IC制造材料结构与理论
IC模具基本介绍
IC模具基本介绍IC模具，全称为Integrated Circuit Mould，是制造集成电路的工具。
集成电路是现代电子设备的核心组件，它由大量的电子元件（如晶体管、电容器、电阻器等）组成，通过在同一片基片上进行集成和互连，实现了功能的复杂性和系统的紧凑性。
IC模具是制造集成电路所必需的工具之一，用于在制造过程中将集成电路芯片的设计转化为实际产品。
它可以看作是一个“模具”，通过模具上的“模块”来制造具有特定功能和结构的集成电路。
IC模具的主要作用是在硅片上形成金属或多层金属导线和互连结构，从而实现不同元件之间的信号传输和电气连接。
IC模具通常由高硬度的材料制成，如钨钢、硼硅酸钠玻璃等。
它的制造过程需要借助于先进的微纳加工技术和精密的制造设备。
通常，制造IC模具的流程可以分为以下几个步骤：1.设计和制造模具：首先，根据集成电路芯片的设计要求，设计并制造出符合要求的IC模具。
模具的设计需要考虑到芯片的结构和连接需求，并确保模具的可重复、可靠性能。
2.芯片制造：通过将半导体材料（如硅）加工成薄片，并在薄片上制造出晶体管、电容器等元件，形成具有特定电路结构的芯片。
3.芯片上的金属导线和互连：将制造好的芯片放置在IC模具的特定位置，通过IC模具上的模具、导线等结构，在芯片上形成导线和互连结构，使芯片的各个元件之间可以相互连接并进行信号传输。
4.包装和封装：将制造好的集成电路芯片进行外包装和封装，以保护芯片免受环境的干扰，同时方便芯片的安装和使用。
IC模具的制造过程需要高度的精密度和一定的工程能力。
在模具的设计和制造过程中，需要考虑到芯片的低功耗、高速度、小尺寸和高可靠性等特点，以及制造过程中的多种材料特性、工艺控制和质量保证。
同时，模具的设计还需要与芯片的设计相匹配，确保模具和芯片的接口匹配，以实现良好的信号传输和电气连接。
IC模具在现代电子产业中扮演着重要的角色。
它不仅是集成电路制造的关键工具，更是推动电子产业发展的基石。
IC的生产工序流程以及其结构
IC的生产工序流程以及其结构IC，即集成电路，是现代电子产品中不可或缺的一部分。
从电子设备内部的芯片到计算机主板上的处理器，都离不开集成电路。
在这篇文章中，我们将会讨论IC生产的工序流程以及生产过程中的一些关键结构。
什么是IC？集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是指在单个半导体晶片上集成了多种电子元器件，并通过扩散、离子注入、金属化等工艺技术把多个电子元器件集成在一起组成电路。
通常情况下，IC芯片都很小，大小通常被表示为微米（μm）或纳米（nm）级别。
IC的应用广泛，几乎覆盖了各个电子领域。
它们可以用于计算机处理器、智能手机、电视、汽车、医疗设备以及其他种类的电子产品。
IC生产的工序流程IC生产的工流程相当复杂，通常分为数十个步骤。
不过，大致上可以将IC生产的工序分为以下步骤：1. 半导体晶片制造半导体晶片制造是IC生产的第一步，也是最重要的一步。
半导体晶片通常由硅（Si）和氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等半导体材料制成。
整个晶片制造流程通常包括以下几步：•晶圆生长：利用化学和物理反应方法，在单晶硅中生长出远大于晶体结构尺寸的大型晶体。
•制成硅晶圆：将生长出来的晶体锯成一层一层薄的硅片，制成硅晶圆。
•熔融硅基片上生长氧化层：在硅晶圆表面生成一个氧化物层。
•制作掩膜：通过光刻技术，将芯片上的某些区域遮蔽以形成模板。
•淀粉形成：将晶圆在磁场作用下放入高温炉中，以使得硅表面形成一层非晶质硅氧化物。
•拉后扩散水晶：在芯片上面涂上一层磷酸盐玻璃，并使其退火形成扩散层扩散N型氧化物或P型氧化物等。
2. 芯片制造在晶片制造的基础上，需要进行芯片制造。
这个步骤中，电阻器、电容器、二极管和晶体管等元件被加入到晶片中。
具体步骤如下：•氧化上浮：在表面形成氮化硅或氧化硅薄膜。
•制作掩膜：光刻技术用于制作薄膜的图案。
•腐蚀删除：将未被圈定的材料腐蚀去除。
•重复上述步骤：重复执行以上步骤，以形成几个电子元件。
IC的生产工序流程以及其结构
IC的生产工序流程以及其结构IC（集成电路）是一种通过技术手段将多个电子器件集成到一个芯片上的电子器件。
IC的生产工序流程包含了多个环节，每个环节都需要严格的控制和测试，以确保最终产品的质量和性能。
IC的生产工序流程可以大致分为晶圆制备、晶圆加工、封装和测试四个阶段。
第一阶段：晶圆制备晶圆制备是IC生产的第一步，即将选择好的硅片制备成适用于IC加工的基片。
该阶段主要包括以下步骤：1.基片选择：选择具有较高晶片质量的硅片作为基片。
2.磨平：使用化学机械研磨等技术将硅片的表面进行磨平，以提高晶片的表面质量。
3.清洗：通过化学清洗等方法清除硅片表面的杂质，以增加晶片的纯度。
4.涂覆：将具有特殊光敏性的光刻胶均匀涂覆在硅片表面，用于后续的芯片图案制作。
第二阶段：晶圆加工晶圆加工是IC生产的核心阶段，主要是通过光刻、蚀刻、沉积等工艺，将芯片的电路图案逐层刻制在硅片上。
该阶段主要包括以下步骤：1.光刻：使用光刻胶模具和紫外光照射，将芯片电路的设计图案转移到硅片上。
2.蚀刻：使用化学或物理蚀刻方法，将光刻胶以外的硅片材料去除，形成芯片电路的各个层次。
3.沉积：使用化学气相沉积、物理气相沉积等方法，将金属、氧化物等材料沉积在芯片表面，形成电路的导线、阻抗等元件。
4.清洗和检查：对加工后的芯片进行清洗和检查，确保电路图案和元件的质量和完整性。
第三阶段：封装封装是将完成加工的芯片封装成IC产品的过程，主要是为了保护芯片、便于使用和连接外部元件。
该阶段主要包括以下步骤：1.切割和研磨：将加工好的硅片切割成单个的芯片，并通过研磨等方法将芯片的厚度调整到设计要求。
2.封装设计：根据芯片的功能和尺寸要求，设计适用的封装结构和材料，并设计电路连接引脚和封装外壳。
3.芯片安装：将芯片粘贴或焊接到封装结构的基座上，并通过线键和焊球等方法与引脚进行连接。
4.密封：将芯片和引脚密封在封装外壳中，以保护芯片免受环境影响。
5.清洗和测试：对封装好的芯片进行清洗和测试，确保封装的质量和性能。
芯片是什么材料做的
芯片是什么材料做的
芯片是由一种或多种半导体材料制成的微小电子元件，其中包括集成电路（IC）等。
它通常由硅、锗、砷化镓等半导体材料制成。
下面将详细介绍芯片是由什么材料制成的。
首先，芯片主要是由硅材料制成的。
硅是一种非金属元素，具有良好的半导体特性，使其成为芯片制造的主要材料之一。
硅材料在自然界中非常丰富，易于提取和加工。
它的晶体结构可以提供良好的电子结构，并且可以通过控制杂质的加入来改变其电子性质。
硅材料的半导体性质使得它在电子器件中具有非常广泛的应用。
除了硅材料外，还有其他一些半导体材料常被用于制造芯片。
例如，锗是硅的一种变种，也可以用于制造芯片。
锗材料具有很好的半导体特性，并且其电子结构与硅非常相似。
另外，砷化镓（GaAs）也被广泛用于制造高频和高功率电子器件。
砷化镓的载流子迁移率比硅和锗更高，因此在高频应用中具有更好的性能。
此外，芯片制造过程中还会使用一些其他的材料。
例如，金属材料通常被用于制造电子连接线路和电极。
铜是常用的金属材料之一，因为它具有良好的导电性能和可加工性。
此外，铝、银等金属也常见于芯片的制造过程中。
总结起来，芯片是由一种或多种半导体材料制成的微小电子元件。
主要的材料包括硅、锗、砷化镓等。
这些材料具有良好的半导体特性，可用于控制和放大电流。
此外，制造芯片还需要
使用一些金属材料用于电子连接线路和电极。
通过使用这些材料，芯片可以实现各种复杂的功能，为现代电子产品提供强大的计算和存储能力。
单晶硅芯片
单晶硅芯片单晶硅芯片是一种常用于制造集成电路（IC）的材料。
它具有高纯度、晶体结构良好、电子迁移率高等特点，因此被广泛应用在电子设备中，如计算机、手机、相机等。
单晶硅芯片的制造过程非常精细和复杂。
首先，从硅矿石中提取出纯净的硅金属。
然后将硅金属加热至高温，使其熔化，并加入掺杂物以改变硅的导电性能。
接下来，将熔融的硅液倒入特制的晶体生长炉中，通过控制温度和冷却速度，使硅液逐渐凝固形成大型硅单晶块。
这个过程称为Czochralski法。
得到大型硅单晶块后，需要对其进行切割和去除杂质。
切割成薄片的硅片称为晶圆，晶圆的表面非常光滑。
然后，在晶圆表面上进行光刻和腐蚀等步骤，以形成电路图案。
在光刻过程中，通过对晶圆进行光敏材料的覆盖，并利用紫外线照射，将电路图案转移到晶圆表面。
接下来，在腐蚀过程中，将未被光敏材料保护的部分去除，形成电路纹理。
这个过程需要微米级别的精确控制。
在形成电路纹理后，需要对晶圆进行清洗，并执行离子注入和退火等工艺，以改善电路的性能。
离子注入过程是将掺杂物注入硅晶片中，以改变硅的导电性能。
退火是通过加热硅片，以去除残留的应力和改善材料的结晶质量。
最后，进行封装和测试。
在封装过程中，将晶圆切割成单个的芯片，并封装在塑料或陶瓷芯片上，以保护芯片免受环境的影响，并提供接口与外部设备进行连接。
在测试过程中，通过应用电压和信号，对芯片进行功能和性能的测试，以确保其正常工作。
单晶硅芯片的制造过程需要高度的精确性和严格的控制。
任何微小的缺陷或错误都可能导致芯片的失效。
因此，在制造过程中，需要严格控制温度、压力、湿度等参数，并进行多次的质量检查和测试，以确保芯片的质量和性能。
总的来说，单晶硅芯片是现代集成电路的核心部件，是实现电子设备高度集成和功能丰富的关键技术。
通过不断提升芯片制造技术的精确性和效率，单晶硅芯片的性能和功能将不断提升，为人们带来更加便捷和先进的电子产品。
IC封装的材料和方法
IC封装的材料和方法——封装设计回顾路（IC）在电子学金字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字塔的基座。
说它同时处在这两种位置都有很充分的根据。
从电子元器件（如晶体管）的密度说，IC代表了电子学的尖端。
但是IC又是一个起始点，是一种基本结构单元，是组成我们生活中大多数电子系统的基础。
同样，IC不仅仅是单块芯片或构，IC的种类千差万别（模拟电路、数字电路、射频电路、传感器等），因而对于封装的需求和要求也各不相同。
本文对IC封装技术做了全面的回顾，以式介绍了制造这些不可缺少的封装结构时用到的各种材料和工艺。
的物理结构、应用领域、I/O数量差异很大，但是IC封装的作用和功能却差别不大，封装的目的也相当的一致。
作为“芯片的保护者”，封装起到了好几个来主要有两个根本的功能：1)保护芯片，使其免受物理损伤；2)重新分布I/O，获得更易于在装配中处理的引脚节距。
封装还有其他一些次要的作用，比如于标准化的结构，为芯片提供散热通路，使芯片避免产生α粒子造成的软错误，以及提供一种更方便于测试和老化试验的结构。
封装还能用于多个IC的互用引线键合技术等标准的互连技术来直接进行互连。
或者也可用封装提供的互连通路，如混合封装技术、多芯片组件（MCM）、系统级封装（SiP）以及体积小型化和互连(VSMI)概念所包含的其他方法中使用的互连通路，来间接地进行互连。
电子机械系统(MEMS)器件和片上实验室（lab-on-chip）器件的不断发展，封装起到了更多的作用：如限制芯片与外界的接触、满足压差的要求以及满足化境的要求。
人们还日益关注并积极投身于光电子封装的研究，以满足这一重要领域不断发展的要求。
最近几年人们对IC封装的重要性和不断增加的功能的大的转变，IC封装已经成为了和IC本身一样重要的一个领域。
这是因为在很多情况下，IC的性能受到IC封装的制约，因此，人们越来越注重发展IC封新的挑战。
家族很多方法对IC封装进行分类，但是IC封装主要可以通过其基本结构的不同进行分类和定义。
集成电路材料 结构与理论
分类材料电导率导体铝、金、钨、铜等105S ·cm -1第二章IC 制造材料、结构与理论 2.1 集成电路材料1半导体硅、锗、砷化镓、磷化铟等10-9~102S ·cm -1绝缘体SiO 2、SiON 、Si 3N 4等10-22~10-14S ·cm -1IC 的衬底材料----构建复杂的材料系统、固态器件、集成电路IC 的基本元件是依据半导体特性构成的半导体特性：掺入杂质可改变电导率---制造不同的半导体材料热敏效应---热敏器件、热稳定性下降光电效应---光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器注入电流----发光，可制造发光二极管和激光二极管。
22.1.1 硅(Si)⏹基于硅的多种工艺技术：双极型晶体管（BJT ）结型场效应管（J-FET ）3P 型、N 型MOS 场效应管双极CMOS （BiCMOS ）⏹来源丰富、技术成熟、集成度高、晶圆尺寸大、芯片速度快、价格低廉⏹占领了90％的IC 市场2.1.2 砷化镓(GaAs)⏹具有更高的载流子迁移率，和近乎半绝缘的电阻率能工作在超高速超高频4⏹GaAs 的优点:电子迁移率高，f T 达150GHz ，毫米波、超高速电路导带价带位置—电子空穴直接复合--可制作发光器件LED\LD\OEIC—光纤数字传输禁带宽度—载流子密度低--更高的温度/更好的抗辐射性能兼顾速度与功耗，在微米毫米波范围内GaAs IC 处于主导地位⏹GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和HBT2.1.3磷化铟(InP)⏹能工作在超高速超高频⏹三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT⏹电子空穴直接复合—发光器件、OEIC⏹GaInAsP/InP系统发出激光波长0.92-1.65um覆盖了玻璃光纤的最小色散（1.3um）和最小衰减（1.55um）的两个窗口，广泛应用于光纤通信系统中。
⏹技术不够成熟52.1.4 绝缘材料⏹SiO 2、SiON 、Si 3N 4⏹功能包括：IC 器件之间、有源层与导线层之间------电隔离MOS 器件栅极与沟道之间的绝缘层6充当离子注入及热扩散的掩膜器件表面的钝化层，保护器件不受外界影响⏹低介电常数的层间绝缘介质，减小连线间的寄生电容和串扰。
ic的工作原理
ic的工作原理IC（集成电路）是现代电子技术的重要组成部分，它的工作原理可以用以下几个方面来描述。
IC的工作原理是基于半导体材料的特性。
半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电特性，可以通过控制材料中的电荷来实现电流的控制。
在IC中，通常使用的半导体材料是硅（Si）或者锗（Ge）。
这些材料通过控制材料中的杂质浓度，形成P型和N型半导体区域，从而形成PN结。
IC的工作原理是基于晶体管的特性。
晶体管是IC的基本单元，它由三个电极组成：发射极、基极和集电极。
晶体管可以通过控制基极电流来控制发射极和集电极之间的电流。
在IC中，晶体管被用来实现逻辑门、放大器等功能。
通过将多个晶体管连接在一起，可以实现复杂的电路功能。
IC的工作原理还涉及到电路布图和制造工艺。
电路布图是指将电路设计转化为实际的物理结构的过程。
在IC的设计过程中，设计师需要根据电路功能要求，选择合适的晶体管类型和连接方式，确定电路的结构和布局，以及确定电路中元件的尺寸和位置。
制造工艺是指将电路布图转化为实际的芯片的过程。
在IC的制造过程中，需要使用光刻、蒸镀、刻蚀等工艺步骤，将电路布图中的结构逐步形成在半导体材料上。
IC的工作原理还涉及到电源和信号的处理。
在IC中，电源是提供电路运行所需的电能。
通常，IC需要使用多种电压和电流，因此需要通过外部电源提供合适的电能。
信号处理是指对输入信号进行处理和转换的过程。
在IC中，输入信号可以是模拟信号或者数字信号，通过电路中的放大器、滤波器、开关等元件来对信号进行处理和转换，从而得到期望的输出信号。
IC的工作原理是基于半导体材料的特性，通过晶体管的控制和连接来实现电路功能，同时还涉及到电路布图、制造工艺、电源和信号处理等方面。
IC的工作原理的深入理解对于电子技术的研究和应用具有重要意义。
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铝合金
在纯金属不能满足一些重要的电学参数、达不到可靠 度的情况下，IC金属化工艺中采用合金。
硅铝、铝铜、铝硅铜等合金已用于减小峰值、增大电 子迁移率、增强扩散屏蔽，改进附着特性等。或用于 形成特定的肖特基势垒。例如,稍微在Al中多加1wt% 的Si即可使Al导线上的缺陷减至最少，而在Al中加入 少量Cu，则可使电子迁移率提高101000倍；
固体材料分为两类：晶体和非晶体。从外观 看晶体有一定的几何外形，非晶体没有一定 的形状。用来制作集成电路的硅、锗等都是 晶体，而玻璃、橡胶等都是非晶体。
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2.2.2 本征半导体与杂质半导体
本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半 导体晶体。但是，当半导体的温度升高（例如 室温300K）或受到光照等外界因素的影响时， 本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同 的。在外加电场作用下，电子和空穴的运动方 向相反，但由于电子和空穴所带电荷相反，因 而形成的电流是相加的，即顺着电场方向形成 电子和空穴两种漂移电流。
多晶硅的制造技术
多晶硅层可用溅射法，蒸发或CVD法(一种外延生长 技术）沉淀。
多晶硅可用扩散法、注入法掺杂，也可在沉淀多晶 硅的同时通入杂质气体（In-Situ法）来掺杂。
扩散法形成的杂质浓度很高（>=1021cm-3），故电阻率 很小。
注入法的杂质浓度为 1020cm-3，电阻率约是它的10倍。 而In-Situ法的浓度为1020---1021cm-3。 三种掺杂工艺中，后两种由于可在较低的工艺温度下进行
铝，铬，钛，钼，铊，钨等纯金属和合金薄层 在VLSI制造中起着重要作用。这是由于这些金 属及合金有着独特的属性。如对Si及绝缘材料 有良好的附着力，高导电率，可塑性，容易制 造，并容易与外部连线相连。
纯金属薄层用于制作与工作区的连线，器件间 的互联线，栅及电容、电感、传输线的电极等。
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杂质半导体
根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体可以 分为N型半导体和P型半导体。
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P型半导体
掺入少量的3价元素，如硼、铝或铟，有3个 价电子，形成共价键时，缺少1个电子，产 生1个空位。
高的几层用于提高密度及方便自动化布线。
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0.35um CMOS工艺的多层互联线
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IC设计与金属布线
多数情况下，IC特别是VLSI版图设计者的 基本任务是完成金属布线。因为基本器件其 它各层的版图通常已经事先做好，存放在元 件库中。门阵列电路中，单元电路内的布线 也已经完成。
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两层与多层金属布线
VLSI至少采用两层金属布线。第一层金属主要 用于器件各个极的接触点及器件间的部分连线， 这层金属通常较薄，较窄，间距较小。第二层 主要用于器件间及器件与焊盘间的互联，并形 成传输线。寄生电容大部分由两层金属及其间 的隔离层形成。 多数VLSI工艺中使用3层以上的金属。最上面 一层通常用于供电及形成牢固的接地。其它较
空穴为多数载流子，电子为少数载流子。
3价杂质的原子很容易接受价电子，称为 “受主杂质”。
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N型半导体
掺入少量的5价元素，如磷、砷或锑，有5个 价电子，形成共价键时，多余1个电子。
电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
在半导体内产生多余的电子，称为“施主杂 质”。
基于硅的多种工艺技术： 双极型晶体管（BJT） 结型场效应管（J-FET） P型、N型MOS场效应管 双极 CMOS（BiCMOS）
价格低廉，占领了90％的 IC市场
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2.1.2 砷化镓 (GaAs)
能工作在超高速超高频，其原因在于这些材 料具有更高的载流子迁移率，和近乎半绝缘 的电阻率
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2.1.5 金属材料
金属材料有三个功能：
1. 形成器件本身的接触线
2. 形成器件间的互连线
3. 形成焊盘
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半导体表面制作了金属层后，根据金属的种 类及半导体掺杂浓度的不同，可形成
肖特基型接触或欧姆接触
通过金属之间或与Si的互相掺杂可以增强热稳定性。
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铜(Cu)
因 为 铜 的 电 阻 率 为 1 . 7 cm, 比 铝 3 . 1 cm的电阻率低, 今后,以铜代铝将成为 半导体技术发展的趋势.
IBM公司最早推出铜布线的CMOS工艺, 实现 了400MHz Power PC芯片.
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半导体材料在集成电路的制造中起着根本性 的作用 掺入杂质可改变电导率/热敏效应/光电效应 表2.2 半导体材料的重要物理特性 硅，砷化镓和磷化铟是最基本的三种半导体 材料
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2.1.1 硅 (Si)
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半导体材料系统
半导体材料系统是指不同质（异质）的几 种半导体(GaAs与AlGaAs, InP与InGaAs和Si 与SiGe等)组成的层结构。
应用 : 制作异质结双极性晶体管HBT。 制作高电子迁移率晶体管HEMT。 制作高性能的LED及LD。
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铝（Al）
在Si基VLSI技术中，由于Al几乎可满足金 属连接的所有要求，被广泛用于制作欧姆 接触及导线。
随着器件尺寸的日益减小，金属化区域的 宽度也越来越小，故连线电阻越来越高， 其RC常数是限制电路速度的重要因素。
要减小连线电阻，采用低电阻率的金属或 合金是一个值得优先考虑的方法。
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半导体/绝缘体材料系统
半导体/绝缘体材料系统是半导体与绝缘体相 结合的材料系统。其典型代表是绝缘体上硅 (SOI: Silicon On Insulator)。
注入氧隔离（SIMOX）和晶片粘接两种SOI 制造技术（P.21）
SOI: 由于在器件的有源层和衬底之间的隔离 层厚，电极与衬底之间的寄生电容大大的减 少。器件的速度更快，功率更低。
如果掺杂浓度较低，金属和半导体结合面形成肖 特基型接触，构成肖特基二极管。
如果掺杂浓度足够高，以致于隧道效应可以抵消 势垒的影响，那么就形成了欧姆接触(双向低欧 姆电阻值)。
器件互连材料包括
金属，合金，多晶硅，金属硅化物
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IC制造用金属材料
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2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识
2.3 PN结与结型二极管
2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理
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2.2.1 半导体的晶体结构
通过不同杂质的组合，多晶硅的电阻率可被控 制在500—0.005 ·cm 多晶硅被广泛用于电子工业。在MOS及双极器件中， 多晶硅用制作栅极、形成源极与漏极（或双极器件 的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结 的扩散源、高值电阻等（例）。
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覆盖了玻璃光纤的最小色散（1.3um）和最小衰 减（1.55um）的两个窗口
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2.1.4 绝缘材料
SiO2 、SiON和Si3N4是 IC 系统中常用的几种 绝缘材料 功能包括： 充当离子注入及热扩散的掩膜 器件表面的钝化层 电隔离
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2.1 了解集成电路材料
表2.1 集成电路制造所应用到的材料分类
分类
材料
电导率
导 体 铝、金、钨、铜等
105 S·cm-1
半 导 体 硅、锗、砷化镓、磷 化铟等
10-9~10-2 S·cm-1
绝 缘 体 SiO2、SiON、Si3N4等
10-22~10-14 S·cm-1
对于电路设计者而言，布线的技巧包含合 理使用金属层，减少寄生电容或在可能的情 况下合理利用寄生电容等。
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2.1.6 多晶硅
多晶硅与单晶硅都是硅原子的集合体。 多晶硅特性随结晶度与杂质原子而改变。
非掺杂的多晶硅薄层实质上是半绝缘的，电阻 率为300 ·cm 。