传感器实验指南
温度传感器实验ppt课件

2.1 温度检测的概述 2.2 热电阻测温传感器 2.3 热电偶温度传感器 2.4 集成温度传感器 2.5 温度传感器的工程设计实例
第一节 温度测量的基本概念
一、温度测量 的基本概念
温度标志着物 质内部大量分子无 规则运动的剧烈程 度。温度越高,表买的VIP时长期间,下载特权不清零。
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敏感材料及测温原理 金属电阻的阻值大小与导体的长度
成正比,与导体的横截面积成反比,即
式中:R——导体的电阻; ρ——导体的电阻率; l——导体的长度; S——导体的截面积。
2021/8/25
改变温度t,金属导体的电阻率ρ与之大致成正比,即:
ρ=ρ0(1+αt)
式中,ρ0为0℃时导体的电阻率,α为电阻温度系数。
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实验6电涡流式传感器静态标定实验...

前言金属箔式应变片实验1金属箔式应变片:直流单臂、半桥、全桥比较实验2金属箔式应变片:交流全桥附:信号获取电路及电阻应变仪差动变压器式电感传感器实验3差动变压器性能测试实验4差动变压器零点残余电压的补偿实验5差动变压器的标定及应用应用例(1)、(2)电涡流式传感器实验6电涡流式传感器的静态标定实验7被测体材料对电涡流传感器特性影响霍尔式传感器实验8霍尔传感器的直流激励特性实验9霍尔传感器的交流激励特性压电式传感器实验10压电传感器的动态响应实验实验11压电传感器引线电容对电压放大器的影响、电荷发大器电容式传感器实验12差动变面积电容式传感器的静态及动态特性光电式传感器实验13 光纤位移传感器的静态测量实验14 光纤位移传感器的动态测量一实验15 光纤位移传感器的动态测量二半导体式传感器实验16扩散硅压阻式压力传感器实验实验17PN结温度传感器测温实验实验18热敏电阻演示实验实验19 气敏传感器实验实验20湿敏传感器实验综合性传感器应用实验实验21光敏电阻应用实验实验22光电传感器应用实验实验23集成霍尔传感器应用实验实验24气敏传感器应用实验传感器原理与应用试验指南前言《传感器实验指导》是针对测量与控制专业、电子仪器专业、应用电子技术专业、自动控制专业、机械自动化、机电工程、计算机技术应用与信息通信技术类等专业开设的“传感器检测技术”、“传感器原理及工程应用”等课程编写的一本实验教材。
为加强对学生实践能力的培养,使同学更好的理解实验原理,了解实验内容,并对实验过程和结果有所思考,本教材对传感器的基本工作原理进行了简要概述,并详细给出实验主要内容及要求和步骤。
实验不涉及太多的先进测量技术,而是着眼于理解最基本的测量原理,通过学习使学生建立扎实的学科基础。
为培养学生的独立思考和工作能力。
大部分实验中要求实验者拟定实际使用方案,有思考题让同学讨论。
实验教材的实验一至实验十七是针对浙江大学设计研制的CSY--传感器系统实验仪编写,仪器配用一台双踪示波器可以进行多项实验内容;实验十八至实验二十一是作者自行设计的综合性应用实验,实验中给定器件后同学可以根据实验要求自己动手设计、安装、调试,是一种实践性、综合性较强的实验方式。
传感器实验指导书2023

传感器实验指导书
一、实验目的
本实验旨在帮助学生了解和掌握各种传感器的原理及应用,通过实际操作加深对传感器技术的理解,提高实践能力和创新思维。
二、实验器材
电阻式传感器
电容式传感器
电感式传感器
压电式传感器
磁电式传感器
热电式传感器
光电式传感器
光纤传感器
化学传感器
生物传感器
三、实验步骤与操作方法
电阻式传感器实验:
(1)将电阻式传感器接入电路,测量其阻值;
(2)改变被测物体的电阻值,观察电路中电压或电流的变化;
(3)记录实验数据,分析电阻式传感器的输出特性。
电容式传感器实验:
(1)将电容式传感器接入电路,测量其电容值;
(2)改变被测物体的介电常数,观察电路中电压或电流的变化;
(3)记录实验数据,分析电容式传感器的输出特性。
电感式传感器实验:
(1)将电感式传感器接入电路,测量其电感值;
(2)改变被测物体的磁导率,观察电路中电压或电流的变化;
(3)记录实验数据,分析电感式传感器的输出特性。
压电式传感器实验:
(1)将压电式传感器接入电路,测量其输出电压;(2)施加压力或振动,观察电路中电压的变化;(3)记录实验数据,分析压电式传感器的输出特性。
磁电式传感器实验:
(1)将磁电式传感器接入电路,测量其输出电压;(2)改变磁场强度,观察电路中电压的变化;
(3)记录实验数据,分析磁电式传感器的输出特性。
YL-9XX传感器实验仪实验(二)

可见,本实验测出的实际上是磁场情况,磁场分布为梯度磁场,位移测量的线性度,灵敏度与磁场分布有很大关系。
6、实验完毕后关闭主、副电源,各旋钮置初始位置。
注意事项:1、由于磁路系统的气隙较大,应使霍尔片尽量靠近极靴,以提高灵敏度。
2、一旦调整好后,测量过程中不能移动磁路系统。
3、激励电压不能超过2V,以免损坏霍尔片。
实验二十四霍尔式传感器的应用——电子秤之四一、实验目的:了解霍尔式传感器在静态测量中的应用。
二、需用器件与单元:霍尔片、磁路系统、差动放大器、直流稳压电源、电桥、砝码、F/V表(电压表)、主、副电源、振动平台。
三、旋钮初始位置:直流稳压电源置±2V档,F/V表置2V档,主、副电源关闭。
四、实验步骤:1、开启主、副电源,将差动放大器调零,关闭主、副电源。
2、调节测微头脱离平台并远离振动台。
3、按图23接线,开启主、副电源,将系统调零。
4、差动放大器增益调至最小位置,然后不再改变。
5、在称重平台上放上砝码,填入下表:W(g)V(v)6、在平台上放一个未知重量之物,记下表头读数。
根据实验结果作出V-W曲线,求得未知重量。
注意事项:1、此霍尔传感器的线性范围较小,所以砝码和重物不应太重。
2、砝码应置于平台的中间部分。
实验二十五霍尔式传感器的交流激励特性一、实验目的:了解交流激励霍尔片的特性。
二、所需单元及部件:霍尔片、磁路系统、音频振荡、差动放大器、测微头、电桥、移相器、相敏检波器、低通滤波器、主、副电源、F/V 表、示波器、振动平台。
三、旋钮初始位置:音频振荡器1KH Z ,放大器增益最大,主、副电源关闭。
四、实验步骤:1、开启主、副电源将差放调零,关闭主、副电源。
2、调节测微头脱离振动平台并远离振动台。
按图25接线。
开启主、副电源,将音频振荡器的输出幅度调到5V P-P 值,差动增益值最小。
根据实验七(3)的方法利用示波器和F/V 表(F/V 表置20V 档)。
按照实验十一的方法调整好W 1、W 2及移相器。
CSY-998C 光电实验指南

四、 实验步骤: 1、光照特性:
将图 1-2 中的光敏电阻更换成光敏二极管或三极管,按图 1—2 安装接线(注意接线孔的 颜色相对应),测量光敏二极管的暗电流和亮电流。
(1)暗电流测试: 实验仪电压表为 20V 档,电流表为 20uA 档。合上实验仪主电源开关,将光电实验模板的可调 电压源调到 10V,调节电流源模板电流为 0mA,读取实验仪上电流表(20uA 档)的值即为光敏二极 管的暗电流。暗电流基本为 0uA,一般光敏二极管小于 0.1uA,暗电流越小越好。 (2)光电流测试: 调节电流源模板电流(改变光源电流大小),读取实验仪上电流表显示的光电流值,如表 2 -1 填入测量数据(光源电流所对应的光照度为已知)。根据表 2-1 数据,画出图 2-2 光敏二极 管工作电压为 10V 时的 I-Lx 曲线。
CSY—998C 光电实验指南
1
CSY-998C 传感器实验仪光电实验
实验一 光敏电阻实验
一、 实验目的: 了解光敏电阻的光照特性和伏安特性及应用。
二、 基本原理: 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这
种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强,器件自身的电阻愈 小。基于这种效应的光电器件称光敏电阻。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强、波长和 外加电压有关。 三、 需用器件与单元:
二、基本原理: 当入射光子在本征半导体的 p-n 结及其附近产生电子—空穴对时,光生载流子受势垒区电作
用,电子漂移到 n 区,空穴漂移到 p 区。电子和空穴分别在 n 区和 p 区积累,两端便产生电动势, 这称为光生伏特效应,简称光伏效应。光敏二极管基于这一原理。如果在外电路中把 p-n 短场接, 就产生反向的短路电流,光照时反向电流会增加,并且光电流和照度基本成线性关系。
物理实验技术中的光纤传感器的安装与调试指南

物理实验技术中的光纤传感器的安装与调试指南光纤传感器是物理实验中广泛应用的一种重要设备,能够实时监测物理量的变化并将其转化为光学信号。
在实验中正确安装和调试光纤传感器是确保实验结果准确可靠的关键步骤。
本文将介绍光纤传感器的安装与调试指南,帮助读者更好地应用光纤传感器进行实验研究。
一、光纤传感器的安装步骤1. 材料准备:在开始安装之前,需要准备好所需的材料和工具,包括光纤传感器、光纤适配器、光纤衰减器、定位架、光源等。
2. 确定安装位置:根据实验需求和测量位置的特点,选择合适的位置安装光纤传感器。
注意避免干扰源的影响,确保传感器能够准确、稳定地工作。
3. 安装光纤适配器:将光纤适配器插入到光纤传感器的接口上,并用螺丝固定。
注意不要弯曲或拉伸光纤,以免影响传感器的灵敏度和精度。
4. 安装定位架:根据实验要求选择合适的定位架,将光纤传感器安装在定位架上,并进行固定。
注意定位架的稳定性和光纤传感器的角度调整,确保传感器与被测物之间的光路畅通。
5. 连接光纤衰减器:根据实验需要,选择合适的光纤衰减器并将其连接到光纤传感器的输出端口上。
光纤衰减器可以调节输出信号的强度,避免光强过强而导致信号失真或系统损坏。
6. 连接光源:将合适的光源与光纤传感器相连,确保光源正常工作并提供足够的光信号。
调整光源的光强度和波长,以满足实验需求。
二、光纤传感器的调试步骤1. 设置传感器的工作模式:根据实验要求,选择合适的传感器工作模式,例如反射式或透射式。
如果传感器支持多种工作模式,需根据实验需求进行调整。
2. 调整光纤传感器的灵敏度:根据被测物的特性和测量要求,调整光纤传感器的灵敏度。
一般来说,灵敏度越高,传感器对被测物的变化越敏感,但也容易受到干扰。
因此,根据实验需要进行合理的灵敏度调节。
3. 校准传感器的零点和量程:在开始实验之前,需要对传感器的零点和量程进行校准。
将传感器置于无信号状态,通过设备提供的校准功能,使传感器输出为零。
CSY-2000D传感器与检测技术实验指南

CSY-2000型传感器与检测技术实验台说明书一、实验台的组成CSY-2000型传感器与检测技术实验台由主机箱、传感器、实验电路(实验模板)、转动源、振动源、温度源、数据采集卡及处理软件、实验桌等组成。
1、主机箱:提供高稳定的±15V、±5V、+5V、±2V~±10V(步进可调)、+2V~+24V (连续可调)直流稳压电源;音频信号源(音频振荡器)1KHz~10KHz(连续可调);低频信号源(低频振荡器)1Hz~30Hz(连续可调);传感器信号调理电路;智能调节仪;计算机通信口;主机箱上装有电压、气压等相关数显表。
其中,直流稳压电源、音频振荡器、低频振荡器都具有过载保护功能,在排除接线错误后重新开机恢复正常工作。
主机箱右侧面装有供电电源插板及漏电保护开关。
2、振动源(动态应变振动梁与振动台):振动频率3Hz~30Hz可调(谐振频率9Hz~12 Hz左右);3、转动源:手动控制0转/分~2400转/分、自动控制300~2200转/分。
4、温度源:常温~200℃。
5、气压源:0~20Kpa(连续可调)。
6、传感器:基本型有箔式应变片(350Ω)传感器(秤重200g)、扩散硅压力传感器(20Kpa)、差动变压器(±4mm)、电容式位移传感器(±2.5mm)、霍尔式位移传感器(±1mm)、霍尔式转速传感器(2400转/分)、磁电转速传感器(250转/分~2400转/分)、压电式传感器、电涡流传感器(1mm)、光纤位移传感器(1mm)、光电转速传感器(2400转/分)、集成温度(AD590)传感器(室温~120℃)、K热电偶(室温~150℃)、E热电偶(室温~150℃)、Pt100铂电阻(室温~150℃)、Cu50铜电阻(室温~100℃)、湿敏传感器(10~95%RH)、气敏传感器(50~2000ppm)等。
增强型:基本型基础上可选配扭矩传感器(25N·m)、超声位移传感器(200~1500mm)、PSD位置传感器(±2mm)、CCD传感器、光栅位移传感器(25mm)、红外热释电传感器、指纹传感器(演示)等。
4实验指南(YL2100)

目录实验一金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 (1)实验二金属箔式应变片——半桥性能实验 (3)实验三金属箔式应变片——全桥性能实验 (4)实验四金属箔式应变片单臂、半桥、全桥性能比较 (5)实验五金属箔式应变片的温度影响实验 (6)实验六直流全桥的应用——电子秤实验 (6)实验七移相器实验 (7)实验八相敏检波器实验 (9)实验九交流全桥的应用——振动测量实验 (10)实验十压阻式压力传感器的压力测量实验 (13)实验十一扩散硅压阻式压力传感器差压测量* (14)实验十二差动变压器的性能实验 (15)实验十三激励频率对差动变压器特性的影响实验 (16)实验十四差动变压器零点残余电压补偿实验 (18)实验十五差动变压器的应用——振动测量实验 (19)实验十六电容式传感器的位移特性实验 (21)实验十七电容传感器动态特性实验 (22)实验十八直流激励时霍尔式传感器的位移特性实验 (23)实验十九交流激励时霍尔式传感器的位移特性实验 (25)实验二十霍尔测速实验* (26)实验二十一磁电式传感器测速实验 (27)实验二十二压电式传感器测量振动实验 (28)实验二十三电涡流传感器位移特性实验 (29)实验二十四被测体材质对电涡流传感器的特性影响实验 (30)实验二十五被测体面积大小对电涡流传感器的特性影响实验 (31)实验二十六电涡流传感器测量振动实验 (31)实验二十七电涡流传感器的应用——电子秤实验 (33)实验二十八电涡流传感器测转速实验* (34)实验二十九光纤传感器的位移特性实验 (34)实验三十光纤传感器测量振动实验 (35)实验三十一光纤传感器测速实验 (36)实验三十二光电转速传感器的转速测量实验 (38)实验三十三 CU50温度传感器的温度特性实验 (39)100热电阻测温特性实验 (40)实验三十四 PT实验三十五热电偶测温性能实验 (42)实验三十六气体流量的测定实验* (43)实验三十七气敏(酒精)传感器实验 (44)实验三十八湿敏传感器实验 (45)实验三十九温度仪表PID控制实验 (45)实验四十外部温度控制实验系统* (47)实验四十一多功能数据采集控制器的使用介绍 (47)实验四十二计算机温度PID控制实验 (50)实验四十三数据采集卡动态链接库调用实验* (52)实验四十四转速PID控制系统 (53)附录一温控仪表操作说明 (55)附录二《微机数据采集系统软件》使用说明 (62)附录三《多功能数据采集系统软件》使用说明 (65)附录四《YL4.1系统软件》使用说明 (67)实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验一、实验目的:了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。
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目录实验一压阻式压力传感器的特性测试实验 (2)实验二电容传感器的位移特性实验 (5)实验三直流激励线性霍尔传感器的位移特性实验 (9)实验四电涡流传感器材料分拣的应用实验 (12)实验五光纤传感器位移测量实验 (14)实验一压阻式压力传感器的特性测试实验一、实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和标定方法。
二、实验内容掌握压力传感器的压力计设计。
三、实验仪器传感器检测技术综合实验台、压力传感器实验模块、压力传感器、导线。
四、实验原理扩散硅压阻式压力传感器的工作机理是半导体应变片的压阻效应,在半导体受到力变形时会暂时改变晶体结构的对称性,因而改变了半导体的导电机理,使得它的电阻率发生变化,这种物理现象称之为半导体的压阻效应。
一般半导体应变采用N型单晶硅为传感器的弹性元件,在它上面直接蒸镀扩散出多个半导体电阻应变薄膜(扩散出敏感栅)组成电桥。
在压力(压强)作用下弹性元件产生应力,半导体电阻应变薄膜的电阻率产生很大变化,引起电阻的变化,经电桥转换成电压输出,则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。
图13-1为压阻式压力传感器压力测量实验原理图。
+-放大单元主台体上电压表+4V 压阻式压力传感器Vo+VS+Vo-Vs-图1-1 压阻式压力传感器压力测量实验原理五、实验注意事项1、严禁将信号源输出对地短接。
2、实验过程中不要带电拔插导线。
3、严禁电源对地短路。
六、实验步骤1、将引压胶管连接到压力传感器上,其他接线按图1-2进行连接,确认连线无误且打开主台体电源、压力传感器实验模块电源。
图1-2 压阻式压力传感器的特性测试实验接线图2、打开气源开关,调节流量计的流量并观察压力表,压力上升到4Kpa左右时,根据计算所选择的第二级电路的反馈电阻值,接好相应的短接帽;再调节调零电位器RW2,使得图1-3中Vx与计算所得的值相符;再调节增益电位器RW1,使电压表显示为0.4V左右。
(进行此步之前,请先仔细阅读:七、实验报告要求)3、再仔细地反复调节流量使压力上升到18KPa左右时,根据计算,电压表将显示1.8V 左右。
4、重复步骤2和3过程,直到认为已足够精度时调节流量计使压力在4~18KPa之间,每上升1Kpa气压分别读取电压表读数,将数值列于表3。
表35、画出实验曲线。
6、实验完毕,关闭所有电源,拆除导线并放置好。
七、实验报告要求1、要求:当压力为4Kpa时,使得差分放大单元的电压输出为0.4V;当压力为18Kpa时,使得差分放大单元的输出为1.8V 。
图1-3 压力传感器测试电路2、当压力为4Kpa 时,测得压力传感器的输出电压Vout 与GND 间的电压Va ;当压力为18Kpa 时,测得压力传感器的输出电压V out 与GND 间的电压Vb ;然后根据图1-3列式进行计算,在第二级放大电路的反馈电阻(10K 、20K 、51K 、100K )中,用跳线帽选择一个合适的反馈电阻。
再根据所选择的反馈电阻,确定V1和Vx 的值,便于实验。
具体计算公式如下:当压力为4Kpa 时:10.2240.2V x Va x+⋅=-+ 10.410V Vx Vx R--=当压力为18Kpa 时:'10.2240.2V x Vb x +⋅=-+ '1 1.810V Vx Vx R--= 其中:V1、V1’分别为4Kpa 和18Kpa 时三运放的输出电压,Vx 为调零电位器RW2端的电压;x 为RW1所需调到的阻值,R 为第二级放大电路的反馈电阻。
3、计算完后,先根据所选择的第二级放大电路的反馈电阻值,接好短接帽,然后再根据计算的电压值V1和Vx 分别调节调节电位器RW1和RW2。
实验二电容传感器的位移特性实验一、实验目的了解电容传感器结构及特点。
二、实验内容掌握电容传感器的基本应用。
三、实验仪器传感器检测技术综合实验台、电容传感器实验模块、电容传感器、振动源实验模块、示波器、导线。
四、实验原理1、电容传感器是以各种类型的电容为传感元件,将被测物理量转换成电量的变化来实现测量的。
电容传感器的输出是电容的变化量。
利用电容C=εA/d的关系式通过相应的结构和测量电路可以选择ε、A、d。
三个参数中,保持二个参数不变,只改变其中一个参数,则可以有测干燥度(ε变)、测位移(d变)和测液位(A变)等多种电容传感器。
电容传感器极板形状分成平板、圆板形和圆柱形,虽然还有球面形和锯齿形等其它的形状,但一般很少用。
本实验采用的传感器为圆筒式变面积差动结构的电容式位移传感器。
差动式一般优于单组(单边)式的传感器,它灵敏度高、线性范围宽、稳定性高。
如图18-1所示:它是由二个圆筒和一个圆柱组成的。
设圆筒的半径为R,圆柱的半径为r,圆柱的长为x,则电容量为C=ε2πx/ln(R/r)。
图中C1、C2是差动连接,当图中的圆柱产生Δx位移时,电容量的变化量为ΔC=C1-C2=ε2π2Δx/ln(R/r),式中ε2π、ln(R/r)为常数,说明Δc与Δx位移成正比,再配上配套的测量电路就能测量位移。
图18-1 实验电容传感器结构2、测量电路(电容变换器):如图18-2所示,测量电路的核心部分是图18-3的电路。
图18-2 电容测量电路图18-3 二极管环形充放电电路在图18-3中,环形充放电电路由D3、D4、D5、D6二极管、C5电容、L1电感和Cx1、Cx2实验差动电容位移传感器组成。
当高频激励电压(f>100KHz)输入到a点,由低电平E1跃到高电平E2时,电容Cx1和Cx2两端电压均由E1充到E2。
充电电荷一路由a点经过D3到b点,再对Cx1充电到O点(地);另一路由由a点经过C5到c 点,再经D5到d点,再经Cx2充电到O点。
此时,D4和D6由于反偏置而截止。
在t1充电时间内,由a到c点的电荷量为:Q1=Cx2(E2-E1) (18-1)当高频激励电压由高电平E2返回到低电平E1时,电容Cx1 和Cx2均放电。
Cx1经过b点、D4、c点、C5、a点、L1放电到O 点;Cx2经过d点、D6、L1放电到O点。
在t2放电时间内由c到a点的电荷量为:Q2=Cx1(E2-E1) (18-2)当然,(18-1)式和(18-2)式是在C5电容值远远大于传感器的Cx1和Cx2电容值的前提下得到的结果。
电容C5的充放电回路由图18-3中实线、虚线箭头所示。
在一个充放电周期内(T=t1+t2),由c点到a点的电荷量为:Q=Q2-Q1=(Cx1-Cx2)(E2-E1)=ΔCxΔE (18-3) 式中;Cx1与Cx2的变化趋势是相反的(由传感器的结构决定的,是差动式)。
设激励电压频率f=1/T,则流过ac支路输出的平均电流i为:I=fQ=fΔCxΔE (18-4)五、实验注意事项1、严禁将信号源输出对地短接。
2、实验过程中不要带电拔插导线。
3、严禁电源对地短路。
六、实验步骤1、按图18-4示意图接线:电容传感器实验模块电源单元接主台体上的±15V电源;将脉冲调制单元的Fout与电容测量放大单元的Fin相接;将电容传感器安装在电容传感器实验模块的电容测量放大单元上,即将传感器引线插头插入实验模板的插座中,电容传感器黄色和红色引线分别接电容模块J1和J2,蓝色引线接插孔GND;将电容测量放大单元的Vout与GND 接主台体上的电压表的“+”和“-”极,将电压表选择置于“20V”档。
图18-4 电容传感器的接线示意图2、打开主台体电源开关和电容传感器实验模块的电源开关,用示波器观察Fout的波形,调节脉冲调制单元的电位器W1,使其输出频率为500KHz的方波,再将电容测量单元的电位器RW1调节到中间位置,旋动测微头推进电容传感器移动至极板中间位置,使电压数显表显示为最小值。
3、旋动测微头,每间隔0.5mm记下位移X与输出电压值,填入表8:4、根据上表数据计算电容传感器的系统灵敏度S和非线性误差δf。
5、实验完毕,关闭所有电源,拆除导线并放置好。
实验三 直流激励线性霍尔传感器的位移特性实验一、实验目的了解霍尔式传感器原理与应用。
二、实验内容掌握霍尔传感器的位移测量方法。
三、实验仪器传感器检测技术综合实验台、霍尔传感器模块、线性霍尔传感器、振动源实验模块、测微头、导线。
四、实验原理霍尔传感器是一种磁敏传感器,基于霍尔效应原理工作。
它将被测量的磁场变化(或经磁场为媒介)转换成电动势输出。
霍尔效应是具有载流子的半导体同时处在电场和磁场中而产生电势的一种现象。
如图19-1所示,把一块宽为b ,厚为d 的导电板放在磁感应强度为B 的磁场中,并在导电板中通以纵向电流I ,此时在板的横向两侧面A ,A ,之间就是呈现出一定的电势差,这一现象称为霍尔效应(霍尔效应可以用洛伦兹力来解释),所产生的电势差U H 称霍尔电压。
霍尔效应的数学表达式为:H HH IBU R K IB d== 式中;R H =-1/(ne )是由半导体本身载流子迁移率决定的物理常数,称为霍尔系数;K H =R H /d ,称为灵敏度系数,与材料的物理性质和几何尺寸有关。
图19-1 霍尔效应示意图具有上述霍尔效应的元件称为霍尔元件,霍尔元件大多采用N 型半导体材料(金属材料中自由电子浓度n 很高,因此R H 很小,使输出U H 极小,不宜作霍尔元件),厚度d 只有1um 左右。
五、实验注意事项1、请务必断电连线,否则极易烧坏霍尔传感器。
2、注意霍尔传感器引线的接法。
3、注意J16和R1上要接上两个短接帽,如下图19-2所示。
4、注意按顺序进行调零。
六、实验步骤1、将霍尔传感器、测微丝杆固定在振动源实验模块上的测微支架上,并调节测微丝杆使霍尔传感器大约处于磁场的中间位置。
2、根据图19-2接线,需要注意的是:将线性霍尔传感器的红线和黑线分别接霍尔传感器实验模块的直流激励实验单元的输入端J1和J2,蓝色和黄色线分别接输出端J4和J3端;将电压调节处的旋钮拨至±4V,并将+Vout和-V out接入到直流激励单元的+4V和-4V的端子上;将主台体上的±15V接入到霍尔传感器实验模块的电源单元中;调零单元的OUT2与GND 需接到主台体上的电压表的“+”和“-”极;其他部分的接线严格按照接线图进行。
3、调零:先打开主台体电源开关,再打开霍尔传感器模块电源开关。
调节霍尔传感器模块上的RW1电位器,使霍尔传感器的输出J4和J3间的电压为零,关闭霍尔传感器模块电源;将IN1+和IN1-短接并接到GND,打开霍尔传感器实验模块电源开关,调节电位器W3使调零单元的输出OUT2和GND间的电压为零,调零完后关闭霍尔传感器实验模块电源,并将IN1+和IN1-间的短接线以及与GND间的接线拿掉。
图19-2 直流激励线性霍尔传感器接线图4、打开霍尔传感器实验模块电源,测微头向轴向方向推进,每转动0.5mm记下调零单元输出电压OUT2的读数,直到读数近似不变,将读数填入表9:表95、根据上表作出V-X曲线,计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。