模电10三种基本组态放大电路的分析
模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ，输入电阻ri = ，输出电阻ro = 。
参考答案:∞，∞，02.放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
参考答案:反相，同相3.欲将方波电压转换为三角波电压，应选用。
参考答案:积分运算电路4.欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用。
参考答案:微分运算电路5.欲将输入电压信号放大-100倍，应选用。
参考答案:反相输入式放大电路6.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
参考答案:正确7.在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
参考答案:错误8.电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。
参考答案:错误9.在选择整流元件时，只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。
参考答案:错误10.图示电路中，图中A点对地的电压为_____，B点对地的电压为_____。
【图片】参考答案:+15V，-15V11.在单相桥式整流电容滤波电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
参考答案:VL=1.2 V212.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
【图片】参考答案:正确13.只要满足相位平衡条件，且【图片】，就能产生自激振荡。
参考答案:正确14.若希望在输入电压小于-3V时，输出电压为高电平；而在输入电压大于+3V时，输出电压为低电平。
可采用________电压比较器。
参考答案:反相迟滞15.单门限比较器只有______个门限值，而迟滞比较器则有______个门限电压值。
参考答案:1，216.设计一个输出功率为100W的功率放大电路，则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。
参考答案:20W17.为了使负载获得尽可能大的功率，对功率放大电路的基本要求是。
参考答案:输出信号的电压和电流都尽可能大18.只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频，那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时，都不会产生自激振荡。
模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.以下电极名称哪一个不属于MOS器件?答案:基极2.在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）答案:热击穿3. NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。
答案:>,>4.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均为电流跟随器结构。
答案:CG，CB5.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均存在米勒倍增效应，因而均为窄带放大器。
答案:CS，CE6.下面对PN结单向导电性描述合理的有（）。
答案:反偏时几乎没有电流通过反偏时PN结等效为一个大电阻正向导通，反向截止7.下列关于BJT和FET的描述正确的是（）答案:BJT为流控器件，FET为压控器件BJT为双极型器件，FET为单极型器件8.共源（CS）放大器交流通路中，若引入源极电阻，关于其作用说法正确的是（）答案:控制的大小，避免因_过大产生非线性失真稳定静态工作点拓展放大器的带宽9.当环境温度升高时，PN结（）。
答案:半导体中的本征激发增强反向饱和电流增大10.与同类型、同偏置的电阻型负载差放放大器相比，有源负载差放放大器（）。
答案:采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好差模增益大大提高单端输出时共模抑制比更高广泛用于集成电路设计中11.N型半导体带负电，P型半导体带正电答案:错误12.在画放大器直流通路时，所有电容应短路，所有电感应开路答案:错误13.限幅电路仅能利用二极管的单向导电性实现。
答案:错误14.BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作用分别是电流源和有源负载答案:正确15.有源负载结构既能用于CE组态，也能用于CB和CC组态。
答案:正确。
模电复习参考
本文档整理的是模电我认为有可能出大题的地方以及有关的解法。
（个人见解，仅供参考）（一）基本放大电路的分析（单管）静态分析（直流分析）：交流电压源短路、电容开路后画出直流通路，然后计算I BQ=（Vcc-U BE）/Rb或I BQ=（Vcc-U BE）/（Rb+（1+β）Re）（这个式子是根据基极和发射极这两条支路与电源组成的环路列的）再求I CQ=βI BQ≈I EQ最后求U CEQ=Vcc-RcI CQ-ReI EQ（没有的部分为0）动态分析（交流小信号等效电路）：交流小信号等效电路的画法：电容短路，直流电源短路，用BJT交流模型（P46）替换晶体管，调整图形至直观。
计算方法：)mA(mV26)(1200EbeIβr++Ω＝（其中I E取I EQ）○1电路中所需要的各支路电流用I b、I c、I e表示，最后全转换成I b。
○2根据已知电阻以及表示出的电流分别写出输入输出电压的表达式（一般使用包含r be和包含R L’的两个回路）○3根据定义求放大倍数、输入输出电阻。
（二）反馈类型的判断对于三极管电路：若反馈信号与输入信号同时加在三极管的基极或发射极，则为并联反馈，若反馈信号与输入信号一个加在基极一个加在发射极则为串联反馈。
对于运放电路：若反馈信号与输入信号同时加在同相端或反相端为并联反馈。
若反馈信号与输入信号一个加在同相端一个加在反相端则为串联反馈。
判断电压还是电流反馈：假设输出端交流短路（RL=0），即uo=0，若反馈信号消失了，则为电压反馈；若反馈信号仍然存在，则为电流反馈。
（三）深度负反馈的计算方法一：由︱1+AF︱>>1和Af=A/(1+AF)得，深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈系数有关。
方法二：深度负反馈条件下，对基本放大电路使用“虚短”、“虚断”，方法一适用于反馈回路与Uo关系较为明显，方便易求的（如反馈电压为输出电压的分压），一般为晶体管电路和部分集成运放电路。
第二种方法一般针对集成运放电路使用。
模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结
模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One11、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。
4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。
5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。
7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。
9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。
三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。
三个极：基极B、发射极E和集电极C。
二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。
三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。
11、失真有三种情况:⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。
调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。
⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。
调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。
⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。
1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。
（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。
模电复习资料(专科)
模拟电路复习资料一、填空题1在本征半导体硅中，加入三价元素硼形成（P型）半导体，加入五价元素磷形成（N型）半导体；2．为了保证三极管工作在放大区，要求发射结（正向）偏置、集电结（反向）偏置；3．在三种基本组态放大电路中，输入电阻最高的是（共集电极）电路，输入电阻最低的是（共基极）电路，输出电阻最低的是（共集电极）电路；4．在场效应管放大电路中，结型场效应管需要（反向）偏置，增强型绝缘栅场效应管需要（正向）偏置；5．（串联）负反馈使输入电阻提高，（电压）负反馈使输出电阻减小；6．振荡器电路产生振荡时，必须满足（振幅平衡）条件和（相位平衡）条件；7．电容滤波适用于（小电流）负载场合，电感滤波适用于（大电流）负载场合。
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为（自由电子），少数载流子为（空穴）。
2、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、（正向导通）区、反向截止区和（反向击穿）区四个工作区。
3、双极型三极管简称晶体管，属于（电流）控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于（电压）控制型器件。
4、放大电路应遵循的基本原则是：（发射）结正偏；（集电）结反偏。
5、射极输出器具有（电压放大倍数）恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有（输入电阻）高和（输出电阻）低的特点。
6、对放大电路来说，人们一般希望电路的输入电阻（越大）越好，因为这可以减轻信号源的负荷。
人们又希望放大电路的输出电阻（越小）越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、晶体管由于在长期工作过程中，受外界（温度的影响）及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做（零点）漂移。
克服该漂移的最有效常用电路是（差动）放大电路。
8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压约等于零，称为（虚短）；二是两输入端电流约等于零，称为（虚断）。
9、单相半波整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的0.45倍；桥式整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的（0.9）倍；桥式、含有电容滤波的整流电路,其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的（1.2）倍。
《模电》练习题
练习题一1. 填空题1.1贴片电阻多用数码法标示，如512标示Ω。
（5.1k）1.2色环电阻，红+红+橙+金+棕，表示阻值和误差为。
（22.3Ω±1%）1.3 某采样电阻标注为R005，表示该电阻的阻值为Ω。
（0.005）1.4 一瓷片电容其标示为104J，表示其容量为uF、误差为±5%。
（0.1）1.5 电容具有通，阻的电气特性。
（交流，直流）1.6 电感在电路中常用“L”表示，电感的特性是通直流阻交流，频率越，线圈阻抗越大。
（高）1.7 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路，其作用是阻止电流通过。
（低频交流）1.8 P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。
（空穴，电子）1.9 温度增加时，二极管的正向电阻将会变。
（小）1.10 PN结最大的特点是。
（单向导电性）1.11 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为A，最高反向工作电压为V。
（1,50）1.12 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻，在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的极。
（正）1.13 三极管有三个引脚，基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。
（B，发射）1.14 三极管是部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。
它分为型和型两种。
（NPN，PNP）1.15指针式万用表的黑表笔接三极管基极，红表笔接触另外两极中的任一电极，若指针偏转角度很大，说明被测管子是型。
（NPN）1.16 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。
（源极，漏极）1.17 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值，比标称阻抗值要，这是正常现象。
（直流，小）1.18压电瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。
（电声）1.19电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。
（热式，外热式）1.20 焊接电子元件时，一般来说最恰当的时间是在s完成。
（1.5~4）1.21 用数字万用表测试二极管的反向电阻，应显示为。
（1）2. 选择题2.1 有几位同学拿来一个滑动变阻器，看到铭牌上标有“20Ω1A”的字样，这几位同学讨论时说出了以下几种对铭牌意义的理解，你认为正确的是（）。
模电第二章 基本放大电路
T ( C U B ) 不 E I B I C 变
温度T (C) IC ，
若此时I B
，则I
、
CQ
U CEQ在输出特性坐标
系中的位置就可能
基本不变。
2.4 放大电路静态工作点的稳定
一、典型电路
消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β。
例2-1:由于电路参数的改变使静态工作点产生如图所示变化。 试问（1）当Q从Q1移到Q2、 从Q2移到Q3、 从Q3移到Q4时， 分别是电路的哪个参数变化造成的？这些参数是如何变化的？
4mA 3mA 2mA 1mA
40µA
Q3
Q4
30µA 20µA
IB=10µA
2 6 m V
2 6 m V
r b e 2 0 0 ( 1 ) I E Q 2 0 0 ( 1 3 0 ) 1 . 2 m A 8 7 1 . 6 7
R i R b ∥ r b e r b e 8 7 1 . 6 7 R o R c 6 k
2.4 放大电路静态工作点的稳定
温度对Q点的影响
2、放大电路的动态分析（性能指标分析）
（1）放大电路的动态图解分析法
结论: 1. ui uBE iB iC uCE uo
阻容耦合共射放大电路
2、放大电路的动态分析（性能指标分析）
（1）放大电路的动态图解分析法 二、图解分析
结论: 2. uo与ui相位相反；3. 测量电压放大倍数；4. 最大不失 真输出电压Uom （UCEQ －UCES与 VCC－ UCEQ ，取其小者，除以 2 ）。
Q
UBE/V
UBEQ VCC
1、放大电路的静态工作点 （2）图解法确定静态工作点
模电复习资料判断选择填空
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
（对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。
（对）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
（错）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错）三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
（错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。
（错）第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。
（对）2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错）三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
（对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用。
（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。
（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。
（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
（错）第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。
（对）第五章差动放大器有单端输出和双端输出两大类，它们的差模电压放大倍数是相等的。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
教案
课程名称：模拟电子技术___ 适用专业：电子信息工程技术 _ 总课时： _____ 80_________ 任课教师：陈燕熙_______ 职称：无_______ _
重庆电信职业学院制
二〇一四年四月二十三日
填写说明
1.教案编写要求内容简明、条理清楚、教学目的明确、教学内容设置合理、重点难点清晰；以简案为主。
2.教案按一个教学单元编制，一个教学单元原则上为2-4课时，具体的课时可根据实际情况而定。
3.单元内容：指本教学单元的主题内容，可以是课题、训练项目、工作任务或是教学模块。
重庆电信职业学院课程教案。