集成电路材料、结构与理论
半导体物理与器件
发光器件
发光原理
半导体中的载流子复合时，以光子的形式释放能量。
发光器件类型
包括发光二极管（LED）、激光器等。
工作原理
发光器件利用半导体中的载流子复合发光原理，将电能转换为光能。在外加电压或电流作用下，半导体 中的载流子获得能量并发生复合，以光子的形式释放能量并发出可见光或其他波段的光。
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CATALOGUE
氧化物半导体材料
如氧化锌（ZnO）、氧化铟镓（InGaO3）等，具有透明 导电、压电等特性，可用于透明电子器件、传感器等领域 。
有机半导体材料
具有柔韧性好、可大面积制备、低成本等优点，可用于柔 性电子器件、有机发光二极管（OLED）等领域。
二维材料在半导体器件中的应用
石墨烯
具有优异的电学、热学和力学性能，可用于 高速电子器件、柔性电子器件等领域。
品中。
陶瓷封装
使用陶瓷材料作为封装外壳，具有 优异的耐高温、耐湿气和机械强度 等性能，适用于高端电子产品和特 殊应用场合。
金属封装
利用金属材料（如铝、铜等）进行 封装，具有良好的散热性能和机械 强度，适用于大功率半导体器件。
测试技术
直流参数测试
通过测量半导体器件的直 流电压、电流等参数，评 估其性能是否符合设计要 求。
荷区，即PN结。
二极管的结构
由P型半导体、N型半导体以 及PN结组成，具有单向导电
性。
二极管的伏安特性
描述二极管两端电压与电流之 间的关系，包括正向特性和反
向特性。
二极管的主要参数
包括最大整流电流、最高反向 工作电压、反向电流等。
双极型晶体管
晶体管的结构
由发射极、基极和集电极组成 ，分为NPN型和PNP型两种。
集成电路工艺原理 第二章 氧化
氧化杂质 特定的杂质，特别是氯化氢(HCl)中的氯， 若氧化环境中含有氯，它将影响氧化生长速率， 实践证明在有氯化氢的情况下，生长速率可提 高1%～5%。 多晶硅氧化 与单晶硅相比，多晶硅可以更快、更低或 相似，主要取决于多晶硅的生长方法，若用化 化 学气相淀积法生长多晶硅，则与淀积温度、淀 学气相淀积 积压力、掺杂的类型和浓度有关。
快速热氧化 高压 炉管反应炉 化学氧化 阳极氧化 电解槽
化学的
２.4 水平炉管反应炉 最早使用也一直延续至今。主要用在氧化、扩 散、热处理及各 装载区 源区 中央区 种淀积工艺中。 水平炉管反应炉 消声器 的截面图如下： 氧化 炉管 整个系统包含 反应室、 反应室、温度 控制系统、 控制系统、反 比例 控制器 应炉、 应炉、气体柜 清洗站、 、清洗站、装 平区 片站等 片站 温度
进入或落在硅片表面，在氧化过程中， 污染 物在表面形成新的氧化层，是污染物远离了电 子活性的硅表面。也就是说污 染物被禁锢在二氧化硅 膜中，从而减小了污染 物对器件的影响。 2.1.2 掺杂阻挡层 器件制造过程中的掺杂是定域（有选择的 区域）掺杂，那么不需要 掺杂的区域就必须进行 保护而不被掺杂。如图 所示。
第二章 氧 化
概述 硅表面SiO2的简单实现，是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中，将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法，其中 包括快速热氧化工艺。另外，还简单介绍本工 艺中最重要的部分---反应炉，因为它是氧化、 扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设备。 2.1 二氧化硅的性质、用途 二氧化硅的性质、 在半导体材料硅的所有优点当中，SiO2 的极 易生成是最大的有点之一。当硅表面暴露在氧 气当中时，就会形成SiO2。(有良好的化学稳定 性和电绝缘性,能对某些杂质起到掩蔽作用)
半导体芯片膜层结构
半导体芯片膜层结构
半导体芯片（也称为集成电路或芯片）的膜层结构是指芯片表面覆盖的各种薄膜层，这些薄膜层通常由不同材料组成，并在制造过程中逐层堆叠而成。
膜层结构的设计和制造对芯片的性能和功能起着关键作用。
一般来说，半导体芯片的膜层结构包括以下几个主要部分：
1．衬底层（Substrate）：衬底层是芯片的基础材料，通常由硅（Silicon）或其他半导体材料制成。
衬底层通常具有特定的晶格结构和导电性能，用于支撑和稳定芯片的其他薄膜层。
2．绝缘层（Insulating Layer）：绝缘层通常位于衬底层之上，用于隔离不同电路之间的电性和防止电路之间的干扰。
常见的绝缘材料包括二氧化硅（Silicon Dioxide）等。
3．导体层（Conductive Layer）：导体层通常用于制作芯片中的电路元件，如导线、晶体管等。
常见的导体材料包括金属（如铝、铜）等。
4．沟槽和孔洞（Trenches and Vias）：沟槽和孔洞是用于连接不同层之间的导线和元件的通道。
它们通常通过刻蚀或沉积等工艺形成，用于实现芯片中电路的连接和互联。
5．保护层（Passivation Layer）：保护层用于覆盖芯片表面，保护芯片免受环境因素（如湿气、化学物质等）的侵蚀和损坏。
常见的保护材料包括氮化硅（Silicon Nitride）等。
6．金属层（Metal Layer）：金属层通常用于制作芯片中的导线和
连接器。
金属层可以通过金属沉积和光刻工艺形成，用于实现芯片中电路元件之间的连接。
集成电路制造技术
Fundamentals of IC Analysis and Design (3)
• MBE的不足之处在于产量低。
Fundamentals of IC Analysis and Design (3)
英国VG Semicom公司型号为V80S-Si的MBE设备关键部分照片
Fundamentals of IC Analysis and Design (3)
3.2 掩膜(Mask)的制版工艺
30m
100 m 头发丝粗细
50m
30~50m (皮肤细胞的大小)
1m 1m (晶体管的大小)
90年代生产的集成电路中晶体管大小与人 类头发丝粗细、皮肤细胞大小的比较
Fundamentals of IC Analysis and Design (3)
芯片制造过程
Fundamentals of IC Analysis and Design (3) 硅片
3.2.1 外延生长(Epitaxy)
外延生长的目的
• 半导体工艺流程中的基片是抛光过的晶圆基片,直经 在50到200mm(2-8英寸)之间,厚度约几百微米。
• 尽管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上,但 大多数器件和IC都做在经过外延生长的衬底上。原 因是未外延过的基片性能常常不能满足要求。外延 的目的是在衬底材料上形成具有不同的掺杂种类及 浓度,因而具有不同性能的单晶材料。
Fundamentals of IC Analysis and Design (3)
集成电路的基本原理和工作原理
集成电路的基本原理和工作原理集成电路是指通过将多个电子元件（如晶体管、电容器、电阻器等）和互连结构（如金属导线、逻辑门等）集成到单个芯片上，形成一个完整的电路系统。
它是现代电子技术的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统和各种电子设备中。
本文将介绍集成电路的基本原理和工作原理。
一、集成电路的基本原理集成电路的基本原理是将多个电子元件集成到单个芯片上，并通过金属导线将这些元件互连起来，形成一个完整的电路系统。
通过集成电路的制造工艺，可以将电子元件和互连结构制造到芯片的表面上，从而实现芯片的压缩和轻量化。
常见的集成电路包括数字集成电路（Digital Integrated Circuit，简称DIC）、模拟集成电路（Analog Integrated Circuit，简称AIC）和混合集成电路（Mixed Integrated Circuit，简称MIC）等。
集成电路的基本原理包括以下几个关键要素：1. 材料选择：集成电路芯片的制造材料通常选择硅材料，因为硅材料具有良好的电子特性和热特性，并且易于形成晶体结构。
2. 晶圆制备：集成电路芯片的制造过程通常从硅晶圆开始。
首先，将硅材料熔化，然后通过拉伸和旋转等方法制备成硅晶圆。
3. 掩膜制备：将硅晶圆表面涂覆上光感光阻，并通过光刻机在光感光阻表面形成图案。
然后使用化学溶液将未曝光的部分去除，得到掩膜图案。
4. 传输掩膜：将掩膜图案转移到硅晶圆上，通过掩膜上沉积或蚀刻等方法，在硅晶圆表面形成金属或电子元件。
5. 互连结构制备：通过金属导线、硅氧化物和金属隔离层等材料，形成元件之间的互连结构，实现元件之间的电连接。
6. 封装测试：将芯片放置在封装材料中，通过引脚等结构与外部电路连接，然后进行测试和封装。
集成电路的基本原理通过以上几个关键步骤实现电子元件和互连结构的制备和组装，最终形成一个完整的电路系统。
二、集成电路的工作原理集成电路的工作原理是指通过控制电流和电压在电路系统中的分布和变化，从而实现电子元件的工作和电路系统的功能。
第十二章 集成电路金属化和互连-1
IC互连金属化引入铜的优点
1. 电阻率的减小：在20℃时，互连金属线的电 阻率从铝的2.65 -cm 减小到铜的1.678 cm ；减少RC的信号延迟，增加芯片速度。
2. 功耗的减少：减小了线的宽度，降低了功耗。
3. 更高的集成密度：更窄的线宽，允许更高密度 的电路集成，这意味着需要更少的金属层。
钽作为铜的阻挡层金属：对于铜互连冶金术来说，钽、 氮化钽和钽化硅（TaSiN）都是阻挡层金属的待选材 料，阻挡层厚度必须很薄（约75埃），以致它不影 响具有高深宽比填充薄膜的电阻率而又能扮演一个阻 挡层的角色。
钽
铜
难熔金属的氮/碳化物及其复合结构
在Al/ SiO2 金属互连系统中普遍采用TiN 作为 扩散阻挡层, 研究表明掺入的氮可填充晶界, 从而堵塞金属快速扩散通道。Ta 有更高的熔 点, 更好的热稳定性, 因此Ta 的氮化物、碳化 物作为Cu 的扩散阻挡层材料得到了广泛的研 究。
Metal-3 ILD-4
Bonding pad Metal-5 (Aluminum)
Metal-4 is preceded by other vias, interlayer dielectric, and metal layers.
金属铝材料主要优点： 1.电导率高（电阻率ρ<10μΩ·cm） 2.与淀积的氧化硅介质薄膜粘附性良好 3.对于N 型或者P 型硅均能形成良好的欧姆 接触，接触电阻低。 4.易于沉积和光刻，工艺上易于实现。 5.抗电化学腐蚀能力较强。
Cu互连面临的挑战
由于Via相对尺寸小，承载 的电流密度更大，所以这 一问题在Via上更加严重。 所造成的直接结果就是互 连失效。尤其是集成电路 技术进入32nm后，互连线 的电流承载密度将达 107A/cm2，这将超越Cu线 的导电能力106A /cm2，迫 使集成电路行业必须寻求 新型互连材料。
823半导体物理与集成电路基础
823半导体物理与集成电路基础摘要：一、半导体物理与集成电路基础简介1.半导体物理概念2.集成电路基础概念二、半导体物理基本原理1.能带理论2.载流子浓度与迁移率3.PN 结三、集成电路基本结构与工作原理1.基本结构2.工作原理四、半导体材料及其特性1.元素半导体2.化合物半导体3.半导体材料特性五、半导体器件及其应用1.二极管2.晶体管3.场效应晶体管4.光电器件六、集成电路制造工艺1.硅片制备2.掺杂3.薄膜沉积4.光刻技术5.金属化七、集成电路应用领域1.计算机2.通信3.消费电子4.医疗设备5.工业控制八、半导体物理与集成电路发展趋势1.新材料研究2.新型器件开发3.集成度提高4.3D 集成技术5.人工智能与物联网应用正文：半导体物理与集成电路基础在我国科技领域占据举足轻重的地位。
半导体物理是研究半导体材料性质和现象的学科，而集成电路则是半导体物理在实际应用中的重要体现。
本文将介绍半导体物理与集成电路基础的相关知识。
半导体物理基本原理包括能带理论、载流子浓度与迁移率以及PN 结。
能带理论是描述半导体中电子能级分布的理论，它将半导体分为价带和导带，分别对应电子的束缚状态和自由状态。
载流子浓度与迁移率是描述半导体导电性能的两个重要参数，它们与半导体的掺杂、温度等因素密切相关。
PN 结是半导体中一种特殊的结构，由p 型半导体和n 型半导体组成，具有整流、开关等特性。
集成电路基本结构包括输入、输出、电源和信号处理等部分，其工作原理是通过将信号处理电路与输入输出接口电路集成在一起，实现对信号的放大、滤波、模数转换等功能。
半导体材料及其特性对集成电路性能至关重要。
半导体材料主要包括元素半导体如硅、锗等，以及化合物半导体如砷化镓、氮化镓等。
这些材料具有不同的导电性能、光电特性等，为不同应用场景提供了丰富的选择。
半导体器件是集成电路中实现特定功能的基本单元，包括二极管、晶体管、场效应晶体管等。
这些器件具有不同的电流控制方式、输入阻抗等特性，为实现高性能集成电路提供了基础。
集成电路科学与工程导论 第三章 集成电路晶体管器件
发展趋势-摩尔定律
「按比例缩小定律」（英文：Scaling down）“比例缩小”是指，在电场 强度和电流密度保持不变的前提下，如果MOS-FET的面积和电压缩小到 1/2，那么晶体管的延迟时间将缩短为原来的1/2，功耗降低为原来的1/2。 晶体管的面积一般为栅长(L)乘以栅宽(W)，即尺寸缩小为原来的0.7倍：
仅变得越来越小，在器件结构和材料体系上也经过了多次重大变革
集成电路器件发展趋势
国际半导体技术蓝图（International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS）
目录
一．晶体管器件概述 二．金属-氧化物-半导体场效应晶
体管技术 三．绝缘体上晶体管技术 四．三维晶体管技术 五．其他类型晶体管器件
环栅场效应晶体管
「环栅场效应晶体管」（英文：GAAFET） 技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包 裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利 用线状或者片状（平板状）的多个源极和 漏极垂直于栅极横向放置，实现MOSFET 的基本结构和功能
栅极G
栅极G
硅
硅 (a)
纳米线
硅 (b)
纳米片
平面型 垂直型
互补场效应管
栅极G
n+
e-
n+
p-衬底 (a)
栅极G
n+
e-
n+
氧化物埋层（BOX）
p-衬底 (b)
优势：氧化物埋层降低了源极和漏极之间的寄生电容，大幅降低了会影响器件 性能的漏电流；具有背面偏置能力和极好的晶体管匹配特性，没有闩锁效应， 对外部辐射不敏感，还具有非常高的晶体管本征工作速度等；
挑战：存在一定的负面浮体效应；二氧化硅的热传导率远远低于硅的热传导率 使它成为一个天然“热障” ，引起自加热效应；成本高昂。
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分类材料电导率导体铝、金、钨、铜等105S ·cm -1第二章IC 制造材料、结构与理论 2.1 集成电路材料1半导体硅、锗、砷化镓、磷化铟等10-9~102S ·cm -1绝缘体SiO 2、SiON 、Si 3N 4等10-22~10-14S ·cm -1IC 的衬底材料----构建复杂的材料系统、固态器件、集成电路IC 的基本元件是依据半导体特性构成的半导体特性：掺入杂质可改变电导率---制造不同的半导体材料热敏效应---热敏器件、热稳定性下降光电效应---光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器注入电流----发光，可制造发光二极管和激光二极管。
22.1.1 硅(Si)⏹基于硅的多种工艺技术：双极型晶体管（BJT ）结型场效应管（J-FET ）3P 型、N 型MOS 场效应管双极CMOS （BiCMOS ）⏹来源丰富、技术成熟、集成度高、晶圆尺寸大、芯片速度快、价格低廉⏹占领了90％的IC 市场2.1.2 砷化镓(GaAs)⏹具有更高的载流子迁移率，和近乎半绝缘的电阻率能工作在超高速超高频4⏹GaAs 的优点:电子迁移率高，f T 达150GHz ，毫米波、超高速电路导带价带位置—电子空穴直接复合--可制作发光器件LED\LD\OEIC—光纤数字传输禁带宽度—载流子密度低--更高的温度/更好的抗辐射性能兼顾速度与功耗，在微米毫米波范围内GaAs IC 处于主导地位⏹GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和HBT2.1.3磷化铟(InP)⏹能工作在超高速超高频⏹三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT⏹电子空穴直接复合—发光器件、OEIC⏹GaInAsP/InP系统发出激光波长0.92-1.65um覆盖了玻璃光纤的最小色散（1.3um）和最小衰减（1.55um）的两个窗口，广泛应用于光纤通信系统中。
⏹技术不够成熟52.1.4 绝缘材料⏹SiO 2、SiON 、Si 3N 4⏹功能包括：IC 器件之间、有源层与导线层之间------电隔离MOS 器件栅极与沟道之间的绝缘层6充当离子注入及热扩散的掩膜器件表面的钝化层，保护器件不受外界影响⏹低介电常数的层间绝缘介质，减小连线间的寄生电容和串扰。
250nm---ε=3.6介质材料180 nm------ε<3.0介质材料⏹大容量DRAM ，推动了低漏电、高介电常数介质材料的发展。
ε>25 ε>100三个功能：⏹形成器件本身的接触线⏹形成器件间的互连线⏹形成焊盘⏹ 2.1.5 金属材料7半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成肖特基型接触或欧姆接触如果掺杂浓度较低，金属和半导体结合面，半导体能带弯曲，形成肖特基型势垒，导致大的界面电阻，形成肖特基接触。
如果掺杂浓度足够高，以致于隧道效应可以抵消势垒的影响，那么就形成了欧姆接触(双向低欧姆电阻值)。
IC制造用金属材料⏹铝，铬，钛，钼，铊，钨等纯金属和合金薄层在VLSI制造中起着重要作用。
这是由于这些金属及合金有着独特的属性。
如对Si及绝缘材料有良好的附着力，高导电率，可塑性，容易制造，并容易与外部连线相连。
⏹纯金属薄层用于制作与工作区的连线，器件间的互联线，栅极电容、电感传输线的电极等。
8铝（Al）⏹在Si基VLSI技术中，由于Al几乎可满足金属连接的所有要求，被广泛用于制作欧姆接触及导线。
⏹随着器件尺寸的日益减小，金属化区域的宽度也越来越小，故连线电阻越来越高，其RC常数是限制电路速度的重要因素。
⏹要减小连线电阻，采用低电阻率的金属或合金是一个值得优先考虑的方法。
9铝合金⏹在纯金属不能满足一些重要的电学参数、达不到可靠度的情况下，IC金属化工艺中采用合金。
⏹硅铝、铝铜、铝硅铜等合金已用于减小峰值、增大电子迁移率、增强扩散屏蔽、改进附着特性等。
或用于形成特定的肖特基势垒。
⏹稍微在Al中多加1wt%的Si即可使Al导线上的缺陷减至最少；在Al中加入少量Cu，则可使电子迁移率提高10 1000倍；通过金属之间或与Si的互相掺杂可以增强热稳定性。
10铜(Cu)⏹铜的电阻率为1.7 mΩ⋅cm，比铝3.1 mΩ⋅cm的电阻率低, 同样条件下，可减小40%的功耗。
更易于实现更快的主频，并减小现有管芯的体积。
以铜代铝用于集成电路晶体管间的互连将成为半导体技术发展的趋势。
⏹IBM公司解决了铜与硅结合的难题，最早推出铜布线的CMOS工艺, 实现了400MHz Power PC芯片。
铜工艺芯片耗能也更低。
⏹0.18m m的CMOS工艺中几乎都引入了铜连线工艺。
11金与金合金⏹由于GaAs与III/V器件及IC被应用于对速度与可靠性要求很高的行业，如电脑、通讯、军事、航空等。
故对形成金属层所使用的金属有一定的限制。
⏹GaAs、InP衬底的半绝缘性质及化学计量法是挑选金属时的附加考虑因素。
由于离子注入技术的最大掺杂浓度为3·1018cm-3，故不能用金属与高掺杂的半导体（>3·1019cm-3）形成欧姆接触。
这个限制促使人们在GaAs及InP芯片中采用合金（掺杂浓度低）作为接触和连接材料。
在制作N型GaAs欧姆接触时采用金与锗(合金)形成的低共熔混合物。
所以第一第二层金属必须和金锗欧姆接触相容，因此有许多金合金系统得到应用。
⏹基于金的金属化工艺和半绝缘衬底及多层布线系统的组合有一个优点，即芯片上传输线和电感有更高的Q值。
12金属硅化物⏹金属硅化物具有类似金属的电阻率、化学稳定性、耐高温性，故在制作低阻栅极、导线、欧姆接触及肖特基势垒接触中引起人们的关注。
⏹铂、钯、钛、钼、铊、钨的硅化物被用于制作基本单元门及VLSI电路连线。
两层与多层金属布线⏹金属层数也是工艺中的一个重要特性。
⏹在IC技术早期，采用的是单层布线，网络的交叉线问题很难解决。
⏹现在几乎所有的IC技术都是至少采用两层金属布线。
⏹很多VLSI采用3-4层金属，以提高晶体管密度及自动布线程度。
⏹对于电路设计者而言，布线的技巧包含合理使用金属层，减少寄生电容或在可能的情况下合理利用寄生电容等。
14⏹2层布线：第一层金属主要用于器件各个极的接触点及器件间的部分连线，这层金属通常较薄，较窄，间距较小。
第二层主要用于器件间及器件与焊盘间的互联，并形成传输线。
寄生电容大部分由两层金属及其间的隔15离层形成。
⏹多数VLSI 工艺中使用3层以上的金属。
最上面一层通常用于供电及形成牢固的接地。
其它较高的几层用于提高晶体管密度及方便自动化布线。
0.35um CMOS 工艺之后将绝缘层腐蚀掉以后多层金属构成的“立交桥”结构的互联线2.1.6 多晶硅⏹多晶硅与单晶硅都是硅原子的集合体，性质相似。
⏹多晶硅特性随结晶度与杂质原子而改变。
非掺杂的多晶硅薄层实质上是半绝缘的，电阻率为300 Ω·cm 。
通过不同杂质的组合，多晶硅的电阻率可被控制在500—0.005 Ω·cm，用于制作MOS栅极及欧姆接触。
⏹多晶硅被广泛用于电子工业。
在MOS及双极器件中，多晶硅用制作栅极、形成源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结的扩散源、高值电阻等。
16多晶硅的制造技术⏹多晶硅层可用溅射法，蒸发或CVD 法(化学气象沉积，一种外延生长技术）沉淀。
⏹多晶硅可用扩散法、注入法掺杂，也可在沉淀多晶硅的同时通入杂质气体（In-Situ 法）来掺杂。
扩散法形成的杂质浓度很高（>=1021cm -3），故电阻率很小。
20-317注入法的杂质浓度为10cm ，电阻率约是它的10倍。
而In-Situ 法的浓度为1020---1021cm -3。
三种掺杂工艺中，后两种由于可在较低的工艺温度下进行而在VLSI 工艺中被优先采用。
⏹在多晶硅沉淀过程中，加入定量的氮氧化合物可使其部分氧化，形成半绝缘层，可对器件进行钝化。
多晶硅的特性随着氧杂质的增多而改变，甚至完全转换为SiO 2。
掺入杂质氮，直至完全变为氮化硅。
2.1.7 材料系统⏹半导体衬底可由单原子材料（Si\Ge）或化合物（GaAs\InP）制成。
在结构简单的材料上制作各种器件及IC的工艺也较为简单。
但他们的性能（电流增益、晶体管速度、激光二极管效率）会受到限制。
⏹材料系统指的是在由一些基本材料，如Si, GaAs或InP制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。
⏹材料系统与掺杂过的材料之间的区别:外来材料的种类与数量掺杂材料中，掺杂原子很少，作为杂质，作用只是改变载流子类型。
在材料系统中，外来原子的比率较高（几到几十个百分点）。
导入其它材料层的目的是形成特定的能带，改变载流子的传输性能。
所以，材料系统的研究与应用也被称为能带工程。
⏹按照导电性质，分为半导体材料和半导体/绝缘体两种材料系统。
181)半导体材料系统⏹不同质（异质）的几种半导体(GaAs与AlGaAs, InP与InGaAs和Si与SiGe等)组成的层结构。
⏹层结构可以通过生长的方式形成，也可以通过粘接的方式形成。
⏹应用：制作异质结双极型晶体管HBT（宽带隙半导体材料制作发射区，以窄带隙材料制作基区，eg:GaAs/AlGaAs）高电子迁移率晶体管HEMT(在具有较低禁带的未掺杂的半导体材料中形成一种具有二维电子气的材料系统)高性能的LED及LD192)半导体/绝缘体材料系统⏹半导体与绝缘体相结合的材料系统。
典型代表是绝缘体上硅(SOI: Silicon On Insulator )。
采用注入氧隔离和晶片粘接两种技术制造。
⏹20SOI: 由于器件有源层和衬底之间的隔离层厚，电极与衬底之间的寄生电容大大的减少。
器件的速度更快，功率更低。
⏹在SOI 衬底上可以形成MOS 和双极型晶体管。
2.2.1 半导体的晶体结构⏹固体材料分为两类：晶体（单晶、多晶；硅、锗）和非晶体（玻璃、橡胶）。
从外观看晶体有一定的几何外形，非晶体没有一定的形状。
2.2 半导体基础知识21⏹硅晶体结构特点是每个原子周围都有四个最邻近的原子，组成正四面体结构。
这四个原子分别处于正四面体的顶角上，任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子共有，形成共价键。
这样，每个原子和周围四个原子组成四个共价键。
上述四面体累积起来就形成了金刚石结构。
2.2.2 本征半导体与杂质半导体⏹本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
⏹在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。
⏹温度升高或者光照，某些共价键中的价电子22获得足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到导带，成为自由电子，在共价键中留下等量的带正电的空穴。
热激发产生的这种跃迁为本征激发。