半导体常识
半导体器件的基本知识
半导体器件的基本知识半导体器件的基本知识，真是个神奇的世界。
咱们常常提到“半导体”，脑海里浮现出那些小小的芯片，觉得它们离我们有点遥远。
其实，半导体就在我们身边，像个无形的助手，让生活变得更加便利。
一、半导体的基本概念1.1 半导体是什么？半导体，简单来说，就是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它们在某些条件下能导电，在其他情况下又不导电。
是不是听上去有点神秘？其实，最常见的半导体材料就是硅。
我们用的手机、电脑，里面的处理器，几乎都离不开硅的身影。
1.2 半导体的特性半导体有很多奇妙的特性，比如它的电导率。
温度变化、杂质掺入，都会影响它的导电性能。
说白了，半导体的电性就像人心一样，瞬息万变。
通过控制这些特性，工程师们可以设计出各种各样的电子器件。
二、半导体器件的类型2.1 二极管咱们来聊聊二极管。
这小家伙看似简单，却是半导体世界的基石。
二极管只允许电流朝一个方向流动。
它就像个单行道，确保电流不走回头路。
常见的应用就是整流器，把交流电转成直流电。
这在生活中非常重要，大家用的手机充电器，就离不开二极管的帮助。
2.2 晶体管接下来是晶体管。
晶体管的发明可谓是科技界的一场革命。
它不仅能放大电信号，还能用作开关，控制电流的流动。
晶体管的出现，让电子产品变得更小、更快。
你知道吗？现代计算机的核心，CPU，里面就有成千上万的晶体管在默默工作。
2.3 其他器件还有很多其他的半导体器件，比如场效应管、光电二极管等。
每种器件都有其独特的用途和应用领域。
它们一起构成了一个复杂而又和谐的生态系统。
可以说，半导体器件的多样性是现代科技发展的动力。
三、半导体的应用3.1 消费电子说到应用，咱们首先想到的就是消费电子。
手机、平板、电视，都是半导体的舞台。
随着科技的进步，半导体技术不断演变，产品功能越来越强大，性能越来越高。
可以说，半导体让我们的生活变得丰富多彩。
3.2 工业应用除了消费电子，半导体在工业中也大显身手。
自动化设备、传感器、控制系统，全都依赖于半导体技术的支持。
半导体知识点总结大全
半导体知识点总结大全引言半导体是一种能够在一定条件下既能导电又能阻止电流的材料。
它是电子学领域中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、光电器件、太阳能电池等领域。
本文将对半导体的知识点进行总结，包括半导体基本概念、半导体的电子结构、PN结、MOS场效应管、半导体器件制造工艺等内容。
一、半导体的基本概念（一）电子结构1. 原子结构：半导体中的原子是由原子核和围绕原子核轨道上的电子组成。
原子核带正电荷，电子带负电荷，原子核中的质子数等于电子数。
2. 能带：在固体中，原子之间的电子形成了能带。
能带在能量上是连续的，但在实际情况下，会出现填满的能带和空的能带。
3. 半导体中的能带：半导体材料中，能带又分为价带和导带。
价带中的电子是成对出现的，导带中的电子可以自由运动。
（二）本征半导体和杂质半导体1. 本征半导体：在原子晶格中，半导体中的电子是在能带中的，且不受任何杂质的干扰。
典型的本征半导体有硅（Si）和锗（Ge）。
2. 杂质半导体：在本征半导体中加入少量杂质，形成掺杂，会产生额外的电子或空穴，使得半导体的导电性质发生变化。
常见的杂质有磷（P）、硼（B）等。
（三）半导体的导电性质1. P型半导体：当半导体中掺入三价元素（如硼），形成P型半导体。
P型半导体中导电的主要载流子是空穴。
2. N型半导体：当半导体中掺入五价元素（如磷），形成N型半导体。
N型半导体中导电的主要载流子是自由电子。
3. 载流子浓度：半导体中的载流子浓度与掺杂浓度有很大的关系，载流子浓度的大小决定了半导体的电导率。
4. 质量作用：半导体中载流子的浓度受温度的影响，其浓度与温度成指数关系。
二、半导体器件（一）PN结1. PN结的形成：PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散结合形成的。
2. PN结的电子结构：PN结中的电子从N区扩散到P区，而空穴从P区扩散到N区，当N区和P区中的载流子相遇时相互复合。
3. PN结的特性：PN结具有整流作用，即在正向偏置时具有低电阻，反向偏置时具有高电阻。
半导体的基本知识
半导体的基本知识半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
半导体的电性质可以通过施加电场或光照来改变，这使得半导体在电子学和光电子学等领域有广泛的应用。
以下是关于半导体的一些基本知识：1. 基本概念：导体、绝缘体和半导体：导体（Conductor）：电导率很高，电子容易通过的材料，如金属。
绝缘体（Insulator）：电导率很低，电子很难通过的材料，如橡胶、玻璃。
半导体（Semiconductor）：电导率介于导体和绝缘体之间的材料，如硅、锗。
2. 晶体结构：半导体通常以晶体结构存在，常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。
3. 电子能带：价带和导带：半导体中的电子能带分为价带和导带。
电子在价带中，但在施加电场或光照的作用下，电子可以跃迁到导带中，形成电流。
能隙：价带和导带之间的能量差称为能隙。
半导体的能隙通常较小，这使得它在室温下就能够被外部能量激发。
4. 本征半导体和杂质半导体：本征半导体：纯净的半导体材料，如纯硅。
杂质半导体：在半导体中引入少量杂质（掺杂）以改变其导电性质。
掺入五价元素（如磷、砷）形成n型半导体，而掺入三价元素（如硼、铝）形成p型半导体。
5. p-n 结：p-n 结：将p型半导体和n型半导体通过特定工艺连接在一起形成p-n 结。
这是许多半导体器件的基础，如二极管和晶体管。
6. 半导体器件：二极管（Diode）：由p-n 结构构成，具有整流特性。
晶体管（Transistor）：由多个p-n 结构组成，可以放大和控制电流。
集成电路（Integrated Circuit，IC）：在半导体上制造出许多微小的电子器件，形成集成电路，实现多种功能。
7. 半导体的应用：电子学：微电子器件、逻辑电路、存储器件等。
光电子学：光电二极管、激光二极管等。
太阳能电池：利用半导体材料的光伏效应。
这些是半导体的一些基本知识，半导体技术的不断发展推动了现代电子、通信和计算机等领域的快速进步。
第三节 半导体
第三节半导体
半导体是当今电子行业最基础的材料之一，其作用和意义不容小觑。
在此我们将深入探讨半导体的相关知识。
一、什么是半导体？
半导体是指在室温下，其导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
有
时也被称为半导体晶体。
二、半导体的种类
从其晶体结构来看，半导体可分为单晶硅、多晶硅、非晶硅、蓝宝石、碳化硅、氮化硅等。
三、半导体的应用
1、集成电路 - 由于半导体表现出了半导体-绝缘体-金属场效应，能
够强制控制流经半导体器件的电流强度和方向，因此可用于制作各种
逻辑、振荡器等集成电路。
2、光电器件 - 利用半导体光电特性制作出的器件，如太阳能电池、发光二极管、激光器等。
3、功率器件 - 利用半导体导电性能和电特性，制作出高变换效率、低损耗、高可靠性的功率电子元器件，如IGBT器件等。
4、传感器 - 利用半导体的光电、温度、湿度、压力等特性制作出的传感器器件。
四、半导体技术的发展趋势
1、晶体管微型化和集成化 - 在实际应用中，需要更高的速度、更小的面积和功耗，因此晶体管制作微型化和集成化是半导体技术的重要趋势。
2、功率器件的高效率和大功率 - 随着人们生活水平的提高，需要更高效、更可靠、更节能的电子设备，因此功率器件的高效率和大功率是半导体技术的趋势。
3、新型材料的开发 - 蓝宝石、碳化硅等新型材料在一定应用领域已得到广泛的应用，半导体技术发展也将趋于多样化。
总而言之，半导体技术因其广泛的应用领域和重要的作用被越来越广泛地关注着，也将成为电子行业长期的研究方向之一。
半导体基本知识
半导体基本知识一、半导体有关概念1、半导体半导体是导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物体。
它内部运载电荷的粒子有电子载流子(带负电荷的自由电子)和空穴载流子(带正电荷的空穴)。
硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。
2、晶体凡是原子按照一定规律、连续整齐地排列着的物体称为晶体。
半导体一般都具有这种结构，所以半导体也被称为晶体。
3、本征半导体本征半导体是完全纯净的(不含任何其它元素)、具有晶体结构的半导体。
本征半导体内部电子和空穴的数量在任何情况下总是相等的。
如锗单晶、硅单晶就是本征半导体。
4、半导体掺杂掺杂是指在本征半导体中掺进一定类型和数量的其它元素，掺进去的其它元素为杂质。
掺杂的目的是改善半导体的导电能力，亦即掺杂后，使半导体在原有的“电子-空穴对”的基础上，增加大量的电子或空穴。
5、N型半导体如果给本征半导体掺进某种微量的杂质后，使它获得大量电子，则掺有这种杂质的导体就称“电子型半导体”或“N型半导体”。
在N型半导体中，除“电子-空穴对”提供的载流子外。
主要的、大量的是电子载流子。
因此，电子称为多数载流子，而空穴则称少数载流子。
6、P型半导体如果本征半导体掺杂后能获得大量空穴，则这种半导体就称“空穴型半导体”或“P型半导体”。
在P型半导体中，除“电子-空穴对”提供的载流子外，主要的、大量的是空穴载流子，所以空穴称多数载流子，而电子则称少数载流子。
7、PN结将P型半导体和N型半导体用特殊工艺结合在一起时，由于P型半导体中的空穴多，N型半导体中的电子多，在交界面上，多数载流子就要分别向对方扩散，在交界处的两侧形成带电荷的薄层，称为空间电荷区，又称为PN结。
二、PN结的单向导电性1、PN结空间电荷区的一边带正电，另一边带负电,产生了PN结的内电场，其方向为N区的正电荷区指向P区的负电荷区，阻碍了P 区空穴进一步向N区扩散和N区电子向P区继续扩散。
2、如果把PN结的P区接电源正端，N区接电源负端，如上图(a)，外加电场方向与内电场相反，并且外电场很强，这样，在外电场作用下，两侧的多数载流子不断越过PN结，形成正向电流。
半导体器件基础知识
半导体基础知识一、半导体本础知识（一）半导体自然界的物质按其导电能力区别，可分为导体、半导体、绝缘体三类。
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之前的物质，其电阻率在10-3~109Ω范围内。
用于制作半导体元件的材料通常用硅或锗材料。
（二）半导体的种类在纯净的半导体中掺入特定的微量杂质元素，能使半导体的导电能力大提高。
掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。
根据掺杂元素的性质不同，杂质半导体可分为N型和P型半导体。
（三）PN结及其特性1、PN结：PN结是构成半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路的基础。
它是由P型半导体和N型半导体相“接触”后在它们交界处附近形成的特殊带电薄层。
2、PN结的单向导电性：当PN结外加正向电压（又叫正向偏置）时，PN结会表现为一个很小的电阻，正向电流会随外加的电压的升高而急速上升。
称这时的PN结处于导通状态。
当PN结外加反向电压（以叫反向偏置）时，PN结会表现为一个很大的电阻，只有极小的漏电流通过且不会随反向电压的增大而增大，这时的电流称为反向饱和电流。
称这时的PN结处于截止状态。
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。
这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。
3、频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。
导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
二、半导体二极管（一）半导体二极管及其基本特性1、半导体二极管：半导体二极管（简称为二极管）是由一个PN结加上电极引线并封装在玻璃或塑料管壳中而成的。
其中正极（或称为阳极）从P区引出，负极（或称为阴极）从N区引出。
以下是常见的一些二极管的电路符号：普通二极管稳压二极管发光二极管整流桥堆2、二极管的伏安特性二极管的伏安特征如下图所示：二极管的伏安特性曲线（二）二极管的分类二极管有多种分类方法1、按使用的半导体材料分类二极管按其使用的半导体材料可分为锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管、磷化镓二极管等。
半导体知识点总结
半导体知识点总结半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些特殊的电子性质，因此在现代电子技术中具有重要的应用。
本文将对半导体的基本概念、特性、原理以及应用进行详细的介绍和总结。
一、半导体的基本概念1、半导体材料半导体材料是一类电阻率介于导体和绝缘体之间的材料，它具有一些特殊的电子能带结构。
常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)、GaAs等。
2、半导体的掺杂半导体材料经过掺杂后，可以改变其电子结构和导电性质。
常见的掺杂有N型和P型两种类型，分别通过掺入杂质原子，引入额外的自由电子或空穴来改变半导体的导电性质。
3、半导体的结构半导体晶体结构通常是由大量的晶格排列组成，具有一定的晶格参数和对称性。
在半导体器件中，常见的晶体结构有晶体管、二极管、MOS器件等。
二、半导体的特性1、能带结构半导体的能带结构是其特有的性质，它决定了半导体的导电性质。
半导体的能带结构通常包括价带和导带，其中价带中填充电子的能级较低，而导带中电子的能级较高，两者之间的能隙称为禁带宽度。
2、电子迁移和载流子在外加电场的作用下，半导体中的自由电子和空穴可以在晶体内迁移，并形成电流。
这些移动的载流子是半导体器件工作的基础。
3、半导体的导电性半导体的导电性是由自由电子和空穴共同贡献的，通过掺杂和外加电场的调制，可以改变半导体的导电性。
三、半导体的原理1、P-N结P-N结是半导体器件中最基本的结构之一，它由P型半导体和N型半导体组成。
P-N结具有整流、放大、开关等功能，是二极管、光电二极管等器件的基础。
2、场效应器件场效应器件是一类利用外加电场控制半导体导电性质的器件，包括MOS场效应管、JFET场效应管等。
场效应器件具有高输入电阻、低功耗等优点，在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3、半导体光电器件半导体光电器件是一类利用光电效应将光能转化为电能的器件，包括光电二极管、光电导电器件等。
光电器件在光通信、光探测、光伏等领域有着重要的应用。
半导体基础知识
现代电子学中，用的最多的半导 体是硅和锗，它们的最外层电子 （价电子）都是四个。
Ge
Si
电子器件所用的半导体具有晶体结构，因 此把半导体也称为晶体。
2、半导体的导电特性
1）热敏性 与温度有关。温度升高，导电能力增强。 2）光敏性 与光照强弱有关。光照强，导电能力增强 3）掺杂性 加入适当杂质，导电能力显著增强。
图 二极管的结构示意图 (a)点接触型
(2) 面接触型二极管—
PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。
往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。
(b)面接触型
(3) 平面型二极管—
(c)平面型 图 二极管的结构示意图
2、分类
1）按材料分：硅管和锗管 2）按结构分：点接触和面接触 3）按用途分：检波、整流…… 4）按频率分：高频和低频
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
空间电荷区
扩散运动 (浓度差产生)
阻挡多子扩散
2）内电场的形成及其作用{ 促进少子漂移 漂移运动
P型半导体
、所以扩散和 移这一对相反－ － － － － － 运动最终达到 衡，相当于两－ － － － － － 区之间没有电－ － － － － － 运动，空间电 区的厚度固定－ － － － － － 变。
在常温下，由于热激发，使一些价电子 获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成 为自由电子，同时共价键上留下一个空位， 称为空穴。
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相关参考资料：
1.驱动 驱动 2.基本理论 基本理论 3.前人总结 前人总结
MOS--FET的選擇及耗損計算 MOS FET的選擇及耗損計算
制作：滿枝 制表：張明艷
谢谢！
4）稳压二极管： 此类二极管在开关电源使用较普遍，对元件起过电压保护。稳压精度低， 如IC的VCC，光偶的ce极等。一般是按照稳压电压选择。注其稳压精度不高 要得到较精确的稳压，可以在起同侧并联电容。
三极管基本知识
1)三极管的基本分类： 1.NPN 2.PNP
2.三极管的工作区间：
3.三极管的基本参数
三极管的参数选择 假如本例要求：IC 驱动要求 18V 400mA(max) Q202： Vbc=25/0.8=31.25V(0.8是选择的电压余量) 由于Q202提供的是Q201的基极驱动电流，本身只做一个快速开关故电流选择常 用的150/200mA的PNP管子就可以了。 故Q202我们选择-40V 0.2A R201=7/0.1=70ohm Q201 Vbc选择与Q202 相同 Ic=400/0.5=0.8mA （Q202需要连续供电） NPN P=7*I=0.7w 选择最相近的阻值 1W 100 J(限流电阻) Vin=25V
3）VF 正向压降 流大则VF低） 4）IR 5）Trr 反向漏电流 反向恢复时间
6）TJ&Rth(j-c)
Tj 为二极管正常工作的温度范围，Rth(j-c) 热阻
IR/VF：两个参数是相互制约的，VF低，IR就大，相反IR低，则VF 就高 使用的时候注意找个平衡。 3）二极管分类： 1）反向耐压 2）正向压降 高压二极管，低压二极管 low VF 二极管 high VF二极管
通过上面的实际计算，我们可以看到，驱动电阻对信号的上升速度，以及 系统的EMI，效率有影响，电阻增加，开关时间增加，EMI变好，驱动元 器件应力变好，mosfet的效率变差。 当然，对于实际的具体情况，MOSFET 还受其它方面的影响，如多个晶体 并联使用时，高频会产生震荡，故需要加CORE BEAD克服。 关断时，MOSFET 的关断损耗一般很大，故需要缩短关段时间 D807就是 起这样的作用 ，关断时节电容快速放电，为了对驱动的保护，附加电阻 R812限流，但是此时的R812不能过大。 ZD802起稳压作用，同时吸收驱动尖刺波。保证驱动在最佳驱动电压。 一般最佳电压（13V~18V）
3）恢复时间，一般开关行二极管，快恢复二极管，肖特基二极管 4) 其他分类：普通二极管，稳压二极管，发光二极管。
4) 开关电源中二极管的使用： I). 小信号开关管： 如图所示：本例是一个温 度控制模块，在开始的时 刻，由于NTC651的温度 很地，电阻很大，此时经 过分压电阻分压比Vin2小， 比较器输出为低电平， D670截止，此时电压被 钳位在一个定值。当 NTC651受温度影响电阻 变小后，比较器输出高电 压，当电压高于钳压电压 时，D670导通，D669关 闭，此时Vout有NTC651 控制。 二极管的参数选择：由于在回路二极管只是用为简单的小信号开关， 故此类二极管都可以选为常用的LL4148 DIO SW 150mA 100V
）三极管的使用： I） 三极管三种工作状态： a)饱和区 b)放大区
该状态，三极管发射结正偏，集电极正偏。（开关速度快，用做无触点开关 .） 该状态，三极管发射结正偏，集电极反偏。（常用的放大器）
c)截止区。 该状态下，发射接反偏。 II)三极管的连接方式： 1）三极管的连接方式：共射极，共基极，共集电极。 2）一般开关连接方式。
三级管的使用实例：
左图是一个VCC控制线路，输出电 压供IC ，及继电器使用。当光耦元 件动作，Q202自举导通，供给 Q201基极电流，Q201导通。 输出电压等于Q201基极电压，故输 出电压可以通过R202/R203，以及 稳压二极管来调节。
Q管的具体作用，和使用注意事项： 就本例看，设计意图在于： 1）输出稳定可控制电压 2）速度开关 3）足够大的驱动电流。 Q201电压跟随，Q202/ZD201钳压输出 Q202工作于饱和导通，开关速度快 Q201提供足够大的驱动
所以：Q201 40V 1.5A
Mosfet 基本知识
1.Mosfet 认识：
增强和耗尽的主要区别：增强需要一个开启电压点Vgs 耗尽则不需要。 2.Mosfet 的主要参数： 1.Rds(on) 2.Vds 3.Ids 4.Vgs(th) 5.Td(on)/Td(off) 6.Ciss/Coss 7.Rth(j-c) 8.体二极管 导通电阻。 （开通损耗） 最大耐压值 （安全工作最大电压值） 最大电流值 （与作用结温有关） mosfet 的开启电压 开通时间，关断时间 输如/输出结电容 热阻 恢复速度慢，使用时需注意，同步整流时， 需附加快速二极管保护。 （驱动电压） （开关损耗） (影响开关速度)
当Dmin=0.4时： Vrrm=60.7V 当Dmax=0.6时： IF(av)=7*0.6=4.2
选材时需要考虑材料需要留有一定的余量. 故我们选择：ST10100CT肖特基管 Plost=VF*IF(av)=0.6/2*4=1.2 W P=Vrrms*IF(av)*Trr*F。(对于肖特基Trr可以实际测试) 实际使用还必须考虑实际材料的使用温度，散热条件。如果温度过高 可以通过调整管子的最大电流。以何得合理的损耗及温升。 查该材料的data book: VF=0.6V △j=Plost*Rth(j-c)=1.32℃ Tj=Tc+△j 最后实际验证温度，Tc为晶体表面测试实际温度 Rth(j-c)=1.1℃/w
2.高速开关的整流管：
由于使用的是半桥技术，在整个周期内变压器都能提供能量，所以输出电感可以 很小。 1）此二极管用在输出整流侧，故需要用开关速度很快的二极管，减小开关损耗。 P=Vrrms*IF(av)*Trr*F。 2)元件额定参数的选择： 如果：Vout=24V Iout=7A Vrrm=Vout/Dmin+V1 IF(av)=Iout*Dmax 占空比D由负载决定 V1是顺向压降
2)Power lost: P=Pon + Psw Pon=Iav^2*Rds(on)=0.65^2*0.3=0.165W Psw=(Uon*Ton+Uoff*Toff)*F=(380*10*10^-9+100*10*10^-9)*100^3=1.05W 3)测试管子的实际温升温，结合实际电流判定是否处于安全工作区域。 4)Mosfet 驱动问题: 1.由于存在Ciss/Coss 该电容在开,关时需充,放电,所以外加驱动电阻改变 驱动特性。 2.mosfet 的基极需要接下拉电阻. 3.注意mosfet的体二极管,它的恢复速度慢,正向压降高.
3.Mosfet soe(安全工作区)
注意实际的参数的选择需要参考：Safe operating area 1.元件实际的工作最大电压 3.元件的结温 确定元件是否工作在安全工作区 2.最大的导通时间
MOSFET 的驱动 1）作为主要的开关器件，mosfet 的驱动，对整机的效率，EMI，系统稳 定都有很大的关系。 效率表现：元件发热过大， EMI：主频倍频处EMI异常。 系统不稳定：主频抖动，输出纹波紊乱。 2）常见的驱动先路及原理分析：
@Vdd=380V Vgs=0V/13V Id=20.7A Rg=3.6ohm Td(on)=10ns Tr=5ns 若实际取R=5ohm Toff=67ns Tf=4.2ns
则有：Td(on)=11.61ns
I=2400*10^-12*16/11.61*10^-9=3.31A 从这里我们可以看到如果按照我们选取的R=2.2所需要的驱动电流很大， 大的驱动电流对G-D之间的矽氧化物有极大的破坏作用，同时对驱动线 路的电子元件的应力要求也较大，故需要调整驱动电阻R。 如选取R=5ohm则：Td(on)=2.2*5*2240*10^-12/10^-9=24.64ns I=2400*6*10^-3/Td=588mA
该线路是一个boost升压线路， R810,R812/D807,R811/ZD802 &CORE BEAD 组成了典型的驱动 线路。
1.开通过程： 当控制IC 输出高电平时，信号通过R801对Q801节电容Ciss充电. 充电时间：t=2.2R801*Ciss 2.2为由米勒效应引起的时间延时系数 充电电流与驱动电流：I=Ciss*dv/dt data book规格中可以查得 注mosfet 为电压控制型器件，充电电流及为驱动电流。 例如20N60C3 规格有：Ciss=2400pF
设计实例：
Vcc
事例条件：输出功率为200W 效率为80min 最小占空比D=0.4
active PFC Vbuck=385V
分析：半桥线路，可以得出，MOSFET 的最大工作电压为buck电容上的 电压。 如果我们选取元件的最小余量为80% Vds=Vbuck/0.8=481 Iav=P/(η*u)=0.65A 所以我们可以选定为500V Ipeak=Iav/(D*0.8)=2A 6A 的mosfet.
常用半导体知识
------开关电源常用半导体使用 ------开关电源常用半导体使用
王双强 2007/7/26
1）二极体 ） 2）三极管 ） 3）FET体场效应管 ） 体场效应管
二极管
1）二级管的特性： 二极管具有正向导通, 反向截止的特性。 P N 具体：P 为正，N为负。
2)二级管的常用参数： 具体参数请查看相关规格，这里只列出常用设计相关的重要参数： 1）VRRM 反向耐压 2）IF(av) 正向平均电流 （主要额定参数） （主要额定参数） （效率要求，开通损耗，相同额定电压，电 （决定产品的温度特性，IR大高温特性差） （开关损耗）