ULN2803发光二极管驱动芯片
8个达林顿管阵列芯片
8个达林顿管阵列芯片
达林顿管阵列芯片是一种集成了多个达林顿管的芯片，用于控制大电流驱动的装置。
以下是一些常见的8个达林顿管阵列芯片：
1. ULN2803：8位达林顿管阵列芯片，可用于驱动继电器、步进电机等设备。
2. ULN2003：8位达林顿管阵列芯片，常用于驱动小型电机、LED 显示屏等。
3. TPIC6B595：8位达林顿管阵列芯片，可用于驱动大功率负载，具有过载保护功能。
4. ULQ2803：8位达林顿管阵列芯片，适用于控制继电器、步进电机等高电流负载。
5. ULN2804：8位达林顿管阵列芯片，常用于驱动电流较大的负载。
6. SN754410：8位双向达林顿管阵列芯片，可用于驱动直流电机、步进电机等。
7. TIP120：8位达林顿管阵列芯片，适用于高电流应用，如驱动电机、灯光等。
8. L293D：8位双向达林顿管阵列芯片，常用于控制直流电机、步进电机等。
这些芯片都可以通过控制输入信号来控制相应的达林顿管输出，实现对大电流负载的驱动。
uln2803工作原理
uln2803工作原理
ULN2803是一种8位继电器驱动器芯片。
它的工作原理如下：
1. 输入信号：ULN2803芯片有8个输入引脚，用于接收外部
输入信号。
当输入信号为高电平时，对应的输出引脚会被拉低。
当输入信号为低电平时，对应的输出引脚会被拉高。
2. 输出驱动能力：ULN2803芯片的每个输出引脚都能驱动高
达500mA的电流。
这使得它在控制各种继电器、电磁阀等高
功率负载时非常有效。
3. 电流限制：ULN2803芯片内部集成了输入端的稳定电流源，用于控制每个输出引脚的电流。
这样可以保证输出的电流在适当范围内，避免过大电流导致芯片损坏。
4. 抑制反馈：ULN2803芯片还内部具有抑制反馈电路，以防
止开关继电器等负载产生过多的电磁干扰。
总的来说，ULN2803芯片通过接收外部输入信号，控制对应
输出引脚的电平状态，从而实现对启动高功率负载（如继电器）的控制。
它具有较高的驱动能力和稳定性，被广泛用于自动化控制、电子设备等领域。
ULN2803L-V1.0
SOP18 1 2 3 4 5 6 7 8
9 10
11 12 13 14 15 16 17 18
CPC20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
TYPE I I I I I I I I
Tstg
-65
热阻
θJA
推荐工作范围
电源电压 输入电压 输出电流
参数 VM IN1-8 IOUTX
最小 2.0 0 0
最大 9.0 9.0 2 150 150 160
单位 V kV C
°C/W
最大 7.0 VBiblioteka 0.5单位 V A电气特性（VCC=5.0V, TA=25゜C, RLOAD=20）
参数
八通道 2.0-7.0V 持续电流 500mA NMOS 驱动器
ULN2803L
描述
ULN2803L是为低电压下工作的系 统而设计的八通道低导通电阻 NMOS驱动电路。
特性
⚫ 0.5A 输出电流（单路输出） ⚫ 工作电压范围 2.0-7.0V ⚫ SOP18封装 ⚫ 小封装CPC20
典型应用
⚫ 摇头机
测试条件
FET导通阻抗
RDSON
IOUT=500mA
INx
高电平输入电压
VINH
低电平输入电压
VINL
下拉电阻
RPD
二极管正向导通电压
二极管正向导通电压 VF 二极管反向电流
IF=350mA
二极管反向电流
IR
工作电流
VR=9.0V
电路关断电流 电路工作电流
ULN2803中文资料_数据手册_参数
ULN2803A中文资料第1页精选内容： ULN2803A达林顿晶体管阵列 SLRS049E - FEBRUARY1997 - REVISED JULY 2006 1邮政信箱 655303 ? 达拉斯，得克萨斯州75265 D 500 MA额定集电极电流（单路输出） D 高压输出... 50 V D 输出钳位二极管 D 输入兼容各种类型 的逻辑 D 继电器驱动器应用 D 兼容ULN2800A系列描述/订购信息 ULN2803A是一款高电压，高电流的产品达林顿晶体管阵列.该设备 由...组成八 NPN达林顿对那特征高压输出同共阴极用于开关感性负载的钳位二极管.该每个达林顿对的集电极电流额定值是 500毫安. 达林顿对可以连接并联以获得更高的电流能力.应用包括继电器驱动器，电锤驱动器，灯驱动器，显示驱动器（LED和气体放电）， 线路驱动程序和逻辑缓冲区. ULN2803A具有2.7-K每个达林顿对的Ω系列基极电阻进行操作直接使用TTL或5-V CMOS器件.订购信息 TA包?订购零件号 TOP-SIDE打标 PDIP（N） 20管 ULN2803AN ULN2803AN -40 °C至85°C SOIC（DW） 40管 ULN2803ADW ULN2803A -40℃至85℃ SOIC（DW） 2000卷 ULN2803ADWR ULN2803A ?包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南请 访问 版权 ?2006，德州仪器公司请注意，有关可用性，标准保修和重要应用程序的重要通知德州仪器半导体产品和免责声明出现在本 数据表的末尾. 1 2 3 4五 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 1B 2B 3B 4B 5B 6B 7B 8B GND 1C 2C 3C 4C 5C 6C 7C 8C COM DW或N包装 （顶视 图）生产数据信息截至发布日期为止.产品符合德州仪器的条款规定标准保修.生产加工不一定包括测试所有参数. ULN2803A达林顿晶体管阵列 SLRS049E - FEBRUARY1997 - REVISED JULY 2006 6邮政信箱655303 ? 达拉斯，得克萨斯州75265参数测量 信息注意事项：A.脉冲发生器具有以下特性：PRR = 12.5 KHZ，ZO = 50Ω. B. CL包括探头和夹具电容. C. VIH = 3 V.图9.闭锁测试脉冲 发电机 （见注释A）输入 VS 163 Ω CL = 15 PF （见注B）产量 40微秒 <5 NS <10NS 90％ 1.5 V 10％ 10％ 90％ 1.5 V VIH （见注释 C）输入产量 0 2 MH VOH测试电路电压波形 包装信息可订购设备状态 （1）包类型包画画引脚包数量生态计划 （2）铅/球完成 MSL峰值温度 （3） ULN2803ADW活性 SOIC DW 18 40绿色（ROHS＆无SB / BR） CU NIPDAU LEVEL-2-260C-1 YEAR ULN2803ADWG4活性 SOIC DW 18 40绿色（ROHS＆无SB / BR） CU NIPDAU LEVEL-2-260C-1 YEAR ULN2803ADWR活性 SOIC DW 18 2000绿色（ROHS＆无SB / BR） CU NIPDAU LEVEL-2-260C-1 YEAR ULN2803ADWRG4活性 SOIC DW 18 2000绿色（ROHS＆无SB / BR） CU NIPDAU LEVEL-2-260C-1 YEAR ULN2803AN活性 PDIP ? 18 20无铅 （ROHS）的 CU NIPDAU N / A为PKG类型 ULN2803ANE4活性 PDIP ? 18 20无铅 （ROHS）的 CU NIPDAU N / A为 PKG类型 （1） 营销状况值定义如下： ACTIVE：推荐用于新设计的产品设备. LIFEBUY：TI已经宣布该设备将停产，终身购买期限已 经生效. NRND：不建议用于新设计.器件正在生产中以支持现有客户，但TI不建议使用此部分一个新的设计.预览：设备已被宣布，但 尚未投入生产.样品或提供或不提供.停产：TI已停止生产该设备. （2） 环保计划 - 计划的环保分类：无铅（ROHS），无铅（ROHS豁 免）或绿色（ROHS和无SB / BR） - 请检查 获取新的可用性信息和其他产品内容详细信息.待定：无铅/绿色转换计划尚未定义.无铅（ROHS）：TI的术语“无铅”或“无铅”是 指符合当前ROHS要求的半导体产品对于所有6种物质，包括在均质材料中铅含量不超过0.1％的要求.在哪里设计焊接在高温下，TI无 铅产品适用于特定的无铅工艺.
几款uln2803的应用电路及驱动电路
几款uln2803的应用电路及驱动电路uln2803应用电路一：AVR单片机AT90S8515共有4个并行8位口，A口、B口、C 口、D口。
由于AT90S8515需要用+5V直流电压供电，每个并行口引脚输出最大电压不超过5V，输出电流最大为20mA［3］，但35BYJ46型四相八拍电机需要12V直流电压供电，因此，从AT90S8515单片机C口输出的信号不足以控制步进电机，所以必须加上驱动电路（即ULN2803）。
步进电机控制系统中将AT90S8515C口的高四位PC4-PC7与驱动电路接口芯片ULN2803的A、B、C、D四个引脚相连，经ULN2803驱动放大后输出到35BYJ46型四相八拍步进电机励磁线圈4-1号引脚上，而励磁线圈的5号引脚与驱动电路输出+12V相连。
电路连接如图：uln2803应用电路二：进电机驱动器电路uln2803应用电路三：二相步进电机驱动器电路uln2803应用电路四：LED发光二极管驱动器电路uln2803应用电路五：下图是由8路达林顿反相驱动器ULN2803A（IC1）驱动8只出口继电器的电路连接图。
所使用的继电器是触点功率较大的24V规格，而相应的控制电压为0V／5V，来自下图下部的控制端口PCD—PC70为了实现电平转换，同时能够消除传感器、开关动作干扰的影响，所以使用了两块DIP封装的光电耦合器TLP521-4（IC2、IC3）。
由下图可见，ICI内部已经为每一路达林顿晶体管的集电极（即图3中右侧三极管的集电极，在下图中则是每路反相驱动器的输出端11～18脚）设置了一只二极管，而达林顿晶体管的集电极是开路输出的，只有在负载电源24V与集电极之间连接上负载元件继电器线圈时，达林顿所谓的电流输出才有了通路：只要把集成电路IC1的⑩脚与负载电源24V接通，内部的续流保护二极管自动与继电器线圈并联起来，实现了保护，所以，连接在集成电路外部的继电器线圈无需重复连接保护二极管。
ULN2803中文资料
ULN2802 ULN2803 ULN2804A 8个NPNxx晶体管，连接在阵列非常适合逻辑接口电平数字电路（例如TTL，CMOS或PMOSxx/ NMOS）和较高的电流/电压，如电灯，电磁阀，继电器，打印锤或其他类似的负载，广泛的使用范围：计算机，工业和消费应用。
所有设备功能由集电极输出和钳位二极管瞬态抑制。
该ULN2803
是专为符合标准TTL，而制造ULN2804适合6至15V 的高级别CMOS或PMOSxx。
该电路为反向输出型，即输入低电平电压，输出端才能导通工作。
图一图
1-8：输入端
11-18：输出端
9：地端
10：电源+
图二 ULN2803内部电路图（1/8单元）图二 ULN2804内部电路图（1/8单元）
MAXIMUM RATINGS (TA = 25℃ and rating apply to any one device in the
package, unless otherwise noted.)最大额定值
订购信息
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25℃, unless otherwise noted)电气特性:
测试图:
图1 图2
图3 图4
图5 图6
图7
图四封装图
应用电路图：
图五步进电机驱动器
图六二相步进电机驱动器
图七 LED发光二极管驱动器电路。
ULN2803-1中文资料
(VCE = 2.0v, IC = 250mA) ULN2803 (VCE = 2.0v, IC = 300mA) ULN2803 (VCE = 2.0v, IC = 125mA) ULN2804 (VCE = 2.0v, IC = 200mA) ULN2804 (VCE = 2.0v, IC = 275mA) ULN2804 (VCE = 2.0v, IC = 350mA) ULN2804 Input Current–Off Condition 输入电流开关条件 (Figure3)(IC= 500mA,TA=+70℃) DC Current Gain (Figure 2)直流电流增益 (VCE=2.0v, IC=350mA) Input Capacitance 输入电容 Turn–On Delay Time 开启延迟时间(50% EI to 50% EO) Turn–Off Delay Time 关断延迟时间(50% EI to 50% EO) Clamp Diode Leakage Current (Figure 6)钳位二 TA = +25℃ 极管漏电流(VR=50v) TA = +70℃ VF – 1.5 所有类型 II(off) 50 100
–Emitter Saturationvoltage (Figure 2)集电极发射极饱和电压（图 2 ） Collector– Collector (IC = 350mA, IB = 500μA) (IC = 200mA, IB = 350μA) (IC = 100mA, IB = 250μA)
所有类型
1.1 VCE(sat) 0.95 0.85
1.6 V 1.3 1.1
所有类型 所有类型
Input Current – On Condition (Figure 4) 输入电流-状态（图 4 ） (VI = 17v)ULN2802 (VI = 3.85v) ULN2803 II(on) (VI = 5.0v) ULN2804 (VI = 12v)ULN2804 Inputvoltage – On Condition (Figure 5) 输入电压-状态（图 5 ） (VCE = 2.0v, IC = 300mA) ULN2802 VI(on) (VCE = 2.0v, IC = 200mA) ULN2803 2.4 13 V 0.35 1.0 0.5 1.45 0.82 0.93 1.25 1.35 mA
ULN2803中文资料
ULN2802 ULN2803 ULN2804A 8个NPN达林顿晶体管，连接在阵列非常适合逻辑接口电平数字电路（例如TTL，CMOS或PMOS上/ NMOS）和较高的电流/电压，如电灯，电磁阀，继电器，打印锤或其他类似的负载，广泛的使用范围：计算机，工业和消费应用。
所有设备功能由集电极输出和钳位二极管瞬态抑制。
该ULN2803是专为符合标准TTL，而制造ULN2804适合6至15V的高级别CMOS或PMOS上。
该电路为反向输出型，即输入低电平电压，输出端才能导通工作。
图一引脚图
1-8引脚：输入端
11-18引脚：输出端
9引脚：地端
10引脚：电源+
图二ULN2803内部电路图（1/8单元）图二ULN2804内部电路图（1/8单元）
MAXIMUM RATINGS (TA = 25℃and rating apply to any one device in the package, unless otherwise noted.)最大额定值
订购信息
测试图:
图1 图2
图3 图4
图5 图6
图7
图四封装图
应用电路图：
图五步进电机驱动器
图六二相步进电机驱动器
图七LED发光二极管驱动器电路。
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Octal High Voltage,High Current Darlington
Transistor Arrays ULN2803APG/AFWG
DESCRIPTIONS：
The eight NPN Darlington connected transistors in this
family of arrays are ideally suited for interfacing between
low logic level digital circuitry (such as TTL, CMOS or
PMOS/NMOS) and the higher current/voltage
requirements of lamps, relays, printer hammers or other similar loads for a broad range of computer, industrial, and consumer applications. All devices feature
open–collector outputs and free wheeling clamp diodes for transient suppression
DIP18
SOP18
The ULN2803 is designed to be compatible with standard TTL families while the ULN2804 is optimized for 6 to 15 volt high level CMOS or PMOS.
PIN CONNECTION
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C and rating apply to any one device
in the package, unless otherwise noted.)
Characteristic Symbol Value Unit
Output voltage V O 50 V Input voltage
V I 30 V Collector current- continuous I C 500 mA Base current- continuous I B 25 mA Operating temperature Topr 0～70 °C Storage temperature Tstg -55～+150
°C Junction temperature T J
125
°C
* R θJ A =55°C/W
Do not exceed maximum current limit per driver.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(unless otherwise specified: T A =25°C)
Characteristics Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Vo=50V, T A =70°C 100
Output leakage current (Fig.1)
I C E X
Vo=50V, T A =25°C 50 µA
Ic=350mA,I B =500µA 1.1 1.6 Ic=200mA,I B =350µA 0.95 1.3 Collector-Emitter
saturation voltage (Fig.2) V CE(sat)Ic=100mA,I B =250µA 0.85 1.1
V Input current
- on condition (Fig.4) I I (o n )V I =3.85V
1.1 1.35 mA V C E =
2.0V,I C =200mA 1.70 2.4 V C E =2.0V,I C =250mA 1.75 2.7 Input voltage
- on condition (Fig.5) V I (o n )V C E =2.0V,I C =300mA 1.80 3.0 V Input current
- off condition (Fig.3) I I (o ff )I C =500µA, T A =70°C
50 100
µA
Input capacitance C I
15 25 pF
Turn-on delay time (50% E I to 50% E O ) t on 0.25 1.0 µs Turn-off delay time (50% E I to 50% E O ) t off 0.25 1.0 µs T A =25°C 50
Clamp diode leakage
current (V R =50V) (Fig.6) I R T A =70°C 100 µA
Clamp diode forward Voltage (Fig.7)
V F
I F =350mA
1.5
2.0 V
TEST CIRCUIT
TYPICAL CURVE
OUTLINE DRAWING。