模拟电子技术期中A
《电子技术基础》期中考试试卷A
《电子技术基础》期中考试试卷A (闭卷考试)班级： 姓名： 学号：注意：答案一律写在答题纸上。
一、 填空题（本大题30分，每空1分）1. 半导体是依靠___________和___________两种载流子导电的物质，流过半导体内部的电流主要是由载流子在电场作用下的_______运动和浓度梯度作用下的_______运动所形成的。
2. PN 结的击穿根据形成机理的不同，可分为________击穿和________击穿两种。
3. 从对输出电流控制的形式来看，三极管属于_______控制元件，场效应管属于_______控制元件。
相应于三极管的基极、发射极、集电极，场效应管有_______极、_______极和_______极。
4. 在晶体管的共基、共集、共射三种基本放大电路中，输入电阻最小的是____________；输出电阻最小的是____________；无电压放大作用的是____________。
5. 按照滤波器的通频特性可将其分为____________、____________、__________和_________四种。
6. 当信号频率等于放大电路的下限截止频率L f 或上限截止频率H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的_________倍，即增益下降_________dB 。
7. 在本征半导体中加入_______价元素可形成N 型半导体，加入_______价元素可形成P 型半导体。
8. 镜像电流源电路具有直流电阻_______（小或大）而交流电阻_______（小或大）的特点，在模拟集成电路中广泛地把它作为有源负载。
9. 基本放大电路开环增益为A ，反馈系数为F ，输入信号与反馈信号相减作为净输入的放大电路中，其闭环增益表达式为：____________ ，其中当满足____________条件时，反馈属于负反馈；当满足____________条件时，叫做深度负反馈。
10.根据三极管工作状态的不同，在三极管的输出特性曲线中对应有三个区域，分别是：______区、_______区和_______区。
模拟电子技术期中试卷a2
2018—2019电子技术基础期中试题姓名总分一、填空题（每空1分，共20分）1．P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。
2．在室温附近，温度升高，杂质半导体中__________的浓度将明显增加。
3．在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。
4．按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。
5．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。
6．三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。
7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。
8．图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则U AB 为_______伏。
图1图2 9．电路图如图2，已知R B = 240kΩ，R C = 3kΩ，晶体管β= 20，V CC = 12V。
现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流I C不变，且忽略U BE，应把R B调整为____________kΩ。
10．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。
已量出I1= -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。
由此可知：(1) 电极①是__________极，电极②是__________极，电极③是__________极。
(2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。
(3) 此晶体管的类型是__________型（PNP或NPN）。
I1I2I3二、选择题（每小题2分，共20分）11．PN结加正向电压时，其空间电荷区会( ) A．不变B．变窄C．变宽D．不定12．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( ) A．本征半导体B．温度①②③第 1 页，共 4 页C．杂质浓度D．掺杂工艺13．从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施( ) A．发射区掺杂浓度高，集电结面积小B．发射区掺杂浓度高，集电结面积大C．发射区掺杂浓度低，集电结面积小D．发射区掺杂浓度低，集电结面积大14．半导体三极管的特点是( ) A．输入电流控制输出电流B．输入电压控制输出电压C．输入电流控制输出电压D．输入电压控制输出电流15．NPN型与PNP型三极管的区别是( ) A．由两种不同材料硅和锗制成B．掺入杂质元素不同C．P区或N区的位置不同D．死区电压不同16．某放大电路中的晶体三极管，测得其管脚电位为：①脚U1 = 0V，②脚U2 = -0.3V，③脚U3 = 8V，则可判定该管是( )A．锗管①为e极B．锗管②为e极C．硅管③为c极D．锗管③为e极17．某电路中的三极管符号如图4所示，测得其管脚电位标在图上，则该管是( ) A．放大状态B．截止状态C．饱和状态D．状态不能确定18．三种基本放大电路中电压放大倍数近似等于1的是( ) A．共基极放大电路B．共集电极放大电路C．共发射极放大电路D．无法确定19基本放大电路中Q点不稳的原因主要是( )A．电阻阻值有误差B．三极管参数的分散性C．三极管参数受温度影响D．电源电压不稳定20．基本放大电路输出波形如下图，这是什么失真，怎么消除( )A饱和失真增大Rb B饱和失真调小RbC截止失真增大Rb D截止失真调小Rb三、分析题（共60分）21．限幅电路如图5所示，u i= 2sinωt，V1、V2均为硅管，导通电压为0.7V。
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
模拟电子试卷A及答案参考
《模拟电子技术》考试试卷（A卷）试题总分： 100 分考试时限：120 分钟题号一二三四五六七八九十十一十二总得分一．填空题（共20分，每空1分）1．对数频率特性又称为。
多级放大电路总的对数增益（电压放大倍数）等于各级对数增益的，总的相位移等于各级相位移的。
2．在三极管共射基本放大电路中，影响其高频响应特性的主要是电容；影响其低频响应特性的主要是电容；3．产生正弦波振荡的条件是，其相应的幅值条件为，相位条件为。
而建立振荡时要求幅值条件满足。
4．使某一频率范围内的信号能通过，而此频率范围外的信号不能通过的滤波器被称为____________________，它可通过将低通滤波器和高通滤波器组合而成。
5．晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以控制的，所以场效应晶体管的输入阻抗。
6．当推挽功率放大器两只晶体三极管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两管交替工作时将产生。
7．稳压电路使直流输出电压在一定范围内不受、和温度的影响。
8．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（）(错/对)9.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）(错/对)二．选择题（共20分，每空2分）1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷2．如图所示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V1=10V,则电流的大小将是（）；设电路中V1=5V保持不变，当温度为20℃时测得二极管的电压为VD=,当温度上升到40℃时，则VD大小为（）。
=2mA <2mA >2mA = >0.7 F.VD<3、不可以采用自给偏置方式的场效应管有（）。
A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管4、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
《模拟电子技术》试卷A与参考答案
《模拟电子技术》试卷（A卷）一、填空题（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）1. 多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V、锗二极管导通压降的典型值是 V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
二、判断正、误题（本题共10小题，每小题1分，共10分）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。
（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
《模拟电子技术基础》期中测试题
《模拟电子技术基础》期中测试题一、填空题:(40分1.在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体,加入五价元素可形成 n 型半导体。
2.当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变 zai ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
3.二极管最主要的特性是单向导电。
在常温下,硅二极管的开启电压约 0.5 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ;锗二极管的开启电压约 0.1 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。
4.为保证三极管处于放大状态,其发射结必须加正向偏置电压,集电结必须加反向偏置电压。
5.场效应管是一种亚控器件,它利用善缘电压控制漏极电流i D 。
6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真,它属于饱和失真,消除该失真要增大 Rb 的阻值。
7.某三极管的极限参数P CM =150mW,I CM =100mA,U (BRCEO =30V,若它的工作电压U CE =10V,则工作电流I C 不得超过 mA ;若工作电压U CE =1V ,则工作电流不得超过 mA ;若工作电流I C =1mA,则工作电压不得超过 V 。
8.图1.8(a和(b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为型和型,用半导体材料和制成,电流放大系数β分别为和。
图1.8图1.99.根据图 1.9中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。
10.三极管处于放大状态时,是工作在其特性曲线的放大区;场效应管工作在放大状态时,是工作在其特性曲线的恒流区。
11.集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路,它的放大倍数非常高,但是各级静态工作点Q是相互的。
12.互补对称输出电路容易产生交越失真,主要因为两个对称三极管特性有电压,在回路加偏置电压可消除该失真。
13.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,能够放大高频信号。
2014模拟电子技术期中考试题(答案)
八、（10 分）(1)VB=0V，VE=-0.7V，VC=6V
(2)IB=200mV/R2=0.02(mA) Ic=(V1-VI(-))/R1=(12V-6V)/6K=1(mA) β =IC/IB=50
26m V IE
姓名：
rbe 200 (1 )
Ri Re //[rbe /(1 )]
Ro Rc
姓名
中国民航大学考试专用纸
第 2 页 共 2 页
五、 （16 分）VCC=24V，RC=3.3KΩ，RE=1.5 KΩ,RB1=33 KΩ,RB2=10 KΩ,RL=5.1 K
VCE= Vcc Rc I c
2、 Au
R b2 Vcc Re ( Rb1 Rb 2 )
IB=IC/β
R b2 Vcc ( Rb1 Rb 2 ) Aus Au Ri Ri Rs
( RL // Rc ) ( RL // Rc ) rbe rbe
一、选择题。 （每题 2 分，共 14 分）
1、C；2、B；3、C；4、A；5、B；6、B；7、C
二、填空题（共 10 分）
1、0.1kΩ；2、电击穿、热击穿；3、导通、-6.7V；截止、-6V。
三、 （5 分）
准考证号： 任课教师 ―――――――――――――――――――装 订
四、 （15 分）1、IC=IE=
Ω,β=66。试求： 1、忽略 VBE 计算正确，不忽略 VBE 计算也正确。 R B2 Vcc IC=IE= IB=IC/β RE ( RB1 RB 2 )
VCE= Vcc Rc I c
2、 Au
R b2 Vcc ( Rb1 Rb 2 )
《模拟电子技术(第2版)》试题库 模电期中试卷
《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分）1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻，可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点，电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是2μs，则所测正弦波的频率为（）A．500kHz B．250kHz C．125kHz D．100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“mV/DIV”的指示值是50，则所测正弦波的最大值为（）A.230 mV B．80 mV C．115 mV D．100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例，则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题，输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号，正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在（）A．深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题（每小题2分，共12分）1. PNP型三极管工作在放大状态，三点的电位关系为。
模拟电子技术期中考试题1[1页]
模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是 放大电路；输入电阻最小的是 放大电路；输出电压与输入电压反相的是 放大电路；电压放大倍数最大的是 和 放大电路；电压放大倍数最小的是 放大电路；输出电阻最小的是 放大电路；电流放大倍数最大的是 放大电路；既有电流放大又有电压放大的是 放大电路。
（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有 结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电；掺入微量的五价杂质元素，可获得 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电。
（3）二极管的伏安特性曲线上可分为 区、 区、 区和 区四个区。
双极型三极管的输出特性曲线上可分为 区、 区和 区三个区。
（4）双极型管主要是通过改变 极小电流来改变 极大电流的，所以是一个 控制型器件；场效应管主要是通过改变 间电压来改变 电流的，所以是一个 控制型器件。
（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结 偏、集电结 偏。
（6）放大电路的基本分析法有 分析法和 分析法；其中 分析法的微变等效电路法只能用于分析 信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用 法和 法。
（7）多级放大电路的耦合方式通常有 耦合、 耦合和 耦合三种方式；集成电路中一般采用 耦合方式。
（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为 失真；频率失真称为 失真。
2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz 时，周期档位如何选择？（2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？（3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分）（1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3k Ω，R B1＝80k Ω，R B2＝20k Ω，R E ＝1k Ω，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设U BE =0.7V ）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。
模拟电子技术期中考试题及答案
2013－2014 学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200课程名称 模拟电子技术 A/模拟电子技术题号一（52 分）二.1（18 分）二.2（14 分）二.3（16 分）总成绩得分教师签字一、选择及填空题:（共 52 分，每空 2 分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
由此可判断电极①是 极）；C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电该晶体管的类型是_ A ___（A ．P NP 型， （A ．40 ，B ．N PN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___B ．100，C ．400）。
2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压 U D 0.7V ）， U O 10v。
1.3V， U O 23.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。
影响 f L大小的因素是C，影响 f H大小的因素是A。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）+VCC20lg . A u R Cb R cuiuoOf L( a )( b )fHf当信号频率等于放大电路的 f L 或 f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B（A . 0.5B. 0.7C.1班 级学 号姓 名密封装订线密封装订线密封装订线0.9）倍。
当 f ＝ f L 时，U o 与U i 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. － 135˚）。
4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是 5V ；接入 2k 负载后，输出电压降为4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K 5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。
（1）．电压放大倍数 A u >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 AB （2）．电压放大倍数>10，并且输出电压与输入电压同相的电路是C （3）．电压放大倍数 A u ≈1，输入电阻 R i >100k 的电路是。
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图1
2、三极管放大电路如图 2 所示。 （12 分） 已知：rbe=300Ω，β=50，VBEQ=0.7V RC=6.4KΩ，RL=6.4KΩ，RE=2.3KΩ （1）求三极管 Q 点； （2）画出其微变等效电路； （3）计算电压放大倍数 Au； （4页
B、交流放大倍数越大 D、输入信号中的差模成分越大 ）
10、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ A、增加一倍 B、为双端输入时的一半 C、不变
D、不确定
三、计算分析题： （共 50 分）
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1、已知电路如图1示：二极管为理想二极管，试分析： ①二极管导通还是截止？②UA0=？（6分）
1、半导体二极管加正向电压时，有（ A、电流大电阻小 C、电流小电阻小 ）
B、电流大电阻大 D、电流小电阻大 ） D、不确定 ）
2、PN 结正向偏置时，其内电场被（ A、削弱 B、增强
C、不变
3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ A、反向偏置击穿状态 C、正向偏置导通状态
B、反向偏置未击穿状态 D、正向偏置未导通状态
6、为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结 偏置，集电结 。 偏置。
②对于NPN型三极管，应使VBC
7、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加， 则IBQ ，ICQ ，UCEQ 。
8、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反 相，可选用 用 组态。 组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选
D、电流源 ）
7、带射极电阻 Re 的共射放大电路，在并联交流旁路电容 Ce 后，其电压放大倍数将（ A、减小 B、增大 C、不变 D、变为零 ）
8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ A、20 倍 B、-20 倍 C、-10 倍 ） D、0.1 倍
9、共模抑制比 KCMR 越大，表明电路（ A、放大倍数越稳定 C、抑制温漂能力越强
9、多 级 放 大 器 各 级 之 间 的 耦 合 连 接 方 式 一 般 情 况 下 有 ， ， ， 。
10、场效应管从结构上分成 FET 导电沟道，结型FET的沟道电阻
两大类型。当栅源电压等于零时，增强型 。
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二、选择题（单选，每题 2 分，共 20 分 选择正确答案的编号，填在各题前的 括号内）
《模拟电子技术基础》试题(A 卷)
姓名： 学院：
考试说明：本课程为闭卷考试，满分 100 分。
学
号：
专业班级：
一、填空题： （每空 1 分，共 30 分）在以下各小题中画有_______处填上答案。
1、在常温下， 硅二极管的门槛电压约为 锗二极管的门槛电压约为 V， 导通后在较大电流下的正向压降约为 V。。 特性。 、本征半 V；
V，导通后在较大电流下的正向压降约为 。PN具有 、N型半导体的多子为 。 ， ， 。
2、PN结反向偏置时，PN结的内电场 3、P型半导体的多子为 导体的载流子为 4、三极管的三个工作区域是
5、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 c中的 。 管（材料）， 型的三极管，该管的集电极是a、b、
3、电路如图 3（a）所示，其中电容 C1、C2 的容量视为无限大。试回答下列问题： （1）写出直流负载线表达式，在图 3（b）上画出直流负载线，求出静态工作点 （ICQ，VCEQ，IBQ） ； （2）画出放大电路的微变等效电路； （3）求出电压增益 AV 、输 入电阻 Ri 及输出电阻 Ro。 （12 分）
4、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 12kΩ的负载电阻后，输出电压降为 3V， 这说明放大电路的输出电阻为（ A、 10kΩ B、2kΩ ） C、4kΩ ） D、3kΩ
5、三极管电流源电路的特点是（
A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 6、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源 VCC 应当（ A、短路 B、开路 C、保留不变 ）
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Rc Rb
256KΩ 3KΩ
+VCC +6 C2 +
v i C1
_
+
50
RL
3KΩ
vo
_ 0
v CE (V )
图(b)
图（a）
图题 3
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4、电路如图 4 所示，已知 VT=2V，IDO=1mA，gm=30mS。电容足够大，其它参数 如图所示。 （10 分） 求： （1）电路的静态工作点； （2）画出低频小信号等效模型； （3）中频电压增益、输入电阻、输出电阻。
VDD 12V
Rg1 2M
Rd 2K C2
C1 vi
Rg2 2M
Rs 2K
RL v o 2K C3
图4
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5、在图示电路中，已知 VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路 I=1 mA，RB1=RB2=1 kΩ， RC1=RC2=10 kΩ；两只晶体管特性完全相同，且β1=β2=100，rbe1= rbe2=2 kΩ。 估算： （1）电路静态时 T1 和 T2 管的集电极电位； （2）电路的差模放大倍数 Ad、共模放大倍数 AC、输入电阻 Ri 和输出电阻 R0 （10 分）