三安光电推出四款高端LED芯片
照明级led芯片技术及其应用简介(大功率)
照明级LED芯片技术及其应用简介潘群峰三安光电股份有限公司内容概要•大功率LED的发展和现状•芯片关键参数的评估•大功率LED芯片的合理应用•LED芯片前沿技术展望（一）大功率LED的发展和现状氮化镓(GaN)基LED芯片Cree, 1997碳化硅衬底，垂直(非薄膜)结构P 面出光(p-side up)Nichia, 1997蓝宝石衬底，水平(正装)结构Ni/Au 半透明电极大功率LED芯片的发展演变(sapphire)正装Ni/Au (Lumileds, 1999年)倒装芯片结构(Lumileds, 2001年)垂直薄膜结构(Osram, 2004年)正装ITO (Elite, 2005年)大功率LED芯片的发展演变(SiC)MegaBright (Cree)XBright(Cree)EZBright(Cree)(OSRAM)倒装芯片(Flip-chip)Philips LumiledsLuxeon K2倒装芯片关键技术sapphirep-Si submountn-GaN MQW p-GaNn+n+NP9p 型反射电极系统9倒装焊基板设计倒装芯片关键技术植球机倒装键合机待倒装芯片硅基板倒装芯片(Flip-chip)Optotech(2006年)UEC(2004年)Genesis(2005年)FD(2004年)Sanan(2005年)APT(2010年)正装芯片OVAMKONLX-5NLX-5S-50ABMUPS-50BBMUP正装芯片关键技术—外延技术平坦面(常规) P面粗化(bump式) P面粗化(pit式) PSS (湿法) PSS (干法) PSS + P面粗化LED业界外延技术发展历程正装芯片关键技术—外延技术p粗化PSSp粗化+PSS正装芯片关键技术—侧壁蚀刻(sidewall etching)正装芯片关键技术—背镀反射镜P-pad ITO GaN N-padsapphireMirror Al SiO2/Al DBR ODR Improvement -+3% +7% +10~15％ SiO2 TiO2/SiO2 DBR Al or Ag正装芯片关键技术—电流阻挡层(CBL)P Pad SiO2 ITO Blocking layer(SiO2) N Pad垂直结构芯片Osram Thin-GaN Ge衬底Cree EZBright Thin-film Si衬底Semileds I-core MVPLED Cu合金衬底垂直结构芯片关键技术—衬底转移激光剥离蓝宝石(LLO)垂直结构芯片关键技术—表面粗化功率型GaN-LED技术现状统计截止2011年4月厂商Nichia Cree Lumileds Osram Semileds Epistar 三安 正装、PSS产品特点SiC生长衬底、垂直、Si衬底 薄膜倒装结构（TFFC） 垂直、Ge衬底 垂直、金属衬底 正装、p粗化、PSS 正装、PSS量产100~120lm/W 100~130lm/W 100~120lm/W 100~120lm/W 100~110lm/W 90~120lm/W 100~120lm/W研发183 lm/W 208 lm/W 140 lm/W 136 lm/W 130 lm/W 162lm/W 130 lm/W注：1W功率型LED、冷白光、工作电流350mA功率型GaN-LED技术现状Nichia VSx219A R&D 183lm/W (350mA, 4700K) 图形化衬底，水平结构Epistar V45, HV-LED R&D 162lm/W(47V, 20mA, 5000K) 粗化外延，水平结构，ITOCree EZBright, XLamp R&D 208lm/W(350mA, 4579K) SiC衬底外延，垂直薄膜结构2011-4-28Philips Lumileds Rebel Mass>125lm/W(350mA, 4000K) 薄膜倒装(Thin-film Flip-chip, TFFC)23AlGaInP系芯片发展历程各种AlGaInP芯片结构AS-typeRS-typeTS-typeAlGaInP系大功率产品Lumileds TSOsram RSTaiwan MSAlGaInP系大功率芯片技术Truncated Inverted Pyramid(TIP) Lumileds Buried MircoReflector(BMR) Osram（二）芯片关键参数的评估2011-4-2828芯片评估流程选选尺寸定定规格检检外观测测参数试试品质验验老化输入功率 产品定位 性价比电压 波长 亮度 分档 ……缺陷 沾污 排列 ……规格 公差 K值 ……PR识别 可焊性 推拉力 特性 一致性 ……常规寿测 加速老化 温湿循环 冷热冲击 ……2011-4-2829芯片尺寸S-38 ABMUPChip size: 965 x 965 µm Chip thickness: 150 µm Pad size : 100 µmS-23 CBMUPChip size: 432 x 585 µm Chip thickness: 100 µm Pad size : 85 µmS-45 ABMUPChip size: 1143 x 1143 µm Chip thickness: 150 µm Pad size : 100 µmS-24 ABMUPChip size: 600 x 600 µm Chip thickness: 100 µm Pad size : 100 µmS-50 ABMUPChip size: 1270 x 1270 µm Chip thickness: 150 µm Pad size : 100 µmS-38 BBMUPChip size: 500 x 950 µm Chip thickness: 100 µm Pad size : 100 µm2011-4-2830芯片规格2011-4-2831芯片外观外观OK外观NG 表面划伤外观NG之PSS缺陷 ¾瞬态光电参数良好 ¾老化后漏电严重 ¾老化后VF升高2011-4-2832芯片外观—图形衬底外延缺陷样品 1 2 3 42011-4-28老化前 VF 3.321 3.390 3.401 3.433 IR 0.16 0.16 0.16 0.16 Φv 14.56 17.48 17.75 17.01 Φe 444.2 461.6 462.2 440.6 VF168hrs,700mA老化后 IR 36.33 47.08 45.17 72.06 Φv 14.76 17.12 17.7 16.73 Φe 453.2 456.1 464.5 435.4333.577 3.519 3.601 3.632芯片参数—光强(亮度)发光强度 IV(mcd) 光功率 Φe(mW)wafer probechip probe2011-4-2834芯片品质(可焊性、推拉力)Pad peeling (拔电极)ITO ring peeling (ITO环掉)P电极脱焊(虚焊)9金属黏附性差 9镀膜前污染 9界面层氧化9焊偏or功率过高 9ITO膜层质量差 9外延表面沾污9电极表面沾污 9外延表面过粗糙 9电极受过高温芯片标签光功率与白光光通量芯片厂商 S公司 E公司 B公司芯片种类 正装 正装 正装芯片标签 封装白光 光功率(mW) 光通量(lm) 390 300 308 120 105 117白光K (lm/mW) 0.31 0.35 0.38注：上述芯片均由同一封装厂采用完全相同之材料、形式封装并在同一机台进行测试。
三安光电LED规格书-03
2011E1
S-08R *DUX - GaN
◆ 产品特点：
● 高亮度、长寿命 ● 户内外应用 ● 芯片百分百测试分选 ● 波长和光强良好一致性 ◆ 物理参数：
◆ 光电参数：(Tc=22℃, I F =20mA)
◆ 其它说明
● 光电参数均系三安光电测试仪器在晶圆条件下样测试 ● 芯片封装工艺最高温度低于280℃，持续时间小于10秒 ● GaN LED 芯片为静电敏感产品，使用、运输时注意静电防护 ● 主波长测量误差±1.0nm
● 可根据客户需要订做特殊规格的芯片
产品型号
波长均值范围
( WLD ，nm )
正向电压均值范围
( V F ，V ) 光强均值范围 （I V ，mcd ）
S-08ABAU * 450~475
3.0~3.6
30~100
P 电极 金 N 电极 金
芯片尺寸 8.0mil × 7.0mil (203±15μm × 178±15μm)
芯片厚度 3.1mil (80±15μm)
焊盘尺寸
3.0mil (75±10μm) in diameter
S-08ABAU *
GaN 3.1。
LED十大芯片
1.厦门三安光电(主流全色系超高亮度LED 芯片,各项性能指标领先,蓝、绿光ITO(氧化铟锡)芯片的性能指标已接近国际最高指标,在同行内具有较强竞争力)厦门三安电子有限公司是目前国内最大、国际一流的超高亮度发光二极管外延及芯片产业化基地，占地5万多平方米。
公司目前的产品主要有全色系LED外延片、芯片、光通讯核心元件等，产品技术指标属世界先进水平。
公司被国家科技部列入国家半导体照明工程龙头企业。
2.大连路美(路美拥有上百个早期国际国内核心专利,,范围横跨外延、芯片、封装、灯具、发光粉等。
)连路美芯片科技有限公司是由美国路美光电公司与大连路明科技集团公司共同投资设立的中外合资企业，公司总投资1.5亿美元，占地面积10.8万平米，总建筑面积63515平米，专业从事高品质LED半导体发光芯片和LD激光芯片的研发、生产与制造。
美国路美光电公司的前身为美国纳斯达克上市公司AXT的光电公司，技术水平处于世界前四名。
3.杭州士兰明芯(其技术优势在于芯片制造工艺,同时受益母公司强大的集成电路和分立器件生产线经验。
公司LED显示屏芯片的市场占有率超过50%,09年作为唯一的国产芯片厂商中标广场LED显示屏。
)杭州士兰明芯科技有限公司是一家设计、制造高亮度全彩LED芯片的光电半导体器件公司。
公司位于杭州经济技术开发区，为杭州士兰微电子股份有限公司与杭州士兰集成电路有限公司合资创办。
公司注册资本金为1.5亿元人民币，占地75亩，拥有进口生产设备一百二十多台套。
公司产品包括蓝、绿光氮化物半导体材料外延片和芯片两大部分，生产工艺技术已经达到国际水平。
4.武汉迪源光电(武汉迪源目前的产品主要以0.5W和1W LED芯片为主,月产能为10-15KK,主要生产45、50和60mil的大功率LED芯片,同时迪源已拥有1项美国专利和4项中国专利。
)5.广州晶科电子(是珠三角唯一一家大功率、高亮度、高稳定性蓝光LED芯片制造企业。
晶科核心产品优势是功率型氮化镓蓝LED芯片和超大功率模组芯片(5W、10W、15W、30W等)。
黄鑫、安徽三安光电有限公司劳动争议二审民事判决书
黄鑫、安徽三安光电有限公司劳动争议二审民事判决书【案由】民事劳动争议、人事争议其他劳动争议、人事争议【审理法院】安徽省芜湖市中级人民法院【审理法院】安徽省芜湖市中级人民法院【审结日期】2020.03.30【案件字号】(2020)皖02民终1092号【审理程序】二审【审理法官】肖珍王利民陈勇【审理法官】肖珍王利民陈勇【文书类型】判决书【当事人】黄鑫;安徽三安光电有限公司【当事人】黄鑫安徽三安光电有限公司【当事人-个人】黄鑫【当事人-公司】安徽三安光电有限公司【代理律师/律所】李岚北京大成（苏州）律师事务所;张甜江苏天刚律师事务所【代理律师/律所】李岚北京大成（苏州）律师事务所张甜江苏天刚律师事务所【代理律师】李岚张甜【代理律所】北京大成（苏州）律师事务所江苏天刚律师事务所【法院级别】中级人民法院【字号名称】民终字【原告】黄鑫【被告】安徽三安光电有限公司【本院观点】《最高人民法院关于适用〈中华人民共和国民事诉讼法〉的解释》第九十条规定：“当事人对自己提出的诉讼请求所依据的事实或者反驳对方诉讼请求所依据的事实，应当提供证据加以证明，但法律另有规定的除外。
【权责关键词】撤销代理违约金支付违约金书证视听资料证人证言证据不足自认新证据客观性关联性合法性证明责任（举证责任）诉讼请求开庭审理缺席判决维持原判发回重审执行【指导案例标记】0【指导案例排序】0【本院查明】另查明：2018年10月底，三安光电公司委托厦门黑曜石商务咨询有限公司调查黄鑫是否存在违反竞业限制义务的行为。
该公司出具了《违反竞业限制调查报告》一份及跟踪拍摄视频一组。
为此三安光电公司向厦门黑曜石商务咨询公司共计支付调查费用39000元。
其中编号为xxx视频显示黄鑫驾驶车牌号为皖Ｂ×××某某号车辆，且其他视频显示该车辆多次驶入聚灿公司厂区。
三安光电公司以黄鑫违反竞业限制义务为由，向芜湖市劳动人事争议仲裁委员会申请仲裁，1、要求黄鑫支付违约金20万元；2、返还已支付的竞业限制补偿金10275元（5个月）；3、支付因取证而产生的费用39000元；4、立即终止与聚灿公司劳动关系，继续履行竞业限制义务。
三安光电芯片
三安光电芯片三安光电芯片是一种用于光电器件的新型材料。
它由混合有机和无机材料组成，具有高效转换光电能力和优良的热稳定性。
三安光电芯片具有较高的发光效率和较长的使用寿命，因此被广泛应用于LED照明、显示器等领域。
三安光电芯片的主要特点是高效转换光电能力。
它能够将光能快速转换为电能，从而实现高效的能量利用。
这使得三安光电芯片在能源领域尤为重要，可以提供更高效的能源转换解决方案。
同时，三安光电芯片还具有优良的热稳定性。
它能够在高温环境下保持较高的工作效率，不会因为温度的变化而导致性能下降。
这使得三安光电芯片在高温环境下的应用得以实现，例如汽车、航空航天等领域。
除此之外，三安光电芯片还具有长寿命的特点。
它的使用寿命较长，能够保持较稳定的性能。
这使得三安光电芯片在电子产品中的应用更加可靠，用户可以长时间地使用和享受产品的各种功能。
三安光电芯片在LED照明领域的应用非常广泛。
LED照明具有高效、环保、稳定的特点，在节能减排方面具有巨大的潜力。
三安光电芯片能够提供更高的发光效率和更长的使用寿命，从而提升LED照明产品的性能。
这不仅使得LED照明在市场上更具竞争力，也为人们提供了更可靠和舒适的照明体验。
在显示器领域，三安光电芯片也具有重要的应用价值。
随着科技的不断进步，显示器的分辨率和亮度要求越来越高。
三安光电芯片能够提供更高的发光效率和更长的使用寿命，从而使得显示器能够呈现更真实、更清晰的图像。
这使得人们在观看电影、玩游戏等方面能够有更好的视觉效果。
总之，三安光电芯片是一种具有高效转换光电能力和优良热稳定性的材料。
它在LED照明、显示器等领域具有广泛的应用价值，能够提升产品的性能和用户的体验。
随着科技的不断进步，三安光电芯片有着更广阔的发展前景，将为我们的生活带来更多的便利和美好。
芯片性能提升明显 三安下游客户拓展获突破
芯片性能提升明显三安下游客户拓展获突破
三安光电近两年因频繁的再融资，以及业绩中政府补贴这些水分而被市场冷落。
不过2012年以来，三安光电的交投却趋向活跃，尤其是4月底以
来大盘步入调整，LED板块大部分个股也随之横盘整理，但三安光电却逆市上涨逾20%。
资金在此时看中了三安光电的因素包括之前一直被外界认为更多是依赖政府补贴的电芯片产品，性价比优势正在逐渐体现，下游客户群正在逐渐扩大。
中低端芯片性价比渐显
此前被市场冷落三安光电，四月底以来凭借21.3%的涨幅在LED板块中独领风骚。
业内研究员表示，市场态度发生转变的原因是三安光电的客户结构出现了改善。
按照中投证券王国勋的说法，2012年以来三安光电下游客户拓展取得突破，目前已基本成为瑞丰光电、长方照明、万邦光电、国星光电和洲明科技等公司的主力供货商。
三安光电证券部负责人表示，芜湖产业基地一期新产能逐渐开出，目前开工率情况还不错。
他表示，2011年LED行业景气恶化严重，产品价格大幅下降，但这也拉近了LED与传统产品之间距离，应用领域得到扩大，因此2012年以来LED需求回暖，行业整体情况良好。
LED芯片性能对最终产品质量至关重要，以往下游企业多采用美国以及我国台湾省公司的芯片。
但市场状况显示，2011年以来在小功率芯片上，龙头厂商如三安光电、干照光电)甚至士兰微等产品性能提升明显，与我国台湾公司产品性能接近;高端产品如大功率路灯、显示屏等，则还是倾向继续向老供货商。
晶元VS三安谁更具榜样的气质?
晶元VS三安谁更具榜样的气质？苏海平【摘要】@@ 三安,或许在某个单项指标上(比如规模)可称作是中国大陆的冠军,并以此可与台湾最大LED企业晶元光电相提并论,但不可否认的是,尽管各为群龙之"首",三安和众多大陆芯片企业尚未能搭起如晶元光电般优良的生态系统.这原来是两种并不在一条起跑线上的选手.【期刊名称】《中国科技财富》【年(卷),期】2010(000)023【总页数】3页(P30-32)【作者】苏海平【作者单位】【正文语种】中文三安，或许在某个单项指标上（比如规模）可称作是中国大陆的冠军，并以此可与台湾最大LED企业晶元光电相提并论，但不可否认的是，尽管各为群龙之“首”，三安和众多大陆芯片企业尚未能搭起如晶元光电般优良的生态系统。
这原来是两种并不在一条起跑线上的选手。
而我们仍可以通过两个气质禀赋不同的企业比较，从中管窥中国大陆企业朝向国际先进水平进取跳跃的强劲姿态，以及两者间尚难以靠近的内在差异性。
晶元：国际高端VS三安：大陆“龙头”对大陆LED芯片企业来说，三安的品牌强势似乎更可感知，而只露冰山一角的台湾晶元光电似乎显得有些低调和一丝神秘，那么晶元与三安的背景、实力究竞有何不同？1996年，由5家台湾中下游LED（发光二极管）厂：亿光、华兴、鼎元、佰鸿、光磊共同出资，加上李秉杰、周铭俊等台湾工研院出身的技术团队，成立晶元光电，也成就了今天全球最大的LED上游制造厂。
晶元光电是台湾第一家开发完成氮化铟镓蓝光、绿光二极管的厂商，拥有LED产品最先进的技术。
历经国联、元砷、连勇等重大并购案后，晶电2007年才确立成为台湾最大的LED厂的地位，并且正式成为全球最大的四元红光LED磊晶厂、前三大蓝绿光LED厂。
尤其在蓝光LED 技术方面，晶元光电现在是全球少有的几家能够大规模量产蓝光GaN 外延片的企业之一，也是全球少有的能够提供高亮度蓝光LED 的公司之一。
晶元最早成立时实收资本额只有2.2亿元，在14年内快速成长成为一家资本额76.89亿元的国际大厂。
LED芯片及厂商中英文命名
LED芯片及厂商中英文命名及大陆，台湾和国外知名LED芯片厂商背景台湾LED芯片厂商：晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima Optoelectronics）简称：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技TC，燦圆（Formosa Epitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。
华兴（Ledtech Electronics）、东贝（Unity Opto Technology）、光鼎（Para Light Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED Electronics）、今台（Kingbright）、菱生精密（Lingsen Precision Industries）、立基（Ligitek Electronics）、光宝（Lite-On Technology）、宏齐(HARVATEK) 艾笛森等。
大陆LED芯片厂商：三安光电简称（S）、上海蓝光（Epilight）简称（E）、士兰明芯（SL）、大连路美简称（LM）、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大，山东华光、上海蓝宝等。
国外LED芯片厂商：科锐CREE，惠普（HP），日亚化学（Nichia），丰田合成（Toyoda GoseiCo.），大洋日酸，东芝（Toshiba）、昭和电工（SDK），飞利浦Philips Lumileds（luxeon），旭明（Smileds），Genelite，欧司朗（Osram），GeLcore，首尔半导体Seoul等，美国普瑞(Bridgelux)，韩国安萤（Epivalley）Lumileds创建于1999年，Lumileds照明是世界著名的LED生产商，在包括自动照明、计算机显示、液晶电视、信号灯及通用照明在内的固态照明应用领域中居领先地位。
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三安光电推出四款高端LED芯片
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三安光电20日在深圳召开
新品推介会，推出四款高端LED
芯片新品。
业内人士评价，四款
产品在技术上具备国内领先、国
际先进的优势，市场应用价值和
推广度很高，为公司进一步做大
LED芯片产业，跻身国际知名
LED芯片生产企业再添重要筹
码。
据了解，三安此次推出的四
款新品，一是GaN基发光二极
管大功率芯片，该新品的研制成功，使公司成为国内唯一一家拥有自主知识产权、从外延到芯片可批量生产的企业，此新品封装成白灯单灯可达120lm，效率为100lm/W以上，高于国家路灯80lm/W的要求，产品已通过相关路灯实验；二是GaN基发光二极管超亮（白光）芯片，该新品封装成白灯功率可达到110lm/W，可广泛用于平板电视、笔记本电脑等显示器背光源、半导体照明等高端领域；三是GaAs超高亮发光二极管红光芯片，该产品主要用于户外显示屏、汽车尾灯、照明等领域，其封装后的光功率可达到60lm/W；四是GaAs超高亮发光二极管黄绿芯片，该产品的裸晶在80mcd左右，主要用于双色显示屏，LCD背光源等领域。
有业内人士认为，三安此次推出的四款新品应用领域广泛，尤其是在我国城市亮化美化工程和大力发展汽车工业等背景下，市场空间巨大；同时，这些新品的上市，也极大地支持了国内LED行业的发展和产业链条的有效形成，为国内下游企业度过金融危机的冲击提供了技术、产品和成本上的保证，有效地促进了国内LED行业的发展。
公司表示，伴随着天津三安的组建和陆续投产，2010年公司一期扩产后将完成年产LED外延片150万片，芯片350亿粒的产能规模，并计划于2012年底前完成100台MOCVD 的扩产任务，实现行业全球前五名的目标。