电源原理图的每个元器件的选型
2.2 原理图的构成和设计原则
第二章
第二节：原理图的构成和设计规则
放置导线： 放置导线时，系统会根据光标的移动方向自动地生成水平或 垂直导线。放置导线时按【Shift】＋空格键，可以将导线的 转角模式由90° 依次切换为45° 、任意转角。
90°转角模式 45° 转角模式 任意转角模式 手动转折点
自动转折点
需要放置转折的导线时，在需要转折的位置单击，确定转折 点，然后再向目标引脚移动光标。
连接的T型交叉点
不连接的 交叉点
第二章
第二节：原理图的构成和设计规则
●电源端口：DXP2004系统中将电源和接地符号统称为电源端 口。电源和接地符号是原理图必不可少的组成部分，用于将 同一类的电源线和接地线连接起来。
第二章
第二节：原理图的构成和设计规则
●简单电路原理图的设计规则：
电路原理图主要有以下两个方面的要求：直观，能正确表示 电路的电气连接。 在绘制原理图时，应遵循以下规则：按照信号的流向放置元 器件；电源线布在元件上部，地线步在元件下部；相同功能 的元件尽量放在一起；接插件集中标注引脚属性。
《EDA技术》
原理图的构成和设计规则
第二章
第二节：原理图的构成和设计规则
●原理图的构成：原理图就是各种元件的电气连接图，包含 元件、导线、电气节点、端口等实体。 元件：原理图的绘制实质上是将元件从元件库中取出，然后 放置到图纸上并用导线连接成图的过程。 元件是原理图中最重要的组成部分。
第二章
第二节：原理图的构成和设计规则
第二章
第二节：原理图的构成和设计规则
放置导线： 系统进入放置导线后，光标变为十字，将光标移至某个元件 的引脚上，待出现红色“米”字标志时单击，确定导线的起点， 然后移动光标至需要建立连接的另一个元件的引脚上并单击 ，确定导线的终点，由此就放置了一条导线。
常用元器件的原理图符号和元器件封装
常用元器件的原理图符号和元器件封装引言在电路设计的过程中，元器件的选型是非常关键的一步。
而对于元器件的选型，不仅仅是看参数和性能，更重要的是看其封装和原理图符号是否与自己设计电路的要求相匹配。
因此，对于常用的元器件，了解其原理图符号和封装是非常有必要的。
本篇文章将简单介绍一些常用元器件的原理图符号和封装。
一、二极管1. 原理图符号二极管的原理图符号如下图所示：+----|>|----+| |Vin Vout| |+------------+2. 封装二极管的封装形式多种多样，其中最为常见的是DO-41封装：|----|---| |---|____|二、电阻1. 原理图符号电阻的原理图符号如下图所示：|Vin ---|--- Vout|2. 封装电阻的封装形式比较复杂，常见的有贴片电阻、通过孔电阻和网络电阻等：____| |----|____|--------|____|||||Vin||||----|____|||||Vout||||----____| |---|____|---____| |---|____|---三、电容1. 原理图符号电容的原理图符号如下图所示：+----+Vin | | Vout| |+----+2. 封装电容的封装形式也比较多，常见的有贴片电容、插件电容和薄膜电容等： ----| |----|____|--------| || || || || |----四、晶体管1. 原理图符号晶体管的原理图符号如下图所示：CVin ---|>|--- Vout|B|E2. 封装晶体管的封装形式多种多样，常见的有TO-92、SOT-23和SOT-89等：|---|---| |---|___||---| || || ||___|五、集成电路1. 原理图符号集成电路的原理图符号取决于其具体功能，以下是一般的集成电路原理图符号示例：+-----+| |Vin --|-----|--| |+-----+2. 封装集成电路的封装形式也十分多样，常见的有DIP、QFN和TQFP等：____ ____| | | ||____| |____|DIP DIP_____| |--|_____|--| |+-----+| || || |+-----+本篇文章简单介绍了常用元器件的原理图符号和封装。
【精品】AltiumDesigner原理图元器件库详细说明
【关键字】精品Altium Designer原理图元器件库详细说明altium desinger 原理图元器件库详细说明Device.lib 包括电阻、电容、二极管、三极管和PCB的连接器符号ACTIVE.LIB 包括虚拟仪器和有源器件DIODE.LIB 包括二极管和整流桥DISPLAY.LIB 包括LCD、LEDBIPOLAR.LIB 包括三极管FET.LIB 包括场效应管ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件VALVES .LIB 包括电子管ANALOG.LIB 包括电源调节器、运放和数据采样ICCAPACITORS.LIB 包括电容COMS.LIB 包括4000系列ECL.LIB 包括ECL10000系列MICRO.LIB 包括通用微处理器OPAMP.LIB 包括运算缩小器RESISTORS.LIB 包括电阻FAIRCHLD .LIB 包括FAIRCHLD 半导体公司的分立器件LINTEC.LIB 包括LINTEC公司的运算缩小器NATDAC.LIB 包括国家半导体公司的数字采样器件NATOA.LIB 包括国家半导体公司的运算缩小器TECOOR.LIB 包括TECOOR公司的SCR 和TRIACTEXOAC.LIB 包括德州仪器公司的运算缩小器和比较器ZETEX .LIB 包括ZETEX 公司的分立器件也许部分因版本回有所不同，这是PROTEUS 6.7的版本。
如何删除左边元件列表中的元件点edit 中的Tidy可以删去所有你没用到的零件，但如果想只删其中指定的零件，似乎Proteus 没有这个功能。
在器件箱中删除任意元件的方法：1.先在图纸中右键删除你在器件箱中指定的元件。
2.选中编辑(Edit)--整理选项(Tidy)--确定。
3.整理选项(Tidy)可以删除图纸上没有物理连接和在图纸工作区域以外的所有元件。
教你如何自己做模版怎样可以看见电路中的电流流动？菜单\System\Set Animation Options\Show Wire Current with Arrows ? 后面打勾怎样看高低电平？在元件脚上有一个正方形的小点，红色为高电平，蓝色为低电平元件库元件名称及中英对照AND 与门ANTENNA 天线BATTERY 直流电源BELL 铃,钟BVC 同轴电缆接插件BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器BUZZER 蜂鸣器CAP 电容CAPACITOR 电容CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容CIRCUIT BREAKER 熔断丝COAX 同轴电缆CON 插口CRYSTAL 晶体整荡器DB 并行插口DIODE 二极管DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LEDDPY_7-SEG 7段LEDDPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容FUSE 熔断器INDUCTOR 电感INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感JFET N N沟道场效应管JFET P P沟道场效应管LAMP 灯泡LAMP NEDN 起辉器LED 发光二极管METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门NOR 或非门NOT 非门NPN NPN三极管NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放OR 或门PHOTO 感光二极管PNP 三极管NPN DAR NPN三极管PNP DAR PNP三极管POT 滑线变阻器PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻RES3.4 可变电阻RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻SCR 晶闸管PLUG ? 插头PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET ? 插座SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器SW ? 开关SW-DPDY ? 双刀双掷开关SW-SPST ? 单刀单掷开关SW-PB 按钮THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器TRANS2 可调变压器TRIAC ? 三端双向可控硅TRIODE ? 三极真空管VARISTOR 变阻器ZENER ? 齐纳二极管DPY_7-SEG_DP 数码管SW-PB 开关元件名称中文名说明7407 驱动门1N914 二极管74Ls00 与非门74LS04 非门74LS08 与门74LS390 TTL 双十进制计数器7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的BCD码7SEG 3-8译码器电路BCD-7SEG转换电路ALTERNATOR 交流发电机AMMETER-MILLI mA安培计AND 与门BATTERY 电池/电池组BUS 总线CAP 电容CAPACITOR 电容器CLOCK 时钟信号源CRYSTAL 晶振D-FLIPFLOP D触发器FUSE 保险丝GROUND 地LAMP 灯LED-RED 红色发光二极管LM016L 2行16列液晶可显示2行16列英文字符，有8位数据总线D0-D7，RS，R/W，EN 三个控制端口（共14线），工作电压为5V。
电气控制线路的设计及元器件选择课件
电气控制线路的设计步骤
明确控制要求
在设计电气控制线路之前，需要明确 控制要求，确定需要实现的功能和性 能指标。
制作和测试
根据设计的电路原理图，制作出实际 的电气控制线路并进行测试，确保其 性能符合要求。
01
02
选择合适的元器件
根据控制要求，选择合适的电气元器 件，如电源、开关、继电器等。
03
设计电路原理图
接口电路
设计合理的接口电路，实现变频器与外部控制器的信号传输 和控制。
滤波与抗干扰
采取有效的滤波和抗干扰措施，保证系统的稳定性和可靠性 。
PLC控制线路设计
可靠、灵活、集成
PLC控制线路广泛应用于工业自动化领域，具有高可靠性、灵活性和集成性。
PLC控制线路设计
设计要点：
I/O模块选择：根据实际需求选择合适的输入输出模块，满足信号采集和 控制需求。
根据元器件的特性和控制要求，设计 出电路原理图，明确各元器件之间的 连接关系和工作原理。
05
04
优化和完善设计
对电路原理图进行优化和完善，确保 设计的可靠性和稳定性。
常用电气元器件及
02
其选择
开关电器
开关电器
用于接通或断开电路， 包括刀开关、断路器、
接触器等。
刀开关
用于不频繁开启和关闭 电路，结构简单，价格
控制算法：根据工艺要求选择合适的控制算法，如PID控制、模糊控制等 。
PLC控制线路设计
网络通信
实现PLC与上位机和其他智能设备的通信 ，提高系统的集成度和智能化水平。
VS
安全保护
设置安全保护措施，如故障检测与诊断、 冗余设计等，提高系统的可靠性和稳定性 。
电气控制线路的优
电子元器件选型与可靠性应用(印刷稿)全篇
18
机柜温升计算
△ T= 0.05 Q/V
Q：机柜内的散热功率（W） V：风机的体积流量（m3/min） 基于机柜内耗散功率均匀分布的前提。
V=3.16 Q / △T
19
半导体制冷
• 冷却功能模块的电功率≤冷却功率*（3-6%）； • 适用于器件和仪器仪表的冷却，大功率散热慎用。
49
• 聚苯乙烯电容器： 1. 优点：额定DC电压范围宽，从几百到数千伏；精度可达5‰；绝
缘电阻高，一般在10000MΩ以上。高频损耗小，电容量稳定； 2. 缺点：工作温度范围不宽，上限为+75℃。
• 聚苯乙烯薄膜电容： 1. 优点：介质损耗小，绝缘电阻高，温度特性和容量稳定性优于涤
纶电容器，可取代部分电解电容器，性能优于电解电容。体积小， 容量大。 2. 缺点：工作电压低，DC电压40V；温度系数大； 3. 适用场合：高频电路。
2.1 外购件规格书 2.2 器件在产品生命周期不同阶段的
注意事项
35
2.1 器件文档要素组成
• 供货商指定为生产商； • 指标齐全（Esp. 工艺选项）
外购件规格书示例（电机）.pdf
36
2.2 器件在产品生命周期不同阶段的注意事项
37
3、元器件选型
3.1 电子元器件的选型基本原则 3.2 无源元件（电阻、电容、电感、接插件） 3.3 二极管/三极管 3.4 晶振 3.5 散热器件 3.6 数字IC 3.7 电控光学器件（光耦、LED） 3.8 AD/DA 及 运放 3.9 电控机械动作器件 3.10 能量转换器件（开关电源、电源变换芯片、变压器） 3.11 保护器件（保险丝、磁环磁珠、压敏电阻、TVS管等）
开关电源元器件选型
开关电源元器件选型A:反激式变换器:1.MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2.整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3.缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4.优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6.MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7.整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8.缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9.优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11.MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12.整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13.缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14.优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16.MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17.整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18.缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19.优点: 功率可做到100W~500W.20.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21.MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22.整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23.缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24.优点: 功率可做到400W~2000W以上.25.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.拟定:胡成才2005-1-13。
硬件电路设计规范样本
硬件电路板设计规范制定此《规范》的目的和出发点是为了培养硬件开发人员严谨、务实的工作作风和严肃、认真的工作态度, 增强硬件开发人员的责任感和使命感, 提高工作效率和开发成功率, 保证产品质量。
1、深入理解设计需求, 从需求中整理出电路功能模块和性能指标要求;2、根据功能和性能需求制定总体设计方案, 对CPU等主芯片进行选型, CPU选型有以下几点要求:1) 容易采购, 性价比高;2) 容易开发: 体现在硬件调试工具种类多, 参考设计多, 软件资源丰富, 成功案例多;3) 可扩展性好;3、针对已经选定的CPU芯片, 选择一个与我们需求比较接近的成功参考设计。
一般CPU生产商或她们的合作方都会对每款CPU芯片做若干开发板进行验证, 厂家最后公开给用户的参考设计图虽说不是产品级的东西, 也应该是经过严格验证的, 否则也会影响到她们的芯片推广应用, 纵然参考设计的外围电路有可推敲的地方, CPU本身的管脚连接使用方法也绝对是值得我们信赖的, 当然如果万一出现多个参考设计某些管脚连接方式不同, 能够细读CPU芯片手册和勘误表, 或者找厂商确认; 另外在设计之前, 最好我们能外借或者购买一块选定的参考板进行软件验证, 如果没问题那么硬件参考设计也是能够信赖的; 但要注意一点, 现在很多CPU都有若干种启动模式, 我们要选一种最适合的启动模式, 或者做成兼容设计;4、根据需求对外设功能模块进行元器件选型, 元器件选型应该遵守以下原则:1) 普遍性原则: 所选的元器件要被广泛使用验证过的尽量少使用冷、偏芯片, 减少风险;2) 高性价比原则: 在功能、性能、使用率都相近的情况下, 尽量选择价格比较好的元器件, 减少成本;3) 采购方便原则: 尽量选择容易买到, 供货周期短的元器件;4) 持续发展原则: 尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件;5) 可替代原则: 尽量选择pin to pin兼容种类比较多的元器件;6) 向上兼容原则: 尽量选择以前老产品用过的元器件;7) 资源节约原则: 尽量用上元器件的全部功能和管脚;5、对选定的CPU参考设计原理图外围电路进行修改, 修改时对于每个功能模块都要找至少3个相同外围芯片的成功参考设计, 如果找到的参考设计连接方法都是完全一样的, 那么基本能够放心参照设计, 但即使只有一个参考设计与其它的不一样, 也不能简单地少数服从多数, 而是要细读芯片数据手册, 深入理解那些管脚含义, 多方讨论, 联系芯片厂技术支持, 最终确定科学、正确的连接方式, 如果仍有疑义, 能够做兼容设计; 当然, 如果所。
开关电源原理图各元件功能详解
电源原理图--每个元器件的功能详解！FS1:由变压器计算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V，设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。
TR1(热敏电阻):电源启动的瞬间，由于C1(一次侧滤波电容)短路，导致Iin电流很大，虽然时间很短暂，但亦可能对Power产生伤害，所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会消耗功率，所以不可放太大的阻值(否则会影响效率)，一般使用5Ω-10Ω热敏，若C1电容使用较大的值，则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。
VDR1(突波吸收器):当雷极发生时，可能会损坏零件，进而影响Power的正常动作，所以必须在靠AC输入端(Fuse之后)，加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K)，但若有价格上的考虑，可先忽略不装。
CY1，CY2(Y-Cap):Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap ，AC Input若为2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1与Y2的差异，除了价格外(Y1较昂贵)，绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘，绝缘耐压约为Y2的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)，此电路蛭蠪G 所以使用Y2-Cap，Y-Cap会影响EMI特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。
CX1(X-Cap)、RX1:X-Cap为防制EMI零件，EMI可分为Conduction及Radiation两部分，Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、CISPR 22(EN55022) Class B 两种，FCC测试频率在450K~30MHz，CISPR 22测试频率在150K~30MHz，Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则必须到实验室验证，X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但价格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻(RX1，一般为1.2MΩ1/4W)。
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电源原理图的每个元器件的选型FS1:由变压器计算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V，设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。
TR1(热敏电阻):电源启动的瞬间，由于C1(一次侧滤波电容)短路，导致Iin电流很大，虽然时间很短暂，但亦可能对Power产生伤害，所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会消耗功率，所以不可放太大的阻值(否则会影响效率)，一般使用5Ω-10Ω热敏，若C1电容使用较大的值，则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。
VDR1(突波吸收器):当雷极发生时，可能会损坏零件，进而影响Power的正常动作，所以必须在靠AC输入端(Fuse之后)，加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K)，但若有价格上的考虑，可先忽略不装。
CY1，CY2(Y-Cap):Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap ，AC Input若为2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1与Y2的差异，除了价格外(Y1较昂贵)，绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘，绝缘耐压约为Y2的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)，此电路蛭蠪G所以使用Y2-Cap，Y-Cap会影响EMI特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。
CX1(X-Cap)、RX1:X-Cap为防制EMI零件，EMI可分为Conduction及Radiation两部分，Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、CISPR 22(EN55022) Class B 两种，FCC测试频率在450K~30MHz，CISPR 22测试频率在150K~30MHz，Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则必须到实验室验证，X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但价格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻(RX1，一般为1.2MΩ 1/4W)。
LF1(Common Choke):EMI防制零件，主要影响Conduction 的中、低频段，设计时必须同时考虑EMI 特性及温升，以同样尺寸的Common Choke而言，线圈数愈多(相对的线径愈细)，EMI防制效果愈好，但温升可能较高。
BD1(整流二极管):将AC电源以全波整流的方式转换为DC，由变压器所计算出的Iin值，可知只要使用1A/600V的整流二极管，因为是全波整流所以耐压只要600V即可。
C1(滤波电容):由C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值，电容量愈大，Vin(min)愈高但价格亦愈高，此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确，若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V)，可使用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V)，因Vc1电压最高约380V，所以必须使用耐压400V的电容。
D2(辅助电源二极管):整流二极管，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，两者主要差异:耐压不同(在此处使用差异无所谓)VF不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V)R10(辅助电源电阻):主要用于调整PWM IC的VCC电压，以目前使用的3843而言，设计时VCC必须大于8.4V(Min. Load时)，但为考虑输出短路的情况，VCC电压不可设计的太高，以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。
C7(滤波电容):辅助电源的滤波电容，提供PWM IC较稳定的直流电压，一般使用100uf/25V 电容。
Z1(Zener 二极管):当回授失效时的保护电路，回授失效时输出电压冲高，辅助电源电压相对提高，此时若没有保护电路，可能会造成零件损坏，若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode，当回授失效时Zener Diode会崩溃，使得Pin3脚提前到达1V，以此可限制输出电压，达到保护零件的目的.Z1值的大小取决于辅助电源的高低，Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值，原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W即可).R2(启动电阻):提供3843第一次启动的路径，第一次启动时透过R2对C7充电，以提供3843 VCC所需的电压，R2阻值较大时，turn on的时间较长，但短路时Pin瓦数较小，R2阻值较小时，turn on的时间较短，短路时Pin瓦数较大，一般使用220KΩ/2W M.O。
R4 (Line Compensation):高、低压补偿用，使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之间)。
R3，C6，D1 (Snubber):此三个零件组成Snubber，调整Snubber的目的:1.当Q1 off瞬间会有Spike产生，调整Snubber可以确保Spike不会超过Q1的耐压值，2.调整Snubber可改善EMI.一般而言，D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好.R3使用2W M.O.电阻，C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V的陶质电容)。
Q1(N-MOS):目前常使用的为3A/600V及6A/600V两种，6A/600V的RDS(ON)较3A/600V 小，所以温升会较低，若IDS电流未超过3A，应该先以3A/600V为考虑，并以温升记录来验证，因为6A/600V的价格高于3A/600V许多，Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。
R8:R8的作用在保护Q1，避免Q1呈现浮接状态。
R7(Rs电阻):3843 Pin3脚电压最高为1V，R7的大小须与R4配合，以达到高低压平衡的目的，一般使用2W M.O.电阻，设计时先决定R7后再加上R4补偿，一般将3843 Pin3脚电压设计在0.85V~0.95V之间(视瓦数而定，若瓦数较小则不能太接近1V，以免因零件误差而顶到1V)。
R5，C3(RC filter):滤除3843 Pin3脚的噪声，R5一般使用1KΩ 1/8W，C3一般使用102P/50V的陶质电容，C3若使用电容值较小者，重载可能不开机(因为3843 Pin3瞬间顶到1V);若使用电容值较大者，也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。
R9(Q1 Gate电阻):R9电阻的大小，会影响到EMI及温升特性，一般而言阻值大，Q1 turn on / turn off的速度较慢，EMI特性较好，但Q1的温升较高、效率较低(主要是因为turn off 速度较慢);若阻值较小，Q1 turn on / turn off的速度较快，Q1温升较低、效率较高，但EMI较差，一般使用51Ω-150Ω 1/8W。
R6，C4(控制振荡频率):决定3843的工作频率，可由Data Sheet得到R、C组成的工作频率，C4一般为10nf的电容(误差为5%)，R6使用精密电阻，以DA-14B33为例，C4使用103P/50VPE电容，R6为3.74KΩ 1/8W精密电阻，振荡频率约为45 KHz。
C5:功能类似RC filter，主要功用在于使高压轻载较不易振荡，一般使用101P/50V 陶质电容。
U1(PWM IC):3843是PWM IC的一种，由Photo Coupler (U2)回授信号控制Duty Cycle的大小，Pin3脚具有限流的作用(最高电压1V)，目前所用的3843中，有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种，两者脚位相同，但产生的振荡频率略有差异，UC3843BN较KA3843快了约2KHz，fT的增加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、短路问题)，因KA3843较难买，所以新机种设计时，尽量使用UC3843BN。
R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益控制):3843内部有一个Error AMP(误差放大器)，R1、R11、R12、C2及Error AMP 组成一个负回授电路，用来调整回路增益的稳定度，回路增益，调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确，一般C2使用立式积层电容(温度持性较好)。
U2(Photo coupler)光耦合器(Photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式)，当二次侧的TL431导通后，U2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧，此时3843由Pin6 (output)输出off的信号(Low)来关闭Q1，使用Photo coupler的原因，是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需5.6mm)。
R13(二次侧回路增益控制):控制流过Photo coupler的电流，R13阻值较小时，流过Photo coupler的电流较大，U2转换电流较大，回路增益较快(需要确认是否会造成振荡)，R13阻值较大时，流过Photo coupler的电流较小，U2转换电流较小，回路增益较慢，虽然较不易造成振荡，但需注意输出电压是否正常。
U3(TL431)、R15、R16、R18调整输出电压的大小，，输出电压不可超过38V(因为TL431 VKA最大为36V，若再加Photo coupler的VF值，则Vo应在38V以下较安全)，TL431的Vref为2.5V，R15及R16并联的目的使输出电压能微调，且R15与R16并联后的值不可太大(尽量在2KΩ以下)，以免造成输出不准。
R14，C9(二次侧回路增益控制):控制二次侧的回路增益，一般而言将电容放大会使增益变慢；电容放小会使增益变快，电阻的特性则刚好与电容相反，电阻放大增益变快；电阻放小增益变慢，至于何谓增益调整的最佳值，则可以Dynamic load来量测，即可取得一个最佳值。
D4(整流二极管):因为输出电压为3.3V，而输出电压调整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V)，所以必须多增加一组绕组提供Photo coupler及TL431所需的电源，因为U2及U3所需的电流不大(约10mA 左右)，二极管耐压值100V即可，所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。