3D NAND Flash技术及厂商介绍
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第一代：2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品，制程35nm，堆叠24层，MLC设计，容量可达128Gb V-NAND，存储密度约为0.93Gb/mm2；
第二代：堆叠32层，TLC设计，存储密度提升为1.86Gb/mm2；
2015年8月，三星宣布开始正式量产48层256Gb 3D V-NAND，目前正在研发64层及以上技术。
除Fab 5二期工厂，还将Fab 2进行改建用于3D NAND量产专用，预计2016年开始投入生产；
三、MICRON&INTEL
1、技术方案（可能是浮栅，具体技术细节不清楚）
2、量产情况
美光3D NAND预计将在2016年初量产出货，采用32层MLC架构容量可达256Gb，如采用TLC架构可达到384Gb。
3D NAND Flash技术及厂商
随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3D NAND Flash技术经过多年沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光等早已在2013年即公布了3D技术规划的时程表。
一、SAMSUNG
1、技术方案：TCAT
2、量产情况
目前已经有两代产品问世，更高技术产品正在规划中。
为了稳固在技术及市场上的领导地位，三星除了大陆西安厂，还投资150亿美金新建平泽工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。
二、TOSHIBA&SANDISK
1、技术方案：P-BICS
2、量产情况
东芝/闪迪采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术，计划将在2015下半年量产48层3D NAND，欲追上三星的步伐。
投资40亿美金扩建新加坡的Baidu Nhomakorabeaab 10x工厂，预估满载月产能在14万片左右，根据市场需求量，从2016年底开始以平均每年40%-50%的bit成长率增加。
四、SK HYNIX
1、技术方案：据报道是VSAT
2、量产情况
SK海力士使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash，2015下半年采用36层量产3D NAND，并将在年底规划48层3D NAND量产。
五、XMC TCAT技术
1、技术方案
基本上采用与SAMSUNG相同的TCAT方案，存在知识产权问题，目前不知如何解决；
2、量产情况
目前在工艺调试和test-chip验证阶段，计划2017年量产，实际可能会延迟到2018年。
六、其他
如台湾旺宏，IMEC等单位，也进行了3D NAND的新结构研发，但是属于研究和专利布局性质，目前未见量产计划报道。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表，但目前除了三星已开始量产外，其他芯片厂预计均在2015下半年或2016年以后量产，目前尚未有产品问世。
第二代：堆叠32层，TLC设计，存储密度提升为1.86Gb/mm2；
2015年8月，三星宣布开始正式量产48层256Gb 3D V-NAND，目前正在研发64层及以上技术。
除Fab 5二期工厂，还将Fab 2进行改建用于3D NAND量产专用，预计2016年开始投入生产；
三、MICRON&INTEL
1、技术方案（可能是浮栅，具体技术细节不清楚）
2、量产情况
美光3D NAND预计将在2016年初量产出货，采用32层MLC架构容量可达256Gb，如采用TLC架构可达到384Gb。
3D NAND Flash技术及厂商
随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3D NAND Flash技术经过多年沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光等早已在2013年即公布了3D技术规划的时程表。
一、SAMSUNG
1、技术方案：TCAT
2、量产情况
目前已经有两代产品问世，更高技术产品正在规划中。
为了稳固在技术及市场上的领导地位，三星除了大陆西安厂，还投资150亿美金新建平泽工厂，主要用于2D 10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。
二、TOSHIBA&SANDISK
1、技术方案：P-BICS
2、量产情况
东芝/闪迪采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术，计划将在2015下半年量产48层3D NAND，欲追上三星的步伐。
投资40亿美金扩建新加坡的Baidu Nhomakorabeaab 10x工厂，预估满载月产能在14万片左右，根据市场需求量，从2016年底开始以平均每年40%-50%的bit成长率增加。
四、SK HYNIX
1、技术方案：据报道是VSAT
2、量产情况
SK海力士使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash，2015下半年采用36层量产3D NAND，并将在年底规划48层3D NAND量产。
五、XMC TCAT技术
1、技术方案
基本上采用与SAMSUNG相同的TCAT方案，存在知识产权问题，目前不知如何解决；
2、量产情况
目前在工艺调试和test-chip验证阶段，计划2017年量产，实际可能会延迟到2018年。
六、其他
如台湾旺宏，IMEC等单位，也进行了3D NAND的新结构研发，但是属于研究和专利布局性质，目前未见量产计划报道。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表，但目前除了三星已开始量产外，其他芯片厂预计均在2015下半年或2016年以后量产，目前尚未有产品问世。