可控硅测试方法_bcr1am12
可控硅的测量方法
可控硅的测量方法
可控硅（也称为晶闸管）是一种常见的电子器件，广泛应用于电力电子控制和调节领域。
为了确保可控硅的正常工作，需要准确测量其关键参数。
下面将介绍几种可控硅的测量方法。
1. 电流测量：可控硅的最重要参数之一是最大额定电流。
为了测量可控硅的电流，可以使用电流表或电流传感器。
通过将电流表或电流传感器与可控硅并联，可以直接测量通过可控硅的电流。
2. 电压测量：另一个重要参数是最大额定电压。
为了测量可控硅的电压，可以使用电压表或电压传感器。
通过将电压表或电压传感器与可控硅串联，可以直接测量可控硅的电压。
3. 触发电流测量：可控硅的触发电流是指使其从关断状态转换为导通状态所需的最小电流。
为了测量可控硅的触发电流，可以使用特定的触发电流测量电路。
该电路通过向可控硅施加一个小电流，并测量通过可控硅的电流来确定触发电流的大小。
4. 触发电压测量：可控硅的触发电压是指使其从关断状态转换为导通状态所需的最小电压。
为了测量可控硅的触发电压，可以使用触发电压测量电路。
该电路通过向可控硅施加一个小电流，并测量通过可控硅的电压来确定触发电压的大小。
5. 温度测量：可控硅在工作过程中会产生一定的发热量，因此温度测量是必要的。
可以使用温度传感器来测量可控硅的温度。
将温度传感器与可控硅连接，并通过读取传感器输出来确定可控硅的温度。
上述方法是常用的可控硅测量方法，可以帮助工程师评估可控硅的性能和健康状态。
通过准确测量可控硅的参数，可以确保其在电力电子应用中的可靠性和稳定性。
可控硅耐压测试方法
可控硅耐压测试方法
可控硅是一种常用的半导体电子器件，具有可控性强、控制精度高等优点，在电力电子、工业自动化等领域得到广泛应用。
然而，由于其工作环境通常较为恶劣，需要经受高电压和高温等极端条件的考验，因此耐压测试是必不可少的环节之一。
下面将分步骤介绍可控硅的耐压测试方法。
第一步：准备测试设备
可控硅耐压测试需要用到高压发生器、接地刺、示波器等测试设备。
首先，需要将高压发生器与被测件（即可控硅）相连接，并使用接地刺将被测件与地面相连，以确保测试过程中的安全。
第二步：进行加压测试
启动高压发生器，开始对被测件进行加压测试。
在测试过程中，需要观察示波器的波形图，确保被测件的电压不超过其额定值，并保持其在正弦波的情况下稳定输出。
第三步：进行释放测试
在加压测试完成后，需要进行释放测试，即让被测件在高压情况下进行放电。
此时，需要暂停高压发生器的工作，等待被测件电压下降到安全值后，再进行评估。
第四步：评估测试结果
根据测试结果，评估被测件的耐压性能。
如果测试结果良好，可控硅则可继续使用于相应的电子设备中；如果测试结果不理想，需要对其进行更换或修理。
通过以上4个步骤，可以完成对可控硅的耐压测试。
需要注意的是，在测试过程中应严格遵守操作规程，确保测试过程的安全和可靠性。
此外，在测试前也应对测试设备进行检查和保养，以确保测试设备的正常工作。
可控硅的检测方法.doc
可控硅(晶闸管)的检测方法2009-04-22 10:28:47 作者：佚名来源：电子之都浏览次数：77 网友评论1 条可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
1. 可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K 间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
可控硅万用表测量方法
可控硅万用表测量方法
一。
可控硅这玩意儿，在电路里可重要啦！要想搞清楚它好不好使，万用表就派上大用场了。
1.1 先来说说测量阳极和阴极之间的正反向电阻。
这一步就像给可控硅来个“全身检查”。
把万用表调到电阻档，红表笔接阳极，黑表笔接阴极。
正常情况下，正向电阻应该比较小，反向电阻那得是大大的。
要是正反电阻都很小或者都很大，那这可控硅多半是有问题咯。
1.2 接下来测控制极和阴极之间的电阻。
还是电阻档，这时候红表笔接控制极，黑表笔接阴极。
一般来说，电阻值应该在几十到几百欧姆之间。
要是电阻值特别小或者特别大，那可能就有毛病啦。
二。
测量完电阻，咱们再看看怎么测导通情况。
2.1 把万用表打到导通档，先短接一下表笔，让表归零。
然后红表笔接阳极，黑表笔接阴极，这时候可控硅应该是不通的。
2.2 接下来，用一根导线把阳极和控制极短接一下。
这时候如果万用表响了，那就说明可控硅导通啦，是好的。
2.3 还有一招，就是给可控硅加上正向电压，然后用万用表测量电压。
如果电压正常，那可控硅也没啥问题。
三。
最后再啰嗦几句。
3.1 测量的时候，手可别抖，要稳稳地拿着表笔，不然测出来的数据可不准。
3.2 要是对测量结果拿不准，多测几次，千万别嫌麻烦。
测量可控硅得细心、耐心，这样才能把问题找出来，让电路顺顺利利地工作。
记住这些方法，以后碰到可控硅的测量，就不会抓瞎啦！。
可控硅好坏如何测量？
一、可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极 A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K 间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
二、可控硅的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。
再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。
三、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
可控硅测量方法
可控硅测量方法一、可控硅的基本概念及工作原理可控硅（SCR）是一种半导体器件，也称为晶闸管。
它由四个PN结组成，具有三个电极：阳极、阴极和门极。
在正向偏置下，只有一个PN 结被击穿，形成通道；而在反向偏置下，所有PN结都被截止。
当给门极施加一个正脉冲信号时，通道就会打开，在阳极和阴极之间形成一个电流通路。
二、可控硅测量方法1. 静态特性测量静态特性是指在固定的电压和温度条件下，测量SCR的电流-电压关系曲线。
这种测试需要使用直流电源和数字万用表等仪器。
首先将SCR 放入测试夹具中，并连接到直流电源上。
然后逐步增加阳极到阴极的电压，并记录相应的电流值。
最后将数据绘制成I-V曲线图。
2. 动态特性测量动态特性是指在变化的负载条件下，测量SCR的响应速度和稳定性。
这种测试需要使用脉冲发生器和示波器等仪器。
首先将SCR放入测试夹具中，并连接到脉冲发生器和示波器上。
然后在脉冲发生器中设置一个正脉冲信号，测量SCR的响应时间和保持电流。
最后将数据绘制成响应时间和保持电流的曲线图。
3. 热特性测量热特性是指在不同温度条件下，测量SCR的电流-电压关系曲线。
这种测试需要使用恒流源和数字万用表等仪器。
首先将SCR放入测试夹具中，并连接到恒流源和数字万用表上。
然后逐步增加阳极到阴极的电压，并记录相应的电流值。
最后将数据绘制成I-V曲线图。
4. 参数测量参数测量是指在实际应用中，测量SCR的关键参数，如触发电压、保持电流、耐压能力等。
这种测试需要使用特定的测试仪器和设备，例如触发电路测试仪、保持电流测试仪、耐压试验仪等。
三、可控硅测量方法注意事项1. 测试环境要求：可控硅测试需要在恒定的温度和湿度条件下进行，以确保测试结果准确可靠。
2. 测试前准备：在进行任何类型的可控硅测量之前，必须先检查测试设备和测试夹具是否正常工作，并确保测试仪器的精度和准确性。
3. 测试过程中的注意事项：在进行可控硅测量时，应特别注意防止静电干扰和过电流等问题。
可控硅的检测方法
可控硅的检测方法可控硅（SCR）的检测方法可以根据不同的应用场景和目标参数进行选择和设计。
下面我将介绍几种常见的可控硅检测方法。
1. 直流参数检测：可控硅通常应用于直流应用中，因此直流参数的检测是一种常见的方法。
直流参数检测主要包括静态特性和动态特性两方面。
静态特性检测主要包括元件的电压电流特性和阻抗特性。
可以通过连接合适的电压源和电流源，分别测量可控硅的电压和电流特性，并根据测量结果绘制出特性曲线。
阻抗特性可以通过测量电压和电流的相位差来得到。
动态特性检测主要包括可控硅的关断时间和导通时间等参数的测量。
可以通过输入一个方波信号来观察可控硅的导通和关断的时间，从而得到可控硅的动态特性。
2. 交流参数检测：有些应用场景下，可控硅用于控制交流电路中的功率。
这时候可以采用交流参数检测的方法来测试可控硅的性能。
交流参数检测主要包括可控硅的整流效率、导通角和关断角等参数的测量。
可以采用有源功率因数表等仪器，通过测量可控硅工作时的功率和电流，计算得到可控硅的整流效率。
导通角和关断角可以通过在可控硅上施加一个交流电压，然后测量可控硅导通和关断的时间来获得。
3. 温度检测：可控硅通常工作在高功率环境下，因此温度的检测非常重要。
过高的温度可能导致可控硅的性能下降或损坏。
温度检测可以采用非接触式温度传感器或接触式温度传感器。
非接触式温度传感器可以通过红外线或激光等方式测量可控硅的表面温度。
接触式温度传感器可以通过与可控硅直接接触来测量温度。
4. 故障检测：可控硅的故障检测主要包括断线、短路和漏电等问题的检测。
断线和短路的检测可以通过测量可控硅的电阻来得到。
电阻值过大或过小都可能意味着有问题。
漏电的检测可以通过测量输入和输出之间的电压差来得到。
如果有电压差存在，则说明可能存在漏电问题。
总结起来，可控硅的检测方法主要包括直流参数检测、交流参数检测、温度检测和故障检测等。
根据不同的应用场景和目标参数，可以选择适合的检测方法来评估可控硅的性能和可靠性。
可控硅的测量方法
1. 可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
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BCR1AM-12
Triac
Low Power Use
REJ03G0344-0100
Rev.1.00
Aug.20.2004 Features
•I T (RMS) : 1 A
•V DRM : 600 V
•I FGTI , I RGTI, I RGTⅢ : 5 mA (3 mA)Note5•I FGTⅢ : 10 mA •Non-Insulated Type •Glass Passivation Type
Outline
Applications
Contactless AC switch, fan motor, rice-cooker, electric pot, air cleaner, heater, refrigerator, washing machine, electric fan, vending machine, trigger circuit for low and medium triac, and other general purpose control applications Maximum Ratings
Voltage class
Parameter Symbol
12
Unit Repetitive peak off-state voltage Note1V DRM600V
Non-repetitive peak off-state voltage Note1V DSM720V
Parameter
Symbol Ratings Unit Conditions
RMS on-state current I T (RMS) 1.0A Commercial frequency, sine full wave 360° conduction, Tc = 56°C Note3
Surge on-state current I TSM 10A 60Hz sinewave 1 full cycle, peak value,non-repetitive
I 2t for fusing
I 2t 0.41A 2s Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, surge on-state current
Peak gate power dissipation P GM 1W Average gate power dissipation P G (AV)0.1W Peak gate voltage V GM 6V Peak gate current I GM 0.5
A Junction temperature Tj – 40 to +125°C Storage temperature Tstg – 40 to +125
°C Mass
—
0.23
g
Typical value
Notes: 1.Gate open.
Electrical Characteristics
Rated value Parameter
Symbol Min.Typ.Max.Unit Test conditions
Repetitive peak off-state current I DRM ——0.5mA Tj = 125°C, V DRM applied On-state voltage V TM —— 1.6V Tc = 25°C, I TM = 1.5 A,
Instantaneous measurement Ι
V FGT Ι—— 2.0V ΙΙV RGT Ι—— 2.0V ΙΙΙV RGT ΙΙΙ—— 2.0V Gate trigger voltage Note2
ΙV V FGT ΙΙΙ—— 2.0V Tj = 25°C, V D = 6 V, R L = 6 Ω,R G = 330 Ω
ΙI FGT Ι——5mA ΙΙI RGT Ι——5Note5mA ΙΙΙI RGT ΙΙΙ——5Note5mA Gate trigger current
Note2
ΙV
I FGT ΙΙΙ——10mA Tj = 25°C, V D = 6 V, R L = 6 Ω,R G = 330 Ω
Gate non-trigger voltage V GD 0.1——V Tj = 125°C, V D = 1/2 V DRM Thermal resistance
R th (j-c)——50°C/W Junction to case Note3Critical-rate of rise of off-state
commutating voltage
Note4
(dv/dt)c
2
—
—
V/µs
Tj = 125°C
Notes: 2.Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.
3.Case temperature is measured at the T 2 terminal 1.5 mm away from the molded case.
4.Test conditions of the critical-rate of rise of off-state commutating voltage is shown in the table below.
5.High sensitivity (I GT ≤ 3 mA) is also available. (I GT item: 1)
Performance Curves
Package Dimensions
Order Code
Lead form Standard packing Quantity Standard order code Standard order code example
Straight type Vinyl sack500Type name BCR1AM-12 Lead form Vinyl sack500Type name – Lead forming code BCR1AM-12-A6 Form A8Taping2000Type name – TB BCR1AM-12-TB Note :Please confirm the specification about the shipping in detail.
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