太阳能电池片各参数异常的原因总结

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太阳能电池基本参数的影响因素分析与研究

太阳能电池基本参数的影响因素分析与研究

太阳能电池基本参数的影响因素分析与研究摘要:本文通过对太阳电池在光照时等效电路的电路分析,得到了太阳电池在光照条件下几个基本参数的计算公式,从中找出太阳能电池基本参数的影响因素及规律性。

关键词:太阳能电池基本参数影响因素前言:太阳能电池测试系统是一套用于测试、检测太阳能组件或光伏阵列的完整装置,通过测试可以给出太阳能电池的各项参数,作为评价太阳能电池的性能指标。

太阳能电池测试系统一般根据测试需要由采集仪器、硬件电路和软件程序等组成。

在一定光照条件下,通过对太阳能电池的输出电压或输出电流的控制,进行测试实验,记录测试数据,然后对测量结果进行处理、分析,最后得到太阳能电池的参数。

太阳能电池性能参数测试系统的原理通常包括:测试系统分类与组成、太阳能电池发电原理、温度传感器测试原理、太阳能电池测试原理等几方面。

太阳能电池测试系统一般包括光源,标准电池,电池固定装置,负载电阻,温度计,数据采集、记录及显示模块等。

定照度的光源照射在太阳能电池表面上,使其产生电能;标准电池用于测量光源的辐照度,作为被测电池的参考;电池固定装置用于安装太阳能电池以及调整其正对光源;负载电阻接在电池的外围电路上,形成回路,通过改变电阻大小来改变太阳能电池的输出特性,目前很多测试系统都采用电子负载作为负载电阻;温度计用于测量太阳能电池的背表面温度,以达到标准测试条件的要求;数据采集、记录及显示模块能够完成太阳能电池的输出电压、输出电流的采集以及V-I特性曲线的显示等。

一、太阳能电池分类与原理太阳能电池是一种可以直接将太阳能转换为电能的器件1954年,第一个太阳能电池在美国贝尔实验室诞生,从此开启了太阳能电池的新纪元。

随着新的科学技术的发展,太阳能电池的种类也越来越多,转换效率也有了明显的提高。

目前,太阳能电池按照构成材料的不同可分为硅材料半导体、多元化合物半导体、有机半导体等三大类。

其中硅材料半导体由结晶类和非结晶类组成,结晶类包括单晶硅电池和多晶硅电池;多元化合物半导体则由3-5族化合物电池、2-6族化合物电池和1-3-6族化合物电池组成;有机半导体包括酞著、聚乙炔等。

太阳能电池片常见问题

太阳能电池片常见问题

铝刺:?
铝带在传送硅片的时候,将铝浆留在铝带支点上,会将铝浆粘粘到下一片硅片上,形成铝刺,不会影响电性能,会影响表面外观。
烧结温度过高,正电极会穿透PN结,导致Rsh变小;背电场浓度不均匀,会烧结翘曲,同时Uoc变小。?
Ag浆:?
颗粒大,容易渗漏,形成比较好的欧姆接触,但是会造成表面缺陷增大,Uoc变小,Isc变小,从而导致FF降低。颗粒过小的表面能大,烧结会更容易成块,会导致Rs变大。?
晶粒间的晶列会更明显(表面凹凸不平度增加),导致不规则扩散,从而导?致漏电,Rsh变小失效。?
(3)多孔硅去除不干净:也属于表面未去除干净。?
?
扩散工序?(1)方阻过小:?
即掺杂浓度越高,体电阻及接触电阻越小,也就是Rs越小,但是电子空穴复合几率变大,会导致Isc变小、Uoc变大,从而导致FF降低。????
(2)过刻:?
在边缘地方的PN结被刻蚀,会导致部分结区短路,同样会导致漏电,Rsh失?效,暗电流失效。????
பைடு நூலகம்3)清洗不干净:?
表面有杂质会导致Rsh变小。
PSG:由于在扩散过程中,虽然采用背靠背扩散,硅片的所有表面(包括边缘)都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路。此短路等效于降低并联电阻。
PECVD工序?
膜厚异常:PECVD镀膜主要是为了减反射,对应某一种膜厚实际上只能减少相应频率的入射太阳光的反射率,膜厚异常减反效果会变差。由于太阳光是混合光,因此实际生产中膜厚是通过实验来确定的(蓝绿光强度最强)。膜厚异常将会导致Uoc、Isc变小,从而导致FF降低。?
??丝网工序?
(2)方阻过大:?
?即掺杂浓度越低,体电阻及接触电阻越大,也就是Rs越大,而电子空穴复?

太阳能电池片衰减的原因

太阳能电池片衰减的原因

太阳能电池片衰减的原因
太阳能电池片是太阳能光伏发电的核心部件,其性能和衰减问题是业内关注的重点。

电池片的衰减主要受以下几个因素影响:
首先,生产工艺是影响电池片性能的重要环节。

在制造过程中,如果控制不好杂质和缺陷,电池片中就会存在大量的缺陷和杂质,这些缺陷和杂质能吸收太阳光,导致电池片内部产生热能,使得电池片温度升高,热能又促使更多的缺陷和杂质析出,形成一个恶性循环,最终导致电池片效率的降低和寿命的缩短。

其次,光照条件也会影响电池片的衰减。

在长期的光照下,电池片会发生光致衰减现象。

这是因为在太阳光的紫外线和红外线的影响下,电池片中的硅原子会形成新的化学键,这些新形成的化学键会导致电池片的效率降低。

另外,热能也是影响电池片衰减的重要因素。

在高温下,电池片内部的硅原子运动会加速,这会导致电池片的效率降低。

同时,过高的温度也会促使硅材料内部发生热解反应,释放出氢原子和其他杂质,进一步加速电池片的衰减。

此外,环境因素如空气湿度、氧气和二氧化硅粉尘等也会影响电池片的衰减。

在潮湿环境中,电池片表面容易形成一层水膜,这为杂质和缺陷提供了析出的条件,进一步加速了电池片的衰减。

同时,氧气和二氧化硅粉尘也会与电池片表面发生化学反应,导致电池片的效率降低。

综上所述,太阳能电池片的衰减是多因素综合作用的结果。

为了延长电池片的寿命和提高其效率,需要从生产工艺、光照条件、热能和环境因素等多个方面进行综合考虑和优化。

太阳能电池片不合格检讨书

太阳能电池片不合格检讨书

您好!我是一名负责太阳能电池片生产质量检验的员工。

近期,在对我司生产的太阳能电池片进行质量检验过程中,发现部分电池片存在不合格现象。

对此,我深感愧疚和自责,特此撰写此检讨书,以表达我对此次事件的深刻反思和诚挚的歉意。

一、事件背景我司生产的太阳能电池片是公司主打产品,广泛应用于光伏发电、太阳能热水等领域。

近期,由于市场需求旺盛,生产任务繁重,我在检验过程中发现,部分太阳能电池片存在以下问题:1. 电性能参数不合格:部分电池片的转换效率、短路电流、开路电压等关键电性能参数未达到国家标准。

2. 外观缺陷:部分电池片存在划痕、裂纹、污渍等外观缺陷。

3. 绝缘性能不合格:部分电池片的绝缘电阻低于国家标准。

二、原因分析针对上述问题,我进行了深刻的反思,认为造成此次事件的原因主要有以下几点:1. 工作态度不端正:在日常工作中,我未能严格遵守检验规程,对产品质量的重视程度不够,导致对部分不合格电池片未能及时发现。

2. 检验技能不足:我自身检验技能水平有待提高,对电池片电性能参数的检测方法掌握不够熟练,未能准确判断电池片的质量状况。

3. 质量意识淡薄:在质量意识方面,我存在一定程度的淡薄,未能将质量作为工作的重中之重,导致对产品质量的把控不够严格。

4. 检验设备老化:部分检验设备使用年限较长,性能不稳定,导致检验结果存在一定误差。

三、改进措施针对以上原因,我制定了以下改进措施:1. 提高自身素质:加强业务学习,提高检验技能水平,确保能够准确判断电池片的质量状况。

2. 严谨工作态度:端正工作态度,严格遵守检验规程,确保每一片电池片都经过严格检验。

3. 加强质量意识:牢固树立“质量第一”的观念,将质量作为工作的重中之重,时刻关注产品质量。

4. 更新检验设备:积极申请更新检验设备,确保检验结果的准确性。

5. 加强团队协作:与同事加强沟通与协作,共同提高产品质量。

四、整改落实为确保整改措施落实到位,我将采取以下措施:1. 对不合格电池片进行追根溯源,找出问题所在,并采取针对性措施进行整改。

太阳能电池基本参数的影响因素分析与研究

太阳能电池基本参数的影响因素分析与研究

太阳能电池基本参数的影响因素分析与研究作者:秦玲来源:《价值工程》2012年第32期摘要:通过对太阳电池在光照时等效电路的电路分析,得到了太阳电池在光照条件下几个基本参数的计算公式,从中找出太阳能电池基本参数的影响因素及规律性,再通过生产过程的实际数据进一步证明几个影响因素之间的关系,从而分析提高太阳电池转换效率的有效途径。

Abstract: Based on analyzing equivalent circuit of solar cell in the light, the paper gets the calculation formulas of basic parameters of the solar cell in the light, and finds the influencing factors and regularity, and improves the relationship among influencing factors through the actual data in production process, and then analyzes the effective way to improve the conversion efficiency of solar cell.关键词:太阳电池;开路电压;短路电流;转换效率;串联电阻;并联电阻Key words: solar cell;open circuit voltage;short circuit current;conversion efficiency;series resistor;shunt resistance中图分类号:S214 文献标识码:A 文章编号:1006-4311(2012)32-0033-030 引言太阳能光伏发电是利用半导体界面的光生伏打效应将光能转变为电能的一种技术。

电池片各工序影响因素及异常情况

电池片各工序影响因素及异常情况

电池片各工序影响因素及异常情况一、一次清洗影响因素:1、温度:温度过高,首先就是IPA(异丙醇)不好控制,温度一高,IPA的挥发很快,气泡印就会随之出现,这样就大大减少了PN结的有效面积,反应加剧,还会出现片子的漂浮,造成碎片率的增加。

可控程度:调节机器的设置,可以很好的调节温度。

2、时间:金字塔随时间的变化:金字塔逐渐冒出来;表面上基本被小金字塔覆盖,少数开始成长;金字塔密布的绒面已经形成,只是大小不均匀,反射率也降到比较低的情况;金字塔向外扩张兼并,体积逐渐膨胀,尺寸趋于均等,反射率略有下降。

可控程度:调节设备参数,可以精确的调节时间。

3、IPA:1)、协助氢气的释放。

2)、减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀力度,调节各向因子。

纯NaOH溶液在高温下对原子排列比较稀疏的100晶面和比较致密的111晶面破坏比较大,各个晶面被腐蚀而消融,IPA明显减弱NaOH的腐蚀强度,增加了腐蚀的各向异性,有利于金字塔的成形。

乙醇含量过高,碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱,各向异性因子又趋于1。

可控程度:根据首次配液的含量,及每次大约消耗的量,来补充一定量的液体,控制精度不高。

4、NaOH:形成金字塔绒面。

NaOH浓度越高,金字塔体积越小,反应初期,金字塔成核密度近似不受NaOH浓度影响,碱溶液的腐蚀性随NaOH浓度变化比较显著,浓度高的NaOH溶液与硅反映的速度加快,再反应一段时间后,金字塔体积更大。

NaOH浓度超过一定界限时,各向异性因子变小,绒面会越来越差,类似于抛光。

可控程度:与IPA类似,控制精度不高。

5、Na2SiO3SI和NaOH反应生产的Na2SiO3和加入的Na2SiO3能起到缓冲剂的作用,使反应不至于很剧烈,变的平缓。

Na2SiO3使反应有了更多的起点,生长出的金字塔更均匀,更小一点 Na2SiO3多的时候要及时的排掉,Na2SiO3导热性差,会影响反应,溶液的粘稠度也增加,容易形成水纹、花蓝印和表面斑点。

太阳能电池组件常见问题

太阳能电池组件常见问题

一..电池片虚焊原因:1)焊接温度不够,镀锡铜带还没有充分融化2)焊接速度不均匀,局部过快3)烙铁头温度不稳定4)烙铁头部磨损,不平滑5)焊带表面氧化,不易与银电极焊接上6)焊带弯曲、扭曲7)电池片在空气中暴露时间过长,银电极表面硫化解决对策:1)适当提高电烙铁温度2)熟练操作,确保焊接速度均匀3)检测烙铁头,如若磨损严重,应及时更换4)使用助焊剂浸润互联条,或是在电池片银电极部位适当涂敷助焊剂5)将焊带捋平6)焊带弯曲、扭曲二.层压气泡原因:1)层压机真空泵不能抽到完全真空2)EVA膜厚薄不均匀,也可能会导致气泡3)由于热板温度过热,或是加热时间过长,导致EVA分解气化4)过期的EVA使用,也容易产生气泡5)内部有液体,加热时蒸发形成气泡2)真空泵抽真空速度太慢,导致EVA过早熔化,内部气泡不好再抽出来了解决对策:1)维修泵,确保真空泵能够完全抽成真空2)更改热板温度参数,确保温度不会过热3)更改真空泵抽真空速率,确保在EVA熔化前完全抽成真空4)确定使用在保质期内的EVA 5)不得使用厚薄不均匀的EVA6)将内部清理干净,确保不会产生由于液体气化产生的气泡。

三.碎片原因:1)焊带焊接时在电池片尾部受力,因此该部位很容易碎片2)在层叠工序,由于要拧住焊带来排布位置,所以会出现局部受力过大的问题,这也是电池片电极尾部容易碎片的原因3)层叠过程中电池片反复受力,也容易照成碎片4)由于电池片硅片都有晶向,所以电池片很容易在45度方面出现裂纹5)由于层压压力不均匀,或是在加压力时EVA没有充分熔化,此时也容易出线碎片6)充气速度过快,导致电池片容易碎片或是隐裂解决对策:1)改进硅片质量,确保硅片具有相应的强度,并且本身没有隐裂2)更改真空泵抽真空速率,确保在给层压件增加压力前EVA充分软化3)电池片片焊操作确保手法均匀,不会出现局部用力过大4)采用相应方法,确保有隐裂的电池片及时选出来四.电池片移位原因:1)电池片间无透明胶带固定2)层压过程中组件整体移位3)由于压力影响,EVA被挤出,导致汇流条间距变大4)EVA流动性太大5)层压压力值太大解决对策:1)电池片之间在适当位置使用胶带固定2)使用EVA流动性偏小的EVA,避免整体移位3)控制层压压力值,不得太大五.杂质原因:1)烙铁头上的焊锡没有清理干净,导致锡渣掉落在组件中2)车间洁净度不够,有昆虫飞进车间3)员工劳保用品没有配戴完好,导致有毛发掉入组件中解决对策:1)定时清理烙铁头,确保没有锡渣堆积2)车间内保持正风压,保证飞虫等不会进入车间3)员工劳保用品应配戴完整六.焊接不良原因:1)员工焊接手法不准,导致焊带和银电极没能完全的对应上2)如若是自动焊接设备焊接的话,那就是因为设备没有调试好3)焊花是由于在背面电极焊接的过程中,对正面焊带也造成了热冲击,导致正面焊带粘贴在串焊模板上产生焊花解决对策:1)熟练操作,确保焊带与银电极完全对齐2)如若是自动焊接机,则应调试好后再投产3)在串焊模板上,电池片银电极对应的位置开一定深度的槽,避免焊带与串焊模板接触产生焊花七.背板问题原因:1)背板凹坑是因为层压机内部有异物,层压过程中压下来导致背板凹坑2)背板鼓包是由于组件内部EVA受热分解气化,导致产生鼓包解决对策:1)清理层压机,特别是气囊和高温布2)调整层压的参数,包括降低温度和减少层压时间3)如若还是有鼓包,则应检测EVA是否在保证期以内,以及这批EVA原材料的性能八.型材问题原因:1)型材在运输过程中收到碰伤2)型材表面没有塑料保护膜3)型材鼓包、起皮是由于表面处理不好导致的4)型材颜色不均匀是由于边框在不同批次的氧化池里面表面处理,而其颜色又不太一致所导致的解决对策:1)在工厂内减少搬运环节,避免缺陷的产生2)表面鼓包、起皮的边框不能使用3)对于颜色不一致的边框要求供应商做挑选,确保一个批次的边框颜色基本保持一致组件在封装加工过程中,可能会出线各种各样的问题。

太阳能电池组件常见不良现象原因分析及解决办法

太阳能电池组件常见不良现象原因分析及解决办法

成型。 2-调整层压工艺,增加抽真空时间,并减小层压压力(通过层压时间来调整)。 3-控制好各个环节,提高层压人员素质并确保抬板手势的正确性。
二、组件中有气泡。
原因分析: 1-EVA 胶膜已裁剪,放置时间过长,已受潮。 2-EVA 胶膜材料本身品质不高,如有些 EVA 厂家部分或完全采用国产原料。 3-太阳能背板放置时间过长或储存环境不好而受潮。 4-抽真空过短,加压已不能把气泡赶出。 5-层压的压力不够。 6-加热板温度不均,使局部提前固化。 7-层压时间过长或温度过高,使有机过氧化物分解,产出氧气。 8-有异物存在,而湿润角又大于 90°,使异物旁边有气体存在。
解决办法: 1-控制好每天所用的 EVA 的数量,要让每个员工了解每天的生产任务。 2-材料是由厂家所决定的,所以尽量选择较好的材料。 3-将分切好的太阳能背板放置烘箱内预烘烤 1-2 分钟,使其潮气赶出。 4-调整层压工艺参数,使抽真空时间适量。 5-增大层压压力。(可通过层压时间来调整也可以通过再垫一层高温布来实现。) 6-垫高温布,使组件受热均匀(最大温差小于 4°)。 7-根据厂家所提供的参数,确定层压总的时间,避免时间过长。 8-应注重 6S 管理,尤其是在叠层这道工序,尽量避免异物的掉入。
太阳能电池组件常见不良现象原因分析及解决办法
一、组件中有碎片。
原因分析: 1-由于在焊接过程中没有焊接平整,有堆锡或锡渣,在抽真空时将电池片压碎。 2-本来电池片都已经有暗伤,再加上层压过早,EVA 还具有很良好的流动性。 3-在抬组件的时候,手势不合理,双手压到电池片。
解决办法: 1-首先要在焊接区对焊接质量进行把关,加强对员工的一些针对性培训,确保焊接一次
三、组件中有毛发及垃圾。
原因分析: 1-由于 EVA、太阳能背板(如 3M、兆丰)、小车子等有静电的存在,把飘着空的头发,
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电池片各参数异常的原因
Isc 1234⇒⎧⎪⇒⎪⎪⎨⎪⇒⎪⎪⎩偏低的原因:
、绒面较差光反射率较大;、扩散方块电阻偏低磷掺杂过多;、丝网印刷第三道出现虚印、断线或者副栅线宽度过宽 等现象电流不能被有效地收集;、烧结炉温度出现较大波动;
1. 容易理解。

2. 重掺杂会加大表面复合
3. 容易理解
4. 烧结不好引起欧姆接触不好,致使串联电阻增大
Voc 1pn 234⇒⎧⎪⇒⎪⎪⎧⎪⎨⎪⎨⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎩偏低的原因:
、绒面较差扩散结不均匀;、扩散方块电阻偏高无法形成有效的电势差;
铝浆型号用错;、丝网印刷第二道铝浆搅拌不均匀;印刷重量偏低;、烧结温度出现波动;
1. 方块电阻不均匀,结深高低不一致,烧结Ag 电极渗透中,有的地方接触不好,有的地方可能过烧
2. 即掺杂太少
3.
Rs 1234⇒⎧⎪⇒⎪⎨⇒⎪⎪⎩
偏高的原因:
、绒面较差电极接触不均匀;、扩散方块电阻偏高接触电阻增大;、丝网印刷第三道出现虚印、断线接触电阻增大;
、烧结炉温度出现较大波动; Rsh 1pn 2pn 3pn pn 45pn ⎧⎪⇒⎪⎪⇒⎪⎪⇒⎧⎪⎨⎨⇒⎩⎪⎪⇒⎧⎪⎨⎪⇒⎩⎪⇒⎪⎩偏低的原因:
、绒面较差扩散结不均匀;
、扩散方块电阻偏高结过浅;未完全刻蚀边缘漏电;、刻蚀过度刻蚀结被破坏;硅片表面被浆料污染(尤其是铝浆污染)结被破坏;、丝网印刷漏浆上下电极发生短路,产生漏电;、烧结温度过高结被破坏;
1.
2.扩散方块电阻偏高,即扩散掺杂浓度低,导致内建电场偏低,耗尽区电阻变小
3. 未完全刻蚀必然导致边缘漏电,容易理解;过度刻蚀导致并联电阻降低,是因为PN 结所占的横截面积变小,所以耗尽层总电阻变小。

4. 铝浆在N 区的扩散会破环PN 结,因为它是受主杂质。

正面滴落的铝浆,有可能在烧结过程中扩散穿过PN 结,导致PN 结被破环发生短路。

如果硅片边缘附有漏浆,可直接引起边缘漏电。

5. 烧结温度太高,可导致Ag 的扩散太大,以致穿过PN 结,直接导致短路
FF 1Rs Rs 2Rsh Rsh ⎧⎨⎩偏低的原因:
、偏高(参考偏高的产生原因);、偏低(参考偏低的产生原因);。

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