准晶体的发现与应用

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准晶体的发现与应用

周宸材料科学与工程2009051005 2011-12-13

2011年的诺贝尔化学奖公布之后,科学界“天本地裂”。来自以色列的科学家丹尼尔·舍特曼因发现准晶体而获奖。准晶体颠覆了常年来的权威,打破了晶体学固有的格局。所以,我对准晶体很感兴趣,于是查找了许多文献资料。

准晶体的定义是,物质的构成由其原子排列特点而定。原子呈周期性排列的固体物质叫做晶体,原子呈无序排列的叫做非晶体,准晶是一种介于晶体和非晶体之间的固体。准晶具有完全有序的结构,然而又不具有晶体所应有的平移对称性,因而可以具有晶体所不允许的宏观对称性。

1982年,海法市以色列理工学院的丹尼尔?谢赫特曼(Daniel Shechtman)发现,一种铝锰合金好像具有五重对称性,也就是说,当其中的原子形成的图案旋转五分之一周(72度)时,图案看起来基本上是相同的。其他研究人员都嘲笑该发现,因为当时这种排列被认为在数学上是不可能做到的。然而,科学家们最终认识到,通过自身的排列,图案达到几乎重复但永远也不能重复时,固体中的原子可以得到这样的对称,变成“准晶体”。

先来讲一下为什么准晶体一直不被认为存在。就像孩子们的简单游戏所证明的那样,该解释对晶体可能拥有的对称性提出了限制。假如你想通过排列一模一样的瓷砖来铺盖桌面,利用重复的三角形瓷砖可以完成这项含有技巧的任务,所以有可能制造出具有三重对称性的晶体;利用四边形和六边形瓷砖也可以完成这项任务,因此也可以制造出四重和六重对称性的晶体。但是,利用五边形瓷砖无法完成这项任务,因为瓷砖之间总会有空隙。于是,不可能存在具有可重复排列的五重对称性晶体。因此,准晶体难以存在。

但是,科学家可以这样做。1982年4月8日上午,在马里兰州盖瑟斯堡市国家标准与技术研究院工作期间,谢赫特曼取了铝锰合金样品,为了防止结晶,他事先将样品速冻,并向其中发射了电子束。如果这种材料中存在有序排列的原子,电子就会通过原子的表面衍射出来,并且以特定的角度显现出探测器可以辨认的图案。谢赫特曼看到的衍射图案不同于以往看到的任何图案:它是亮点构成的同心圆,每个圆圈内有10个点。这些圈符表明,不可能的对称性是存在的。谢赫特曼用尽一切办法,一再检查自己的实验。但是,都得到了一样的结果。1

试验明确的说明,就算不能铺满平面,五边形也能组成相对对称的具有长程周期性的结构,这就是所谓的准晶体。

其实,现实生活中,准晶体的图案也是早为大家所熟知,却没有激发以前的科学家的灵感,不得不说是一种遗憾。例如,马赛克镶嵌工艺。数量上有限的、不同形状的瓷砖拼在一起,形成的图案从不重复。阿拉伯艺术家早在13世纪时就运用了这样的镶嵌工艺来装饰建筑物,例如当时装饰的西班牙格拉纳达市的阿尔汉布拉宫。20世纪60年代和70年代的时候,数学家们企图发现最少用多少块瓷砖就可以拼出这种非周期性的图案。20世纪70年代中期,彭罗斯得出答案:仅用两块菱形瓷砖作为一套就可以做到这一点。看一看彭罗斯图案,你就可以发现其中有许多五边形和十边形。

晶体学家阿伦?麦凯(Alan Mackay)利用圆圈代表彭罗斯瓷砖砖角处的原子,建造了一

个模型,然后计算了将会产生怎样的一种衍射图案。结果,圆圈中的亮点呈现出十重对称。更早几年的时候,宾夕法尼亚大学的保罗?斯坦哈特(Paul Steinhardt)及其学生道伍?莱文(Dov Levine)也一直在设计基于彭罗斯瓷砖的理论结构。

1984年秋季,一个同事把预先打印的谢赫特曼论文初稿拿给斯坦哈特看。“我激动得跳了起来!两块瓷砖看起来吻合得很漂亮,”斯坦哈特说。谢赫特曼把自己的观察跟彭罗斯式结构联系起来之后不久,斯坦哈特和莱文发表了一篇论文,并且创造了“准晶体”这个术语。

但是准晶体在很大程度上仍然是个谜。因为人类还未想出一个个原子是怎么排出这样的远程结构的。“这些结构的产生不可能是简单地基于某些褊狭的规则,一定存在某种微妙的形成原理,”彭罗斯说。斯坦哈特同意彭罗斯的看法。“我们运用在晶体上的数学技法,在准晶体上行不通,”他说,“我们无法很好地预测准晶体的特性。”准晶体存在于大自然中。三年前,在俄罗斯东部的科里亚克山脉曾经发现过一种准晶体矿物。准晶体也存在于世界上一种最为耐用的钢材中。这种钢材是由瑞典的一家公司制造的,用于刀片和手术针上。目前,准晶体开始在其他的工业领域找到用武之地,例如:平底锅的不粘层,发动机的隔热层,以及回收废热用的热电材料等。“现在,谢赫特曼的准晶体广泛地用于改善工程材料的机械特性,而且准晶体是结构科学中一个全新分支学科的基础。”牛津大学的安德鲁?古德温(Andrew Goodwin)在发表声明时说,“如果说他的研究中存在一个值得我们吸取的特殊教训,那就是不要低估大自然本身的想象力。”至于晶体的定义,国际晶体学联合会于1992年把其从“规则有序而重复排列的原子构成的固体”改为“衍射图案基本明确的任何固体”。2

准晶体的发现可以说是既在意料之外又在情理之中。虽然德国的数学家已经论证了所谓晶体中不会存在5次和6次以上的旋转轴,为了满足晶体的平移对称性,但是他的依据是理想晶体。我也一直认为准晶体的存在是自然界中多样和包容的体现,是完全合情合理的。

准晶体的应用是非常广泛的,很多已经获得了实际的效果。如今在钴、铁、镍等金属的铝合金中,准晶已经成为了一种见怪不怪的结构。有趣的是,准晶出自合金,本身却是电的不良导体。它的其他特点包括:磁性较强,在高温下也比晶体更有弹性,十分坚硬,抗变形能力也很强,因此可以作为商用价值很好的表面涂层。目前世界上准晶的研究十分活跃,在法国、德国、日本和美国都有,预计在未来几年中,它的低摩擦、耐腐蚀、耐热性和非粘性会进一步被开发利用于材料领域。有人也在铝基体中嵌入了硬纳米准晶,去发掘它的更多性能。哈佛大学理论物理学家、美女教授丽莎?兰道尔(Lisa Randall)在其科普书《弯曲的旅行》中就曾写道:带有准晶体镀层的锅之所以不粘,正是利用了准晶体与常见食物的结构差异,锅里镀层大高维晶体投影与常见食物的三维平凡结构是有差异的,原子排列的不同使得它们不会粘连在一起。关于准晶的研究方兴未艾。比如说光子准晶,它是以准周期形式排列的,和光子晶体具有相似的性质(如各向同性的带隙),可用于建造微型光学元件。3

我对准晶体作为“盔甲”这方面很感兴趣。AICuFe准晶(通俗的叫法为铝-铜-铁的准晶体),其硬度可与氧化硅相比。这种晶体为什么会用这么高的强度呢?这是由于这种准晶体的特殊结构,它会形成20面体,具有与晶体不一样的宏观对称性,所以造就了其高强度。我还查找了关于形成AICuFe准晶合金的文献,其中一篇经退火的大概内容如下。为了研究AlCuFe准晶体的形成机理,采用了X射线衍射(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)2种分析技术,有效地克服了高度无序体系结构分析的困难。研究结果表明,在球磨过程中Cu原子进入Al的晶格点阵,经过不同球磨时间分别形成金属间化合物Al2Cu或者Cu9Al4,而Fe原子保持原来的体心立方(bcc)α-Fe结构不变;退火处理可以驱使α-Fe与Al和Al-Cu化合物反应,主要的产物分别为Al

7Cu2Fe化合物或者Al(Cu,Fe)固溶体;最后,在较高的温度下Al7Cu2Fe转变为Al65Cu20Fe15准晶体。

这个实验巧妙地利用了EXAFS技术对Fe、Cu原子信号有极高灵敏度[22]的特点,联合采用传统的XRD技术,使原子配位环境和晶格长程有序2种信息相互补充、互为印证,准确认识机械合金化Al-CuFe准晶材料的结构相变规律,有效地解决了文献[3,6,9,16~20]中有关AlCuFe准晶体形成机理相互对立的困难。

结果与讨论——在机械合金化过程中,随着球磨时间的增加,晶粒急剧细化、晶格畸变,并产生较大的内应力,因而使XRD衍射峰的强度减弱、峰宽增加、峰位移动,物相分析困难。联合使用EXAFS技术与XRD方法相互补充、互为印证,可以有效地克服高度无序体系结构分析的困难,揭示球磨时间和退火处理对AlCuFe准晶形成的影响。结果表明,在球磨过程中Cu原子进入Al的晶格点阵,经过不同球磨时间分别形成Al2Cu或者Cu9Al4,Fe原子保持原来的bccα-Fe结构不变。退火处理可以驱使α-Fe与Al和Al-Cu化合物反应,主要的产物分别为Al7Cu2Fe化合物或者Al(Cu,Fe)固溶体。最后,在较高的温度下Al7Cu2Fe转变为Al65Cu20Fe15面心二十面体准晶相。4

在实际生活中,准晶体早已被开发为有用的材料。像我们最常见的不粘锅炊具,因为准晶材料具有耐蚀耐磨等特点,用于不粘锅表面更抗腐。准晶材料的应用主要作为表面改性材料,以及作为增强相弥散分布于结构材料中。在隔热性能方面,相比泡沫、纤维、金、银、镍、铝箔等传统隔热材料,准晶体具有密度小、耐蚀和耐氧化的优点,在航空和汽车工业的发动机等部件中,有非常大的应用价值。以前,航空航天工业中,飞机座舱和驾驶舱内常用泡沫塑料、超细玻璃棉、高硅氧棉等材料,而现在,科学家们正研究用准晶体材料来替代这些传统材料。此外,准晶体还被用作太阳能工业薄膜材料。因为准晶体具有特殊的光学性能(高的红外传导率)和足够的热稳定性(抗氧化及扩散稳定性),可应用于太阳热能工业。此外,准晶体材料还可以作为结构材料增强相的应用、储氢材料、半导体材料以及热致发电材料等。目前各国化学家也正在研究准晶体材料在真空镀膜、离子注入、激光处理、电子轰击、电镀等方法制备准晶膜的应用。我国在准晶的基础研究方面,也走在世界前列,尤其是在准晶增强基复合材料的研究、准晶粉末的制备在全世界也具有优势。5

准晶体的发现,是一个划时代的发现,它改变了我们生活的很多方面,并且还有很多功用有待我们人类去开发利用。发现它的科学家,丹尼尔·舍特曼,是一个伟大的真理探寻者,他不惧权威,踏实认真的做自己的实验,坚信自己的结论,并且顶住当时几乎是全世界科学家对他的无情嘲笑,发表自己的观点。可以说,他的天才学识和自身的努力以及上天的眷顾,使他发现了准晶体;而他的勇气,自信和面对嘲笑仍然坚持的信念,却使世界知道了准晶体。因此,我们是否要对此有所感悟呢?我们应该向这位所谓的“准科学家”好好学习!

准晶体还需要更多的发现,准晶体还会有更多的应用。

参考文献:

1、胡德良/ 编译《见怪不怪准晶体》Nature & SciTech No. 188 November-December 2011

2、新华社《谢赫特曼因发现准晶体独享2011 年诺贝尔化学奖》2011. 11

3、伍陶陶刘育樊振军《准晶材料的研究及应用》中国地质大学(北京)材料科学与工程学院物理实验中心2011-12-10

4、卞清王晓张明李媛媛徐云玲《机械合金化AlCuFe经退火形成准晶体的结构变化》Vol.12No.5Oct.2011

5、ROYM.FormationandmagneticpropertiesofmechanicallyalloyedAl65Cu20Fe15quasicrystal[J].JMagnMagnMater,2006(302):52-55

三极管的识别检测教学方案计划设计

《三极管的识别和检测》 教 学 设 计

江苏省靖江中等专业学校 教学设计思想 对于高职院校五年制大专电子专业的学生来讲,《电子产品的装配与调试》是一门理论与实践紧密结合的课程。这门功课是学生通向就业之路的大门,也是电子类学生必须掌握的一门专业技能课。 《电子产品的装配与调试》在专业学习中占据了比较重要的地位,但是它也是很多学生学习的难点。传统的授课方式无法满足学生的学习需要,实践性强是这门功课最显著的特点,因此,如何改变传统教学模式,围绕教、学、做为一体,项目式、一体化教学一直是我们探索和实践的方向。下面我通过三极管的识别和检测这一教学章节的具体教学实践,具体阐述我的教学思想和方案。 教学思想:采用项目引领,任务驱动的模式,通过任务驱动和教师引导让学生自主学习动手参与。 一、以“情境聚焦”激发学习兴趣 学生的学习兴趣是学生学习的动力,也是学好一门功课的基础。对于一门比较枯燥的专业课来讲,如何激发学生的学习兴趣至关重要。在设计这节课的教学环节时,所

有任务的提出都采用“情境聚焦”的方式,例如:由音乐门铃引出三极管,由实物、图片引出认识三极管。通过我们日常生活中常见的现象引出课题,同时在授课过程中多采用多媒体教学手段,以播放视频、动画等方式让学生集中注意力,这样就可以把学生的学习兴趣激发出来,让他们带着热情去了解枯燥的知识点。 二、以“项目总结”梳理学习要点 这节课的教学过程总共提出了三个学习任务及拓展任务,在每个教学环节结束,我都会根据学生看一看、听一听和做一做等学习步骤得出的结论进一步进行总结和归纳,形成学习要点。学生要做的就是掌握这些知识点并把这些知识点应用到具体的实践操作中去。 三、以“思考实践”巩固学习效果 做中学,教中做,教、做、学一体式本堂课的主要教学特点。课堂中,老师把大量的教学内容用提问的方式给出,引发学生思考,引导他们自己寻求答案,而老师只需要把他们的答案进行系统的总结归纳。学习效果的巩固则依靠操作过程来完成,真正使学生做到融学于做。 教学方案

固体、液体、气体, 晶体、非晶体、单晶体、多晶体、准晶体它们的本质差别是什么

固体、液体、气体, 晶体、非晶体、单晶体、多晶体、准晶体/ 它们的本质差别是什么? 2009-12-15 11:55:31| 分类:微电子物理| 标签:|字号大中小订阅 作者:Xie M. X. (UESTC,成都市) (1)气体: 气体能够压缩其体积,而固体与液体都不能被压缩,这是气体与其它两种状态(固体和液体)之间的最大差别。显然这是由于气体中原子(或分子)的分布比较稀疏、间距较大,而固体和液体中原子(或分子)的分布比较紧凑的缘故。 (2)固体与液体: 它们的最大差别就在于是否有流动性。造成这种差别的根本原因就是其中的原子排布是否有确定的框架规则,即是否存在所谓晶体结构。固体有一定的晶体结构,而液体则否。也因此,液体中原子的分布可以更加紧密一些,则原子密度通常也较大于固体。 例如Si和Ge晶体,都具有立方晶系的结构(通过具有方向性和饱和性的共价键把各个原子联系起来);当这些晶体被熔化而变成液体以后,晶体结构即解体,其中的原子将排列得更加紧密,则其体积都将相应地有所减小。再如常见的水,是一种典型的液体,但在0oC 以下时即转变为固体——冰,就使得各个水分子都被水的晶体结构约束住了,不能随意流动,相应地体积也将增大。 (3)晶体和非晶体: 所有的固体都具有一定的晶体结构,这是区别于液体和气体的最大特点。但固体又有晶体与非晶体之分。晶体就是其中的原子排列非常规则,严格按照一定的晶体结构分布;采用科学术语,即是说,晶体就是其中原子的排列具有周期性和对称性的固体,或者说晶体中原子的排列具有长程有序性。 而非晶体,其中原子的排列虽然也遵从一定晶体结构的框架,但它只是在小范围内是完全规则的,而在大范围内则否,即不具有长程有序性,而是具有短程有序性。所以,非晶体实际上也是晶体,只不过其中原子的排列从大范围来看不太规则而已,即原子在排列上存在有缺陷。例如,非晶硅,它仍然具有立方晶系的晶体结构,但是从整个材料的大范围来看,原子排列就缺乏周期性和对称性,其中存在大量排列不规则的原子——缺陷。又如,半导体工艺中常用的SiO2薄膜,它具有六边形网络式的晶体结构,但是缺乏长程有序性,也是一种非晶体;当然,若把SiO2生长成水晶的话,那就成为了单晶体。 (4)单晶体和多晶体: 晶体又可区分为单晶体和多晶体。单晶体就是整个晶体中原子的排列都具有长程有序性,即晶体结构非常完整。现在用来制造半导体器件和集成电路的Si片就是典型的单晶体。 多晶体也是晶体,它不算非晶体;但多晶体又不同于单晶体。也可以说,多晶体是由许多单晶体(晶粒)组成的。每一个晶粒是单晶体,具有长程有序性;但不同的晶粒,它们的原子排列的取向不同;并且各个晶粒之间存在一个原子排列混乱的区域——晶粒间界。总之,多晶体是包含有晶粒(单晶体)和晶粒间界(缺陷)的一种复杂晶体。 (5)准晶体: 通常说的单晶体就是具有长程有序性——原子排列具有严格的周期性和对称性的晶体,它不可能存在五度和6度以上的旋转轴对称性。然而,1984年,丹?谢赫舍特曼在快速冷却的Al4Mn 合金中发现了一种新的相,其电子衍射斑具有明显的五次对称性,并推测这种结构具有三维空间的彭罗斯拼图结构,后来在许多复杂的合金中也发现了这一现象。这种具有5度旋转对称轴的、具有长程定向有序的固体相,它只是没有平移对称性,这种固体就

晶体管的特性曲线

晶体管的特性曲线 晶体管特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线: (1) 直观地分析管子的工作状态 (2) 合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 1.测量晶体管特性的实验线路 图1 共发射极电路 共发射极电路:发射极是输入回路、输出回路的公共端。如图1所示。 2.输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极电压U CE为常数时,输入电路( 基极电路)中基极电流I B与基-射极电压U BE之间的关系曲线I B = f (U BE),如图2所示。 图2 3DG100晶体管的输入特性曲线 U CE=0V时,B、E间加正向电压,这时发射结和集电结均为正偏,相当于两个二极管正向并联的特性。 U CE≥1V时,这时集电结反偏,从发射区注入基区的电子绝大部分都漂移到

集电极,只有小部分与空穴复合形成I B。U CE>1V以后,I C增加很少,因此I B 的变化量也很少,可以忽略U CE对I B的影响,即输入特性曲线都重合。 由输入特性曲线可知,和二极管的伏安特性一样,晶体管的输入特性也有一段死区。只有在发射结外接电压大于死区电压时,晶体管才会导通,有电流I B。 晶体管死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。晶体管正常工作时发射结电压:NPN型硅管U BE0.6 ~ 0.7) V PNP型锗管U BE0.2 ~ 0.3) V 3.输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流I B为常数时,输出电路(集电极电路)中集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的关系曲线I C = f (U CE),如图3所示。 变化曲线,所以晶体管的输出特性曲在不同的I B下,可得出不同的I C随U CE 线是一族曲线。下面结合图4共发射极电路来进行分析。 图3 3DG100晶体管的输出特性曲线图4 共发射极电路 晶体管有三种工作状态,因而输出特性曲线分为三个工作区 (1) 放大区 在放大区I C=βI B,也称为线性区,具有恒流特性。在放大区,发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置,晶体管工作于放大状态。 对NPN 型管而言, 应使U BE> 0, U BC< 0,此时,U CE> U BE。 (2) 截止区I B = 0 的曲线以下的区域称为截止区。 I B = 0 时, I C = I CEO(很小)。(I CEO<0.001mA)。对NPN型硅管,当U BE<0.5V 时, 即已开始截止, 为使晶体管可靠截止, 常使U BE≤0。截止时, 集电结也处于反向偏置(U BC≤ 0),此时, I C≈0, U CE≈U CC。 (3) 饱和区当U CE< U BE时,集电结处于正向偏置(U BC> 0),晶体管工作于饱和状态。

晶体管的识别与检测.(DOC)

1、检测小功率晶体二极管 A、判别正、负电极 (a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。 (b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。 (c)、以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。 B、检测最高工作频率FM。晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。另外,也可以用万用表R×1k挡进行测试,一般正向电阻小于1k的多为高频管。 C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2、检测玻封硅高速开关二极管 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是,这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5k~10k,反向电阻值为无穷大。 3、检测快恢复、超快恢复二极管 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为4.5k左右,反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次,一般正向电阻为几欧,反向电阻仍为无穷大。 4、检测双向触发二极管 A、将万用表置于R×1k挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。 5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测 A、用万用表R×1k挡测量管子的好坏 对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。 对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。 6、高频变阻二极管的检测 A、识别正、负极 高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环的一端为正极。 B、测量正、反向电阻来判断其好坏 具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同,当使用500型万用表R×1k挡测量时,正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k~5.5k,反向电阻为无穷大。

准晶体——21世纪的新奇材料

21世纪的新奇材料:准晶体 ——综述准晶体的奇异物性和可能用途专业:物理学姓名:张文斌学号:09405130 摘要:2011年10月5日诺贝尔化学奖揭晓,以色列科学家达尼埃尔?谢赫特曼(Danielshechtman)教授因发现准晶体(quasi-crystal)而独享这份殊荣。准晶体的发现给科技界带来了极大的震动,颠覆了传统晶体学理论,打破了晶体学固有的格局,成为各领域科学家关注的焦点,其具有的独特性能,也大大激发了人们对其研究的热情。本文主要从两个方面论述这一新奇材料:即准晶体的奇异物性和可能用途。 关键词:诺贝尔化学奖准晶体奇异物性可能用途 正文: 2011年10月5日诺贝尔化学奖揭晓,以色列科学家达尼埃尔?谢赫特曼(Danielshechtman)教授因发现准晶体(quasi-crystal)而独享这份殊荣。诺贝尔化学奖评选委员会在发表的声明中表明:从原子级别观察准晶体形态,会发现原子排列具有规律,符合数学法则,但不以重复形态出现。获奖者的发现给科技界带来了极大的震动,颠覆了传统晶体学理论,打破了晶体学固有的格局,改变了科学家对固体物质结构的认识;准晶体的发现,因此而成为各领域科学家关注的焦点,其具有的独特性能以及可能用途,也大大激发了人们对它的研究热情。一、准晶体及其发现: 何谓准晶体呢?所谓准晶体,是一种介于晶体和非晶体之间的固体。物质的构成由其原子排列特点而定。原子呈周期性排列的固体物质叫做晶体,原子呈无序排列的叫做非晶体。准晶体具有完全有序的结构:在准晶体的原子排列中,其结构是长程有序的,这一点和晶体相似;但是准晶体不具有晶体所应有的平移对称性,因而可以具有晶体所不允许的宏观对称性,这一点又和晶体不同。普通晶体具有的是二次、三次、四次或六次旋转对称性,但是准晶的布拉格衍射图具有其他的对称性,例如五次对称性或者更高的六次以上对称性。 关于准晶体的发现,其过程具有很大的传奇性。关于这种长程有序的结构,其实早有发现,数学家在1960年代就推测出了这种对称模型;但是直到快20年后这种理论上的结构才和准晶体的研究联系起来。这次获得诺贝尔奖的丹尼

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。 二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理,了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。 三、实验原理 (一)半导体特性图示仪的基本工作原理 任何一个半导体器件,使用前均应了解其性能,对于晶体三极管,只要知道其输入、输出特性曲线,就不难由曲线求出它的一系列参数,如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢?最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试,而后描出曲线,逐点测试法不仅既费时又费力,而而且所得数据不能全面反映被测管的特性,在实际中,广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。 图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2(a)中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC,用图4-2(b)所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB,将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上,这样一来,荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。

1、共射输出特性曲线的显示原理 当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时,图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示 当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性 机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源,r 为等效内阻,I 为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN 结,而PN 结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN 型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。

晶体管输入输出特性曲线测试电路实验报告

实验题目:晶体管输入输出特性曲线测试电路的设计 班级: 学号: 姓名: 日期:

一、实验目的 1. 了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理与方法 2. 熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理与方法 3. 熟悉各单元电路的设计方法 二、实验电路图及其说明 晶体管共发射极输出特性曲线如图所示,它是由函数i c=f (v CE)|i B=常数,表示的一簇曲线。它既反映了基极电流i B对集电极电流i C 的控制作用,同时也反映出集电极和发射极之间的电压v CE对集电极电流i C的影响。 如使示波器显示图那样的曲线,则应将集电极电流i C取样,加至示波器的Y轴输入端,将电压v CE加至示波器的X轴输入端。若要显示i B为不同值时的一簇曲线,基极电流应为逐级增加的阶梯波形。通常晶体管的集电极电压是从零开始增加,达到某一数值后又回到零值的扫描波形,本次实验采用锯齿波。 测量晶体管输出特性曲线的一种参考电路框图如图所示。 矩形波震荡电路产生矩形脉冲输出电压v O1。该电路一方面经锯齿波形成电路变换成锯齿波v O2,作为晶体管集电极的扫描电压;另一方面经阶梯波形成电路,通过隔离电阻送至晶体管的基极,作为积极驱动电流i B,波形见图3的第三个图(波形不完整,没有下降)。 电阻R C将集电极电流取样,经电压变换电路转换成与电流i C成正比的对地电压V O3,加至示波器的Y轴输入端,则示波器的屏幕上便会显示出晶体管输出特性曲线。 需要注意,锯齿波的周期与基极阶梯波每一级的时间要完全同步(用同一矩形脉冲

产生的锯齿波和阶梯波可以很好的满足这个条件)。阶梯波有多少级就会显示出多少条输出特性曲线。另外,每一整幅图形的显示频率不能太低,否则波形会闪烁。 选作:晶体管特性曲线数目可调: 主要设计指标和要求: 1、矩形波电压(V O1)的频率f大于500Hz,误差为±10Hz,占空比为4%~6%,电压幅度 峰峰值大约为20V。 2、晶体管基极阶梯波V O3的起始值为0,级数为10级,每极电压0.5V~1V。 3、晶体管集电极扫描电压V O2的起始电压为0V,幅度大约为10V。 三、预习 理论计算:电路设计与仿真: 1.矩形波电路:仿真图如下:

准晶体的发现与应用

准晶体的发现与应用 周宸材料科学与工程2009051005 2011-12-13 2011年的诺贝尔化学奖公布之后,科学界“天本地裂”。来自以色列的科学家丹尼尔·舍特曼因发现准晶体而获奖。准晶体颠覆了常年来的权威,打破了晶体学固有的格局。所以,我对准晶体很感兴趣,于是查找了许多文献资料。 准晶体的定义是,物质的构成由其原子排列特点而定。原子呈周期性排列的固体物质叫做晶体,原子呈无序排列的叫做非晶体,准晶是一种介于晶体和非晶体之间的固体。准晶具有完全有序的结构,然而又不具有晶体所应有的平移对称性,因而可以具有晶体所不允许的宏观对称性。 1982年,海法市以色列理工学院的丹尼尔?谢赫特曼(Daniel Shechtman)发现,一种铝锰合金好像具有五重对称性,也就是说,当其中的原子形成的图案旋转五分之一周(72度)时,图案看起来基本上是相同的。其他研究人员都嘲笑该发现,因为当时这种排列被认为在数学上是不可能做到的。然而,科学家们最终认识到,通过自身的排列,图案达到几乎重复但永远也不能重复时,固体中的原子可以得到这样的对称,变成“准晶体”。 先来讲一下为什么准晶体一直不被认为存在。就像孩子们的简单游戏所证明的那样,该解释对晶体可能拥有的对称性提出了限制。假如你想通过排列一模一样的瓷砖来铺盖桌面,利用重复的三角形瓷砖可以完成这项含有技巧的任务,所以有可能制造出具有三重对称性的晶体;利用四边形和六边形瓷砖也可以完成这项任务,因此也可以制造出四重和六重对称性的晶体。但是,利用五边形瓷砖无法完成这项任务,因为瓷砖之间总会有空隙。于是,不可能存在具有可重复排列的五重对称性晶体。因此,准晶体难以存在。 但是,科学家可以这样做。1982年4月8日上午,在马里兰州盖瑟斯堡市国家标准与技术研究院工作期间,谢赫特曼取了铝锰合金样品,为了防止结晶,他事先将样品速冻,并向其中发射了电子束。如果这种材料中存在有序排列的原子,电子就会通过原子的表面衍射出来,并且以特定的角度显现出探测器可以辨认的图案。谢赫特曼看到的衍射图案不同于以往看到的任何图案:它是亮点构成的同心圆,每个圆圈内有10个点。这些圈符表明,不可能的对称性是存在的。谢赫特曼用尽一切办法,一再检查自己的实验。但是,都得到了一样的结果。1 试验明确的说明,就算不能铺满平面,五边形也能组成相对对称的具有长程周期性的结构,这就是所谓的准晶体。 其实,现实生活中,准晶体的图案也是早为大家所熟知,却没有激发以前的科学家的灵感,不得不说是一种遗憾。例如,马赛克镶嵌工艺。数量上有限的、不同形状的瓷砖拼在一起,形成的图案从不重复。阿拉伯艺术家早在13世纪时就运用了这样的镶嵌工艺来装饰建筑物,例如当时装饰的西班牙格拉纳达市的阿尔汉布拉宫。20世纪60年代和70年代的时候,数学家们企图发现最少用多少块瓷砖就可以拼出这种非周期性的图案。20世纪70年代中期,彭罗斯得出答案:仅用两块菱形瓷砖作为一套就可以做到这一点。看一看彭罗斯图案,你就可以发现其中有许多五边形和十边形。 晶体学家阿伦?麦凯(Alan Mackay)利用圆圈代表彭罗斯瓷砖砖角处的原子,建造了一

晶体管特性曲线测试电路

近代电子学实验之晶体管特性曲线测试电路

2、锯齿波:幅度0—10V连线可调,输出极性可变。 3、阶梯波:3—10阶连线可调。 4、电压—电流变换器:0.001<=I1<=0.2(mA),输出电流方向可变(每阶0.001<=Ib<=0.02(mA))。 实验设计的基本原理: 三极管特性曲线测量电路的基本原理: 晶体三极管为电流控制器件,他们特性曲线的每一根表示当Ib一定时Vc与Ic的关系曲线,一簇表示不同Ib时Vc与Ic的关系曲线的不同关系曲线,就称为单晶体三极管的输出特性曲线,所以在晶体三极管的基级加上阶梯电流源表示不同 Ib。在每级阶梯内测量集射极电压 Vc和集电极定值负载电阻上的电压 Vr,通过电压变换电路将 Vr换算成集电极电流 Ic, 以 Ic作为纵轴, Vc 为横轴, 在数字示波器上即可显示一条晶体管输出特性曲线。示波器的地线与测量电路地不可相通。即测量电路的稳压电源不能接大地。(因为示波器外壳已接大地) 晶体三极管特性曲线测量电路原理框图如下: 框图 在本测量电路中,两种波形的准确性直接影响到了输出曲线的好坏。故在实验中需准确调整主要电阻电容的参数。

电阻R10右边输出的波形就是脉冲方波,之后经过U6积分后,在U6的6脚即可输出锯齿波。 电路中,R5和C1的参数会直接影响到输出锯齿波的波形好坏,所以应注意参数。 2、阶梯波产生部分电路 产生阶梯波的原理: 阶梯波电路如下, 十进制同步计数器 (异步清零 ) 74ls161构成八进制计数器, 将比较器 U1 输出矩形波接至其脉冲端作为触发信号,进行计数。八进制计数器四位输出经过八位 DAC0832进行转换成八级阶梯波电压信号, 再经过放大电路进行放大。 电路中的与非门用于调节阶梯波的阶数,从而实现输出特性曲线中的曲线条数可调。由于74ls161的输出Q0—Q3是四个数的组合,对于该电路使用二输入端与非门作为闸门控制,那么可以得到3—10阶之间的任意数字的阶梯。譬如:Q1、Q0组合,分别接入与非门的两端,那么就可以得到3阶的阶梯波;若Q2、Q3组合,分别接到与非门的两端,即可得到10阶的阶梯波。 该阶梯波是下降的阶梯波,对于实验的结果是不会影响的。 电路图如下:

晶体管的分类及应用

晶体管分类及应用 摘要 晶体管是现代电子设备制造的基础,广泛出现在现代电子系统中。晶体管为电子领域带来了革命性的变化,使得电子设备体积更小、成本更低、更加高效。本文归纳了晶体管的分类以及各类晶体管在一些场景下的应用。 正文 一、绪论 晶体管是几乎所有现代电子产品中的关键活动组件,被许多人看作20世纪最伟大的发明之一。现代的半导体器件可以被大批量自动化生产,因此每个晶体管的的成本都很低廉。晶体管的低成本,灵活性和可靠性使其成为无处不在的器件。晶体管机电一体化电路已经成为机电设备控制设备来控制机器。相比于机械控制系统,微控制器和计算机程序用于控制系统显得更加便捷。 二、分类 1)按材料 锗晶体管: 1948年锗晶体管出现后,固态电子器件的应用开始。最早在1941年,锗二极管开始取代了电子装置里的真空管。但是锗晶体管有一个重大缺点,易产生热失控。 硅晶体管:硅的电子特性比锗优越,但是所需的纯度高,取代锗晶体管。 化合物半导体砷化镓晶体管:砷化镓拥有一些比硅还要好的电子特性,如高的饱和电子速率及高的电子迁移率。在高速器件中,化合物晶体管是一个不错的选择。用砷化镓制造的化合物晶体管可以达到很高的工作频率,原因在于化合物砷化镓的电子迁移率是单质硅的5倍。 碳化硅晶体管

硅锗合金晶体管:在CMOS工艺方面,SiGe工艺的成本和硅工艺相当,但在异质结技术方面,SiGe工艺的成本比砷化镓工艺还要低。SiGe材料可让异质结双极性晶体管整合进CMOS逻辑集成电路,达成混合信号电路的功能。 石墨烯晶体管等。 2)按结构 BJT、JFET、IGFET (MOSFET)、IGBT等。 3)按电极性 n–p–n及p–n–p(BJT),N沟道及P沟道(FET)。 4)按最大额定功率 低功率晶体管、中功率晶体管及高功率晶体管。 5)按最大工作频率 低频晶体管、中频晶体管、高频晶体管、无线电频率(RF)晶体管、微波频率晶体管。 6)按应用类型 开关晶体管、泛用晶体管、音频晶体管、高压晶体管等。 7)按封装技术 插入式金属封装或塑胶封装、表面黏着技术、球栅阵列封装、功率晶体等。 8)按增益系数 hfe、βF或gm(跨导)等。 三、应用 双极结型晶体管(BJT) 双极性晶体管可放大信号,并应用在功率控制和模拟信号处理等领域。使用双极性晶体管可通过已知的基极-发射极的偏置电压和其温度、电流关系来测量温度。现在人们不断认识到能源问题,而场效应管技术由于功耗更低,在数字集成电路中逐渐成为主流,双极性晶体管的使用相对较少。相比于金属氧化物半导体场效应晶体管,双极性晶体管提供了一定的跨导和输出电阻,在功率控制等方面能力突出,并具有高速和耐久的特性。因此,双极性晶体管仍在模拟电路中占据重要位置,特别是高频应用电路的重要配件。可将MOSFET用BiCMOS技术和双极性

准晶体的性能及其应用

准晶体的性能及其应用 潘正根0943011041四川大学材料科学与工程学院 摘要:1984年底, 美国国家标准局的Shechtman 等人报导了他们在急冷Al-Mn 合金中观测到五次对称电子衍射图的相, 它不具有传统晶体学的对称性,称这种具有5次对称而无周期平移序的物质为准周期性晶体(准晶)。准晶体具有独特的属性,坚硬又有弹性、非常平滑,而且,与大多数金属不同的是,其导电、导热性很差,因此在日常生活中大有用武之地。科学家正尝试将其应用于其他产品中,比如不粘锅和发光二极管等。 1准晶的性能 1.1物理性能 1.1.1密度 准晶的密度比经过退火后得到的相同成分晶态相的密度约低2% , 这表明准晶中原子的排列虽然比较密集,但其有序度低于晶态合金。 1.1.2导电性 与金属的导电性质相比,准晶显示出一种迥然不同的性质。准晶一般有比较大的电阻;如在温度为4K 时二十面体准晶Al -Cu-Fe的电阻率ρ(4K)=4.3m Ω cm, I-Al-Cu-Ru 的电阻率ρ(4K)=30m Ω m。当温度不太高时,准晶的电阻随温度的增加而减少,在AlCuCo 二维准晶中, 沿10次轴这个周期方向, 电阻随温度升高而增大(圆圈), 与金属中的情况一致;而在与此正交的准周期方向, 电阻随温度升高而减小(圆点), 与半导体相似。这种反常的各向异性可能对制造电子器件有用。美国贝尔实验室也在进行类似的研究。

准晶的电阻与其组分浓度有关。实验发现,准晶的导电性能随样品质量的改善反而降低。准晶异常的导电性能反映准周期结构对物理性能的影响,它可以从准周期系统中电子结构的异常性中得到解释。 1.1.3导热性 与普通金属材料相比, 准晶材料的导热性较差。在室温下准晶的导热率比铝和铜低两个数量级、比不锈钢低一个数量级,与常用的高隔热材料ZrO2 相近。与准晶的电阻率一样,准晶的导热性也具有负的温度系数,并且对准晶结构的完整性也较为敏感,即准晶结构越完整其导热性越差。此外,准晶的热扩散系数和比热容都随温度的升高而增大。 1.1.4磁性能 这里主要介绍实验研究较多的Al-Mn系二十面体准晶的磁性研究成果。根据研究Al-Mn 系准晶合金的直流和交流磁化率与温度之间的关系发现 ,其磁化率与温度之间遵守居里-外斯规律, 显示负的居里温度,并在约10K时存在自旋玻璃转变。由直流磁化率与温度的关系求出含Mn为20a t%的Al-Mn及Al-Mn-Si系准晶合金的平均有效磁矩为1. 4μB。通过进一步的核磁共振、核比热与磁比热以及饱和磁矩的研究发

准晶体的发现及意义

准晶体的发现及意义 提要: 准晶是一种介于晶体和非晶体之间的固体,具有完全有序的结构,然而又不具有晶体所应有的平移对称性,因而可以具有晶体所不允许的宏观对称性。1982年准晶体的发现,给晶体学界带来了巨大的冲击,此后的数十年里,人们对于准晶体的探索从未停止,2009年,自然界发现天然准晶体化合物,时至今日,准晶体的原子排列组成与结构规律尚未被完全解析。 正文: 原子呈周期性排列的固体物质叫做晶体,原子呈无序排列的叫做非晶体,准晶是一种介于晶体和非晶体之间的固体。准晶体具有完全有序的结构,然而又不具有晶体所应有的平移对称性,因而可以具有晶体所不允许的宏观对称性。物质的构成由其原子排列特点而定[1]。 以色列科学家丹尼尔-谢赫特曼(Daniel Shechtman)因发现准晶体而一人独享了2011年诺贝尔化学奖:2011年,70岁的谢赫特曼将获得1000万瑞典克朗(约合140万美元)的奖金,他发现了准晶体,这种材料具有的奇特结构,推翻了晶体学已建立的概念。许多年以来,凝聚态物理学家们仅仅关心晶态的固体物质。然而,在过去的几十年,他们逐渐把注意力转向“非晶”材料,如液体或非晶体,这些材料中的原子仅在短程有序,被称为缺少“空间周期性”。 准晶体的结构在20世纪之前就已经被建筑师熟知,例如在伊朗伊斯法罕的清真寺,上面瓷砖的图案就是按照准晶样式排列。 1961年,数学家王浩提出了用不同形状的拼图铺满平面的拼图问题。数学家们已经知道,可以用单一形状的拼图拼满一个平面,例如任意形状的四边形或者正六边形,但是当增加拼图单元的种类时,就能够构造出更多的拼满一个平面的方法。两年后,王浩的学生Robert Berger构造了一系列不具有周期性的拼图方法。之后铺满平面所需要的拼图种类越来越少,1976年Roger Penrose构造了一系列只需要两种拼图的方法,这种方法拼出来的图案具有五次对称性。

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告实验二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性

机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E为表内电源,r为等效内阻,I为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到R?100或R?1K档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。

2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN结,而PN结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的R?100或R?1K档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。 (2)判断集电极和发射极 判断集电极和发射极的基本原理是把三极管接成基本单管放大电路,利用测量管子的电流放大系数?值的大小来判定集电极和发射极。以NPN型为例,如图所示。基极确定以后,用万用表两表笔分别接另外两个极,用100K?的电阻一端接基极一端接黑表笔,若电表指针偏转较大,则黑表笔所接的一端为集电极,红表笔接的是发射极。也可用手捏住基极与黑表笔(不能使两者相碰),以人体电阻代替100K?电阻的作用。

晶体管的输入输出特性曲线详解

晶体管的输入输出特性曲线详解 届别 系别 专业 班级 姓名 指导老师

二零一二年十月 晶体管的输入输出特性曲线详解 学生姓名:指导老师: 摘要:晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。 根据晶体管的结构进行分类,晶体管可以分为:NPN型晶体管和PNP 型晶体管。依据晶体管两个PN结的偏置情况,晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。晶体管的性能可以有三个电极之间的电压和电流关系来反映,通常称为伏安特性。 生产厂家还给出了各种管子型号的参数也能表示晶体管的性能。利用晶体管制成的放大电路的可以是把微弱的信号放大到负载所需的数值 晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于

其响应速度快,准确性,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能,包括放大,开关,稳压,信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。 关键字:晶体管、输入输出曲线、放大电路的静态分析和动态分析。 【Keywords】The transistor, the input/output curve, amplifying circuit static analysis and dynamic analysis. 一、晶体管的基本结构 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,如图 1-1(a)、(b)所示。从三个区引出相应的电极,发射极,基极,集电极,各用“E”(或“e”)、“B”(或“b”)、“C”(或“c”)表示。 发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。当前国内生产的锗管多为PNP型(3A

准晶体的发现成就诺贝尔化学奖

准晶体的发现成就诺贝尔化学奖 湖南省湘乡市湖铁实验学校黄银飞 摘要:2011年诺贝尔化学奖授予给发现准晶体的谢赫特曼,本文在介绍谢赫特曼的主要成就的基础上阐述了准晶体的结构、性质、特点及用途,旨在推广前沿科学的普及理解,并颂扬科学家追求真理的不舍钻研精神,带给我们认真学习的启示。 关键词:准晶体;诺贝尔奖;谢赫特曼 中图分类号:G632.479文献标识码:A 文章编号: 2011年10月5日,化学诺贝尔奖被瑞典皇家科学院隆重揭晓,以色列化学家尼埃尔·谢赫特曼因发现了准晶体而独获此殊荣。其主要事迹是谢赫特曼于1982年4月8日首次在电子显微镜中观察到一种“反常理”的现象——所观察的铝锰合金冷冻固化实验中原子是以一种不重复的非周期性对称有序方式排列的,此种原子排列方式的固体物质是无法用已有的理论知识来解释,同时这种物质徘徊于晶体和非晶体之间,因此提出的“准晶体”的概念,推动了人类对物质结构更深层的认识。 图1 尼埃尔·谢赫特曼(Daniel Shechtman),1941-,博士, 化学家,欧洲科学院院士,美国国家工程院院士,以色列工学院教授。 一、曲折的科研道路 尼埃尔·谢赫特曼1941年生于以色列的特拉维夫,25岁时考入以色列工学院,1972年获得了以色列工学院博士学位,同年去美国俄亥俄州赖特-帕特森空军基地的航空航天研究实验室,在那里从事了3年钛铝化合物研究。1975年,谢赫特曼进入以色列工学院材料工程系工作,1982年他利用假期赴美国约翰斯?霍普金斯大学进行晶体的深入研究,惊奇地发现了准晶体的存在。 谢赫特曼通过电子显微镜观察铝合金中的原子,发现其排布为非周期性对称的有序排布,这无法通过当时的晶体结构理论来解释,于是他毅然地提出了类似此种物质的“准晶体”是存在的。因此种概念违背了当时的科学理论,谢赫特曼遭受了科学界众多学者的贬低与排挤,著名的化学家鲍林曾毅然肯定谢赫特曼的发现是错误的,他认为根本不可能存在“准晶体”,并呵斥谢赫特曼为“伪科学家”。众多化学界同行研究者也跟随着对谢赫特曼的伟大发现表示质疑,同年被迫谢赫特曼离开了研究团队。 谢赫特曼并未放弃自己的重大发现,在少数同行研究者的帮助下,“准晶体”方面的论文得以发表,但无法想象的是立即引起了科学界同行的更大反对。谢赫特曼被迫回国,虽然科研道路上十分艰辛,但他还是非常乐观地坚持着自己的发现。“必须成为某个领域的专家,

实验二 二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验二 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性 万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源,r 为等效内阻,I 为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN 结,而PN 结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN 型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。

晶体管输出特性曲线测试电路的设计实验报告

晶体管输出特性曲线测试电路的设计 无 29班 宋林琦 2002011547 一、实验任务: 设计一个测量NPN 型晶体管特性曲线的电路。测量电路设置标有e 、b 、c 引脚的插 孔。当被测晶体管插入插孔通电后,示波器屏幕上便显示出被测晶体管的输出特性曲线。要有具体指标的要求。 二、实验目的: 1、了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理和方法。 2、熟悉脉冲波形的产生和波形变 换的原理和方法。 3、熟悉各单元电路的设计方法。 三、实验原理: 晶体管共发射极输出特性曲 线如图1所示,它是由函数i c =f (v CE )|i B=常数,表示的一簇曲线。它 既反映了基极电流i B 对集电极电 流i C 的控制作用,同时也反映出 集电极和发射极之间的电压v CE 对集电极电流i C 的影响。 如使示波器显示图1那样的曲线,则应将集电极电流i C 取样,加至示波器的Y 轴输入端,将电压v CE 加至示波器的X 轴输入端。若要显示i B 为不同值时的一簇曲线,基极电流应为逐级增加的阶梯波形。通常晶体管的集电极电压是从零开始增加, 达到某一 图2 晶体管输出特性测试电路 图1 晶体管输出特性曲线 V CC 3

数值后又回到零值的扫描波形,本次实验采用锯齿波。 测量晶体管输出特性曲线的一种参考电路框图如图2所示。矩形波震荡电路产生矩形脉冲输出电压v O1。该电路一方面经锯齿波形成电路变换成锯齿波v O2,作为晶体管 集电极的扫描电压;另一方面经阶梯波 形成电路,通过隔离电阻送至晶体管的基极,作为积极驱动电流i B ,波形见图3 的第三个图(波形不完整,没有下降)。 电阻R C 将集电极电流取样,经电压变换电路转换成与电流i C 成正比的对地电压V O3,加至示波器的Y 轴输入端,则示波器的屏幕上便会显示出晶体管输出特性曲线。 需要注意,锯齿波的周期与基极阶梯波每一级的时间要完全同步(用同一矩形脉冲产生的锯齿波和阶梯波可以很好的满足这个条件)。阶梯波有多少级就会显示出多少条输出特性曲线。另外,每一整幅图形的显示频率不能太低,否则波形会闪烁。 四、主要设计指标和要求: 1、矩形波电压(V O1)的频率f 大于500Hz,误差为±10Hz ,占空比为4%~6%,电压幅 度峰峰值大约为20V 。 2、晶体管基极阶梯波V O3的起始值为0,级数为10级,每极电压0.5V~1V 。 3、晶体管集电极扫描电压V O2的起始电压为0V ,幅度大约为10V 。 五、电路设计及仿真结果: 1、 电路基本组成: 电路由5个基本部分组成,包括矩形波产生电路、锯齿波产生电路、阶梯波产生电路、电压变换电路和由以上4个电路组成的晶体管测试电路。 2、 矩形波产生电路: 用来产生窄的矩形脉冲,要求占空比为4%~6%,所用电路为一个由LM741组成的施密特触发器,用来产生矩形窄脉冲,由于二极管D3的单向导通功能,使得充放电时的回路电阻不同,以至于时间常数不同,从而决定了矩形脉冲的占空比不是50%,而是远小于50%。电路图以及仿真结果如下,矩形脉冲的峰峰值幅度大约为21V 。 时钟源 锯齿波发生器 阶梯波发生器 图3 输出特性曲线测试电路工作波形

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