第六章-实际晶体中缺陷的电子衍射分析演示教学
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结晶学晶体缺陷

N个原子的晶体中取出n个原子形成点缺陷的独立方式数 为:
N! C n! N n !
n N
相应的组态熵为:
n N! k0 n ln S k0 ln N n! N n !
自由能为:
n F nE TS nE k0 nT ln N
平衡浓度为:
n exp E k0T N
第六章:晶体缺陷 § 6.1 空位、杂质和填隙原子
半导体中的杂质: 电子工业的基础是半导体。 半导体的核心是其电导特性。 本征半导体(即未掺杂)实际上是绝缘体,基本没有可 用的电学特性。 杂质及掺杂工艺是半导体的基础。
P型半导体
+4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4
低价掺杂,空穴导电
离子晶体的电导主要是由阴、阳离子空位的运动所 产生的,与质量输运直接相关:
Ne[V ]u [V ]u
离子迁移率 在纯净的晶体中,本征电导为:
0 Neu u exp U 2k0T
由于质量输运靠原子跳入相邻的 空位来实现,需要靠热涨落来克 服迁移势垒,所以迁移率强烈地 依赖于温度。外加电场的存在降 低了电场方向上的势垒,有利于 该方向上的迁移,由此而产生的 择优迁移形成质量输运的驱动力 和离子电导。
44444444444444443p型半导体低价掺杂空穴导电n型半导体高价掺杂电子导电4444444444444445受主离子空穴施主离子电子pn结的形成空穴电子耗尽层减小导通i耗尽层brillouin区边界第一能带第二能带绝缘体导体和半导体kt价带顶空穴位导带底电子位价带顶i耗尽区耗尽区内建电场e电极接触电势hv场效应管61空位杂质和填隙原子离子晶体中的杂质
电子衍射与准晶ppt课件

法线方向,长度为该面间距的倒
数。
倒易点阵的点阵点指标 hkl 倒易矢量:
倒易点阵中每个倒易点都对应正 点阵中的一族点阵面。
晶带定律
晶体中,与某一晶向 [uvw]平行的所有晶面(hkl) 属于同一晶带,称为[uvw] 晶带.该晶向[uvw]称为此晶 带的晶带轴 。
晶带定律的标量表达式
(h3 k3 l3)
反射球很大, θ 很 小 , 在 0* 附 近反射球近似为 平面。
反射球面与倒 易点阵相交为倒 易面。
衍射花样与零 层倒易面对应。
衍射花样标定:
确定衍射谱中斑点的指数及其晶带轴 方向[UVW],并确定样品的点阵类型。
(1)指数直接标定法 (2)比值法 (3)标准衍射图法
特征基本平行四边形的标定法则:
(h2 k2 l2)
若已知某晶带中任意两晶面(h1k1l1)和 (h2k2l2),则可按晶带定理求晶带轴指数[uvw] :
由同晶带[uvw]的 晶面构成的倒易面就 可以用(uvw)*表 示,且因为过原点O*, 则称为0层倒易截面 (uvw)*。
体心立方晶体[001]和[011]晶带的标准 零层倒易截面图 .
④确定晶带轴。
立方晶系晶面间夹角公式:
实例:低碳马氏体电子衍射花样标定
A D
B C
0
λ2.51102A
211
211
301
多晶体电子衍射花样标定
多晶衍射花样: 一系列不同半径 的同心圆环。
标准衍射图法:
双晶带引起的斑点花样
分属两个晶带的 两套衍射斑点。 两套斑点同时出 现的原因:
两个晶带轴夹角 很小;且都不严 格地平行入射电 子束方向。
用边长相等而夹角不等的两种菱面体堆砌 出三维的Penrose图。
单晶电子衍射分析及应用.ppt

衍射图的五种平面点阵
倒易点阵的对称性可以用晶体的正点阵加以描述。
由于点阵平移对称性的制约,点阵平面内允许存在的旋转 对称操作的种类受到限制,旋转的角度只有2π,π,2π/3, π/2 和π/3五种。
由晶体几何学可知,这五种旋转对称操作和镜面反映对称 操作相联系的点阵平面阵点的几何构型可分为五种类型, 称为五种平面点阵 。
电子衍射花样的标定 大角度倾转电子衍射
旋转+单倾样品台: tan=sinω·tanα ω-旋转角, α-倾转角
电子衍射花样的标定
电子衍射花样的标定
电子衍射花样的标定
La4Cu2.9Zn0.1MoO12 的 SAED 图 。 b1, b2, b3, b4 之间的转角均为 30°. b5 是重构出的倒易面.
1. 有的与一次衍射束重合,使一次衍射束强度出现 反常;
2. 有的则出现多余衍射斑。
❖ 二次衍射一般发生在一下三种场合:
1. 两相晶体间,如基体与析出物; 2. 同结构的不同方位晶体间,如孪晶界、反相畴界
附近; 3. 同一晶体内部,如在消光位置出现额外衍射斑。
2、二次衍射
电子衍射图标定的问题
满足关系
电子衍射花样的标定
2.利用reci程序 ❖ 举例:Al单晶衍射花样,L=1.521mmnm。
测量:R1=6.5mm, R2=16.4mm, R3=16.8mm, 1=82
电子衍射花样的标定
❖ 举例:钢经淬火-回火处理后得到的板条马氏体及其间残余 奥氏体的选取电子衍射花样。其中的一套斑点属于马氏体, 测量:R1=10.1mm, R2=17.5mm, R1与R2间夹角为107
2、二次衍射
电子衍射图标定的问题
出现在禁止位置
第六章 电子衍射分析

2不同点:
1)电子衍射的衍射角小得多,其衍射谱可视为倒易点
阵的二维截面,晶体几何关系的研究变得简单方便。 2)物质对电子的散射作用很强,在物质中的穿透深度 有限,适于研究微晶、表面、薄膜的晶体结构。 3)电子衍射使在透射电镜下对同一试样的形貌观察和 结构分析同时研究成为可能。 4)电子衍射谱强度正比于原子序数,X射线衍射强度正 比于原子序数的平方,故电子衍射有助于寻找轻原子 的位置。 5)电子衍射束强度几乎与透射束相当,两者相互作用使 衍射花样特别是强度分析变得复杂,不能象X射线那样 通过强度来测定结构。 6)电子波长短,衍射角小,测定衍射斑点位置精度远 低于X射线。
电子衍射花样主要用于:
确定物相和物相与基体的取向关系
材料中的沉淀惯习面、滑移面 形变、辐射等引起的晶体缺陷状态(有序电子衍射原理
按入射电子能量的大小,电子衍射分为高能 电子衍射,低能电子衍射和反射式高能电子衍 射。 电子衍射的特点(与X射线衍射的比较): 1)相同点 2)不同点 参见P53和P121
相同点: 1)电子衍射几何学与X射线衍射相同,遵从衍 射产生的必要条件和系统消光规律。 2) 产生的电子衍射花样类似X射线衍射花样。
电子衍射及衍射花样标定ppt

研究土壤、水等环境样品的成分和结构。
研究人体组织、细胞等生物样品的结构和功能。
02
电子衍射实验结果分析
03
数据处理与筛选
对采集到的数据进行处理和筛选,去除异常值和噪声,确保数据的质量和可靠性。
实验数据收集与整理
01
选择合适的实验条件
根据需要选择适当的加速电压、束流强度、样品厚度等实验条件,以确保实验数据的可靠性和稳定性。
药物设计与筛选
基于生物大分子的结构信息,电子衍射技术可用于药物设计与筛选,发现能够与目标分子结合的药物分子,提高药物研发的效率和成功率。
药效机制研究
01
通过对药物作用靶点的结构分析,电子衍射技术有助于研究药物的疗效机制和作用方式。
药物研发与筛选
药物优化设计
02
基于药物的靶点结构和药效机制,电子衍射技术可以优化药物设计,提高药物的疗效和降低副作用。
研究材料合成方法
新材料研发
04
电子衍射技术在医学及生物学中的应用
医学影像分析
高分辨率成像
电子衍射技术能够提供医学影像的高分辨率成像,有助于诊断病情和评估治疗效果。
蛋白质结构分析
通过电子衍射技术,可以解析蛋白质的三维结构,有助于研究蛋白质的功能和作用机制。
生物大分子结构解析
核酸结构研究
电子衍射技术也可用于研究核酸的结构,如DNA和RNA的双螺旋结构和高级结构,揭示遗传信息的传递和表达调控机制。
高能电子衍射技术的发展将促进材料科学、物理学和化学等学科的交叉与融合。
03
原位电子衍射技术的应用将推动材料科学、物理化学等领域的发展,为实际应用提供更多有价值的信息。
原位电子衍射技术应用
01
原位电子衍射技术能够实时观察材料在特定条件下的结构变化。
研究人体组织、细胞等生物样品的结构和功能。
02
电子衍射实验结果分析
03
数据处理与筛选
对采集到的数据进行处理和筛选,去除异常值和噪声,确保数据的质量和可靠性。
实验数据收集与整理
01
选择合适的实验条件
根据需要选择适当的加速电压、束流强度、样品厚度等实验条件,以确保实验数据的可靠性和稳定性。
药物设计与筛选
基于生物大分子的结构信息,电子衍射技术可用于药物设计与筛选,发现能够与目标分子结合的药物分子,提高药物研发的效率和成功率。
药效机制研究
01
通过对药物作用靶点的结构分析,电子衍射技术有助于研究药物的疗效机制和作用方式。
药物研发与筛选
药物优化设计
02
基于药物的靶点结构和药效机制,电子衍射技术可以优化药物设计,提高药物的疗效和降低副作用。
研究材料合成方法
新材料研发
04
电子衍射技术在医学及生物学中的应用
医学影像分析
高分辨率成像
电子衍射技术能够提供医学影像的高分辨率成像,有助于诊断病情和评估治疗效果。
蛋白质结构分析
通过电子衍射技术,可以解析蛋白质的三维结构,有助于研究蛋白质的功能和作用机制。
生物大分子结构解析
核酸结构研究
电子衍射技术也可用于研究核酸的结构,如DNA和RNA的双螺旋结构和高级结构,揭示遗传信息的传递和表达调控机制。
高能电子衍射技术的发展将促进材料科学、物理学和化学等学科的交叉与融合。
03
原位电子衍射技术的应用将推动材料科学、物理化学等领域的发展,为实际应用提供更多有价值的信息。
原位电子衍射技术应用
01
原位电子衍射技术能够实时观察材料在特定条件下的结构变化。
第六章电子衍射ppt课件

θ角最大可接近90 °。
• ② 略微偏离布格条件的电子束也能发生衍射。 • 薄晶体的倒易点被拉长为倒易杆,增加了倒易阵点和爱瓦
尔德球相交截的机会,结果使略微偏离布格条件的电子束 也能发生衍射。
第六章 电 子 衍 射
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
• 上式就是晶带定律。
• (hkl)的倒易矢量g必定垂
直于[uvw]。
第六章 电 子 衍 射
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
第六章 电 子 衍 射
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
RLgKg
• 这就是电子衍射的基本公式。 • Lλ称为电子衍射的相机常数,L
称为相机长度。
第六章 电 子 衍 射
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
• 在衍射中,相对于某一特定晶带轴[uvw]的零层倒易截面 内各倒易阵点的指数的两个约束条件:
• ①、各倒易阵点和晶带轴指数间必须满足晶带定 理。
• ② 、只有不产生消光的晶面(即|F|2≠0)才能 在零层倒易面上出现倒易阵点。
• 根据上述条件,可以作出一系列的标准零层倒易截面。
第六章 电 子 衍 射
• ② 略微偏离布格条件的电子束也能发生衍射。 • 薄晶体的倒易点被拉长为倒易杆,增加了倒易阵点和爱瓦
尔德球相交截的机会,结果使略微偏离布格条件的电子束 也能发生衍射。
第六章 电 子 衍 射
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
• 上式就是晶带定律。
• (hkl)的倒易矢量g必定垂
直于[uvw]。
第六章 电 子 衍 射
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
第六章 电 子 衍 射
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
RLgKg
• 这就是电子衍射的基本公式。 • Lλ称为电子衍射的相机常数,L
称为相机长度。
第六章 电 子 衍 射
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
• 在衍射中,相对于某一特定晶带轴[uvw]的零层倒易截面 内各倒易阵点的指数的两个约束条件:
• ①、各倒易阵点和晶带轴指数间必须满足晶带定 理。
• ② 、只有不产生消光的晶面(即|F|2≠0)才能 在零层倒易面上出现倒易阵点。
• 根据上述条件,可以作出一系列的标准零层倒易截面。
第六章 电 子 衍 射
电子衍射-PPT

❖ 通常电子衍射图的标定过程可分为下列三种情况:
1)已知晶体(晶系、点阵类型)能够尝试标定。 2)晶体虽未知,但依照研究对象估计确定一个范围。就在这
些晶体中进行尝试标定。 3)晶体点阵完全未知,是新晶体。此时要通过标定衍射图,来
确定该晶体的结构及其参数。所用方法较复杂,可参阅电 子衍射方面的专著。
征之因此区别X射线的主要原因。
8-2 偏离矢量与倒易点阵扩展
❖ 从几何意义上来看,电子束方向与晶带轴重合时,零层倒易 截面上除原点0*以外的各倒易阵点不估计与爱瓦尔德球相 交,因此各晶面都可不能产生衍射,如图(a)所示。
❖ 假如要使晶带中某一晶面(或几个晶面)产生衍射,必须把 晶体倾斜,使晶带轴稍为偏离电子束的轴线方向,此时零层 倒易截面上倒易阵点就有估计和厄瓦尔德球面相交,即产 生衍射,如图(b)所示。
量。
倒易点阵扩展
❖ 下图示出偏离矢量小于零、等于零和大于零的三种情况。 如电子束不是对称入射,则中心斑点两侧和各衍射斑点的 强度将出现不对称分布。
8-3 电子衍射基本公式
❖ 电子衍射操作是把倒易点阵的 图像进行空间转换并在正空间 中记录下来。用底片记录下来 的图像称之为衍射花样。右图 为电子衍射花样形成原理图。
❖ Rdhkl=f0·MI·Mp·λ=L'λ ❖ 称Lˊλ为有效相机常数
选区衍射
❖ 选区衍射就是在样品上选择一个 感兴趣的区域,并限制其大小,得 到该微区电子衍射图的方法。也 称微区衍射。
❖ 光阑选区衍射(Le Poole方式) 此法用位于物镜像平面上的光阑 限制微区大小。先在明场像上找 到感兴趣的微区,将其移到荧光 屏中心,再用选区光阑套住微区 而将其余部分挡掉。理论上,这 种选区的极限≈0、5μm。
电子衍射原理与分析课件

电子衍射技术可以用于研究表面重构、吸附和反应等过程 ,以及表面结构和性能的关系。此外,电子衍射技术还可 以用于研究纳米材料和薄膜材料的表面结构和性质。
05
电子衍射在生物学中的 应用
大分子结构分析
蛋白质晶体学
电子衍射技术在大分子结构分析中发挥 着重要作用,尤其在蛋白质晶体学领域 。通过电子衍射,可以解析蛋白质晶体 的空间结构,为理解蛋白质功能和设计 新药物提供关键信息。
当电子束以一定能量和方向入射 到晶体或非晶体材料上时,会发 生衍射,即电子的运动轨迹发生
弯曲。
衍射现象可以通过布拉格方程( nλ=2dsinθ)进行描述,其中λ 为入射电子波长,d为晶面间距
,θ为衍射角。
电子衍射与X射线衍射的区别
电子衍射的波长比X射线短, 因此具有更高的分辨率和灵敏 度,能够更准确地测定晶格常 数和晶体结构。
膜蛋白分析
电子衍射还可以用于分析生物膜上的 膜蛋白,如通道蛋白和转运蛋白。这 些蛋白在物质跨膜运输和信号转导过 程中发挥关键作用。
病毒形态与结构分析
病毒形态描述
通过电子衍射技术,可以详细描述病毒的形 态和大小,这对于病毒分类、鉴定和疫苗设 计具有重要意义。
病毒结构解析
病毒的结构通常由蛋白质外壳和内部的核酸 组成。电子衍射技术可以解析病毒的精细结 构,揭示其组装机制和感染机制,为抗病毒 药物的设计提供理论支持。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
扫描电子显微镜(SEM)
总结词
扫描电子显微镜是利用电子束扫描样品表面,通过收集和分析二次电子、反射电子等信号来观察样品 表面形貌和特征的实验方法。
详细描述
扫描电子显微镜具有较高的空间分辨率和放大倍数,能够观察样品表面的细微结构和形貌变化。在实 验过程中,需要对样品进行镀金或碳涂覆等处理,以增加导电性和二次电子信号的收集效率。
05
电子衍射在生物学中的 应用
大分子结构分析
蛋白质晶体学
电子衍射技术在大分子结构分析中发挥 着重要作用,尤其在蛋白质晶体学领域 。通过电子衍射,可以解析蛋白质晶体 的空间结构,为理解蛋白质功能和设计 新药物提供关键信息。
当电子束以一定能量和方向入射 到晶体或非晶体材料上时,会发 生衍射,即电子的运动轨迹发生
弯曲。
衍射现象可以通过布拉格方程( nλ=2dsinθ)进行描述,其中λ 为入射电子波长,d为晶面间距
,θ为衍射角。
电子衍射与X射线衍射的区别
电子衍射的波长比X射线短, 因此具有更高的分辨率和灵敏 度,能够更准确地测定晶格常 数和晶体结构。
膜蛋白分析
电子衍射还可以用于分析生物膜上的 膜蛋白,如通道蛋白和转运蛋白。这 些蛋白在物质跨膜运输和信号转导过 程中发挥关键作用。
病毒形态与结构分析
病毒形态描述
通过电子衍射技术,可以详细描述病毒的形 态和大小,这对于病毒分类、鉴定和疫苗设 计具有重要意义。
病毒结构解析
病毒的结构通常由蛋白质外壳和内部的核酸 组成。电子衍射技术可以解析病毒的精细结 构,揭示其组装机制和感染机制,为抗病毒 药物的设计提供理论支持。
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扫描电子显微镜(SEM)
总结词
扫描电子显微镜是利用电子束扫描样品表面,通过收集和分析二次电子、反射电子等信号来观察样品 表面形貌和特征的实验方法。
详细描述
扫描电子显微镜具有较高的空间分辨率和放大倍数,能够观察样品表面的细微结构和形貌变化。在实 验过程中,需要对样品进行镀金或碳涂覆等处理,以增加导电性和二次电子信号的收集效率。
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实现双光束条件的方法
图(a) 位错线
区分位错线和等倾条纹的方 法:倾动试样时,位错衬度 只在原地变化,或隐或现或 弱,而不会移动位置;等倾 条纹随着各处位向连续变化, 在荧光屏上可观察到其迅速 扫动。
图(b)弯曲条纹
6.1.2 位错密度测定
电子显微镜方法测量位错密度精确度不高,只有数量 级意义,尽管其数据比X射线测量数据要低,但同时 看到位错形貌和分别,因此还是有一定的意义。测量 过程中要求多视场且同一视场多取向,拍摄50个以上 的视场,工作量很大。
菊池线 在g斑点 外侧s为 正,s>0;
菊池线 在g斑点 内侧s为 负,s<0。
FIGURE 26.13. Images of dislocation dipoles in Cu showing inside-outside contrast on reversing g (220). (A) is inside; (B) is outside.
b
螺位错
刃位错 b
滑移面
6.1位错 Burgers(柏氏或者布氏)矢量b的测定
6.1.1 判据的建立 据电子衍射运动学理论:
完整晶体对 衍衬的贡献
缺陷对衍 衬的贡献
当R⊥g,g·R=0时,则
此时含缺陷晶体不提供附加衬度,即缺 陷不可见!
R是晶格位移(畸变)矢量,一般R是位置的函数,即 位错附近不同位置对完整晶体点阵的影响不同。对特 定的一类位错,其Burgers矢量b是唯一的,将R与位错 矢量b等同起来是一种合理的近似。
如图(c)所示,在衍衬像中 位错像位于真实位错位置 的左侧。
• 位错并不是几何意义上的 线,而是在位错线附近有 应变区,使晶体发生微区 畸变,在一定方位下体现 衍射衬度。
• 位错线像的特点:位错线 总是出现在它实际位置的 一侧或另一侧,说明其衬 度本质上是由位错附近的 点阵畸变所产生的,又叫 “应变场衬度”。
6.2 位错衬度分析
6.2.1 位错双像
g∙b=n x为观察点相对于位错 核心且垂直于位错线 的坐标值
β=2πsx
从图11-3可知,(1)位错线
强度总是偏向位错线一侧。 (2)对刃位错,n=3,螺位 错n=2时可以看到振幅强度 的双峰。(3)n越大,偏离 实际位置越远。
6.2.1 位错偶和超点阵位错
选取满足g∙b=0的ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ射g操作步骤:
明场下观察到位错,拍下相应的选取衍射谱。在衍射 模式下,缓慢倾转试样,观察衍射谱强斑点的改变, 但得到一个新的强斑点时,停下来回到成像模式,观 察所分析的位错是否消失,如消失,此新斑点指数即 作为(h1,k1,l1);然后反向倾转试样,按上述步骤使同 一位错再次消失的另一强斑点指数(h2,k2,l2)。 于是根据上页的公式求得b。
刃位错:b⊥u
螺位错:b//u,b×u=0
根据缺陷不可见判据: R⊥g,g·R=0,可得出位错消
像判据:
刃位错
螺位错
混合位错
g·b=0
g·b=0
g·b×u=0
g·b=0 g·be=0 g·b×u=0
对刃位错而言,同时满足g·b=0 且g·b×u=0很困难,操 作上,只要g·b=0 且刃位错中心轻微弯曲留下的残余 衬度不超过基体衬度的10%,就可视为衬度已经消失。
位错衬度消失的判据是: g·R=0 或者g·b=0 该判据对螺位错是充要条件,但对刃位错和混合位错 还需补充条件。 R与任意位错b的关系:
(11-1)
式中,be为b的刃型分量;u为位错线矢量;r0为位错 芯区严重畸变区的半径, r0 ≈0.1nm;β为晶体中畸变 区内某点的极坐标角;ν为材料的泊松比。
图11-2是从Ti-48Al0.15Si合金获得的衍射 照片。从图(e)(f)得
根据公式:
计算得u为:
采用此方法可测定出位 错的空间取向,从而判 断位错的具体性质
例2:Al中的位错分析如表11-3所示
从表中只能得出D、E的位错矢量是[011]/2,要肯定D、 E位错是同方向的螺位错,就必须经迹线分析得出位 错的空间取向。书上指出D、E位错空间取向u=[011]。 因此b//u,所以D、E位错是同方向的螺位错
Ni3Al合金(001)面上的位错
上图说明在不同g的双光束条件下,同一位错会 出现可见和不可见的现象。
位错 Burgers矢量b测定的实际操作
(1)偏离矢量S:取S≈0略正向偏离布拉格条件。 通过微调使菊池线偏离对应的g一段距离,使 ω=Sξg≤1.0
(2)试样厚度t:t=(5~9) ξg
(3) 适当的反射g(参照书上表11-2~7),使得g∙b=0, 求b
从表11-2可以判断A、B可能是螺位错,C可能是刃位 错分量较强的混合位错。要具体确定C位错的类型还 需要做一些工作,书中通过倾转样品得出C为u=[241]混合位错
6.1.4 位错空间取向的L-W测定方法
u为位错空间真实取向,前后两次 分别以B1和B2入射,得到衍两张射 谱,并获得相应的位错像OI1、OI2。 将衍射谱与相应的衍射像重合(最 好记录在同一张底片上),在减去 磁旋转角的影响后获得分别与垂直 的倒易矢量G1*、G2 * 。u既垂直于 G1*,也垂直于G2 * ,故有:
第六章 实际晶体中缺陷的电子衍射分析
实际晶体中缺陷的电子衍衬表象和组态非常丰 富,由于它是一种衍射衬度,识别和解释它们 不能像解释光学金相显微镜图像那样直观予以 鉴别,必须以衍射衬度理论为依据进行诠释。
晶体中存在一个刃型位错⊥ 其晶面与布拉格条件的偏离 参量为So>0。位错线附近的 晶面畸变引入额外的附加偏 差S’。
令ρA’为照片上测得的位错与 单位长度直线的交点数,则有:
ρ:位错密度 t:试样厚度
6.1.3 Burgers矢量测量举例
例1:某奥氏体不锈钢位错Burgers矢量分析。在3个不 同操作反射下,测得含位错视场的实验结果如表11-2 所示,求各位错Burgers矢量。
解题思路:奥氏体不锈钢为FCC结构,其有6个<110> 全位错,因此最好先获得B=[011]、[001]、[012]晶带 轴的衍射花样,再倾转样品分别在{200}、{111}、 {113}双束条件下拍摄TEM图像鉴别位错是否可见, 最后采用尝试法得出Burgers矢量。