材料科学基础 复习题及部分答案
单项选择题:第1章原子结构与键合1.高分子材料中得C-H化学键属于。
(Ａ)氢键(B)离子键ﻩ（C)共价键2.属于物理键得就是。
(Ａ)共价键ﻩﻩ（B)范德华力ﻩ(C)离子键3.化学键中通过共用电子对形成得就是。
(A)共价键ﻩ（B)离子键ﻩ(C)金属键第2章固体结构4.以下不具有多晶型性得金属就是。
（A）铜ﻩ（B)锰ﻩﻩﻩ(C）铁5.fcｃ、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著得就是。
(A）ｆｃｃﻩﻩ(B)bcc ﻩﻩﻩ(C)hcp6.与过渡金属最容易形成间隙化合物得元素就是。
(A)氮ﻩﻩ(B)碳ﻩﻩ(C)硼7.面心立方晶体得孪晶面就是。
（A){112} ﻩ（B){1１０}ﻩﻩﻩ(Ｃ)｛1１１}8.以下属于正常价化合物得就是。
（A)Mg2Pｂﻩﻩ（B)Cu5Ｓnﻩﻩﻩ(C)Fe3C第3章晶体缺陷9.在晶体中形成空位得同时又产生间隙原子，这样得缺陷称为。
(Ａ)肖特基缺陷ﻩ(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷10.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对得点缺陷称为。
（Ａ)肖脱基缺陷(B)Fｒａnk缺陷ﻩ(C）堆垛层错11.刃型位错得滑移方向与位错线之间得几何关系就是？(A)垂直ﻩ(B)平行ﻩ(C)交叉12.能进行攀移得位错必然就是。
(Ａ)刃型位错ﻩ(B)螺型位错ﻩﻩ(C)混合位错13.以下材料中既存在晶界、又存在相界得就是(A)孪晶铜(B)中碳钢ﻩﻩ(C）亚共晶铝硅合金14.大角度晶界具有_＿__＿___＿___个自由度。
(A)3 ﻩﻩ(B)４ﻩﻩ(C)5第4章固体中原子及分子得运动15.菲克第一定律描述了稳态扩散得特征,即浓度不随变化。
(A)距离ﻩ(B)时间ﻩ（C)温度16.在置换型固溶体中，原子扩散得方式一般为。
（A)原子互换机制(Ｂ)间隙机制ﻩ（Ｃ)空位机制17.固体中原子与分子迁移运动得各种机制中,得到实验充分验证得就是（A)间隙机制ﻩ(B)空位机制ﻩﻩ（Ｃ)交换机制18.原子扩散得驱动力就是。
(4、２非授课内容）（A)组元得浓度梯度(B)组元得化学势梯度ﻩﻩ（C)温度梯度19.A与A－B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则。
(A)A组元得扩散速率大于B组元ﻩ（B)B组元得扩散速率大于Ａ组元(C)A、B两组元得扩散速率相同20.下述有关自扩散得描述中正确得为。
(A)自扩散系数由浓度梯度引起ﻩﻩﻩ(B)自扩散又称为化学扩散ﻩﻩﻩ(C）自扩散系数随温度升高而增加第5章材料得形变与再结晶21.在弹性极限σe范围内,应变滞后于外加应力，并与时间有关得现象称为(A)包申格效应ﻩ(B)弹性后效ﻩ(C)弹性滞后22.塑性变形产生得滑移面与滑移方向就是(A）晶体中原子密度最大得面与原子间距最短方向(Ｂ）晶体中原子密度最大得面与原子间距最长方向(C)晶体中原子密度最小得面与原子间距最短方向23.bcc、ｆcｃ、hｃp三种典型晶体结构中,_________具有最少得滑移系,因此具有这种晶体结构得材料塑性最差。
(A）bcc ﻩﻩ(Ｂ)fccﻩﻩﻩ（C)hcp24.,位错滑移得派-纳力越小。
（A)位错宽度越大ﻩ（B)滑移方向上得原子间距越大ﻩ(C）相邻位错得距离越大25.Cottｒell气团理论对应变时效现象得解释就是：(A)溶质原子再扩散到位错周围(B)位错增殖得结果(Ｃ) 位错密度降低得结果26.已知Cｕ得T m=１０83︒C,则Cu得最低再结晶温度约为。
（A)2０0︒C ﻩ(B)270︒Cﻩﻩ(C）350︒Ｃ27.已知Ｆｅ得T m=1538︒C,则Fｅ得最低再结晶温度约为。
（A)350︒Ｃﻩﻩ(Ｂ）450︒C ﻩ(C)550︒C28.位错缠结得多边化发生在形变合金加热得___＿＿____＿__＿_阶段。
（A)回复ﻩﻩﻩ(B)再结晶ﻩﻩ(C)晶粒长大29.形变后得材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在。
(A)回复阶段ﻩﻩ（B)再结晶阶段(C)晶粒长大阶段30.形变后得材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化得就是。
(A）点缺陷得明显下降ﻩﻩﻩ(B）形成亚晶界ﻩ(C)位错重新运动与分布31.由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在___＿_＿_____部位不易形核。
(A)大角度晶界与孪晶界(B)相界面(Ｃ)外表面32.纯金属材料得再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核（Ａ)小角度晶界ﻩﻩ(Ｂ)孪晶界ﻩ(C）外表面33.对于变形程度较小得金属,其再结晶形核机制为。
(A)晶界合并ﻩ(B)晶界迁移ﻩ（C)晶界弓出34.再结晶晶粒长大得过程中,晶粒界面得不同曲率就是造成晶界迁移得直接原因,晶界总就是向着________＿＿____方向移动(A)曲率中心ﻩ（Ｂ)曲率中心相反ﻩﻩﻩ（C)曲率中心垂直35.开始发生再结晶得标志就是:(A)产生多变化(B）新得无畸变等轴小晶粒代替变形组织(Ｃ）晶粒尺寸显著增大36.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。
(Ａ)复合强化ﻩ(B）析出强化（C)固溶强化37.在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。
(A)复合强化ﻩﻩ(B)析出强化（C）固溶强化38.在纯铝得凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。
(A）复合强化ﻩﻩ(B）晶粒细化ﻩ(C）固溶强化第6章单组元相图及纯晶体得凝固39.凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶得核心,当形成得核胚半径等于临界半径时,体系得自由能变化。
(Ａ)大于零ﻩﻩ(Ｂ)等于零ﻩﻩ（C)小于零40.以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长得就是。
(A）金属锗ﻩ(B）透明环己烷ﻩ(C)氧化硅41.以下材料中,结晶过程中以小平面方式生长得就是。
(A)金属锗ﻩﻩﻩ（B)铜镍合金ﻩ(C)金属铅42.形成临界晶核时体积自由能得减少只能补偿表面能得。
(Ａ)1/3 ﻩ(B)2/3 ﻩﻩﻩ(C)1/443.铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为。
(A)树枝晶(B)柱状晶ﻩ(C)胞状晶44.凝固时不能有效降低晶粒尺寸得就是以下哪种方法?(A)加入形核剂ﻩ(B)减小液相过冷度ﻩ（C)对液相实施搅拌第７章二元系相图及其合金得凝固45.对离异共晶与伪共晶得形成原因,下述说法正确得就是。
(Ａ）离异共晶只能经非平衡凝固获得ﻩ(B)伪共晶只能经非平衡凝固获得ﻩﻩ(C)形成离异共晶得原始液相成分接近共晶成分46.在二元系合金相图中，计算两相相对量得杠杆法则用于。
（Ａ)单相区中ﻩﻩ(Ｂ)两相区中（Ｃ)三相平衡水平线上47.二元系合金中两组元部分互溶时,不可能发生。
(A)共晶转变（Ｂ)匀晶转变ﻩﻩ（C）包晶转变48.任一合金得有序结构形成温度无序结构形成温度。
(A)低于ﻩﻩ(B)高于ﻩﻩﻩ(C）可能低于或高于49.fcｃ、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著得就是。
(A)fccﻩﻩ(B)ｂccﻩﻩﻩﻩ(C）hcp50.与过渡金属最容易形成间隙化合物得元素就是。
(A）氮ﻩ（Ｂ)碳ﻩ(C)硼51.面心立方晶体得孪晶面就是。
（Ａ){112｝ﻩﻩﻩ(B）{110} ﻩﻩ（C){１１１}52.以下属于正常价化合物得就是。
(A）Mg2Ｐbﻩﻩ（Ｂ)Ｃu5Snﻩﻩ(Ｃ)Fe３C53.在晶体中形成空位得同时又产生间隙原子,这样得缺陷称为。
（Ａ)肖特基缺陷ﻩ(Ｂ)弗仑克尔缺陷ﻩ（C)线缺陷54.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对得点缺陷称为。
(A)肖脱基缺陷ﻩ（B)Frａnk缺陷ﻩﻩ(C)堆垛层错55.刃型位错得滑移方向与位错线之间得几何关系就是?(A)垂直ﻩﻩﻩ(B)平行ﻩ（Ｃ)交叉56.能进行攀移得位错必然就是。
(A)刃型位错ﻩﻩﻩ(B)螺型位错ﻩﻩ（C)混合位错57.以下材料中既存在晶界、又存在相界得就是（Ａ)孪晶铜ﻩﻩ(Ｂ)中碳钢(C）亚共晶铝硅合金58.大角度晶界具有___＿_＿______个自由度。
(A)3 ﻩﻩ(Ｂ)４ﻩ(Ｃ）559.菲克第一定律描述了稳态扩散得特征,即浓度不随变化。
（A)距离ﻩ(B)时间ﻩﻩ(Ｃ）温度60.在置换型固溶体中,原子扩散得方式一般为。
(A)原子互换机制(B）间隙机制ﻩ(C)空位机制61.固体中原子与分子迁移运动得各种机制中,得到实验充分验证得就是(Ａ）间隙机制ﻩ(B)空位机制ﻩ(C)交换机制62.原子扩散得驱动力就是。
(A)组元得浓度梯度ﻩ(B)组元得化学势梯度ﻩ（C）温度梯度63.A与Ａ－B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则。
（A)A组元得扩散速率大于B组元ﻩﻩ（B）B组元得扩散速率大于A组元ﻩﻩﻩ(C）Ａ、B两组元得扩散速率相同64.下述有关自扩散得描述中正确得为。
(A)自扩散系数由浓度梯度引起ﻩ(B)自扩散又称为化学扩散ﻩ（C)自扩散系数随温度升高而增加65.塑性变形产生得滑移面与滑移方向就是(A)晶体中原子密度最大得面与原子间距最短方向（Ｂ）晶体中原子密度最大得面与原子间距最长方向(Ｃ)晶体中原子密度最小得面与原子间距最短方向66.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中,________＿具有最少得滑移系,因此具有这种晶体结构得材料塑性最差。
(Ａ)bcc ﻩ(B)fｃｃﻩﻩﻩ(C)hcp67.,位错滑移得派-纳力越小。
(Ａ)位错宽度越大ﻩ（Ｂ)滑移方向上得原子间距越大ﻩﻩ（Ｃ)相邻位错得距离越大68.Cotｔrｅll气团理论对应变时效现象得解释就是:(A)溶质原子再扩散到位错周围(B)位错增殖得结果（Ｃ）位错密度降低得结果69.位错缠结得多边化发生在形变合金加热得___________＿__阶段。
(A)回复(B）再结晶ﻩﻩﻩ(C)晶粒长大70.形变后得材料再升温时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在。
(Ａ)回复阶段ﻩ（Ｂ)再结晶阶段（Ｃ)晶粒长大阶段71.形变后得材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化得就是。
(A)点缺陷得明显下降ﻩﻩ(B)形成亚晶界ﻩﻩﻩ(Ｃ）位错重新运动与分布72.再结晶晶粒长大得过程中,晶粒界面得不同曲率就是造成晶界迁移得直接原因,晶界总就是向着__＿________＿__方向移动（A)曲率中心ﻩ(B)曲率中心相反ﻩ(C）曲率中心垂直73.开始发生再结晶得标志就是：(A)产生多变化(B)新得无畸变等轴小晶粒代替变形组织(C)晶粒尺寸显著增大74.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。
（Ａ)复合强化ﻩ(Ｂ)析出强化ﻩ（C）固溶强化75.在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。
（A)复合强化ﻩ(B)析出强化ﻩﻩ（Ｃ)固溶强化76.在纯铝得凝固过程中添加Ａｌ-Tｉ-B细化剂属于。
(A）复合强化ﻩﻩ(B)晶粒细化(C）固溶强化77.凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶得核心,当形成得核胚半径等于临界半径时，体系得自由能变化。
材料科学基础2复习题与参考答案
材料科学基础2复习题及部分参考答案一、名词解释1、再结晶：指经冷变形的金属在足够高的温度下加热时，通过新晶粒的形核及长大，以无畸变的等轴晶粒取代变形晶粒的过程。
2、交滑移：在晶体中，出现两个或多个滑移面沿着某个共同的滑移方向同时或交替滑移。
3、冷拉：在常温条件下，以超过原来屈服点强度的拉应力，强行拉伸聚合物，使其产生塑性变形以达到提高其屈服点强度和节约材料为目的。
（《笔记》聚合物拉伸时出现的细颈伸展过程。
）4、位错：指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。
（《书》晶体中某处一列或者若干列原子发生了有规律的错排现象）5、柯氏气团：金属内部存在的大量位错线，在刃型位错线附近经常会吸附大量的异类溶质原子（大小不同吸附的位置有差别）,形成所谓的“柯氏气团”。
（《书》溶质原子与位错弹性交互作用的结果，使溶质原子趋于聚集在位错周围，以减小畸变，降低体系的能量，使体系更加稳定。
）6、位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度或晶体中穿过单位截面面积的位错线数目。
7、二次再结晶：晶粒的不均匀长大就好像在再结晶后均匀、细小的等轴晶粒中又重新发生了再结晶。
8、滑移的临界分切应力：滑移系开动所需要的最小分切应力。
（《书》晶体开始滑移时，滑移方向上的分切应力。
）9、加工硬化：金属材料在再结晶温度以下塑性变形时强度和硬度升高，而塑性和韧性降低的现象，又称冷作硬化。
（《书》随塑性变形的增大，塑性变形抗力不断增加的现象。
）10、热加工：金属铸造、热扎、锻造、焊接和金属热处理等工艺的总称。
（《书》使金属在再结晶温度以上发生加工变形的工艺。
）11、柏氏矢量：是描述位错实质的重要物理量。
反映出柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总积累。
（《书》揭示位错本质并描述位错行为的矢量。
）反映由位错引起的点阵畸变大小的物理量。
12、多滑移：晶体的滑移在两组或者更多的滑移面（系）上同时进行或者交替进行。
13、堆垛层错：晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面（称为层错面）两侧附近原子的错排的一种面缺陷。
材料科学基础2复习题及参考答案
材料科学基础2复习题及部分参考答案一、名词解释1、再结晶：指经冷变形的金属在足够高的温度下加热时，通过新晶粒的形核及长大，以无畸变的等轴晶粒取代变形晶粒的过程。
2、交滑移：在晶体中，出现两个或多个滑移面沿着某个共同的滑移方向同时或交替滑移。
3、冷拉：在常温条件下，以超过原来屈服点强度的拉应力，强行拉伸聚合物，使其产生塑性变形以达到提高其屈服点强度和节约材料为目的。
（《笔记》聚合物拉伸时出现的细颈伸展过程。
）4、位错：指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。
（《书》晶体中某处一列或者若干列原子发生了有规律的错排现象）5、柯氏气团：金属内部存在的大量位错线，在刃型位错线附近经常会吸附大量的异类溶质原子（大小不同吸附的位置有差别）,形成所谓的“柯氏气团”。
（《书》溶质原子与位错弹性交互作用的结果，使溶质原子趋于聚集在位错周围，以减小畸变，降低体系的能量，使体系更加稳定。
）6、位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度或晶体中穿过单位截面面积的位错线数目。
7、二次再结晶：晶粒的不均匀长大就好像在再结晶后均匀、细小的等轴晶粒中又重新发生了再结晶。
8、滑移的临界分切应力：滑移系开动所需要的最小分切应力。
（《书》晶体开始滑移时，滑移方向上的分切应力。
）9、加工硬化：金属材料在再结晶温度以下塑性变形时强度和硬度升高，而塑性和韧性降低的现象，又称冷作硬化。
（《书》随塑性变形的增大，塑性变形抗力不断增加的现象。
）10、热加工：金属铸造、热扎、锻造、焊接和金属热处理等工艺的总称。
（《书》使金属在再结晶温度以上发生加工变形的工艺。
）11、柏氏矢量：是描述位错实质的重要物理量。
反映出柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总积累。
（《书》揭示位错本质并描述位错行为的矢量。
）反映由位错引起的点阵畸变大小的物理量。
12、多滑移：晶体的滑移在两组或者更多的滑移面（系）上同时进行或者交替进行。
13、堆垛层错：晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面（称为层错面）两侧附近原子的错排的一种面缺陷。
材料科学基础试题及答案
材料科学基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 材料科学中，材料的基本组成单元是（）。
A. 分子B. 原子C. 离子D. 电子答案：B2. 金属的塑性变形主要是通过（）来实现的。
A. 弹性变形B. 位错运动C. 相变D. 断裂答案：B3. 在材料科学中，硬度的定义是（）。
A. 材料抵抗变形的能力B. 材料抵抗磨损的能力C. 材料抵抗压缩的能力D. 材料抵抗拉伸的能力答案：B4. 材料的热处理过程中，淬火的主要目的是（）。
A. 提高硬度B. 增加韧性C. 减少变形D. 提高导电性答案：A5. 以下哪种材料不属于复合材料？A. 碳纤维增强塑料B. 钢筋混凝土C. 不锈钢D. 玻璃钢答案：C二、填空题（每空1分，共20分）1. 材料的强度是指材料在受到______作用时，抵抗______的能力。
答案：外力；破坏2. 材料的断裂韧性是指材料在______条件下，抵抗______的能力。
答案：裂纹存在；断裂3. 材料的疲劳是指材料在______作用下，经过______循环后发生断裂的现象。
答案：交变应力；多次4. 材料的导热性是指材料在______条件下，抵抗______的能力。
答案：温度梯度；热量传递5. 材料的电导率是指材料在单位电场强度下，单位时间内通过单位面积的______。
答案：电荷量三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述材料的弹性模量和屈服强度的区别。
答案：弹性模量是指材料在弹性范围内，应力与应变的比值，反映了材料抵抗形变的能力。
屈服强度是指材料在受到外力作用下，从弹性变形过渡到塑性变形时的应力值，反映了材料抵抗塑性变形的能力。
2. 描述材料的疲劳破坏过程。
答案：材料的疲劳破坏过程通常包括三个阶段：裂纹的萌生、裂纹的扩展和最终断裂。
在交变应力作用下，材料内部的微裂纹逐渐扩展，当裂纹扩展到一定程度，材料无法承受继续增加的应力时，就会发生断裂。
3. 什么是材料的热处理？请列举几种常见的热处理方法。
《材料科学基础》练习题集01
《材料科学基础》复习题第1章原子结构与结合键一、判断题：4、金属键具有明显的方向性和饱和性。
（ F）5、共价键具有明显的方向性和饱和性。
（ T）6、组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是两组元的电负性相同。
两组元的晶体结构相同（ F）7、工程材料的强度与结合键有一定的关系，结合键能越高的材料，通常其弹性模量、强度和熔点越低。
（F）8、晶体中配位数和致密度之间的关系是配位数越大，致密度越小。
（F ）二、选择题：1、具有明显的方向性和饱和性。
A、金属键B、共价键C、离子键D、化学键2、以下各种结合键中，结合键能最大的是。
A、离子键、共价键B、金属键C、分子键D、化学键3、以下各种结合键中，结合键能最小的是。
A、离子键、共价键B、金属键C、分子键D、化学键5、已知铝元素的电负性为1.61，氧元素的电负性为3.44，则Al2O3中离子键结合的比例为。
A、28%B、45%C、57%D、68%6、以下关于结合键的性质与材料性能的关系中，是不正确的。
P54A、结合键能是影响弹性模量的主要因素，结合键能越大，材料的弹性模量越大。
B、具有同类型结合键的材料，结合键能越高，熔点也越高。
C、具有离子键和共价键的材料，塑性较差。
D、随着温度升高，金属中的正离子和原子本身振动的幅度加大，导电率和导热率都会增加。
（应该是自由电子的定向运动加剧）7、组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是。
A、两组元的电子浓度相同B、两组元的晶体结构相同C、两组元的原子半径相同D、两组元电负性相同11、晶体中配位数和致密度之间的关系是。
A、配位数越大，致密度越大B、配位数越小，致密度越大C、配位数越大，致密度越小D、两者之间无直接关系三、填空题：2、构成陶瓷化合物的两种元素的电负性差值越大，则化合物中离子键结合的比例越大。
3、体心立方结构的晶格常数为a，单位晶胞原子数为 2 、原子半径为a ，配位数为 8 。
4、面心立方结构的晶格常数为a ，原子半径为 a ，配位数为 12 。
材料科学基础试题及答案
材料科学基础试题及答案一、名词解释（每题5分，共25分）1. 晶体缺陷2. 扩散3. 塑性变形4. 应力5. 比热容二、选择题（每题2分，共20分）1. 下列哪种材料属于金属材料？A. 玻璃B. 塑料C. 陶瓷D. 铜2. 下列哪种材料属于陶瓷材料？A. 铁B. 铝C. 硅酸盐D. 聚合物3. 下列哪种材料属于高分子材料？A. 玻璃B. 钢铁C. 聚乙烯D. 陶瓷4. 下列哪种材料属于半导体材料？A. 铜B. 铝C. 硅D. 铁5. 下列哪种材料属于绝缘体？A. 铜B. 铝C. 硅D. 玻璃三、简答题（每题10分，共30分）1. 请简述晶体结构的基本类型及其特点。
2. 请简述塑性变形与弹性变形的区别。
3. 请简述材料的热传导原理。
四、计算题（每题15分，共30分）1. 计算一个碳化硅晶体的体积。
已知碳化硅的晶胞参数：a=4.05 Å，b=4.05 Å，c=8.85 Å，α=β=γ=90°。
2. 计算在恒定温度下，将一个100 cm³的铜块加热100℃所需的热量。
已知铜的比热容为0.39J/(g·℃)，铜的密度为8.96 g/cm³。
五、论述题（每题20分，共40分）1. 论述材料科学在现代科技发展中的重要性。
2. 论述材料制备方法及其对材料性能的影响。
答案：一、名词解释（每题5分，共25分）1. 晶体缺陷：晶体在生长过程中，由于外界环境的影响，导致其内部结构出现不完整或不符合理想周期性排列的现象。
2. 扩散：物质由高浓度区域向低浓度区域自发地移动的过程。
3. 塑性变形：材料在受到外力作用下，能够产生永久变形而不恢复原状的性质。
4. 应力：单位面积上作用于材料上的力。
5. 比热容：单位质量的物质温度升高1℃所吸收的热量。
二、选择题（每题2分，共20分）1. D2. C3. C4. C5. D三、简答题（每题10分，共30分）1. 晶体结构的基本类型及其特点：晶体结构的基本类型有立方晶系、四方晶系、六方晶系和单斜晶系。
材料科学基础复习题及答案
单项选择题：（每一道题1分）第1章原子结构与键合1.高分子材料中的C-H化学键属于。
（A）氢键（B）离子键（C）共价键2.属于物理键的是。
（A）共价键（B）范德华力（C）氢键3.化学键中通过共用电子对形成的是。
（A）共价键（B）离子键（C）金属键第2章固体结构4.面心立方晶体的致密度为 C 。
（A）100% （B）68% （C）74%5.体心立方晶体的致密度为 B 。
（A）100% （B）68% （C）74%6.密排六方晶体的致密度为 C 。
（A）100% （B）68% （C）74%7.以下不具有多晶型性的金属是。
（A）铜（B）锰（C）铁8.面心立方晶体的孪晶面是。
（A）{112} （B）{110} （C）{111}9.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是。
（A）fcc （B）bcc （C）hcp10.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式？（A）复合强化（B）弥散强化（C）固溶强化11.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。
（A）氮（B）碳（C）硼12.以下属于正常价化合物的是。
（A）Mg2Pb （B）Cu5Sn （C）Fe3C第3章晶体缺陷13.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系？（A）垂直（B）平行（C）交叉14.能进行攀移的位错必然是。
（A）刃型位错（B）螺型位错（C）混合位错15.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为。
（A）肖特基缺陷（B）弗仑克尔缺陷（C）线缺陷16.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为（A）肖脱基缺陷（B）Frank缺陷（C）堆垛层错17.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（A）孪晶铜（B）中碳钢（C）亚共晶铝硅合金18.大角度晶界具有____________个自由度。
（A）3 （B）4 （C）5第4章固体中原子及分子的运动19.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随变化。
（A）距离（B）时间（C）温度20.在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。
(完整版)材料科学基础习题及答案
第一章材料的结构一、解释以下基本概念空间点阵、晶格、晶胞、配位数、致密度、共价键、离子键、金属键、组元、合金、相、固溶体、中间相、间隙固溶体、置换固溶体、固溶强化、第二相强化.二、填空题1、材料的键合方式有四类，分别是（），( )，（）,（）.2、金属原子的特点是最外层电子数（），且与原子核引力（），因此这些电子极容易脱离原子核的束缚而变成( ）。
3、我们把原子在物质内部呈( ）排列的固体物质称为晶体，晶体物质具有以下三个特点，分别是（）,（ )，（ ).4、三种常见的金属晶格分别为（）,( ）和（）.5、体心立方晶格中，晶胞原子数为（ ),原子半径与晶格常数的关系为( )，配位数是（）,致密度是( ）,密排晶向为（）,密排晶面为（ )，晶胞中八面体间隙个数为（），四面体间隙个数为（ )，具有体心立方晶格的常见金属有（）。
6、面心立方晶格中，晶胞原子数为（ ),原子半径与晶格常数的关系为（），配位数是( )，致密度是（），密排晶向为( )，密排晶面为（）,晶胞中八面体间隙个数为( )，四面体间隙个数为（），具有面心立方晶格的常见金属有（）。
7、密排六方晶格中,晶胞原子数为（），原子半径与晶格常数的关系为（），配位数是（），致密度是（），密排晶向为（ ),密排晶面为（），具有密排六方晶格的常见金属有( ）。
8、合金的相结构分为两大类，分别是（）和( ）。
9、固溶体按照溶质原子在晶格中所占的位置分为（）和（）,按照固溶度分为（）和（），按照溶质原子与溶剂原子相对分布分为（）和（）。
10、影响固溶体结构形式和溶解度的因素主要有（）、（）、（）、（）。
11、金属化合物（中间相）分为以下四类，分别是( ），( ），( ），( )。
12、金属化合物(中间相）的性能特点是：熔点（）、硬度（ )、脆性（）,因此在合金中不作为（）相，而是少量存在起到第二相（）作用。
13、CuZn、Cu5Zn8、Cu3Sn的电子浓度分别为（），( )，( ）.14、如果用M表示金属，用X表示非金属，间隙相的分子式可以写成如下四种形式，分别是（ )，（），（ )，( ）.15、Fe3C的铁、碳原子比为（)，碳的重量百分数为（），它是( ）的主要强化相。
材料科学基础复习题与答案
一、填空题1. 每个面心立方晶胞中的原子数为 4 ，其配位数为12 。
3a, 配位2.晶格常数为a的体心立方晶胞, 其原子数为 2 , 原子半径为4/数为8 ，致密度为0.68 。
3. 刃型位错的柏氏矢量与位错线互相垂直, 螺型位错的柏氏矢量与位错线互相平行。
4. 螺型位错的位错线平行于滑移方向，位错线的运动方向垂直于位错线。
5. 在过冷液体中，晶胚尺寸小于临界尺寸时不能自发长大。
6. 均匀形核既需要结构起伏，又需要能量起伏。
7. 纯金属结晶时，固液界面按微观结构分为光滑界面和粗糙界面。
8.纯金属的实际开始结晶温度总是低于理论结晶温度，这种现象称为过冷，理论结晶温度与实际开始结晶温度之差称为过冷度。
9．合金中的基本相结构，有固溶体和金属化合物两类，其中前者具有较高的综合机械性能，适宜做基体相；后者具有较高的熔点和硬度，适宜做强化相。
10. 间隙相和间隙化合物主要受组元的原子尺寸因素控制。
11.相律是分析相图的重要工具，当系统的压力为常数时，相律的表达式为f＝c－p＋1。
12.根据相律，二元合金结晶时，最多可有 3 个相平衡共存，这时自由度为0 。
13.根据相区接触法则可以推定，两个单相区之间必定有一个两相区，两个两相区之间必须以 单相区 或 三相共存水平线 隔开。
二元相图的三相区是一条水平线，该区必定与 两相区 以点接触，与 单相区 以线接触。
14. 铸锭的宏观组织是由 表层细晶区 、 柱状晶区 、中心等轴晶区 三个区组成。
15. 莱氏体是共晶转变所形成的 奥氏体 和 渗碳体 组成的混合物。
16. 相变反应式L （液）→（固）+（固）表示 共晶 反应；γ（固）→（固）+（固）表示 共析 反应。
17. 固溶体合金结晶时，其平衡分配系数K o 表示固液两平衡相中的 溶质浓度之比。
18. 铁碳合金中，一次渗碳体由 液相 产生，二次渗碳体由 奥氏体 产生，三次渗碳体由 铁素体 产生。
19. 一个滑移系是由 滑移面 和 滑移方向 组成。
材料科学基础试题及答案
材料科学基础试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 材料科学主要研究的是材料的哪些方面？A. 材料的加工方法B. 材料的微观结构C. 材料的性能D. 所有以上选项答案：D2. 金属材料的强度主要取决于其什么？A. 化学成分B. 微观结构C. 宏观尺寸D. 外部环境答案：B3. 以下哪个不是材料的力学性能？A. 硬度B. 韧性C. 导热性D. 弹性答案：C4. 陶瓷材料通常具有哪些特性？A. 高熔点B. 低热导率C. 低电导率D. 所有以上选项答案：D5. 聚合物材料的哪些特性使其在许多应用中受到青睐？A. 可塑性B. 轻质C. 良好的化学稳定性D. 所有以上选项答案：D二、填空题（每空1分，共10分）6. 材料的微观结构包括_______、_______和_______。
答案：晶粒、晶界、相界7. 材料的热处理过程通常包括_______、_______和_______。
答案：加热、保温、冷却8. 金属的塑性变形主要通过_______机制进行。
答案：位错滑移9. 材料的断裂韧性是指材料在_______条件下抵抗断裂的能力。
答案：受到冲击或应力集中10. 复合材料是由两种或两种以上不同_______的材料组合而成。
答案：性质三、简答题（每题10分，共30分）11. 简述金属的疲劳现象及其影响因素。
答案：金属疲劳是指金属在反复加载和卸载过程中，即使应力水平低于材料的屈服强度，也可能发生断裂的现象。
影响金属疲劳的因素包括应力幅度、加载频率、材料的微观结构、环境条件等。
12. 解释什么是相图，并说明其在材料科学中的重要性。
答案：相图是表示不同组分在特定条件下的相平衡状态的图形。
它在材料科学中的重要性体现在帮助科学家和工程师理解材料的相变行为，预测材料的性能，以及指导材料的加工和应用。
13. 描述聚合物材料的玻璃化转变温度（Tg）及其对聚合物性能的影响。
答案：玻璃化转变温度是聚合物从玻璃态转变为橡胶态的温度。
材料科学基础试题及答案
材料科学基础试题及答案一、选择题1. 下列关于材料的定义，正确的是：A. 材料是指由天然资源或人工合成的物质，用于满足人类需求的实体。
B. 材料是指具有一定形态和组织结构的物质，能够展现出特定的性能和功能。
C. 材料是指具有一定物理、化学特征的物质，通过特定的加工过程得到的产品。
D. 材料是指用于制造产品的原始原料，主要包括金属、塑料和木材等。
答案：A2. 下列关于材料分类的说法，正确的是：A. 根据组成方式可将材料分为金属材料、非金属材料和半导体材料。
B. 根据材料的用途可将材料分为结构材料、功能材料和生物医用材料。
C. 根据材料的产生方式可将材料分为天然材料、人工合成材料和再生材料。
D. 根据材料的电导性可将材料分为导电材料、绝缘材料和半导体材料。
答案：B3. 下列关于材料性能的描述，正确的是：A. 机械性能是指材料的硬度、强度、韧性等方面的性质。
B. 热性能是指材料在热环境下的稳定性和导热性等方面的性质。
C. 光学性能是指材料对光的吸收、传输和反射等方面的性质。
D. 电磁性能是指材料对电磁波的传导和屏蔽等方面的性质。
答案：A二、填空题1. 下列是常见材料的表征方法中，________是通过观察材料的形貌、组织结构和晶体形态等方面对材料进行表征的方法。
答案：显微镜观察2. __________是材料用于测量、感知、存储、处理等方面的性能和功能。
答案：功能材料3. __________是制备金属材料的常用加工方法之一，通过热处理和机械加工使材料形成所需形状和性能。
答案：冶金加工三、简答题1. 请简述材料的晶体结构及其对材料性能的影响。
答：材料的晶体结构是指材料中原子、离子或分子的排列方式和周期性特征。
不同的晶体结构决定了材料的特定性能。
例如，金属材料的晶体结构主要为面心立方、体心立方和密堆积等形式，这种结构使金属具有优良的导电性和可塑性。
另外，晶体结构还影响材料的硬度、热膨胀性、熔点等性能。
因此，了解材料的晶体结构对于研究和设计高性能材料具有重要意义。