多有源区隧道再生半导体激光器稳态热特性

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石墨片作辅助热沉的高功率半导体激光器热传导特性

石墨片作辅助热沉的高功率半导体激光器热传导特性

第40卷㊀第7期2019年7月发㊀光㊀学㊀报CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEVol 40No 7Julyꎬ2019文章编号:1000 ̄7032(2019)07 ̄0907 ̄08石墨片作辅助热沉的高功率半导体激光器热传导特性房俊宇ꎬ石琳琳∗ꎬ张㊀贺ꎬ杨智焜ꎬ徐英添ꎬ徐㊀莉ꎬ马晓辉(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室ꎬ吉林长春㊀130022)摘要:为使边发射高功率单管半导体激光器有源区温度降低ꎬ增加封装结构的散热性能ꎬ降低器件封装成本ꎬ提出一种采用高热导率的石墨片作为辅助热沉的高功率半导体激光器封装结构ꎮ利用有限元分析研究了采用石墨片作辅助热沉后ꎬ封装器件的工作热阻更低ꎬ散热效果更好ꎮ研究分析过渡热沉铜钨合金与辅助热沉石墨的宽度尺寸变化对半导体激光器有源区温度的影响ꎮ新型封装结构与使用铜钨合金作为过渡热沉的传统结构相比ꎬ有源区结温降低4.5Kꎬ热阻降低0.45K/Wꎮ通过计算可知ꎬ激光器的最大输出功率为20.6Wꎮ在研究结果的指导下ꎬ确定铜钨合金与石墨的结构尺寸ꎬ以达到最好的散热效果ꎮ关㊀键㊀词:半导体激光器ꎻ散热性能ꎻ石墨辅助热沉ꎻ有限元分析ꎻ封装结构中图分类号:TN248㊀㊀㊀文献标识码:A㊀㊀㊀DOI:10.3788/fgxb20194007.0907HeatTransferCharacteristicsofHighPowerSemiconductorLaserwithGraphiteSheetasAuxiliaryHeatSinkFANGJun ̄yuꎬSHILin ̄lin∗ꎬZHANGHeꎬYANGZhi ̄kunꎬXUYing ̄tianꎬXULiꎬMAXiao ̄hui(NationalKeyLaboratoryonHighPowerSemiconductorLaserꎬChangchunUniversityofScienceandTechnologyꎬChangchun130022ꎬChina)∗CorrespondingAuthorꎬE ̄mail:linlinshi88@foxmail.comAbstract:Inordertoreducethetemperatureoftheactiveregionofthehigh ̄powersingle ̄tubesemi ̄conductorlaserꎬincreasetheheatdissipationperformanceofthepackagestructureꎬandreducethecostofthedevicepackageꎬahigh ̄powersemiconductorlaserpackagestructureusingahighthermalconductivitygraphitesheetasanauxiliaryheatsinkisproposed.Usingfiniteelementanalysisꎬtheuseofgraphitesheetsasauxiliaryheatsinkshasbeenstudiedꎬandthepackageddeviceshavelowerthermalresistanceandbetterheatdissipation.Theeffectofthevariationofthewidthdimensionofthetransitionheatsinkcopper ̄tungstenalloyandtheauxiliaryheatsinkgraphiteontheactiveregiontemperatureofthesemiconductorlaserwasinvestigated.Comparedwiththetraditionalstructureusingcopper ̄tungstenalloyasthetransitionheatsinkꎬthenewpackagestructurehasajunctiontemperatureof4.5Kandathermalresistanceof0.45K/W.Accordingtothecalculationꎬthemax ̄imumoutputpowerofthelaseris20.6W.Undertheguidanceoftheresearchresultsꎬthestructuraldimensionsofcopper ̄tungstenalloyandgraphitecanbedeterminedtoachievethebestheatdissipa ̄tioneffect.Keywords:highpowdersemiconductorlaserꎻheatdissipationꎻgraphiteheatsinkꎻfiniteelementanalysisꎻpackagestructure㊀㊀收稿日期:2018 ̄09 ̄18ꎻ修订日期:2018 ̄12 ̄03㊀㊀基金项目:国家自然科学基金(61804013)ꎻ吉林省优秀青年科学基金(20180520194JH)资助项目SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(61804013)ꎻExcellentYouthFoundationofJilinProvince(20180520194JH)908㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第40卷1㊀引㊀㊀言半导体激光器具有体积小㊁重量轻㊁光电转换效率高㊁可靠性高等优点ꎬ在医学㊁军事㊁工业等领域有着广泛的应用[1 ̄3]ꎮ随着科学技术的发展ꎬ人们对半导体激光器的输出功率需求越来越高ꎮ激光器工作时有源区温度升高ꎬ造成激光器波长红移ꎬ阈值电流增大ꎬ光电转换效率下降ꎬ寿命降低等ꎬ严重时会使激光器彻底损坏[4 ̄5]ꎮ因此ꎬ热管理技术是高功率半导体激光器发展的一个重要环节ꎮ通过研究高功率半导体激光器热传导特性来提高其热管理技术㊁增加封装结构散热性㊁提高半导体激光器的输出功率具有重要意义ꎮ提高器件散热途径的方法主要有两种:一是采用散热性能更好的散热结构ꎻ二是研发出热导率更高的散热材料ꎮ为使高热导率的材料能与管芯热膨胀系数相匹配ꎬ通常使用与激光器芯片热膨胀系数相差较小的过渡热沉来提高材料间的匹配度ꎬ以减小硬焊料对芯片产生的残余应力ꎬ提高器件的可靠性[6]ꎮ常见过渡热沉有氮化铝㊁碳化硅等陶瓷材料和钨铜合金㊁铜钼合金等金属合金材料[7 ̄11]ꎮ目前ꎬ国内外所研究的导热性能良好的过渡热沉材料普遍价格昂贵ꎬ且不能突破兼顾热膨胀系数匹配和热导率较高这一瓶颈ꎬ因而在过渡热沉材料的选择与设计方面还有很大的提升空间ꎬ因此需要对热沉材料与结构进行优化设计ꎮ近年来ꎬ石墨因具有优异的机械㊁光学㊁电子和热性能引起了国内外科研工作者的极大关注ꎮ石墨作为一种超高导热材料ꎬ体积小㊁重量轻ꎬ是电子和光子器件热管理的理想材料ꎬ目前在电子器件中已经有了广泛的应用ꎮOno等提出使用石墨片作为一种被动部署的散热器ꎬ该散热器可以通过根据温度改变其散热面来控制散热量ꎬ被用作小型卫星上的新型热控装置[12]ꎮWen等使用商业石墨片用作燃料电池的散热器ꎬ石墨片切割成流通形状与通道板结合使热量通过石墨片向外传导ꎬ有效降低燃料电池的反应区域的温度[13]ꎮ研究表明石墨具有超高导热性ꎬ最高可达1000W/(m K)ꎬ比一般金属导热材料高约3倍ꎬ但是由于石墨导热率的各向异性特征ꎬ横向热传导率较高而纵向热传导率较低以及石墨的热膨胀系数与半导体激光器材料GaAs不匹配等难题ꎬ使得石墨在半导体激光器封装结构的应用方面很少有人研究[14]ꎮ因此ꎬ如何将这种超高热导率石墨应用在半导体激光器封装结构中具有较高的研究价值ꎬ利用其较高的横向导热性ꎬ增大水平方向热通量传导效率ꎬ从而达到减少半导体激光器有源区温度㊁增大半导体激光器输出功率的目的ꎬ成为本文的研究重点[15]ꎮ本文在传统封装结构的基础上ꎬ通过在过渡热沉两侧引入石墨片作为该结构的辅助热沉ꎬ依据C ̄Mount封装方式热传导路径ꎬ充分利用石墨极高的横向热导率以达到更好的降低结温的目的ꎮ同时石墨片通过过渡热沉铜钨合金传导芯片所产生的热量ꎬ解决了石墨片与半导体激光器热膨胀系数不匹配的问题ꎮ利用有限元分析软件ANSYS建立模型ꎬ选用热导率较高的导电材料铜钨合金(WCu)作为过渡热沉ꎮ通过模拟结果可以发现ꎬ在减少过渡热沉WCu长度和宽度尺寸的情况下ꎬ可以更好地减少封装结构的热阻ꎬ降低半导体激光器结温ꎬ达到了降低器件热阻的目的ꎬ从而提高半导体激光器的输出功率ꎮ2㊀建立模型对传统边发射单管半导体激光器封装结构建立模型ꎬ其中在理论模拟过程中做出如下设定[16 ̄18]:在半导体激光器正常工作过程中ꎬ所产生的热量主要来源于有源区中载流子复合㊁吸收和自发发射ꎻ由于半导体激光器体积较小ꎬ因此忽略激光器的辐射散热及与空气对流散热ꎻ由于C ̄Mount封装结构的后表面固定在其他制冷结构上ꎬ所以模拟过程中ꎬ在其结构的后平面设置固定温度298Kꎬ并且半导体激光器芯片采用倒装式封装ꎮ该C ̄Mount铜热沉尺寸为6.86mmˑ6.35mmˑ2.18mmꎬ由于该半导体激光器封装方式采用C ̄Mount封装ꎬ其导热路径如图1所示[19]ꎮCoolerHeatsinkChip图1㊀C ̄Mount封装导热路径示意图Fig.1㊀ThermalconductionpathinC ̄Mountpackage㊀第7期房俊宇ꎬ等:石墨片作辅助热沉的高功率半导体激光器热传导特性909㊀模拟计算中所使用的半导体激光器光电参数为:波长808nmꎬ电光转换效率50%ꎬ连续条件下输出功率10Wꎬ激光器芯片尺寸为1.5mmˑ0.5mmˑ0.15mmꎬ发光区宽度100μmꎮWCu热沉尺寸为3.35mmˑ2.18mmˑ0.5mmꎮ为满足与激光器芯片热膨胀系数匹配的要求和此后过渡热沉的尺寸设计要求ꎬ选用与铜热膨胀系数匹配的电导率较好的WCu材料作为过渡热沉ꎮ为阻挡焊料向下扩散ꎬ便于引线键合ꎬ在过渡热沉铜钨合金的上下表面分别镀有金属层ꎮ模拟分析所涉及的材料参数如表1所示ꎮ表1㊀材料参数Tab.1㊀MaterialparametersMaterialThermalconductivity/(W m-1 K-1)Thickness/μmCoefficientofthermalexpansion/(10-6K)GaAs551506.4MetallizationlayerCu3980.318Tungstencopper2100.5ˑ1034.5graphite1000㊁350.5ˑ1032copperheatsink3986.86ˑ10318在半导体激光器工作过程中ꎬ所产生的热量主要来自以下方面[20 ̄21]:(1)激光器有源区在正常工作状态下有很高的载流子密度和光子密度ꎬ部分电子与空穴非辐射复合㊁辐射吸收与自发辐射吸收ꎬ其产生的热量Q1为:Q1=Vdact{jth(1-ηspfsp)+(j-jth)ˑ[1-ηex-(1-ηi)fspηsp]}ꎬ(1)其中ꎬV为PN结上的结电压ꎬηsp为自发辐射内量子效率ꎬfsp为自发辐射光子逃逸因子ꎬdact为有源区厚度ꎬj为电流密度ꎬjth为阈值电流密度ꎬηex为外微分量子效率ꎬηi为受激辐射内量子效率ꎮ(2)当半导体激光器工作时ꎬ由于各层材料电阻引起的焦耳热ꎬ计算公式为:Q2=j2ρ+ρj2dcꎬ(2)其中ꎬQ2为焦耳热功率密度ꎬρ为各材料层的电阻率ꎬdc为欧姆接触层厚度ꎮ(3)盖层以及衬底材料对有源区自发辐射逃逸光子的吸收所产生的热量为:Q3=V2dijthηspfꎬ(3)其中ꎬdi为除有源区外各层材料的厚度ꎮ激光器在正常工作状态下ꎬ热传导方程为:K∂2T∂x2+∂2T∂y2+∂2T∂z2()+Q=0ꎬ(4)其中ꎬT为激光器有源区温度ꎬK为材料热传导系数ꎬQ为半导体激光器热功率密度ꎮ3㊀模拟结果与分析3.1㊀WCu热沉宽度的变化对芯片结温的影响金属铜与芯片材料GaAs的热膨胀系数差距较大ꎬ为减少封装过程中所带来的封装应力ꎬ采用与GaAs的热膨胀系数相近的WCu材料作为过渡热沉ꎬ同时由于WCu材料具有很好的导电性ꎬ便于正电极连接ꎮ利用有限元分析法探讨在传统封装结构中ꎬWCu热沉宽度的变化对芯片结温的影响ꎬWCu热沉的长度与厚度分别为2.18mm和0.5mmꎬWCu宽度由3.35mm减少到0.6mm时ꎬ半导体激光器有源区温度变化如图2所示ꎮ半导体激光器有源区温度为Tjꎬ热沉的最低温度为T0ꎬ热功率为Ptemꎬ根据激光器热阻Rth的表达式:354W/mmT/K0.5 3.53503523483463443423403381.01.52.02.53.0T图2㊀半导体激光器有源区温度与铜钨合金宽度W变化曲线Fig.2㊀Variationcurveofactiveregiontemperatureandtung ̄stencopper(CuW)widthWvalueofsemiconductorlaser㊀910㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第40卷Rth=Tj-T0Ptemꎬ(5)从图2中可以看出ꎬ当WCu热沉宽度尺寸从3.35mm减少到0.6mm时ꎬ结温从339.4K增加为352.2Kꎬ热阻从4.14K/W增加到5.42K/Wꎮ其原因是热沉宽度的减小影响了热流的横向散热ꎬ降低了器件散热能力ꎮ因此ꎬ提高半导体激光器的横向导热性能是改善激光器散热能力的重要瓶颈ꎮ3.2㊀石墨片作辅助热沉热模拟3.2.1㊀石墨片导热性能在固体材料中ꎬ热传导方式主要分为两种ꎮ一种是通过自由电子振动实现ꎬ如金属材料ꎮ另一种由晶体内晶格原子的振动波即声子振动实现ꎬ如石墨[22]ꎮ在石墨的网状结构中ꎬ声子振动的热振幅很大ꎬ致使石墨具有高的晶面导热系数ꎬ可达1000W/(m K)以上[23]ꎻ但在垂直网状结构的方向ꎬ由于声子振动的热振幅很小ꎬ在该方向的热导率仅有35W/(m K)ꎮ因此ꎬ石墨片是一种各向导热异性的导热材料ꎬ横向导热率明显优于纵向导热率ꎬ且明显高于常用的金属热沉热导率ꎬ所以在封装领域中有着极高的研究价值ꎮ3.2.2㊀新型封装结构使用石墨片作辅助热沉的新型封装结构示意图如图3所示ꎮ在传统封装结构中ꎬWCu热沉两边分别使用石墨作为辅助热沉ꎬ石墨首先通过化学镀铜法或电镀铜法使石墨表面金属化ꎬ使石墨表面具有金属的性质ꎬ从而实现石墨分别与铜热沉㊁WCu过渡热沉接触面的焊接工艺[24 ̄26]ꎮ表面金属化后的石墨与WCu接触部分使用焊料焊接ꎬ使得二者在工作过程中紧密接触ꎮ石墨长度和厚度分别为2.18mm和0.5mmꎬ在石墨辅助热沉㊁WCu热沉以及C ̄Mount铜热沉的后表面设置固定温度为298Kꎮ图3(b)所示为由芯片所产生的热量通过过渡热沉分别向后表面冷却面㊁铜热沉以及石墨片辅助热沉传导散热ꎬ使半导体激光器有源区的温度降低ꎮ铜石墨芯片铜钨合金(a)(b)图3㊀(a)石墨片作辅助热沉的新型封装结构示意图ꎻ(b)石墨局部热传递示意图ꎮFig.3㊀(a)Schematicdiagramofnewpackagingstructureofgraphitesheetasauxiliaryheatsink.(b)Schematicdiagramoflo ̄calheattransferingraphite.增加石墨片平行于半导体激光器芯片端面方向的尺寸ꎬ同时减少铜钨合金的宽度(W)ꎬ保证二者宽度尺寸总和为3.35mmꎮ当WCu尺寸分别由2.0mm变化到0.6mm时ꎬ计算各个参数下的芯片结温ꎮ如图4所示ꎬ通过不同尺寸下的激光器温度分布云图可以看出ꎬWCu宽度从2.0mm减小到0.6mm时ꎬ结温逐渐下降ꎬ分别从338.9K减小到334.9Kꎬ热阻Rth也逐渐降低ꎬ从4.09K/W变化为3.69K/Wꎮ随着WCu尺寸的减小ꎬ更多热量传导到石墨片上ꎬ散热效果明显提高ꎬ当铜钨合金热沉的宽度为0.6mm时ꎬ半导体激光器有源区温度达到最小ꎮ为进一步分析横向热传导性能ꎬ对传统封装结构和石墨片作辅助热沉的封装结构的端面方向热流矢量进行模拟分析ꎬ如图5所示ꎮ其中图5(a)㊁(b)分别为W=0.6mm和W=3.35mm的传统封装结构ꎬ图5(c)㊁(d)分别为W=0.6mm和W=2.0mm的石墨片作辅助热沉的封装结构的热流矢量图ꎮ从图5(a)㊁(b)中可以看出ꎬ传统封装结构有源区热量仅向下通过过渡热沉WCu和铜热沉进行散热ꎬ当WCu热沉尺寸增大(图5(b))ꎬ封装结构热阻与结温温度有所降低ꎮ图5(c)㊁(d)为采用石墨片作辅助热沉的封装结构的热流矢量图ꎬ从图中可以看出ꎬ有源区热量首先扩散到WCu热沉中ꎬ由于石墨片具有较高的横向热导率ꎬ致使扩散到WCu的热量首先通过石墨㊀第7期房俊宇ꎬ等:石墨片作辅助热沉的高功率半导体激光器热传导特性911㊀0.8mm 1.0mm (a )298307.0302.5311.6316.1325.2320.7329.8334.3338.92.0mm(b )298324.8315.8306.9302.4311.4320.3329.3338.2333.71.5mm(c )298311.11.2mm319.9328.7337.5333.1324.3315.5306.7302.3(d )298(e )(f )298330.8314.4336.9328.2332.6323.9319.6315.3310.9306.6302.3336.0327.5331.8323.3319.1314.9310.6306.4298302.2322.6326.7318.5310.3306.2302.10.6mm334.9图4㊀不同过渡热沉宽度尺寸器件温度分布云图Fig.4㊀Graphitetemperaturedistributionofanewpackagestructurewithdifferentwidthsoftungstencarbide(a )(c )0.6mm0.6mm(b )(d )3.35mm2.0mm图5㊀传统封装结构和石墨片作辅助热沉的封装结构热流矢量图ꎮ(a㊁b)传统封装结构热流矢量图ꎻ(c㊁d)石墨片作辅助热沉的封状结构结构热流矢量图ꎬ热量随石墨片尺寸增加ꎬ散热效果明显ꎮFig.5㊀Traditionalpackagestructureandgraphitesheetasauxiliaryheatsinkpackagestructureheatflowvector.(aꎬb)Tradi ̄tionalpackagestructureheatflowvectordiagram.(cꎬd)Graphitesheetasauxiliaryheatsinksealstructureheatflowvector.Theheatisobviouslyincreasedwiththesizeofthegraphitesheet.片进行散热ꎬ其次再通过WCu和铜散热ꎬ随着石墨片尺寸的增大散热效果明显ꎮ因此ꎬ相比传统封装结构ꎬ通过对石墨辅助热沉的引入ꎬ利用其极高的热导率增大了封装结构的散热途径ꎬ可以很好地减小封装结构的热阻Rth和半导体激光器有源区温度Tjꎬ进而可以很好地降低连续工作的半导体激光器所产生的热量ꎮ对于半导体激光器ꎬ其结温计算表达式为:Tj=T0+(Pin-P)Rthꎬ(6)其中ꎬTj为激光器芯片结温ꎬT0为热沉温度ꎬPin为激光器的输入功率ꎬP为激光器的输出功率ꎬRth为热阻ꎮ由上述公式可知ꎬ激光器芯片结温受工作电流㊁热沉温度及器件热阻影响ꎮ半导体激光器阈值电流和有源区温度之间的关系为:Ith(T)=IRetexpT-TRetTtæèçöø÷ꎬ(7)其中ꎬIRet为温度TRet下的阈值电流ꎬTt为激光器特征温度ꎬ主要由激光器结构和材料决定ꎮ激光器斜率效率η随有源区温度变化的表达式为:η(T)=η(Tr)exp-(T-Tr)T1[]ꎬ(8)式中T1为斜率效率的特征温度ꎮ激光器输出功率与斜率效率和工作电流的关系为:P=η(T)Iꎬ(9)结合公式(6)㊁(7)㊁(8)㊁(9)可得出输出功率P:P=ηexp-Rth(IV-P)T1[]I-IRetexpRth(IV-P)T0[]{}.(10)912㊀发㊀㊀光㊀㊀学㊀㊀报第40卷20535I /AP /W20.6W 18.8WR th =4.14R th =3.691015202530151050图6㊀不同热阻下的P ̄I特性曲线Fig.6㊀CharacteristiccurveofP ̄Iunderdifferentthermalre ̄sistance半导体激光器的输出功率与输入电流的关系曲线如图6所示ꎮ从图中可以看出随着封装热阻的减少ꎬ器件输出功率会增加ꎮ经过本文封装结构优化后ꎬ封装热阻降为3.69K/Wꎬ其最大输出功率为20.6Wꎮ4㊀结㊀㊀论为了降低边缘式高功率半导体激光器有源区温度ꎬ降低器件封装成本ꎬ在C ̄Mount封装结构的基础上ꎬ研究了一种使用石墨材料作为辅助热沉的封装结构ꎬ并理论分析比较其输出功率与传统封装结构的输出功率ꎮ在传统封装结构中ꎬ过渡热沉WCu宽度尺寸从3.35mm减小到0.6mm时ꎬ半导体激光器有源区温度从339.4K升高到352.2Kꎮ在使用石墨作辅助热沉的条件下ꎬ石墨片与WCu宽度和为3.35mmꎬ当过渡热沉尺寸从2.0mm减少到0.6mm时ꎬ结温从338.9K降到334.9Kꎮ相比于宽为3.35mm的WCu传统结构ꎬ其温度降低4.5Kꎮ在传统封装结构中ꎬ随着WCu宽度的减少ꎬ有源区温度升高ꎮ而新型封装结构与其相反ꎬ相比于传统结构ꎬ有源区温度降低4.5Kꎬ散热效果明显改善ꎮ通过计算可知ꎬ半导体激光器的最大输出功率为20.6Wꎮ该结构设计为今后高功率半导体激光器的发展提供了帮助ꎬ同时在商业上有着很高的使用价值ꎮ参㊀考㊀文㊀献:[1]韩晓俊ꎬ李正佳ꎬ朱长虹.半导体激光器在医学上的应用[J].光学技术ꎬ1998(2):7 ̄10.HANXJꎬLIZJꎬZHUCH.Laserdiodeappliedinmedicine[J].Opt.Technol.ꎬ1998(2):7 ̄10.(inChinese)[2]耿素杰ꎬ王琳.半导体激光器及其在军事领域的应用[J].激光与红外ꎬ2003ꎬ33(4):311 ̄312.GENGSJꎬWANGL.Thesemiconductorlaseranditsapplicationsinmilitary[J].LaserInfraredꎬ2003ꎬ33(4):311 ̄312.(inChinese)[3]张纯.半导体激光器在印刷工业上的应用[J].光电子 激光ꎬ1991ꎬ2(4):231 ̄235.ZHANGC.Theapplicationofthetransistor ̄laserintheprintingindustry[J].J.Optoelectr.Laserꎬ1991ꎬ2(4):231 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大功率半导体激光器热沉结构的数值模拟

大功率半导体激光器热沉结构的数值模拟

大功率半导体激光器热沉结构的数值模拟张语;沈俊;李珂;董学强;公茂琼;戴巍;赵延兴【摘要】In order to improve thermal dissipation performance,three types of extended structures were designed,including vertical parallelfin,diamond fin and rectangular fin with an inclined angle of 30°.Their thermal resistance,maximum temperature and pump power are investigated numerically.It can be seen that rectangular fin with an inclined angle of 30°has best thermal performance.However,it has to be paid more pump power to make up for the increased flow resistance.Vertical parallel fin is recommended when both thermal resistance and pump power are considered.%为了提高激光器的冷却效果,设计了3种具有不同扩展结构的热沉,包括矩形平行肋、菱形肋片和30°矩形斜肋,模拟计算3种结构对应的热沉芯片的最高温度、器件热阻和水泵功耗.结果表明30°矩形斜肋布置方:可以增强不同流道内流体的扰动,破坏热边界层,提高对流传热系数,换热性能最好;然而,由于倾斜角的存在增加了流动阻力,需要以更高的功耗为代价.综合考虑器件热阻与水泵功耗,矩形平行肋片综合性能最好.【期刊名称】《低温工程》【年(卷),期】2017(000)004【总页数】6页(P1-6)【关键词】半导体激光器;数值模拟;热沉;器件热阻;水泵功耗【作者】张语;沈俊;李珂;董学强;公茂琼;戴巍;赵延兴【作者单位】中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室北京 100190;中国科学院大学北京100049;中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室北京 100190;中国科学院大学北京100049;中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室北京 100190;中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室北京100190;中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室北京 100190;中国科学院大学北京100049;中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室北京100190;中国科学院大学北京100049;中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室北京 100190;中国科学院大学北京100049【正文语种】中文【中图分类】TB611半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器,它的波长范围宽、制作简单、成本低、易于大量生产,并且具有体积小、重量轻、寿命长等优势,在工业应用、照明、投影、通信、医疗以及科研等领域应用相当普遍[1-4]。

基于封装的半导体激光器热特性分析

基于封装的半导体激光器热特性分析

对 两 种 激 光 器 分 别 做 了脉 冲 和 稳 定 连 续 工 作 的 参 数 测 试 。 中 的 脉 冲 测 试 条 件 其 是5 g @2 0 , 占空比 为1 所以 此时 的 0 s 0 Hz 其 %, 激 光 物 质 还 没 有 温 升 , 源 区 温 度 等 于 环 有 境 温 度 (5 , 脉 冲 条 件 下 测 得 , 种 激 2 ℃)在 两 光 器 的激 射波 长 分 别 为8 5 4 mS 8 6 m; 0 .n N 0 n 连 续 测 试 的 条 件 是 稳 定 连 续 工 作 5 钟 后 分 两 种 激 光 器 的 激射 波长 分 别 为8 . n N 1 2 m ̄ 3
1封装设计
首 先 封 装 第 一 个 激 光 器 , 该 激 光 器 在 的封 装 中 , 们 ,n 料 采 用 真 空 蒸镀 的方 我 I焊 法预 置在 C Mo n 热 沉 h。 半 导 体 激 光 - ut 为 器 热 特 性 分 析 作 准 备 , 们 封 装 了 两 类 激 我 光器 , 用 的是 8 8 m2 采 0 n w芯 片 , 装 的类 型 封 均为 c —Mo n 型 。 采 用 芯 片 倒装 方 式 ( ut 均 芯 片P 与焊 料 层 结 合)第 一 类 用I 焊料 将 激 面 。 n 光 器芯 片 直 接 焊 接 到 C- u t 沉 上 , Mo n 热 第 二类 先 将激 光 芯 片焊 接 到 Al 渡 热 沉上 , N过 再将 带 有 芯 片的 A1 I 焊 接 到 C Mo n N用 n — ut
模 拟 , 出 了 它 们 的 温 度 分 布 云 图 。 热 导 角 度 对 两 类 封 装 优 缺 点进 行 讨 论 。 得 从
关键词 : 半导体激 光器 热特性 封 装 有限元 法 中图 分 类号 : N3 T 文 献标 识 码 : A 随 着 半 导 体 激 光 器 的 广 泛 应 用 , 热 其 问 题 一 直 是 人 们 关 注 的 焦 点 之 一 。 别 是 特 对 于 大 功 率 半 导体 激 光 器 来 说 , 何 提 高 如 光输 山效 率 、 小 热 量 产 生 , 减 更是 伴 随 着整 个研究发展 历程。 对半导体激光 器热特性产生影响 的因 数 主要 足 激 光 器芯 片 的 外延 结 构 和 封 装 方 式 和 结 构 。 装 属 于 半 导 体 激 光 器 的 后 工 封 艺 , 芯 片 确 定 的 情 况 下 , 装效 果 直 接 影 在 封 响半 导 体 激 光 器 的 热 特 性 。

半导体器件中的热电特性与热电转换技术

半导体器件中的热电特性与热电转换技术

半导体器件中的热电特性与热电转换技术随着科技的不断进步和人们对环境保护的重视,热电转换技术作为一种新兴的能源转换方式逐渐受到人们的重视。

热电转换技术利用材料的热电效应实现热能和电能之间的转换,具有高效、可靠、环保等优点,在能源领域具有广泛的应用前景。

而要实现热电转换技术的高效率,热电特性的研究和理解至关重要。

本文将探讨半导体器件中的热电特性与热电转换技术。

首先,我们需要了解半导体材料的热电效应。

热电效应是指材料在温度差异下产生的电压差和电流的现象。

根据材料的导电类型,热电效应可以分为Seebeck效应、Peltier效应和Thomson效应。

Seebeck效应指的是当半导体材料的两端温度不同时,会产生电势差使电流通过材料。

Peltier效应则是当电流通过半导体材料时,会在材料的两端产生温度差。

Thomson效应是指电流通过材料时,由于材料内部的温度梯度,会产生温度依赖的电势差。

这些热电效应共同构成了半导体器件中的热电特性。

热电转换技术依赖于材料的热电特性来实现热能和电能的相互转换。

其中,Seebeck效应是热电转换技术中最重要的基础。

通过合理选择材料和设计器件结构,可以实现高效的热电能量转换。

半导体材料具有较高的Seebeck系数,意味着它们更容易将热能转化为电能。

因此,半导体材料成为热电转换器件中的核心材料。

同时,为了提高转换效率,还需要降低材料的电阻和热阻。

通过材料的复合、结构的优化和工艺的改进等方式,可以大幅度提高热电转换器件的效能。

在热电转换技术的应用方面,半导体材料的热电性能对于发电装置的效率和性能起着决定性的作用。

一种常见的热电转换器件是热电发电器。

热电发电器利用温差发电原理,将热能转化为电能。

将热电体与散热体连接,当热电体的一侧受热,另一侧受冷时,会产生电势差,从而产生电流。

通过合理设计热电发电器的结构和优化材料的选择,可以提高发电效率和输出功率,使其在新能源领域具有重要的应用价值。

《高功率980nm半导体激光器外延结构设计及其性能研究》范文

《高功率980nm半导体激光器外延结构设计及其性能研究》范文

《高功率980 nm半导体激光器外延结构设计及其性能研究》篇一一、引言随着科技的进步,高功率半导体激光器在科研、工业、医疗等领域的应用越来越广泛。

其中,980 nm波段的半导体激光器因其独特的光学特性和应用价值,受到了广泛的关注。

本文将重点研究高功率980 nm半导体激光器的外延结构设计及其性能,以期为相关领域的研究和应用提供理论支持。

二、外延结构设计1. 材料选择外延结构的设计首先需要选择合适的外延材料。

考虑到高功率、高效率及稳定性等要求,我们选择了一种高电子迁移率和高热导率的材料作为基底,以保证激光器的稳定运行。

此外,还通过选择适当的掺杂元素来提高内量子效率和减少电流散溢。

2. 结构分层设计针对高功率输出和良好光束质量的需求,我们将外延结构分为多层结构。

主要包括以下部分:基底层、反射镜层、多量子阱(MQW)结构层、欧姆接触层等。

其中,多量子阱结构层是关键部分,其设计直接影响到激光器的性能。

3. 特殊结构设计为了进一步提高激光器的性能,我们设计了一些特殊结构。

例如,采用渐变折射率层以减少光在传输过程中的损耗;在多量子阱结构中引入应力层以提高内量子效率;以及在欧姆接触层中优化电极设计以提高电流注入效率等。

三、性能研究1. 实验方法我们通过分子束外延技术(MBE)和金属有机气相沉积(MOCVD)等工艺进行外延生长,并利用光刻、干湿法刻蚀等工艺制备出激光器芯片。

然后通过测试其阈值电流、斜率效率、光束质量等参数来评估其性能。

2. 实验结果及分析实验结果显示,高功率980 nm半导体激光器具有良好的光束质量和低阈值电流等特点。

与传统的半导体激光器相比,其在光功率、效率和寿命等方面都有显著的优势。

同时,我们也观察到通过引入特殊结构的设计,激光器的性能得到了进一步的提升。

例如,渐变折射率层的设计显著降低了光在传输过程中的损耗;而优化电极设计则提高了电流注入效率,从而提高了激光器的输出功率。

四、结论本文研究了高功率980 nm半导体激光器的外延结构设计及其性能。

半导体激光器的模式及特性

半导体激光器的模式及特性

激光器发射光功率
p
激光器辐射的光功率 激光器消耗的电功率
VjI
Pex I 2Rs
激光器结电压
激光器串联电阻
注入电流
4.2.6 半导体激光器的基本特性
3.激光器效率 (b)内量子效率
内量子效率I=
有源区内每秒钟产生的光子数 有源区内每秒钟注入的电子-空穴对数
(c)外量子效率
外量子效率ex= 有源区内每秒钟发射的光子数
4.2.6 半导体激光器的基本特性
5.光谱特性
(1) 峰值波长 在规定输出光功率时,激光光谱内强度最大的光谱波长被定 义为峰值波长。
(2)中心波长
在光源的发射光谱中,连接50%最大幅度值线段的中点所对 应的波长称为中心波长
(3)谱宽与线宽 包含所有振荡模式在内的发射谱总的宽度称为激光器的谱宽; 某一单独模式的宽度称为线宽。
激光器组件是指在一个紧密结构中(如管壳中),除激光二极管(LD) 芯片外,还配置其他元件和和实现LD工作必要的少量电路块的集成器 件。主要包括:
(1)光隔离器:其作用是防止LD输出的激光反射,实现光的单向传输。 位于LD的输出光路上;
(2)监视光电二极管(PD):其作用是监视LD的输出功率变化,通常用 于自动功率控制。位于LD背出光面;
64 56
80o 40o 0
40o 80o
角度
垂直于结平面方向
I =80mA 72
64 60
56
40o 20o 0
20o 40o
角度
平行于结平面方向
4.2.5 半导体激光器的模式
2.纵模的概念与性质
4.2.5 半导体激光器的模式
1)纵模数随注入电流变化
当激光器仅注入直流电流时, 随注入电流的增加纵模数减少 。

半导体光电器件的原理和性能分析

半导体光电器件的原理和性能分析半导体光电器件是一种将光信号转换成电信号或将电信号转换成光信号的器件。

随着光通信、激光雷达、激光制造等技术的快速发展,半导体光电器件也得到了广泛的应用。

本文将探讨半导体光电器件的原理和性能分析。

一、半导体光电器件原理半导体光电器件是基于半导体PN结、P-i-N结和MIS结构的器件。

其中,PN结是最简单、最常见的一种结构。

PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构。

P型半导体中存在大量的空穴,N型半导体中存在大量的自由电子。

在PN结中,因为P型半导体和N型半导体之间的电子互相扩散,形成了空间电荷区,即耗尽层。

这个耗尽层中,不仅不存在任何载流子,而且还存在一个内建电场,使得PN结的两侧产生电势差。

当光照射PN结时,能量被光子吸收,激发载流子。

如果光的能量大于材料的能隙,那么光就能产生免费电子和空穴对。

当这些免费电子和空穴穿过PN结的耗尽层时,就会因为内建电场的作用而分别向P型半导体和N型半导体移动。

这样,就形成了电流,即光电流。

除了PN结以外,P-i-N结和MIS结也被广泛应用于半导体光电器件中。

P-i-N结是在PN结的两端分别接了一个i型半导体的结构。

这样,相比于PN结,P-i-N结中的耗尽层更宽,响应速度更慢,但掺杂浓度更小,易于制作。

MIS结是将半导体与绝缘体摆放在一起,通过反漏电流来实现光电转换。

二、半导体光电器件性能分析半导体光电器件的性能取决于产品设计、材料选择、制造工艺等多个因素。

以下是对几个最为重要的性能参数的介绍。

1. 器件灵敏度器件灵敏度是指光电转换效率,即输入的光功率和输出的电流之间的比例关系。

灵敏度越高,光电转换效率越高,器件的性能越好。

灵敏度受到电子、空穴的寿命、载流子结合率、光衰等因素的影响。

通常,半导体光电器件的灵敏度随着光波长的增加而增强,随着工作温度的上升而降低。

因此,在进行器件选择时,需要根据实际应用的光源波长和工作温度,选择灵敏度较高的器件。

半导体激光器原理及应用

高斯光速的准直 利用自聚焦透镜准直半导体激光束
激光器的单纵模工作条件
第q阶模与主模功率之比为:
Pq
1
P0 1 (Po / Pqsat )
要想得到近乎单纵模输出,必须使Pq/P0尽可能小。
从图中可以看出短腔长和高腔面反射率,都有利于使 激光器单模工作。
以(P1/P0)≦0.05作为激光器单模工作的判据,由边 模抑制比
1)增益系数 2)载流子的俄歇复合,载流子的界面态和表面态的复合,载流子的吸收引起的
内部损耗 3)热载流子的泄露
半导体激光器的效率
描述激光器电子--光子转换的效率,即电能转换为光能的效率。
分别用功率效率和外微分量子效率描述。
1)功率效率
p

激光器所发射的光功率 激光器所消耗的电功率
Pex IV I 2rs
/ )2
式中,n2和d分别为激光器有缘层的折射率和厚度; n1为限制层的折射率;λ为激射波长
理想的高斯场分布
半导体激光器的光束发散角
显然,当d很小时,可忽略上式分 母中的第二项,有
4.05(n22 n12 )d
可见,ө随d的增加而增加
半导体激光器发散角与有缘层厚度的关系
解决办法:利用自聚焦透镜对出射光进行准直
归一化输出与调制频率的关系
半导体激光器的动态特性
张弛振荡与类谐振现象物理机制不同,但几乎有和共振频率相同的振荡频率, 为了抑制这两类现象,已实践过这两类方法:
1)外部光注入,能有效增加自发发射因子,不但能抑制张弛振荡,还能抑制 多纵模的出现。
2)自反馈注入或采用外部电路。自注入方法是将LD输出的一部分以张弛振荡 周期的0.2~0.3倍的时延再注入到它本身的腔内,能有效抑制张弛振荡。采用 外部LCR滤波电路来分流高频分量,进而抑制类谐振现象。

半导体激光器分析PPT课件


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35
1. 发射波长和光谱特性
峰值波长:在规定输出光功率时,激光器受激 辐射发出的若干发射模式中最大强度的光谱 波长。
中心波长:在激光器发出的光谱中,连接50% 最大幅度值线段的中点所对应的波长。
半导体激光器(Laser Diode 即LD)
6.3.1 半导体激光器工作原理和基本结构 一、半导体激光器的工作原理
受激辐射和粒子数反转分布 PN结的能带和电子分布 激光振荡和光学谐振腔 二、半导体激光器基本结构 6.3.2 半导体激光器的主要特性 一、发射波长和光谱特性 二、激光束的空间分布 三、转换效率和输出光功率特性 四、 频率特性 五、 温度特性 6.3.3 分布反馈激光器 一、 工作原理 二、DFB激光器的优点
.
9
受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2,且比例 系数(吸收和辐射的概率)相等。
如果N1>N2,即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物 质时,光强按指数衰减, 这种物质称为吸收物质。
如果N2>N1,即受激辐射大于受激吸收,当光通过这种物 质时,会产生放大作用,这种物质称为激活物质。
N2>N1的分布,和正常状态(N1>N2)的分布相反,所以称 为粒子(电子)数反转分布。
收) 自发辐射 受激辐射
.
3
E2
初态
E1
E2
hυ=E2-E1
E1
终态
(a) 自发辐射
光子的特点:非相干光
.
4
E2

E1
初态
E2
E1
终态
(b) 受激辐射 光子的特点:相干光
.
5
E2

E1
初态
E2

(完整版)半导体材料及特性

地球的矿藏多半是化合物,所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波,氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器,闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料,碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。

硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体,曾是固体整流器和光电池的重要材料。

元素半导体锗(Ge)放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页,从此电子设备开始实现晶体管化。

中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999%~99.9999999%) 的锗开始的。

采用元素半导体硅(Si)以后,不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高,而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。

以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。

半导体材料可按化学组成来分,再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。

按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

元素半导体:在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素,下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。

C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性;Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。

P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解,所以它们的实用价值不大。

As、Sb、Sn的稳定态是金属,半导体是不稳定的形态。

B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。

因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。

Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。

无机化合物半导体:四元系等。

二元系包括:①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。

②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成,典型的代表为GaAs。

它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。

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第 2 3卷 第 3期
21 0 1年 3月
ห้องสมุดไป่ตู้
强 激 光 与 粒 子 束
H I H POW ER IA SER A N D PA R TI G CIE BEA M S
V o1 2 . 3, N O 3 .
M a .,2 l r O1
文 章 编 号 : 1 0 — 3 2 2 1 ) 30 1 -4 0 14 2 ( 0 1 0 —8 70

要 : 利 用 有 限 元 软 件 ANS S结 合 傅 里 叶定 律 , 制 约 适 用 于 光 纤 耦 合 输 出 的 新 型 高 功 率 多 有 源 区 Y 对
隧 道 再 生 半 导 体 激 光 器 长 寿 命 工 作 的稳 态热 特性 进 行 了系 统 计 算 、 析 。获 得 了 这 种 新 型 器 件 工 作 时 各 有 源 分
区 温 度 分 布 特 征 及 与 传 统 单 有 源 区 器件 稳 态 热 特 性 的 区 别 , 给 出 了 多 有 源 区 隧 道 再 生 半 导 体 激 光 器 工 作 时 并
各 有 源 区 温 度 的 估 算 方 法 , 时 对 有 效 降 低 这 种 新 型 器 件 热 阻 的 方 法 进 行 了讨 论 。结 果 表 明 : 续 工 作 时 , 同 连 多
有 源 区 隧 道 再 生 半 导 体 激 光 器 比 同材 料 体 系 传 统 结 构 器 件 更 易 获得 较 高 的 输 出 功 率 。 关 键 词 : 半 导 体 激 光器 ; 光 纤 耦 合 ; 多 有 源 区 ; 隧道 再 生
中 图 分 类 号 : TN2 8 4 4 . 文 献 标 志 码 : A d i1 . 7 8 HPIP 0 1 3 3 0 1 o :0 3 8 / B2 1 2 0 . 8 7
究热 点 。传统 大功率 半导 体 激光单 元器 件 为单有 源 区结 构 , 远场 光 束 快 慢轴 方 向差 异较 大 , 接耦 合 进 入 直 多模光 纤浪 费 了光纤在 快 轴方 向上 的传输 能 力 , 利 于获得 较高 出纤 亮度 。为 了解 决这 一 问题 , 不 国外各 大公 司 及 研究 机构 在不 断努力 提 高半 导体 激光单 元 器件输 出亮 度 的 同 时 , 采 用将 多 个传 统 大 功率 半 导 体激 光 单元 均 器 件光束 在快 轴 方 向空 问集 成后 聚焦 进人 光 纤 的方 法 ” , 该 方 法 涉及 多 个半 导体 激 光单 元 器 件 、 光学 ]但 微
大功率 半导 体激 光器 由于体积 小 、 量 轻 、 质 电光转 换效率 高 、 寿命 长 等优点 , 泛应 用 于工业 、 广 军事 、 医疗 等 领 域 ] 。特别 是近 年来 高功 率光 纤激 光器 对 高功率 、 寿命泵 浦 源需求 的 日益增 长 ] 基 于高 功率 半导 体 激 长 。, 光单元 器件 的光 纤耦合 输 出大 功率 半导体 激 光器 由于其 超 长寿命 和 日益增 大 的输 出功率 逐 渐成 为该领 域 的研
收, 器件 中其 它层 产生 热较 少 , 以忽略 , 可 将体 热源 模 型均 匀建 立 在有 源 区 中。热 沉 采用 常 用 TO结 构 无 氧铜 热 沉 , 算 中器件 腔长 增加 时 同时等量 增 加热沉 厚 度 。该 结构 激光 器工 作 时 , 计 与激光 器腔 面平行 的热沉背 面与 散 热器相 连 , 因此 在热 沉此 面施 加恒 温边 界条件 , 同时忽 略 热辐 射 和对 流 传热 , 模 型其 它 部 分施 加 绝 热边 界 在
多 有 源 区 隧 道 再 生 半 导 体 激 光 器 稳 态 热 特 性
王智群 , 尧 舜 , 崔碧峰 , 王智勇 沈光地 ,
( .北 京 工 业 大 学 光 电 子技 术 实验 室 ,北 京 10 2 ; 2 1 0 14 .北 京 工 业 大 学 激 光 工 程 研 究 院 ,北 京 10 2 ) 0 14
元 件 的集 成 , 结构 复杂 、 稳定 性较 差且 成本 高 昂 。隧道再 生半 导 体 激光 器 是一 种 新 型 的半 导 体 激光 器 , 用 隧 利
道结 在单 个器 件 内部将 多个 有源 区沿 快轴 方 向 串联在 一 起 j “ 。利 用 该 结 构器 件 可 通 过增 加 有 源 区个 数 有效 利用 多模 光纤 的传 输能 力提 高 出纤亮 度 , 另一方 面 利用该 结构 器件 可使 楔形 端 头光纤 对其 直接 进行 耦合 , 避免 快慢 轴 准直和 空 间集成 , 结构 简 单 , 定性 高 。要获 得高 出纤 亮 度 , 稳 这种 多 有 源 区半 导体 激 光 器 必须 高 功率 输 出, 此时 多有 源 区的散热 问题 成 为其长 寿命 、 高质 量 工作 的关键 。现 有关 于这 种新 型器 件 的热特 性相关 研 究主 要集 中在 暂态 脉 冲工作 特性 条件 下l ” , 1 J 而关 于连续 电流工 作条 件 下 的热 特性 分 析 以及 如 何 有效 降低热 阻 的 研究 鲜见文 献 报道 。本文 利用 有 限元 软件 ANS YS对 具有 三有 源 区的隧 道再 生半 导体 激光 器进 行稳 态 热 特性 分析 , 获得 腔长 、 向尺 寸变化 对 器件热 阻 的影 响 , 有源 区 温度 的计 算 方 法及 与 传统 单 有 源 区器 件 热特 性 差 侧 各
异 , 这种 新 型器件 的设 计 、 用 提供 了理论 支持 。 为 使
l 计 算模 型
计 算 中为 了准确 获得 多有 源 区隧道 再生 半导 体激 光器 的 内部 稳 态 热特 性 , 须将 器 件结 构 与 热沉 共 同建 必 模 作为 整体计 算 。作 为大 功率 器件 , 器件 中热 主要 来 源 于 有 源 区 中 的非 辐 射 复 合 、 射 吸 收 以及 自发 辐 射 吸 辐
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