习题第3章简介 多级放大电路题解
第三章 多级放大电路

(2)求解 A u ,Ri和Ro.
为了求出第一级的电压放大倍数A 为了求出第一级的电压放大倍数 u1,首先应求出其负载 电阻,即第二级的输入电阻: 电阻,即第二级的输入电阻:
R i 2 = R 5 // [r be 2 + (1 + β )( R 6 // R L ) ]
【 】
内容 回顾
场效应管同样有三个极; 场效应管同样有三个极;其功能和三极管对应 相似;只是三极管用电流控制电流, 相似;只是三极管用电流控制电流,场效应管用电 压控制电流. 压控制电流. 场效应管放大电路的组成原则和三极管放大 电路相似, 电路相似,即: 场效应管必须工作在恒流区.( .(电路的静态工 1,场效应管必须工作在恒流区.(电路的静态工 作点合适) 作点合适) 交流信号能顺畅传输.(交流通路合理) .(交流通路合理 2,交流信号能顺畅传输.(交流通路合理) 场效应管放大电路仅要求了解即可. 场效应管放大电路仅要求了解即可.
2,交流信号在放大电路中能顺畅传输. ,交流信号在放大电路中能顺畅传输.
3. 输入信号能通过输入回路作用于放大管. 输入信号能通过输入回路作用于放大管. 4. 输出回路将变化的电流作用于负载. 输出回路将变化的电流作用于负载.
当ui=0时,称放大电路处于静态. 时
【 】
内容 回顾
(IBQ,UBEQ) ( ICQ,UCEQ )
Au =
(1+ β ) Re Rb + rbe + (1+ β ) Re
Au =
βRc r + (1 + β ) R e
be
R i = R b + rbe + (1 + β ) R e
《电工电子学》第3章习题答案

第3章习题答案3.2.1 选择题1.晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时,其__A_______。
(a) 发射结正偏,集电结正偏 (b) 发射结反偏,集电结反偏(c) 发射结正偏,集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5.温度升高,晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6.温度升高,晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8.温度升高,晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9.温度升高,晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11.晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时,下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13.对于电压放大器来说,___B____越小,电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位___B____。
第3章 多级放大电路典型例题

AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例1】(共射+共射)计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析:(1)中频等效电路(微变等效电路或交流等效电路)(2)计算A u ])1([72be25i2be1i231u1R r //R R r R //R A ββ++=-=其中:be172be2531u1]})1([{r R r //R //R A ββ++-=或者:72be2L62u2)(1R r R //R A ββ++-=u2u1u A A A ⋅=AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF(3)计算R i :be121i r //R //R R =(4)计算R o :6o R R =AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例2】(共射+共集)计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析:(1)中频等效电路(微变等效电路或交流等效电路)(2)计算A u 32be2i2be11i2211u 1R )(r R r R )R //R (A ββ++=+-=其中:be11322211u })1([{r R R r //R A be +++-=ββ或者: 1)1()1(u2322322u ≈+++=A R r R A be 或者:ββ u2u1u A A A ⋅=(3)计算R i :be11i r R R +=AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF(4)计算R o :22be23o 1β++=R r //R RAHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例3】(共集+共射)计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析:(1)中频等效电路(微变等效电路或交流等效电路)(2)计算A u21u A A A ⋅= (3)计算R i123be211be1123be2(1)()1(1)()R R r A A r R R r ββ+==++∥∥ 或者 ∥∥242be2R A r β=-i 1be1123be2[(1)()]R R r R R r β=++∥∥∥AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF (4)计算R o静态工作点的计算同单管放大电路的方法,此处略。
模电(第四版)习题解答

自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
第3章 多级放大电路 18页

RC1
RB21
+Vcc RC2
+ C3
C1 +
RS
T1
+
T2 C2 RB22 RE1
RL
ui
RB12 RE1
vo
CE2
vs
CE2
2010年5月1日星期六 年 月 日星期六
回首页
3
第3章 多级放大电路
2. 直接耦合 结构较复杂,Q点相互影响 ,调整比较困难.在集成电路 中,直接耦合的应用越来越多.
RC1 IC1 T1
IC1 RC2
+Vcc R
vC2
T2 IB2
RB1
vi = 0
IB1
RE2 DZ
钳制在0.6~0.7V,使T1的基本上工作在 晶体管T 的集电极电位被钳制在 , 晶体管 1的集电极电位被钳制在 饱和区,电路已失去放大作用. 饱和区,电路已失去放大作用. 解决方法是提高第二级的基极电位.如在第二级加发射极电阻 解决方法是提高第二级的基极电位.如在第二级加发射极电阻 或加稳压管进行改进 既能有效传递信号, 稳压管进行改进, 或加稳压管进行改进,既能有效传递信号,又能使每一级都有 合适的静态工作点. 合适的静态工作点.
RB2
RC1 IC1 T1
IC1 RC2
+Vcc
vC2
T2 IB2
RB1
vi = 0
IB1
2010年5月1日星期六 年 月 日星期六
回首页
4
第3章 多级放大电路
3. 变压器耦合
v1 v2
结构虽比较简单,但元件体积大,重量大,不适于 电路的小型化和集成化.
2010年5月1日星期六 年 月 日星期六
模拟电路课件第三章多级放大电路

直接耦合多级放大电路的调试与优化
01
调整偏置电路,减小静态工作点 漂移。
02
引入负反馈,改善电路的稳定性 。
阻容耦合多级放大电路的调试与优化
阻容耦合多级放大电路的调试 检查各级放大器的输入和输出阻抗,确保匹配。
调整耦合电容和旁路电容,避免信号失真。
阻容耦合多级放大电路的调试与优化
检查反馈电路,避免自激振荡。 阻容耦合多级放大电路的优化
分析时需要计算各级的电压增益和总 电压增益,并考虑信号的相位和频率 响应。
变压器耦合多级放大电路的分析方法
变压器耦合多级放大电路中,各级通过变压器进行耦合,可以实现阻抗变换和电平 移动。
分析时需要计算各级的电压增益和总电压增益,并考虑变压器的匝数比和信号的相 位和频率响应。
变压器耦合多级放大电路的优点是具有阻抗变换和电平移动功能,缺点是结构复杂、 体积较大。
04
多级放大电路的设计与实现
直接耦合多级放大电路的设计与实现
设计要点
选择合适的晶体管、电阻和电容元件,以实现信号的放大和 传输。同时,需要考虑零点漂移和噪声干扰等问题,采取相 应的措施进行抑制。
实现难点
直接耦合多级放大电路的零点漂移问题较为突出,需要采取 有效的措施进行抑制,以保证电路的稳定性和可靠性。
模拟电路课件第三章多级 放大电路
• 多级放大电路概述 • 多级放大电路的工作原理 • 多级放大电路的分析方法 • 多级放大电路的设计与实现 • 多级放大电路的调试与优化
01
多级放大电路概述
多级放大电路的定义与组成
定义
多级放大电路是由两个或两个以 上的单级放大电路按照一定的拓 扑结构组合而成的电路系统。
益和带宽。
直接耦合多级放大电路的优点是 结构简单、易于集成,缺点是级 间耦合较复杂,容易产生零点漂
电子技术精品课程-模拟电路-第3章 多级放大电路 18页

回首页
6
注意:
第3章 多级放大电路
①计算前级的电压放大倍数时必须把后级的输入电阻考虑到前
级的负载电阻之中。即RL1=Ri2。
② 整个电路的输入电阻就是第一级的输入电阻。 ③ 整个电路输出电阻就是最后一级的输出电阻。
2020年6月18日星期四
回首页
7
2. 阻容耦合分析
第3章 多级放大电路
RS
vs
RB11
RB11
RC1
+Vcc
RB21
RC2
+ C3
1.计算静态Q点
C1 +
vi
RB12
+
T1 C2
RE1
CE2
T2 RB22
RE1
RL
vo
CE2
VB1
RB2 VCC RB1 RB2
1512 4V 30 15
IC1
IE1
VB1 VBE RE1
4 0.7 3
1.1mA
VCE1 VCC IC1(RC1 RE1) 12 1.1(3 3) 5.4V
2020年6月18日星期四
回首页
15
② 零点漂移
第3章 多级放大电路
R1 RC1 R2
+VCC RC2
vo
T1Βιβλιοθήκη T2voviRE2
t
0
前一级的温漂将作为后一级的输入信号,使得当 vi 等于零 时,vo不等于零。有时会将有用信号淹没
2020年6月18日星期四
回首页
16
引起零点漂移的因素
第3章 多级放大电路
Vo1 Vi
Vo Vi2
Av1
Av2
vs
模拟电路第三章 多级放大电路

1. 双端输入单端输出:共模信号作用下的分析
Ad
1(Rc∥RL)
2 Rbrbe
AcRbrb(R ec2 ∥ (1R L))Re
KCMRA Ad c Rb2 rb(R eb2(1rbe))Re
整理ppt
2. 单端输入双端输出
共模输入电压 差模输入电压 输入差模信号的同时总是伴随着共模信号输入:
3.3.2 差分放大电路
一、电路的组成
零点 漂移
参数理想对称: Rb1= Rb2,Rc1= Rc2, Re1= Re2;T1、T2在任何温度下特性均相同。 uI1与uI2所加信号大小相等、极性相同——共模信号
整理ppt
二、长尾式差分放大电路
典型电路
信号特点? uI1与uI2所加信号大小相等、极性相反——差模信号
在实际应用时,信号源需要有“ 接地”点,以避免干扰; 或负载需要有“ 接地”点,以安全工作。
根据信号源和负载的接地情况,差分放大电路有四种接法: 双端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入双端输出、 单端输入单端输出。
整理ppt
三、差分放大电路的四种接法 1. 双端输入单端输出:Q点分析
由于输入回路没有变化,所以
共模放大倍数 Ac
uO c uIc
参数理想对称A时 c 0
Re的共模负反馈作用:温度变化所引起的变化等效为共模信号
如 T(℃)↑→IC1↑ IC2 ↑→UE↑→ IB1 ↓IB2 ↓→ IC1 ↓ IC2 ↓
Re负反馈作用抑制了每只差分管集电极电流、电位的变化。
整理ppt
3. 放大差模信号 差模信号:数值相等,极性相反的输入信号,即
uI1uI2uId/2
i B 1 i B2 i C 1 i C2 u C 1 u C2 u O 2 u C1
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( )(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,( )它只能放大交流信号。
( )(3)直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响,( )它只能放大直流信号。
( )(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) (5)互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解:(1)× (2)√ √ (3)√ × (4)× (5)√二、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1k Ω至2k Ω,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(2)要求输入电阻大于10M Ω,电压放大倍数大于300,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(3)要求输入电阻为100k Ω~200k Ω,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10M Ω,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 ,第二级应采用 。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000io >I U A ui ,输出电阻R o <100,第一级应采用 ,第二级应采用 。
解:(1)A ,A (2)D ,A (3)B ,A (4)D ,B (5)C ,B三、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容(3)选用差分放大电路的原因是。
A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放入倍数(4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的,共模信号是两个输入端信号的。
A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e,将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解:(1)C,D (2)C (3)A (4)A,C (5)B(6)C四、电路如图PT3.4所示,所有晶体管均为硅管,β均为60,'r=100bbΩ,静态时|U BE Q|≈0.7V。
试求:(1)静态时T1管和T2管的发射极电流。
(2)若静态时u O>0,则应如何调节R c2的值才能使u O=0V?若静态u O=0V,则R c2=?电压放大倍数为多少?图T 3.4解:(1)T 3管的集电极电流I C3=(U Z -U B E Q 3)/ R e3=0.3m A 静态时T 1管和T 2管的发射极电流 I E 1=I E 2=0.15m A (2)若静态时u O >0,则应减小R c2。
当u I =0时u O =0,T 4管的集电极电流I CQ 4=V E E / R c4=0.6m A 。
R c2的电流及其阻值分别为Ω≈+=-=-=k 14.7mA14.0C2c1BEQ4E4E4c2CQ4C2B4C2R R I U R I R I I I I I =β电压放大倍数求解过程如下:Ω≈++=Ω≈++=k 74.2mV 26)1(k 7.10mV 26)1(EQ4bb'be4EQ2bb'be2I r r I r r ββ{}29718)1( 5.16 2])1([21e4be4c42be2e4be4c21-∥≈⋅=-≈++-=≈++=u u u u u A A A R r R A r R r R A ββββ习题3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中,T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。
设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。
图P3.1解:(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射(d)共集,共基(e)共源,共集(f)共基,共集3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出uA 、R i 和R o 的表达式。
图P3.2解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。
(2)各电路uA 、R i 和R o 的表达式分别为 图(a ){}22be23o be11i 32be232be1132be2211)1()1(])1([βββββ++=+=+++⋅+++-=R r R R r R R R r R r R R r R A u∥∥图(b )4o be2321be11i be242be2321be1be2321)])(1([)())(1())(1(R R r R R r R R r R r R R r r R R A u=++=-⋅+++=∥∥∥∥∥∥∥ββββ图(c ){}3o be11i d2be232be11d 2be221])1([])1([R R r R R r r R r R r r R A u=+=++-⋅+++-=ββββ∥图(d )8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β解图P3.23.3 基本放大电路如图P3.3(a )(b )所示,图(a )虚线框内为电路Ⅰ,图(b )虚线框内为电路Ⅱ。
由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c )、(d )、(e )所示,它们均正常工作。
试说明图(c )、(d )、(e )所示电路中 (1)哪些电路的输入电阻比较大; (2)哪些电路的输出电阻比较小;(3)哪个电路的s u A =so U U 最大。
图P3.3解: (1)图(d )、(e )所示电路的输入电阻较大。
(2)图(c )、(e )所示电路的输出电阻较小。
(3)图(e )所示电路的su A 最大。
3.4 电路如图P3.1(a )(b )所示,晶体管的β均为50,r b e 均为1.2k Ω,Q 点合适。
求解uA 、R i 和R o 。
解:在图(a )所示电路中Ω==Ω≈=-≈⋅===+⋅-=k 3k 93.012512513o be121i 21be2322be12be211R R r R R R A A A r R A r r A u u u u u ∥∥ βββ在图(b )所示电路中Ω==Ω≈+=≈⋅=-≈-=-≈⋅-=k 1k 2.1)(21004250)(4o be1325i 21be2422be1be2111R R r R R R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥∥ ββ3.5 电路如图P3.1(c )(e )所示,晶体管的β均为80,r b e 均为1.5k Ω,场效应管的g m 为3m A/V ;Q 点合适。
求解uA 、R i 和R o 。
解:在图(c )所示电路中Ω==Ω≈=≈⋅=-≈-=-≈⋅-=k 2k 5.1663410762)(4i be11i 21be2422be1be2311R R r R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥ ββ在图(e )所示电路中{}Ω≈++=Ω==-≈⋅=≈+++=-≈-≈++-=431M 1061)1()1(6])1([2be 4o 1i 214be 4224be 21ββββR r R R R R A A A R r R A R g R r R g A u u u u m m u ∥∥3.6 图P3.6所示电路参数理想对称,β1=β2=β,r b e1=r b e2=r b e 。
(1)写出R W 的滑动端在中点时A d 的表达式;(2)写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式,比较两个结果有什么不同。
图P3.6解:(1)R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为beW c IO d )2( r R R u u A +-=∆∆=β(2)R W 的滑动端在最右端时IbeW c C2C1O Ibec C2I beW c C1)2( 2 2)( u r R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+-=∆-∆=∆∆⋅+=∆∆⋅+-=∆βββ所以A d 的表达式为beW c IO d )2( r R R u u A +-=∆∆=β比较结果可知,两种情况下的A d 完全相等;但第二种情况下的C21C u u ∆∆>。
3.7 图P3.7所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,'bb r =100Ω,U BE Q ≈0.7。
试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ,以及动态参数A d 和R i 。
图P3.7解:R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下:mA517.02222eW BEQ EE EQ EE e EQ W EQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U +A d 和R i 分析如下:Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV 26)1(W be i W be cd EQ bb'be R r R R r R A I r r ββββ3.8 电路如图P3.8所示,T 1管和T 2管的β均为40,r b e 均为3k Ω。
试问:若输入直流信号u I1=20m v ,u I2=10m v ,则电路的共模输入电压u I C =?差模输入电压u Id =?输出动态电压△u O =?图P3.8解:电路的共模输入电压u I C 、差模输入电压u Id 、差模放大倍数A d 和动态电压△u O 分别为V67.0672 mV 10mV152Id d O bec d I2I1Id I2I1IC -≈=∆-≈-==-==+=u A u r R A u u u u u u β由于电路的共模放大倍数为零,故△u O 仅由差模输入电压和差模放大倍数决定。
3.9 电路如图P3.9所示,晶体管的β=50,'bb r =100Ω。
(1)计算静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位;(2)用直流表测得u O =2V ,u I =?若u I =10mv ,则u O =?图P3.9解:(1)用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为V 5 , k 67.6CC Lc L 'CC L c 'L =⋅+=Ω≈=V R R R V R R R ∥静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位分别为V15V23.3mA265.02CC CQ2'L CQ 'CC CQ1eBEQEE EQ CQ CQ2CQ1==≈-==-≈≈==V U R I V U R U V I I I I(2)先求出输出电压变化量,再求解差模放大倍数,最后求出输入电压,如下:△u O =u O -U CQ 1≈-1.23VmV6.377.32)(2 k 1.5mA 26)1(dO I be b 'Ld EQ'bb be ≈∆=-≈+-=Ω≈++=A u u r R R A I r r ββ若u I =10m v ,则V9.2V 327.0O 1CQ O I d O ≈∆+=-≈=∆u U u u A u3.10 试写出图P 3.10所示电路A d 和R i 的近似表达式。