InP ZnS核壳量子点光学性质研究
zno量子点的合成及其性能研究
zno量子点的合成及其性能研究
近年来，随着科技的发展，量子点（Quantum Dots）作为一种新型的光子源，
已经成为研究者们关注的焦点。
其中，CdSe/ZnS核壳结构的量子点（CdSe/ZnS QDs）具有良好的光学性质，可以用于多种应用，如生物成像、光电子器件等。
本
文综述了CdSe/ZnS量子点的合成方法及其性能研究。
CdSe/ZnS量子点的合成方法主要有两种：一种是采用溶剂热法，另一种是采
用溶剂热法和溶剂热法相结合的方法。
溶剂热法是一种常用的合成方法，它可以在溶剂中将金属离子和有机配体结合，从而形成量子点。
溶剂热法和溶剂热法相结合的方法则是将溶剂热法和溶剂热法相结合，以提高量子点的稳定性和光学性能。
CdSe/ZnS量子点的性能研究表明，它具有良好的光学性质，如发射光谱宽带、发射光谱稳定性高、发射光谱可调等。
此外，它还具有良好的生物相容性，可以用于生物成像和光电子器件等应用。
综上所述，CdSe/ZnS量子点具有良好的光学性质和生物相容性，可以用于多
种应用，如生物成像、光电子器件等。
同时，它的合成方法也有多种，如溶剂热法和溶剂热法相结合的方法等。
因此，CdSe/ZnS量子点在科学研究和应用中具有重
要的意义。
inp量子点发射光谱
inp量子点发射光谱
量子点的发射光谱可以根据不同量子点的大小、形状、化学组成和外部环境进行调整，实现多彩色化和色纯度提升。
通过对InP/ZnS量子点的纯度和光谱特性进行分析，发现当P:In比为3.6：1时，产物量子点发射峰最窄，这是因为纯度的提高使晶格内部自由载流子吸收能量更有效，有利于产生光电子跃迁，增强发光效果。
在固定膦、铟前驱体用量，改变反应中锌的用量时，可以制备出系列发光的InP/ZnS量子点，其发射光谱随锌含量的增加而蓝移。
当Zn:In 达到5：1时，发射波长为598nm。
这是因为反应溶液中存在的ZnCl2可降低InP量子点的临界核尺寸，随着成核数目增加，最终成核尺寸逐渐变小，对应于量子点带隙增加，发射波长蓝移。
此外，利用反应时不加入锌前驱体时(Zn:In=0:1)、加入适量锌前驱体(Zn:In=1:1)、加入过量锌前驱体(Zn:In=2:1)制备的三种不同锌含量的InP/ZnS量子点样品，通过测试其荧光光谱发现，随着锌含量的增加，量子点的发射光谱半峰宽基本没有发生变化，单色性基本没有影响。
光电催化 inp zns 壳核结构
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《硫化锌(ZnS)量子点的制备及特性研究》范文
《硫化锌（ZnS）量子点的制备及特性研究》篇一一、引言随着纳米科技的快速发展，硫化锌（ZnS）量子点因其独特的光学和电学性质在光电器件、生物标记和光催化等领域具有广泛的应用前景。
ZnS量子点的制备技术及特性研究成为当前研究的热点。
本文将重点探讨硫化锌（ZnS）量子点的制备方法，并对其特性进行深入研究。
二、硫化锌（ZnS）量子点的制备1. 制备方法硫化锌（ZnS）量子点的制备方法主要包括物理法和化学法。
物理法主要包括真空蒸发、溅射等，而化学法则以溶液法为主，如化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等。
本文将主要介绍溶液法中的化学气相沉积法制备硫化锌（ZnS）量子点。
2. 制备过程（1）原料准备：准备锌源（如醋酸锌）和硫源（如硫脲），以及适当的溶剂（如乙醇）。
（2）化学反应：在一定的温度和压力下，将锌源和硫源在溶剂中进行化学反应，生成硫化锌前驱体。
（3）成核与生长：通过控制反应条件，使前驱体成核并生长为硫化锌量子点。
（4）分离与纯化：将生成的硫化锌量子点从反应体系中分离出来，并进行纯化处理。
三、硫化锌（ZnS）量子点的特性研究1. 光学性质硫化锌（ZnS）量子点具有独特的光学性质，如宽带隙、高荧光量子产率等。
其发光颜色可通过调整量子点的大小和表面修饰进行调控。
这些光学性质使得ZnS量子点在光电器件、LED显示等领域具有广泛的应用前景。
2. 电学性质硫化锌（ZnS）量子点具有优异的电学性质，如高导电性和良好的电荷传输性能。
这些电学性质使得ZnS量子点在太阳能电池、场效应晶体管等领域具有潜在的应用价值。
3. 稳定性与生物相容性硫化锌（ZnS）量子点的稳定性好，具有良好的生物相容性。
这使得ZnS量子点在生物标记、药物传递等领域具有广泛的应用前景。
通过表面修饰，可以提高ZnS量子点在水和有机溶剂中的稳定性，并降低其细胞毒性，从而提高其在生物医学领域的应用价值。
四、结论本文对硫化锌（ZnS）量子点的制备方法及特性进行了深入研究。
ZnCuInS／ZnSe／ZnS量子点发光光谱特性的研究
ｎ ｍ） 以及 ４ ９ ８ ｍｅ Ｖ（ ２ ． ３ ｎ ｍ） ，这样 大的斯托克斯 位移 证明 ，ｚ ｎ ｃｕ Ｉ ｎ Ｓ ／ ｚ ｎ Ｓ ｅ ／ ｚ ｎ ｓ量子点 的发光机制 与缺陷能
级有关 。同时 ， 对直径为 ３ ． ３ ｎ ｍ的Ｚ ｎ Ｃ ｕ ｌ ｎ Ｓ ／ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ／ Ｚ ｎ Ｓ量子点 进行 了温度依赖 的光致 发光光谱 的测量 ，当
分别是 ５ １ ０ ， ６ １ １ （ ３ ． ３ ｎ ｍ） ， ４ ８ ３ ， ５ ８ ３ （ ２ ． ７ ｉ ｒ ｍ） 以及 ４ ４ ７ ，５ ４ ５ ｎ ｍ（ ２ ． ３ ｉ ｒ ｍ） 。 Ｚ ｎ Ｃ ｕ Ｉ ｎ Ｓ ／ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ／ Ｚ ｎ Ｓ量子点具有显 著的尺寸依赖效 应 。Ｚ ｎ Ｃ ｕ Ｉ ｎ Ｓ ／ Ｚ ｎ ｓ ｅ ／ Ｚ ｎ ｓ量 子点 的斯 托克斯 位 移分 别为 ３ ９ ８ ｍｅ Ｖ（ ３ ． ３ ．超硬材料国家重点实验室 ， 吉林大学物理学院 ， 吉林 长春 ３ ．空军航空大学军事仿真技术研究所 ， 吉林 长春 １ ３ ０ ０ ２ ２
１ ３ ０ ０ １ ２
摘
要
Ｚ ｎ Ｃ ｕ ｌ ｎ Ｓ ／ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ／ Ｚ ｎ Ｓ量子点是一种无毒 ， 无重金属 的“ 绿色” 半导体 纳米材料 。在研究 中，制备 了三
Ｚ ｎ Ｃ ｕ Ｉ ｎ Ｓ ／ ｚ ｎ Ｓ ｅ ／ ｚ ｎ ｓ 核壳量子点 的紫外一 可见 吸收光谱及光 致
发 光光谱。 Ｚ ｎ Ｃ ｕ ｌ ｎ Ｓ ／ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ／ Ｚ ｎ Ｓ 核 壳量 子点的 甲苯溶液 ，于 １ ｃ ｍＸ
的Ｚ ｎ Ｃ ｕ ｌ ｎ Ｓ ／ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ／ Ｚ ｎ Ｓ量子点的光致发 光光谱 ，发现 该量 子 点 随着 尺寸的减 小明显蓝移。同时 ， 在温度 为 １ ５ ￣９ ０℃时的
ZnS半导体量子点聚氨酯纳米复合材料的制备及光学性质研究的开题报告
ZnS半导体量子点聚氨酯纳米复合材料的制备及光学性质研究的开题报告一、研究背景半导体量子点是近年来发展迅速的纳米材料之一，其独特的光电性质及其应用前景受到了广泛关注。
在量子点的应用领域，聚合物复合材料受到了极大的关注。
聚合物材料具有良好的机械性能、易于制备以及多样的化学结构等优点，而且与半导体量子点的化学特性相似，使得聚合物复合材料成为了研究重点。
聚氨酯作为一种聚合物材料，由于含有多个反应官能团，能够与半导体量子点有效结合。
因此，将聚氨酯与半导体量子点复合制备，可以制备出具有良好光电性能的复合材料。
二、研究内容本研究的主要研究内容如下：1. 制备ZnS半导体量子点。
本研究将采用水热法合成ZnS半导体量子点。
通过合适的反应条件，制备出具有较高荧光效率和较小直径的ZnS半导体量子点。
2. 制备ZnS半导体量子点聚氨酯纳米复合材料。
将ZnS半导体量子点与聚氨酯进行复合制备。
本研究将选择进一步研究复合材料中不同量子点与聚氨酯的质量比以及不同的制备条件对复合材料光学性质的影响。
3. 性能表征及分析。
利用X射线衍射仪，透射电镜和扫描电镜等对复合材料进行结构和性能表征。
使用紫外可见漫反射光谱分析材料的光学特性。
同时，测量半导体量子点聚氨酯纳米复合材料的荧光性质，包括荧光光谱、荧光强度等。
三、研究意义本研究通过制备ZnS半导体量子点聚氨酯纳米复合材料，探究了复合材料中半导体量子点与聚氨酯之间的相互作用及其对材料光学性质的影响。
结果对于理解该类复合材料的结构与性能、扩展半导体量子点的应用领域具有重要意义。
原位构筑CdSe核-ZnS壳结构复合量子点及其光学性能研究
摘 要 ： 次 利 用 油 酸 一 液 体 石 蜡 原 位 构 筑 Ｃ Ｓ 首 ｄｅ
剂 与核 作用 的机 会 ， 强 核 的稳 定 性 ， 少 激 发 缺 增 减
核 一Ｚ Ｓ壳结构复 合量 子点 材料 。透射 电镜 显 示 了 ｎ Ｃ Ｓ 核 一 Ｚ Ｓ壳结 构 ； ｄｅ ｎ 紫外 可 见 光谱 、 光 光谱 及 荧 激 光共 聚 焦 等 结 果 ， 明所 制 得 的 Ｃ Ｓ 表 ｄ ｅ核 ～Ｚ Ｓ ｎ 壳结 构复 合量 子点材 料具 有 明显 的增 强量 子点 的荧
大增 强 ， ｄ ｅ 子点 在包 裹 了 Ｚ Ｓ层 以后 ， 紫外 ＣＳ 量 ｎ 其
荧光及 复 杂 的激 发 态 衰 减 －３ ２。根 据 带 隙理 论 ， 在 裸量子 点表 面包 覆另 一 种 晶 体结 构 相 似 、 隙 能更 带 宽 的半导 体 材料 ， 得 核 壳结 构 纳 米 晶体 （ Ｃ Ｓ 制 如 ｄ／
Ｚ Ｓ Ｃ Ｓ ／ ｎ 、 ｄ ／ ｎ ｅ等 ）３４， 以减 少 猝 灭 ｎ 、 ｄ ｅＺ Ｓ Ｃ Ｓ Ｚ Ｓ ［ ］可 －
光 效率 的特 点。
陷， 从而 使 量 子 点 的荧 光 性 质 得 到 改 善 。在 Ｃ Ｓ ｄｅ
量 子点 表面包 裹适 当厚 度 的 Ｚ Ｓ得 到 的 Ｃ Ｓ ／ ｎ ｎ ｄ ｅＺ Ｓ 核壳 型量 子点具 有 很 好 的单 分 散 性 ， 定性 大 大 增 稳 强 ， 致发 光 的量子 产率 也有 了较 大 的提升 。 光
晶体 上生 长 Ｃ Ｓ 量 子 点 的 方 法＿ ， ｄｅ ５ 开辟 了 核壳 量 ］
子点 的 新 时 代 。但 他 们 首 先 是 以 Ｚ Ｓ为 内 核 而 ｎ
Ｃ Ｓ 为外 壳 ， 于 Ｚ Ｓ的 晶格 常 数 比 Ｃ Ｓ ｄｅ 由 ｎ ｄ ｅ小 ， 而
ZnOZnS核—壳结构量子点双光子吸收特性的研究的开题报告
ZnOZnS核—壳结构量子点双光子吸收特性的研究
的开题报告
1. 研究背景
核壳结构量子点具有优异的光电特性，因此在生物传感、光电器件
和太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。
近年来，双光子吸收技术在
荧光探针、三维成像和光计算等方面具有重要的应用。
2. 研究目的
本研究旨在研究ZnO/ZnS核壳结构量子点双光子吸收特性，探索其在生物传感和光电器件等领域的应用。
3. 研究方法
(1)以沉淀法制备ZnO量子点。
(2)通过有机磺酸作为表面修饰剂，制备ZnO/ZnS核壳结构量子点。
(3)使用双光子激光扫描显微镜研究量子点的光学性质和双光子吸收
性质。
(4)研究ZnO/ZnS核壳结构量子点在荧光探针和光电器件领域的应用。
4. 研究意义
本研究对于探究ZnO/ZnS核壳结构量子点的光电性质、生物医学和光电器件等领域的应用具有重要的意义。
5. 预期成果
通过本研究，预计可以得到ZnO/ZnS核壳结构量子点在双光子吸收方面的特性及其在生物传感和光电器件领域的应用情况。
这将为相关领
域的研究提供新的思路和方法。
核壳结构ZnSCu纳米粒子的制备及发光性质的研究(精)
核/壳结构ZnS:Cu纳米粒子的制备及发光性质的研究ZnS是一种性能优越的Ⅱ-Ⅵ族发光材料,禁带宽度为3.66 eV。
属于直接带隙半导体,在荧屏显示领域已有广泛应用。
近年来,随着纳米材料研究的深入,国内外对ZnS纳米发光材料已进行了多方面的研究,当ZnS中掺入稀土离子或过渡金属离子(如掺Mn、Cu、Ag)作为激活剂时,可改变基质内部能带结构,形成各种不同的发光能级。
然而,纳米粒子比表面积很大,表面悬键大量存在,易在表面形成发光猝灭中心。
大量实验表明:表面修饰可以明显提高纳米粒子发光性能。
在众多的表面修饰方法中,核/壳结构是一种十分有效的方法。
本课题研究了ZnS:Cu纳米发光材料的制备和发光性质,并在此基础上对其表面进行修饰,目的在于降低表面态影响,提高颗粒发光性能,本论文主要工作总结如下:1.采用水热法制备了Cu离子掺杂的ZnS:Cu纳米粒子,利用单因素分析法研究了锌硫比(反应物中锌离子、硫离子物质量的比)、反应时间、掺杂浓度和醋酸锌浓度对ZnS:Cu纳米粒子的影响。
通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱仪对样品的物相、形貌和发光性质进行分析表征,结论如下:(1)水热法得到立方闪锌矿结构的球形ZnS:Cu纳米粒子,粒径在1～6nm之间。
室温下,用350nm波长的紫外光激发ZnS:Cu纳米粒子,可以得到归属于浅施主能级与铜t_2能级之间跃迁产生的绿色发光;随锌硫比的增大和反应时间的延长,发光强度先增强后减弱,发射峰位随锌硫比和反应时间的变化有一定移动,这是由于浅施主能级为与硫空位有关的能级,锌硫比和反应时间对硫空位的数量和能级位置有一定影响;随铜离子掺杂浓度的增加,发光强度出现先增强后减弱的趋势,这归因于铜离子的浓度猝灭;随醋酸锌浓度增加,粒子粒径减小,表面缺陷增多,发光强度降低。
(2)当锌硫比为2:1,反应时间为7h,掺杂浓度为0.5at%,醋酸铜浓度为0.156mol/L时,ZnS:Cu纳米粒子发光强度达到最大。
锌基荧光量子点核壳结构材料的制备及发光性能研究
南京
２ １７ ） １ １ １
要】 由于半导体纳米材料具有特殊的光 电性能 ， 在光致发光、 电致发光等方面有 着广泛的应用而备受关注。 本文主要介绍 了利用聚合
物 、 面 活性 剂 以 及 无机 物 包裹锌 基 荧光 量 子 点 ， 备 核 壳 结 构 纳米 材 料 ， 表 制 并讨 论 了 包裹 前后 量 子 点 发 光性 能 的 变化 。
物。
１ 表 面 活 性剂 或 聚 合 物包 裹 锌 基 荧光 量 子 点
极 性 溶剂 中 （ 乙醇 等 ） 如 ，其 中包 含 低 浓 度 的 活 性 氟 化 物 （ Ｎ ， 如 ＨＦ、 Ｎ 、 Ｈ ＳＯＦ等 ）氟 化 物 主 要 与 硫 化 物 表 面 发 生 反 应 ， 浓 度 的 Ｈ Ｎ ．ｉ ， 低
中 寿命 。 表 面包 覆 层 主 要 有 两 大类 ： 机 物 和 无机 物 ， 机 物 主要 包 含 利 ｌ 阐 明 为 了避 免 湿 气 的影 响 而 采 用 的 包 覆 方 法 是 将 制 得 的 硫 化 而 有 有 表 面 活性 剂 和 聚合 物 ． 机 物 则 主要 是 二 氧 化 硅 、 化 铝 等 无 机 氧 化 物纳米粒子（ 无 氧 这里主要是硫 化锶、 硫化钡 、 硫化钙等物质 ） 分散在无水
即使 放 置一 年 后 也 不 会有 沉 淀 出 现 。荧 光 测试 测 试 表 明 在 复合 纳米 材 料 由于 其 具 有 区 别 于单 一 块 体 材 料 独 特 的 光 、 、 性 能， 几 乎 无色 ， 电 磁 在 催 化 剂 、 流 体 、 波 吸 收 材 料 、 物 医 学 等 方 面具 有 广 泛 的 应 用 ４ ０ ｍ 处 有 较 强 的 吸收 峰 ， 其 电 致 发 光 进 行 了 研 究 ， 磁 微 生 ４ｎ 对 同样 在 ４ Ｏ ｔ ４ｎ ｏ 前景 【 。作 为 一种 过 渡 金 属 ， 基 纳 米 材料 显 示 出 许 多 特异 的 光 电 性 左 右 有较 强 的吸 收 峰 ， 明 两 种 发光 来 源 于 同 样 的激 发 态 。 外 ， 变 锌 说 此 改 ｎ与 Ｃ ｄ的摩 尔 比 ， 使 发 射 峰 发 生 移 动 ， 此 可 以 调 控 比例 获 会 因 能， 光 致 发 光 、 致 发光 、 光体 、 感 器 、 外 窗 口材 料 、 催 化 等 其 中 Ｚ 在 电 磷 传 红 光
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Material Sciences 材料科学, 2018, 8(3), 131-136Published Online March 2018 in Hans. /journal/mshttps:///10.12677/ms.2018.83016Study on the Luminescence Propertiesof InP/ZnS Quantum DotBowen Zhang, Dengkui Wang*, Xuan Fang, Dan Fang, Xinwei Wang, Jilong Tang,Xiaohua Wang, Zhipeng WeiState Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun JilinReceived: Feb. 21st, 2018; accepted: Mar. 6th, 2018; published: Mar. 13th, 2018AbstractInP-based quantum dots are considered as the most promising candidate for Cd-based QDs. How-ever, the research on the fabricated and properties of InP quantum dots is far less than that of Cd-based QDs, especially their optical properties. In this paper, InP/ZnS quantum dots with good lattice quality and optical properties were prepared by one-pot method. The size of InP core was confirmed to be about 3 nm by TEM image. The lattice spacing was in agreement with that of InP(111). The results of power dependence photoluminescence and Raman spectra show that there are two luminescent sources in the InP/ZnS, the transition from the free energy exciton in the high energy end and the defects in the low energy end originating from the interface stress.KeywordsPhotoluminescence, InP/ZnS, TEM, Interface StressInP/ZnS核壳量子点光学性质研究张博文，王登魁*，方铉，房丹，王新伟，唐吉龙，王晓华，魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，吉林长春收稿日期：2018年2月21日；录用日期：2018年3月6日；发布日期：2018年3月13日摘要InP量子点被认为是最有希望替代Cd基量子点的材料。
然而对于InP量子点的制备和性质的研究远远小于*通讯作者。
张博文等Cd基量子点的研究，特别是其光学性方面的研究。
本文采用一锅法制备了晶格质量良好，光学性能优异的InP/ZnS量子点，通过TEM图像确认制备出了的InP核的尺寸约为3 nm，晶格间距与闪锌矿结构的InP(111)晶面间距一致；通过变功率的光谱测试以及拉曼测试，认定InP/ZnS中存在两个发光来源，高能端的来源于自由激子的跃迁，低能端的来源于界面应力产生的缺陷。
关键词光致发光，InP/ZnS，TEM，界面应力Copyright © 2018 by authors and Hans Publishers Inc.This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY)./licenses/by/4.0/1. 引言胶体量子点被广泛应用在显示[1]、探测[2]、生物荧光标记[3]、LED [4]、激光[5]等领域。
在众多的半导体材料中，Cd基量子点的研究最为深入，然而重金属的使用，给Cd基量子点的商业化生产带来很大的问题。
在所有Cd基量子点的替代材料中，InP量子点被认为是最有希望的替代材料，因为它具有与CdSe 相似的带隙，且带隙可调性覆盖整个可见光范围[6]。
单纯的InP量子点由于表面的缺陷严重影响了其光学特性，一般采用包覆禁带宽度大的半导体壳层增强其发光，ZnS是InP量子点常用的包覆材料[7] [8] [9]。
本文采用一锅法制备了InP/ZnS核壳量子点，不经中间体的分离，直接获得结构复杂的量子点。
通过TEM进行了表征；通过室温光致发光光谱认为其存在两个发光来源；通过变激发的光致发光光谱对量子点的发光来源进行了分析；并结合拉曼光谱分析了其缺陷的来源。
2. 实验采用一锅法制备InP/Zns量子点，In源为InCl3，P源为三(二甲胺基)磷，S源为TOP-S，Zn源为ZnCl2与Zn。
具体合成过程如下：将0.45 mmol (200 mg)的InCl3，2.2 mmol (122 mg)的ZnCl2，5 ml的油酰胺混合。
反应混合物在100℃下搅拌0.5 h，之后加热到220℃(在惰性气体的氛围中进行操作)；在达到220℃时，快速注入0.25 ml的三(二甲胺基)磷；(注入P源后，开始形成InP,在3min时出现成核反应)；在反应3 min时开始缓慢加入0.6 ml饱和的TOP-S(S源) (2.2 mmol S)，17 min，注入1 ml的化学计量的TOP-S (2.2mmol S)；30 min，注入4 ml含有1 g Zn (硬脂酸盐)的十八烯；60 min，温度升高到240℃，65 min，注入0.7ml的化学计量的TOP-S(2.2 mmol S)；90 min，注入4 ml含有1g Zn (硬脂酸盐)的十八烯；95 min，升温到260℃；150 min，停止反应，缓慢降温。
制备出核约3 nm，壳约2 nm的InP/ZnS量子点，发光峰位在648 nm，半高宽为70 nm，量子产率约为45%。
我们对合成的量子点进行了室温下光致发光测试以及TEM表征。
通过变激发的光致发光光谱和拉曼光谱，我们确认了InP/ZnS量子点中存在的发光来源。
光致发光光谱测试采用448 nm的激光作为激发光源，iHR550光谱仪采集信号。
拉曼测试采用的是LAB-RAM Infinity系统。
3. 结果与讨论对合成的InP/ZnS量子点进行了TEM测试，如图1所示。
TEM图中可以看到明显的具有晶格结构圆形图像，尺寸为3 nm左右，与InP核尺寸一致。
插图为其中一个量子点图案的放大，通过对多组晶格张博文 等条纹的累计除以间隔数，我们得到晶格条纹的间隙为0.34 nm ，这个数值与闪锌矿结构的InP 的(111)晶面一致，说明我们合成了InP ，且核壳量子点中InP 核的晶格结构为闪锌矿结构的(111)晶面。
右侧图片为合成的InP/ZnS 量子点的结构示意图，通过合成时间的控制以及TEM 图像可以得出InP 核的尺寸约为3 nm ，ZnS 壳层的尺寸约为2 nm 。
合成的InP/ZnS 量子点室温下的光致发光光谱如图2所示，图中可以看出峰型不符合高斯分布，在低能端应该存在一个新的峰，采用分峰的方法对光致发光谱进行处理，发现其能很好的拟合成两条高斯线性。
高能端的峰我们命名为A ，其中心位于1.907 eV ，半高宽为0.193 eV ，低能端的峰我们命名为B ，其中心位于1.762 eV ，半高宽为0.189 eV 。
为了分析A 峰与B 峰的来源，我们对InP/ZnS 量子点进行了变激发的光致发光测试。
图3为室温下InP/ZnS 量子点变激发的光致发光测试，对图中的光谱进行分峰，并对发光峰的积分强度进行分析(如图3所示)。
光致发光光谱的积分强度随功率的变化遵从如下公式[10] [11]：0I I αη= (1)Figure 1. TEM image and structure of InP/ZnS QDs图1. InP/ZnS 量子点的TEM 图片及其结构示意图Figure 2. Room temperature photoluminescence of InP/ZnS QDs and two fittingGaussian curves图2. InP/ZnS 量子点室温下的光致发光光谱测试及通过高斯拟合得到的曲线张博文 等式中I 0是激光辐射功率，η为辐射效率，α的数值可判断发光的辐射机制。
当1 < α < 2，发光来自于自由激子复合；当α < 1时，为杂质或者缺陷产生的发光[11] [12] [13]。
从图中的拟合结果，我们得出低能端的B 峰的α值为0.795(小于1)，说明B 峰为杂质或者缺陷产生的发光。
A 峰的数值为1.159，说明A 峰来自于自由激子的复合。
A 峰随激发功率增大峰位基本没有变化，而B 峰峰位随激发功率增大出现蓝移的现象也说明了其发光来源分别为自由激子的复合与局域态或缺陷发光。
蓝移是能带填充效应导致的。
弱激发时光生载流子数量少且获得能量少，只够填充到较低能级的局域带尾态；随着激发增强,载流子数量增多，大量填充到低能级局域态的电子和空穴来不及复合，就堆积起来逐渐填满基态，出现一定程度的饱和，多余的载流子填充到更高的能级，所以出现蓝移[14]。
为了进一步验证B 峰缺陷的来源，我们对InP/ZnS 量子点进行了拉曼谱的测试，如图4所示。
InPFigure 3. Power-dependent PL spectra of InP/ZnS QDs at 300 K. Insertpicture shows the changes of integrated area of PL spectra with the changeof excitation power图3. 室温下，InP/ZnS 量子点的变激发的光致发光谱。
插图为积分面积随激发功率变化以及采用公式拟合的曲线Figure 4. Raman spectra of InP/ZnS QDs图4. InP/ZnS 量子点的拉曼谱张博文等体材料的TO与LO峰分别位于304 cm−1与345 cm−1，ZnS体材料的TO与LO峰分别位于280 cm−1与345 cm−1[15] [16]。