能。
图3-1二．设计一个能判断一位二进制数A和B大小的比较电路，根据试验箱中的门电路，画出逻辑图，搭建电路，测试功能。
（选做）三．用现有门电路设计并实现全加器。
实验四 MSI组合逻辑电路表4-1 138功能表一．测试译码器74LS138功能。
A 2、A 1、A 0、S 1、32S S 、输入端接逻辑开关，各输入端接LED 灯，由测试结果列出功能表，填入表4-1。
二、监测信号灯工作状态的报警电路的功能是：红、黄、绿三种颜色灯在正常工作时，只能是红、黄、绿当中的一种灯亮，检测电路不发出故障信号；而当出现其他五种灯亮状态时，信号灯电路就不正常，检测电路就要发出故障信号。
集成电路介绍讲课文档
第十七页，共27页。
5.2 表面贴装式
• QFP封装
• TSOP封装
第十八页，共27页。
第十九页，共27页。
5.2 表面贴装式
以0.5mm焊区中心距、208根I/O引脚QFP封装的CPU 为例，如果外形尺寸为28mm×28mm，芯片尺寸为 lOmm×10mm，则芯片面积／封装面积R=(10 ×10)／(28 × 28)=l:7.8，由此可见QFP封装比DIP封装的尺寸大 大减小。
第二十页，共27页。
5.2 表面贴装式
QFP的特点是： (1)用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，操作方便； (2)封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用； (3)可靠性高。 (4)引脚从直插式改为了欧翘状，引脚间距可以更密，引 脚可以更细。 (5)QFP的引脚间距目前已从1.27 mm发展到了0.3 mm，也 是他的极限距离，限制了组装密度的提高。
焊料微球凸点
第二十三页，共27页。
CSP
IC芯片
5.3 芯片尺寸封装
CSP封装具有以下特点：
(1)满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要； (2)解决丁IC裸芯片不能进行交流参数测试 和老化筛选的问题； (3)封装面积缩小，延迟时间大大缩小。
第二十四页，共27页。
5.3 发展趋势
• 1、MCM封装 • 2、三维封装
circuits) • VLSIC 超大规模集成电路(Very Large Scale
Integrated circuits)
集成电路技术讲座(PPT 79页)
加速测试(1)
•加速试验的目的是在于让确实存在的缺 陷提前暴露出来，而不是为了诱导产生 新的缺陷或让存在的缺陷逃脱 •加速力选择要与器件可靠性要求紧密关 联，否则可能对改进设计、材料选择、 工艺参数确定等方面产生误导作用。
加速因子
加速因子： 常规条件下的失效时间 加速试验条件下的失效时间
加速因子不但与加速试验条件有关， 还与失效机理、失效位置等因素有关
Qbd＝tdbJ(t)dt
TDDB测试
TDDB
TDDB
电迁移现象
MTF=AJ-n exp[-EA/kT]
MTF=20 年 Jmax=105A/cm2
电迁移测试
%
积 累
90 70
失
效 50
30
10
Pure Al
Al-4%Cu
J=4E6A/cm2 T=175℃
6 10 100 7
400 1000 MTF (hr)
热电子效应
Vs N+
Ig Vgs
Vd N+
Isub Vb
热电子效应测试
• NMOS 0.5um 5V design • 测试方法
Vds=6.7V，7.0V, 7.3V Vss and Vbs=0V Vgs set to max Ibs
失效判据： Gm 偏移10% 时所需时间 T0.1 (->time to 0.1 failure) • 作Ibs/Ids－T0.1图 • 根据Berkeley model预测寿命 ttfIds=Cx-m (ttf 是失效0.1%的时间, C是 Ibs/Ids－T0.1图截距，m是斜率）
• 条件： 121oC/100%RH，205kPa（2atm），
集成电路技术讲座
最新集成电路基础知识培训讲义专业知识讲座
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1、掩膜版加工 2、晶圆加工
前工序
3、中测（切割、减薄、挑粒）
4、封装或绑定
后工序
5、成测
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掩膜版加工 仿。文档如有不当之处，请联系本人或网站删除。
在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中 间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关 键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。
在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶 圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉 提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达 0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体 晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶 粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨，抛光， 切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片
晶圆的介绍
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆； 它多指单晶圆片，由普通的硅沙提炼而成，是最常用的半导体材料。它的常用直径 尺寸分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格的， 晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本，但要求材料技术和生产技 术更高。
《集成电路》 讲义
《集成电路》讲义一、集成电路的定义与发展历程集成电路，顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成制作在一块半导体晶片上，从而形成一个具有特定功能的电路。
集成电路的发展可以追溯到上世纪中叶。
1958 年，杰克·基尔比（Jack Kilby）发明了第一块集成电路，这一开创性的发明为电子技术的发展带来了革命性的变化。
在早期，集成电路的集成度很低，只能容纳几个元件。
随着技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，从小规模集成电路（SSI）发展到中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI），乃至现在的特大规模集成电路（ULSI）和巨大规模集成电路（GSI）。
每一次集成度的提高，都意味着芯片性能的大幅提升、功耗的降低以及成本的下降。
这使得集成电路在计算机、通信、消费电子等领域得到了广泛的应用，极大地推动了信息技术的发展和社会的进步。
二、集成电路的制造工艺集成电路的制造是一个极其复杂且精密的过程，涉及到多个学科和技术领域。
首先是设计环节。
设计人员使用专门的软件工具，根据电路的功能和性能要求，设计出芯片的电路图和版图。
然后是制造环节。
制造过程通常在高度洁净的晶圆厂中进行。
首先，需要准备晶圆，通常是硅晶圆。
然后通过光刻、蚀刻、掺杂等一系列工艺步骤，在晶圆上形成晶体管、电阻、电容等元件，并将它们连接起来。
光刻是其中最为关键的工艺之一。
它通过使用紫外线或极紫外线光源，将掩膜版上的图形转移到晶圆表面的光刻胶上，从而定义出元件的形状和位置。
蚀刻则用于去除不需要的材料，以形成所需的电路图案。
掺杂是通过注入杂质离子，改变半导体的电学性质，从而实现晶体管的功能。
制造完成后，还需要进行测试和封装。
测试是为了确保芯片的功能和性能符合设计要求。
封装则是将芯片保护起来，并提供与外部电路连接的接口。
三、集成电路的分类集成电路的分类方式多种多样。
《集成电路》 讲义
《集成电路》讲义一、什么是集成电路集成电路，这个听起来有些“高大上”的名词，其实已经深深地融入了我们的日常生活。
简单来说，集成电路就是把大量的电子元件，比如晶体管、电阻、电容等，集成在一个小小的芯片上。
想象一下，在一个极其微小的空间里，密密麻麻地排列着无数的电子元件，它们协同工作，实现各种各样的功能。
这就像是在一个小小的城市里，有着无数的居民和设施，共同维持着城市的运转。
集成电路的出现，彻底改变了电子技术的发展进程。
在过去，电子设备往往体积庞大、功能单一，而有了集成电路，电子设备变得越来越小巧、功能越来越强大。
从我们日常使用的手机、电脑，到汽车里的控制系统、医疗设备中的检测仪器，集成电路无处不在。
二、集成电路的发展历程集成电路的发展可以追溯到上世纪 50 年代。
当时，科学家们开始尝试在一块半导体材料上制造多个电子元件。
1958 年，杰克·基尔比（Jack Kilby）发明了第一块集成电路，这是电子技术发展的一个重要里程碑。
在接下来的几十年里，集成电路的技术不断进步。
从最初的小规模集成电路（SSI），到中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI），再到超大规模集成电路（VLSI）和特大规模集成电路（ULSI），集成度越来越高，芯片上能够容纳的电子元件数量呈指数级增长。
同时，制造工艺也在不断改进。
从微米级到纳米级，芯片的制造精度越来越高，性能也越来越强。
如今，最先进的集成电路制造工艺已经达到了 5 纳米甚至更小的尺寸。
三、集成电路的制造过程集成电路的制造是一个极其复杂和精细的过程，就像是在微观世界里进行一场精密的“建筑工程”。
首先，需要准备一块纯净的半导体材料，通常是硅。
然后，通过一系列的工艺步骤，在硅片上形成一层又一层的薄膜，这些薄膜就像是建筑物的“墙壁”和“地板”。
接下来，使用光刻技术在硅片上刻画出电路图案。
这就像是在一张纸上绘制出一幅极其精细的蓝图。
光刻过程中，需要使用到光刻机，这是集成电路制造中最关键的设备之一。
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超联集团IC运营中心产品知识培训编制：王惠2007年3月目录一、集成电路的定义、分类及命名方法概述二、重点品牌介绍三、IC封装缩略语四、IC封装实例图五、如何简单从型号识别IC品牌？一、集成电路的定义、分类及命名方法概述（一）集成电路的定义集成电路其实就是把若干个不同或相同功能的单元集中加工在一个基晶片而形成具有一定功能的器件。
（二）集成电路的应用范围集成电路已成为计算机、通信、控制、以及整个电子工业发展的重要器件。
（三）集成电路的分类1、按工艺分可分为TTL、MOS、COMS、HCOMS、BICMOS等；（其中COMS是我们工作比较常见的一种半导体工艺，释为互补金属氧华物半导体）2、按产品等级分可分为商业级（0℃~+70℃）、工业级（-40℃~+85℃）、军用级（-55℃~+125℃）。
其中军用级集成电路也分三级：MIL-STD-883C（最低级，可由厂商标注）；SMD（军用标准的意思，该标准和MIL-STD-883C不同之处就是一个是由厂商提供，一个是由美国国防电子器材供应中心提供）；MIL-M-38510（这是最高一级的军用标准，可保证在各种环境下的可靠性，可用于战场设备等，这个级别也分地面级CLASS B及航空级CLASS S）也有按工作状态和用途分类的，总之目前尚无统一的规定。
（四）集成电路的命名由于集成电路应用十分广泛，即使是功能相同的集成电路，在不同的使用场合，所选的型号也不尽相同。
一种集成电路往往在主要性能或功能相同的前提下，由于产品级别、封装材料、封装形式、电路制造工艺、引脚多少、筛选情况、电路运行速度、输入/输出特性、功耗、生产厂家等不同，会产生不少的新品种。
同一个字母或数字在不同厂家的产品型号中表示了不同的含义，甚至是同一厂商的产品，该字母或数字在型号中所处位置前后不同，也表达了不同的含义。
目前，国际上尚无统一标准，每个厂家都有自己的一套命名方法，同一厂商对不同系列产品也有不同的命名方法。
这给我们识别集成电路也带来了很大的困难。
二、重点品牌：INTEL、AMD、TI、ATMEL、CYPRESS 、NSC、AD、XICOR、INTERSIL、IDT、MAX、ALTERA、ACTEL产品等级与封装的具体型号实例分析。
（1）列举INTEL（英特尔公司）：（2）列举AMD（先进微器件公司）：（3）TI列举一（德克萨期仪器公司）：空白：标准工艺B：经老化测试器件等级代号C——商业级，+10℃~+70℃；I——工业级，-40℃~+85℃；M——军用级，-55℃~+125℃；E——扩展商业级，-55℃~+100℃封装形式代号（只列举常用代号）D——CDIPP——PDIP其它均为非DIP表示速度器件序号器件类型代号L ——低功耗；LS——低功耗肖特基；S ——肖特基C ——CMOS器件器件系列代号（只列举常用代号）21——MOS存储器27——双极存储器、EPROM 82——MOS及双极型外设芯片先进微器件公司缩写温度范围代号：L：0℃~+70℃；C：-25℃~+85℃；例：SNJ54LS**J （军品级） SN54LS**J （标准电路） SN74LS**J （民品级）CD54HCT**F3A （军品级） CD54HCT**F （标准电路） CD74HCT**F （民品级） TI 列举二：封装形式代号：（只列举常用代号） J ：CDIP GB ：PGA速度器件序号C 表示CMOS 器件器件系列代号器件型号前缀TMS ：MOS 存储器，MOS 微处理器及相关电路；SMJ ：美国电子设备工程联合会标准，MIL-STD-883B SN ：标准电路SNJ ：MIL-STD-883方法5004，B 级 TL ：线性电路 空白：标准工艺B ：经老化测试封装形式代号：（只列举常用代号）J：CDIP温度范围代号：L：0℃~+70℃；C：-25℃~+85℃；M：-55℃~+125℃；速度输出脚数输出类型代号：R：带寄存器L：低有效；X：异或矩阵输入脚数器件系列代号TIB为本公司双极电路（4）列举ATMEL：（5）列举CYPRESS （樱桃半导体公司）： B ：高可靠性温度范围代号：C ：商业级，0℃~+70℃； M ：军用级，-55℃~+125℃1、EPROM 电可编程只读存储器，可经紫外线照射后去掉原编序后再编程Electrically Programmable Read-Only Memory 缩写2、PROM 可编程只读存储器3、CY7C2系列是EPROM 和BPROM 是可擦除只读存储器，可擦除指的是用紫外线擦除必需带镜，不带镜就成了一次性的了，生产的时候是用同一种工艺，只是差别在封装的时候。
4、CY7C1系列是静态RAM （SRAM ），RAM 就是随机存储器，可擦可写，不过断电后内容就没了，所以可以说是多次性的，其实跟电脑上的内存是一样的，只不过电脑的是DRAM 动态。
5、CY7C4系列是FIFObuffor MEMORY 叫先进先出缓冲存储器，也就是“队列”是一种RAM ，用于高速和低速高备之间起缓冲作用。
（6）NSC 列举：（国家半导体公司）NSC 品牌的系列比较繁多，主要列举以下常见类型：封装形式代号：P ：塑料双列直插（PDIP ） D ：陶瓷双列直插（CDIP ） L ：引线芯片载体（LCC ） 速度代号：35：存取速度为35ns 器件序号器件前缀，樱桃半导体公司产品代号封装形式代号（只列举常用代号） N ：塑料双列直插（PDIP ） J/D ：陶瓷双列直插 （CDIP ）（7）列举AD ：（模拟器件公司）器件序号器件系列代号：DM ：数字器件（单片）LF ：线性场效应 （例：LF155AH ） LH ：线性集成电路（混合）（例：LH0002CH ） LM ：线性集成电路（单块）（例：LM101AH/883） NMC ：MOS 存储器 （例：NMC27C256QE-200） AM ：模拟开关单片筛选分类代号：883B ：符合美国MIL-STD-883B 规范 883：符合美国MIL-STD-883规范封装形式代号：（只列举常用代号） D ：陶瓷或金属密封双列直插式（例：AD574ASD ） H ：密封金属壳N ：塑料双列直插 （例：AD578JN ） Q ：陶瓷双列直插 （例：AD711SQ ）（8）列举XICOR ：（辛卡公司）温度范围代号：I 、J 、K 、L 、M=0℃~+70℃ （例：AD574AJD ） A 、B 、C=-25℃~+85℃S 、T 、U=-55℃~+125℃ （例：AD574A TD ） 混合信息：A ：改进型产品； DI ：电介质绝缘； Z ：±12V 工作电源 器件序号器件前缀：AD ：模拟器件公司缩写ADC ：模/数转换器 （例：ADC0804LCJ ） DAC ：数/模转换器 （例：DAC0808LCJ ） LH 、OP ：运算放大器 （例：OP27AZ/883） LH 比较少存取时间代号：20-200ns 25-250ns 无号：300ns筛选分类代号： 无号：标准工艺B ：按MIL-STD-883B 工艺筛选温度范围代号：无号或C：商业级0℃~+70℃I：工业级-40℃~+85℃M：军用级-55℃~+125℃封装形式代号：P：PDIPD：CDIPJ：PLCC器件序号器件类型代号C：CMOS无号：NMOS器件系列代号公司代号（9）列举INTERSIL：（英特西尔公司）（10）IDT 列举一：温度范围代号：空白：民品级（0℃~+70℃） I ：工业级（-40℃~+85℃） B ：军用级（-55℃~+125℃）符合MIL-PRF-38535 QML 标准 封装代号：PF ：80-pin TQFP G ：68-pin PGA J ：68-pin PLCCIDT列举二：速度：15只有民品适用20只有民品和工业级适用25民品、工业级、军品都有35 民品、工业级、军品都有55 民品、工业级、军品都有工艺：S：标准功率L：低功率器件号：7007公司代号温度范围代号：B：军用级（-55℃~+125℃）符合MIL-STD-883，Class B标准封装代号：TD: 300mil CDIP （窄）D：600mil CDIP (宽)速度：20 只有窄封装（300mil）适用25 只有窄封装（300mil）适用35 只有窄封装（300mil）适用150 只有宽封装（600mil）适用IDT列举三工艺：SA：标准功率LA：低功率器件号：6116公司代号温度范围代号：空白：民品级（0℃~+70℃）I：工业级（-40℃~+85℃）封装代号：TP：300mil PDIPP: 600mil PDIPSO: 300mil SOICY: 300mil SOJ速度：15 只有民品和标准功率适用其它速度均无限制工艺：SA：标准功率LA：低功率器件号：6116公司代号（11）列举MAX：MAXIM推出的专有产品数量在以相当可观的速度增长。
这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。
MAXIM目前是在其每种产品的唯一编号前加前缀“MAX”。
三字母后缀：例如：MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数四字母后缀：例如：MAX1480ACPIA = 指标等级或附带功能 C = 温度范围P = 封装类型I = 管脚数温度范围：C = 0℃至70℃（商业级）I = -20℃至+85℃（工业级）E = -40℃至+85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级）M = -55℃至+125℃（军品级）封装类型：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil) S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOT W 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92，MQUAD /D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆管脚数：A: 8 B: 10，64 C: 12，192 D: 14E: 16 F: 22，256 G: 24 H: 44I: 28 J: 32 K: 5，68 L: 40M: 7，48 N: 18 O: 42 P: 20Q: 2，100 R: 3，84 S: 4，80 T: 6，160 U: 60 V: 8（圆形）W: 10（圆形）X: 36Y: 8（圆形）Z: 10（圆形）二、IC 封装缩略语SODIMM Small Outline Dual-In-Line Memory ModuleTSOP Thin Small-Outline PackageVSOP Very Small Outline PackageXCEPT Exceptions-May not be a real Package三、IC封装实例图BGABall GridArrayBQFP132EBGA 680L详细规格LBGA 160L详细规格PBGA 217L Plastic Ball Grid Array详细规格SBGA192L详细规格TSBGA680L详细规格CLCC详细规格CPGACeramic PinGrid ArrayLAMINATE CSP112LChip ScalePackage详细规格DIPDual Inline Package详细规格DIP-tabDual Inline Package with MetalHeatsinkFBGAFDIPFTO220Flat Pack LCCLDCCLQFPPCDIPPDIPPGAPlastic Pin Grid Array详细规格PLCC详细规格PQFPPS/2PS/2mouse portpinout详细规格PSDIPLQFP 100L详细规格METAL QUAD100L详细规格PQFP 100L详细规格QFPQuad Flat PackageQFPQuad Flat PackageTQFP 100L详细规格SBGASC-70 5L详细规格SDIPSIPSingle Inline PackageSOSmall Outline Package SOJ 32L详细规格SOJSOP EIAJ TYPE II 14L 详细规格SOT143SOT220SOT220SOT223SOT223SOT23SOT23/SOT323 SOT25/SOT353 SOT26/SOT363 SOT343SOT523SOT89SOT89SSOP 16L详细规格SSOPTO18TO220TO247TO252TO263/TO268 TO264TO3TO5TO52TO71TO72TO78TO8TO92TO93TO99TSOPThin Small Outline PackageTSSOP or TSOP IIThin Shrink Outline PackageZIPZig-Zag Inline Package四、如何简单从型号识别品牌？很多集成电路型号前面的前缀往往是制造商名称的缩写。