半导体材料
什么叫半导体材料有哪些
什么叫半导体材料有哪些半导体材料是一类具有介于导体和绝缘体之间的电学性质的材料。
它们在电力分配、发光二极管（LED）等领域中发挥着重要作用。
半导体在当今的数字电子设备和信息技术领域中扮演了关键角色。
半导体材料的分类1.硅(Si)：硅是最常用的半导体材料之一，广泛应用于电子器件制造。
其原子结构稳定，制备成本相对较低，且具有良好的半导体性能。
2.锗(Ge)：锗也是一种常见的半导体材料，通常在高温下运行，用于特定领域的应用，如红外检测。
3.砷化镓(GaAs)：砷化镓属于III-V族化合物半导体，具有较高的电子迁移率和较高的截止频率，适用于射频和微波器件。
4.氮化镓(GaN)：氮化镓是一种宽禁带半导体，用于制造高功率、高频率的微波和光电子器件。
5.磷化铟(InP)：磷化铟是一种重要的III-V族化合物半导体材料，适用于光电子器件制造。
6.硒化锌(ZnSe)：硒化锌是一种II-VI族化合物半导体，用于制造光学器件和蓝光LED。
半导体材料的特性半导体材料具有以下特性：1.导电性可控：通过掺杂和半导体材料的特殊结构，可以调控其导电性质，从而制造出各种类型的电子器件。
2.光电性能：部分半导体材料具有光电转换特性，可用于制造太阳能电池、LED等光电子器件。
3.带隙：半导体材料具有一定大小的能带隙，使其在特定条件下能够导电，但又不会像金属那样导电性过高。
4.热稳定性：部分半导体材料在高温下能够保持稳定性，适用于高温环境下的应用。
总的来说，半导体材料在现代电子行业中具有重要的地位，而不同种类的半导体材料具有不同的特性和应用范围。
通过不断地研究和创新，半导体材料的性能和应用领域将会不断扩大和深化。
常见的半导体材料有哪些
常见的半导体材料有哪些
半导体材料是一类具有特殊电学性质的材料，它们在电子学和光电子学领域有
着广泛的应用。
常见的半导体材料包括硅、锗、氮化镓、氮化铝等。
接下来，我们将对这些常见的半导体材料进行介绍。
首先，硅是目前应用最广泛的半导体材料之一。
硅具有较好的半导体特性和化
学稳定性，因此被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
硅材料可以通过掺杂来改变其导电性能，从而实现不同的电子器件功能。
其次，锗是另一种常见的半导体材料。
与硅相比，锗的导电性能更好，因此在
一些特定的电子器件中有着重要的应用。
锗材料也可以通过掺杂来调节其电学性能，使其适用于不同的应用场景。
此外，氮化镓是一种在光电子器件中应用广泛的半导体材料。
氮化镓具有较大
的带隙能隙，因此在制备激光器、LED等光电子器件时有着独特的优势。
氮化镓
材料的发展推动了固态照明和显示技术的进步。
最后，氮化铝也是一种重要的半导体材料。
氮化铝具有较大的带隙能隙和优异
的热稳定性，因此在高温、高频电子器件中有着重要的应用。
氮化铝材料的发展推动了射频电子器件和功率器件的进步。
总的来说，常见的半导体材料包括硅、锗、氮化镓和氮化铝，它们在电子学和
光电子学领域有着广泛的应用。
这些半导体材料的不同特性使它们适用于不同的电子器件，并推动了电子科技的不断发展和进步。
希望通过本文的介绍，读者能对常见的半导体材料有所了解，并对其应用领域有更深入的认识。
半导体材料有哪些
半导体材料有哪些半导体材料按应用环节划分，可分为前端晶圆制造材料和后端封装材料两大类。
主要的晶圆制造材料包括：硅片、电子特气、光刻胶及配套试剂、湿电子化学品、抛光材料、靶材、光掩膜版等；主要的封装材料包括：引线框架、封装基板、陶瓷材料、键合金丝、切割材料等。
根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为35%；电子气体排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比6%；光刻胶配套材料占比8% ；湿电子化学品占比7%；CMP抛光材料占比6%；靶材占比2%。
封装材料中，封装基板占比最高，为48%；引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6 名，占比分别为15%、15%、10%、6%和3%。
1 半导体硅片：根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。
单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。
抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。
按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2 英寸）、75mm（3 英寸）、100mm（4 英寸）、125mm（5 英寸）、150mm（6 英寸）、200mm（8 英寸）与300mm （12 英寸）等规格。
目前全球半导体硅片以12英寸为主，2020 年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。
根据头豹研究院数据，12英寸对应3-90nm制程，产品包括手机SoC、CPU、GPU、存储、通信、FPGA、MCU、WiFi/蓝牙等；8英寸对应90nm-0.25μm制程，产品包括汽车MCU、射频、指纹识别、电源管理、功率、LED驱动等；6 英寸对应0.35μm -1.2μm制程，产品包括MOSFET、IGBT、MEMS等。
（1）半导体硅片竞争格局2020年，全球前五大半导体硅片企业信越化学、SUMCO、Siltronic、环球晶圆、SKSiltron合计销售额109.16亿美元，占全球半导体硅片行业销售额比重高达89.45%。
常用半导体材料
常用半导体材料
半导体材料是指介于导体和绝缘体之间的材料，具有导电能力的材料。
常用的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）等。
这些材料在电子器件中有着
广泛的应用。
硅是最常见的半导体材料，广泛应用于集成电路（IC）、太阳能电池、光电器件等领域。
硅具有良好的热稳定性、机械强度和可加工性，制备工艺成熟，成本相对较低，是目前集成电路工业所采用的主要材料。
锗是一种重要的半导体材料，具有较高的载流子迁移率和较小的禁带宽度，适用于高速电子器件的制备。
锗晶体的熔点较低，可以直接生长单晶，用于制备高频收发器、微波器件等。
氮化镓是一种宽禁带半导体材料，主要用于制作高亮度发光二极管（LED）和激光器。
氮化镓具有较大的能带隙，能够发射出可见光甚至紫外光，具有优异的光电性能和较长的寿命。
砷化镓是一种III-V族半导体材料，具有优异的电子和光电性能，适用于高速电子器件、光电器件等领域。
砷化镓的电子迁移率较高，适用于高频器件的制备，而其能带结构可以制作高效的太阳能电池。
除了以上几种常用的半导体材料，还有许多其他材料也具有半导体性质，如砷化磷（GaP）、碲化锌（ZnTe）、硒化镉（CdSe）等。
这些半导体材料在不同的应用领域具有独特的
优势，被广泛应用于电子、光电、信息、能源等高科技领域。
总之，半导体材料是现代科技领域中不可缺少的重要材料，对于电子器件的发展和应用起着关键作用。
随着科技的进步，新的半导体材料也将不断涌现，进一步推动各个领域的发展。
半导体材料的概念
半导体材料的概念半导体是指具有半导体特性的材料，它们在导电性能上介于导体和绝缘体之间。
半导体材料在电子、通信、能源、医疗等领域有着广泛的应用。
本文将介绍半导体材料的几种主要类型，包括元素半导体、化合物半导体、非晶半导体、有机半导体、金属间化合物、氧化物半导体以及合金与固溶体。
1.元素半导体元素半导体是指只由一种元素组成的半导体材料，如硅、锗等。
其中，硅是最常用和最重要的元素半导体之一，它具有高导电性能、高热导率以及稳定的化学性质，因此在微电子、太阳能电池等领域得到广泛应用。
2.化合物半导体化合物半导体是指由两种或两种以上元素组成的半导体材料，如GaAs、InP等。
这些化合物半导体具有较高的电子迁移率和特殊的能带结构，因此在高速电子器件、光电子器件等领域具有广泛的应用前景。
3.非晶半导体非晶半导体是指没有晶体结构的半导体材料，它们通常由化学气相沉积、物理气相沉积等方法制备。
非晶半导体具有较低的晶格缺陷和较高的电子迁移率，因此在太阳能电池、电子器件等领域得到广泛应用。
4.有机半导体有机半导体是指由有机分子组成的半导体材料，如聚合物的分子晶体、共轭分子等。
有机半导体具有较低的制造成本、较高的柔性和可加工性，因此在柔性电子器件、印刷电子等领域具有广阔的应用前景。
5.金属间化合物金属间化合物是指由两种或两种以上金属元素组成的化合物，如Mg3N2、TiS2等。
这些金属间化合物具有特殊的物理和化学性质，因此在电子器件、催化剂等领域具有潜在的应用价值。
6.氧化物半导体氧化物半导体是指由金属元素和非金属元素组成的氧化物，如ZnO、SnO2等。
这些氧化物半导体具有较高的电子迁移率和稳定性，因此在太阳能电池、电子器件等领域得到广泛应用。
7.合金与固溶体合金与固溶体是指由两种或两种以上的金属或非金属元素组成的混合物，如Ag-Cu合金、Zn-S固溶体等。
这些合金与固溶体具有特殊的物理和化学性质，因此在电子器件、催化剂等领域具有潜在的应用价值。
半导体材料是什么
半导体材料是什么半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有导电性能介于金属和非金属之间。
在半导体材料中，电子的导电能力介于导体和绝缘体之间，这使得半导体材料在电子学领域具有重要的应用价值。
半导体材料的研究和应用已经成为现代电子科学和技术领域的重要组成部分。
半导体材料的特性。
半导体材料具有许多独特的特性，这些特性使得它在电子器件中具有广泛的应用。
首先，半导体材料的电导率随温度的变化而变化，当温度升高时，电导率会增加，这使得半导体器件在不同温度下能够保持稳定的性能。
其次，半导体材料的导电性能可以通过掺杂来改变，通过掺入不同的杂质，可以改变半导体材料的导电性能，从而实现对电子器件性能的调控。
此外，半导体材料还具有较高的电阻率和较低的热导率，这使得它在微电子器件中能够实现微小尺寸和高集成度。
半导体材料的种类。
常见的半导体材料主要包括硅、锗、砷化镓、碳化硅等。
其中，硅是目前应用最为广泛的半导体材料，它具有丰富的资源、成本低廉、加工工艺成熟等优点，因此被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
锗是一种重要的半导体材料，它在红外探测器、激光器等领域具有重要应用价值。
砷化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，具有较高的电子迁移率和较高的饱和漂移速度，因此在微波器件、光电器件等领域有着重要的应用。
碳化硅是一种新型的半导体材料，具有较高的电子饱和漂移速度和较高的击穿电场强度，因此在高频功率器件、功率电子器件等领域具有广泛的应用前景。
半导体材料的应用。
半导体材料在电子器件中具有广泛的应用，例如，集成电路是半导体材料的重要应用领域之一，它通过在半导体材料上制备电子器件，实现了电路功能的高度集成和微小化。
此外，半导体材料还被广泛应用于太阳能电池、光电器件、激光器、发光二极管等领域，这些应用使得半导体材料在现代电子科学和技术中发挥着重要的作用。
总结。
半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有独特的电导特性，可以通过掺杂实现对电子器件性能的调控。
半导体材料定义
半导体材料定义
半导体材料是指在温度介于绝对零度和金属化温度之间时，逆转密度
从绝缘体增加至与金属相当，且具有良好电导率和半导体特性的材料。
这类材料可以分为两类：本质半导体和杂质半导体。
本质半导体指纯净的半导体材料，其中掺杂原子只有单一种类，如硅（Si）和锗（Ge）等材料。
这些材料在纯净的情况下，没有自由电子
或空穴存在，因此位于能带的中间，其电导率比金属和导体低，比绝
缘体高。
杂质半导体则是在本质半导体中掺入极少量的杂质原子，如磷（P）、硼（B）等，从而改变了能带结构和电流的传导方式。
这种杂质掺入的过程叫做“掺杂”，掺杂后的材料称为“掺杂半导体”，其中“施主
离子”和“受主离子”分别被用来描述杂质掺杂的两种情况。
施主离
子指掺入杂质后形成“自由电子”，受主离子则是指形成了“空穴”。
半导体材料具有较高的导热率和热扩散性能，使其在高温、高压下依
然能够保持良好的电性能，而且对电压、电流、光等各种信号的响应
速度都比较快，因此广泛应用于半导体器件、光电子器件、光伏、光
催化等方面，是现代电子技术和信息技术的基础材料之一。
总之，半导体材料是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的电性能，被广泛应用于电子、信息、光电领域，是现代科技发展进步的重要推动力。
半导体材料是什么
半导体材料是什么半导体材料是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的导电性质。
在它的基础上，可以制造出各种电子元器件，如晶体管、二极管和集成电路，广泛应用于现代电子技术领域。
本文将对半导体材料进行详细介绍。
半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为它的能带结构与导带和价带之间的带隙相对较小。
在绝缘体中，带隙较大，导电能力很弱，而在导体中，带隙几乎不存在，所以导电能力很强。
半导体材料的导电能力可以通过控制材料成分、杂质掺入和温度等因素来调节。
半导体材料的导电性质是由其原子结构和能带结构决定的。
在半导体材料中，每个原子都有四个价电子，这四个价电子可以与相邻原子共享，形成共价键。
共价键的形成使得半导体材料中的原子形成一个有序的三维晶格结构。
在这个结构中，能带被划分为价带和导带两个部分。
价带是最高能级的带，它的电子是不自由移动的。
导带是比价带能级更高的带，它的电子可以自由移动，并且可以传递电流。
半导体材料的导电能力与其带隙的大小有关。
带隙是价带和导带之间的能量差，当带隙较小时，电子可以通过吸收辐射或热激发等方式从价带跃迁到导带，形成导电。
这种导电方式被称为本征导电。
而当带隙较大时，电子很难从价带跃迁到导带，因此导电能力很弱。
半导体材料的导电性还可以通过掺杂来调节。
掺杂是在半导体材料中加入一些掺杂原子，这些原子与半导体原子有不同的电子和空穴能级，从而改变材料的导电性质。
根据掺杂原子的电子能级，掺杂可以分为n型和p型。
n型半导体是通过掺入能够提供自由电子的杂质原子，导致导带电子浓度增加，从而增加了导电性。
p型半导体是通过掺入能够接受电子的杂质原子，导致价带空穴浓度增加，从而增加了导电性。
半导体材料在现代电子技术中有着广泛的应用。
晶体管是半导体技术最重要的应用之一，它是一种能够控制电流的电子元器件。
通过控制晶体管的电子流，可以实现放大信号、开关电路和数字逻辑运算等功能。
集成电路是将数亿个晶体管和其他电子元器件集成在一起制成一个芯片，广泛应用于计算机、手机、电视等各个领域。
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摘要本文重点对半导体硅材料，GaAs和InP单晶材料，半导体超晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料，宽带隙半导体材料，光子晶体材料，量子比特构建与材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。
最后，提出了发展我国半导体材料的建议。
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体1半导体材料的战略地位上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。
超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。
纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势1硅材料从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si发展的总趋势。
目前直径为8英寸的Si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸硅片的集成电路技术正处在由实验室向工业生产转变中。
目前300mm，0.18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm，0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。
18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。
从进一步提高硅IC‘S的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。
另外，SOI材料，包括智能剥离和SIMOX材料等也发展很快。
目前，直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。
理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。
这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。
尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料，低K介电互连材料，用Cu代替Al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。
为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料，非凡是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。
2GaAs和InP单晶材料GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，非凡在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
目前，世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法和水平方法生长的2－3英寸的导电GaAs衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径的SI－GaAs发展很快。
美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的SI－GaAs集成电路生产线。
InP具有比GaAs更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。
GaAs和InP单晶的发展趋势是：。
增大晶体直径，目前4英寸的SI－GaAs已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI－GaAs也将投入工业应用。
提高材料的电学和光学微区均匀性。
降低单晶的缺陷密度，非凡是位错。
GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。
3半导体超晶格、量子阱材料半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术的新一代人工构造材料。
它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。
Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。
GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP ／InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。
高电子迁移率晶体管，赝配高电子迁移率晶体管器件最好水平已达fmax=600GHz，输出功率58mW，功率增益4db；双异质结双极晶体管的最高频率fmax也已高达500GHz，HEMT逻辑电路研制也发展很快。
基于上述材料体系的光通信用3μm和5μm的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。
目前，研制高质量的5μm分布反馈激光器和电吸收调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了80×40Gbps传输40km的实验。
另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。
虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件，但由于其有源区极薄端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。
采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。
我国早在1999年，就研制成功980nmInGaAs带间量子级联激光器，输出功率达5W以上；2000年初，法国汤姆逊公司又道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。
最近，我国的科研工又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。
为克服PN结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。
自从1994年InGaAs／InAIAs／InP量子级联激光器发明以来，Bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，QCLs在向大功率、高暖和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。
2001年瑞士Neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1μm的QCLs的工作温度高达312K，连续输出功率3mW.量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段，并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。
中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120K5μm和250K8μm的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功7μm室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。
目前，Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的MBE和M0CVD设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达75×104片4英寸或5×104片6英寸。
英国卡迪夫的MOCVD中心，法国的PicogigaMBE基地，美国的QED公司，Motorola公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有这种外延材料出售。
生产型MBE和MOCVD设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。
硅基应变异质结构材料。
硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。
但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。
虽经多年研究，但进展缓慢。
人们目前正致力于探索硅基纳米材料，硅基SiGeC体系的Si1－yCy/Si1－xGex低维结构，Ge／Si量子点和量子点超晶格材料，Si／SiC量子点材料，GaN／BP／Si以及GaN／Si材料。
最近，在GaN／Si 上成功地研制出LED发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的道，使人们看到了一线希望。
另一方面，GeSi／Si应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。
Si/GeSiMODFET和MOSFET的最高截止频率已达200GHz，HBT最高振荡频率为160GHz，噪音在10GHz下为0.9db，其性能可与GaAs器件相媲美。
尽管GaAs／Si和InP／Si是实现光电子集成理想的材料体系，但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效，防碍着它的使用化。
最近，Motolora等公司宣称，他们在12英寸的硅衬底上，用钛酸锶作协变层，成功的生长了器件级的GaAs外延薄膜，取得了突破性的进展。
4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料基于量子尺寸效应、量子干涉效应，量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造的新型半导体材料，是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。
它的发展与应用，极有可能触发新的技术革命。
目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上，如GaAlAs／GaAs，InAs／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，InAs／InAlAs／InP，InGaAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。
俄罗斯约飞技术物理所MBE小组，柏林的俄德联合研制小组和中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组等研制成功的InAs／GaAs高功率量子点激光器，工作波长lμm左右，单管室温连续输出功率高达6～4W.非凡应当指出的是我国上述的MBE小组，2001年通过在高功率量子点激光器的有源区材料结构中引入应力缓解层，抑制了缺陷和位错的产生，提高了量子点激光器的工作寿命，室温下连续输出功率为1W时工作寿命超过5000小时，这是大功率激光器的一个关键参数，至今未见国外道。
在单电子晶体管和单电子存贮器及其电路的研制方面也获得了重大进展，1994年日本NTT 就研制成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管，并在150K观察到栅控源－漏电流振荡；1997年美国又道了可在室温工作的单电子开关器件，1998年Yauo等人采用0.25微米工艺技术实现了128Mb的单电子存贮器原型样机的制造，这是在单电子器件在高密度存贮电路的应用方面迈出的关键一步。
目前，基于量子点的自适应网络计算机，单光子源和应用于量子计算的量子比特的构建等方面的研究也正在进行中。
与半导体超晶格和量子点结构的生长制备相比，高度有序的半导体量子线的制备技术难度较大。