模拟电子复习提纲
模拟电子技术考试复习提纲xin
模拟电子技术考试复习提纲1．本课程的基本任务介绍常用半导体器件的基本原理和特性，电子电路的基本概念、基本原理和基本分析方法，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术的某些领域及电子技术的应用打下基础。
2．本课程的基本要求绪论第一章半导体二极管及其基本电路熟练掌握1．两种载流子，扩散和漂移，PN结的形成，半导体二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用；2．半导体二极管的外特性，主要参数的定义；正确理解3．使用注意事项；第二章双极型晶体管及放大电路基础熟练掌握1．晶体管的外特性和放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．微变等效电路；5．CE、CC的工作原理及各种计算（单级、多级）；6．合理的近似。
7．复合管正确理解10．用图解法确定静态工作点及输出波形失真及最大不失真输出电压；11．CB的工作原理及计算；12．三种组态的比较和选择；第三章场效应管及其放大电路熟练掌握1．耗尽层，沟道，场效应管的外特性及放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．场效应管的微变等效电路；5．CS的工作原理及各种计算（单级、多级）；正确理解6．CD的工作原理及计算；7．阻容耦合、变压器耦合；第四章功率放大电路熟练掌握1．功放的基本原理，输出功率、效率和非线性失真；2．OCL直接耦合功率放大电路的工作原理、输出功率的估算；正确理解3．交越失真、攻放管的选用原则；4．甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理、分析计算；第五章集成电路运算放大器熟练掌握1．零点漂移、差模、共模、恒流源等概念；2．差模放大倍数的有关计算；正确理解3．共模抑制比及其计算；4．镜象电流源的工作原理；5．集成运算放大器的工作原理；6．运算放大器的主要参数。
第六章放大电路的频率响应熟练掌握1．频率特性等概念及影响频率特性的因素；2．会画Bode图（只含一个时间常数）；正确理解3．多级放大电路与单级放大电路频宽之间的关系。
【精品】模拟电子技术基础复习提纲
第9章 直流稳压电源
选择题、判断题 基本概念：半波整流、桥式整流、滤波、输
出电压平均值、输出电流平均值； 整流电路的分析、计算 电容滤波电路的计算 课后习题：P258-259 9.1-9.4
选择题、判断题、分析题 产生正弦波振荡的条件 识别各种正弦波振荡电路，掌握判断能否起
振的方法以及振荡频率的计算； 了解如何将矩形波变换为其他波形 课后习题：P213-216 7.1-8
第8章 功率放大电路
选择题、判断题、计算题 基本概念：导通角、输出功率、转换效率、
交越失真 功率放大电路的识别与计算 习题P229-231 8.1-5
第二章 晶体三极管及其基本放大电路（重点）
熟练掌握共发射极放大电路的计算；理解共 集电极放大电路的计算；了解共基极放大电 路。
会分析电路是否有可能放大正弦交流信号 会判断多级放大电路中每一级的基本接法 课后习题：除2.19-2.22以外的全部习题
第二章 晶体三极管及其基本放大电路（重点）
Hale Waihona Puke 第6章 基于集成运放的信号运算与处理电路(重点)
选择题、判断题、计算题、作图题 识别及计算各种运算电路（指数运算和对数
运算不要求），会与第5章负反馈的判断相 结合 识别及计算各种电压比较器 课后习题：P185-189 6.1-6.7 6.9 6.12 6.14
第7章 基于集成运放的信号产生与变换电路
几种典型差分放大电路的计算：
第4章 集成运算放大器（重点）
几种典型差分放大电路的计算：
第4章 集成运算放大器（重点）
几种典型差分放大电路的计算：
第4章 集成运算放大器（重点）
会判断能否构成复合管； 搞清楚使用“虚断”、“虚短”分析集成运
模拟电子技术基础复习提纲-全文可读
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电提纲及模拟试题
《模拟电子技术与数字电子技术复习提纲及模拟试题》复习提纲1、半导体基础知识、半导体二极管了解半导体的性质和导电特性，掌握二极管外特性2、晶体管掌握晶体管的电流放大作用及主要参数3、共射放大电路的工作原理、放大电路分析方法掌握放大电路的性能指标及共射放大电路的静态分析方法；了解图解分析法，重点掌握等效电路分析法4、静态工作点的稳定了解静态工作点稳定的必要性和典型的稳定电路5、单管放大电路的三种接法掌握共射放大电路的分析；了解共集、共基放大电路的分析6、多级放大电路掌握多级放大电路的耦合方式及多级放大电路的动态分析7、直接耦合放大电路了解零漂现象8、直接耦合放大电路掌握差分放大电路的组成和分析方法9、反馈的基本概念与基本组态掌握反馈的概念及反馈放大电路的分析方法、10、负反馈放大电路的方块图及一般表达式、深度负反馈分析掌握负反馈放大电路四种组态方块图表示方法；11、负反馈对放大电路性能影响及稳定性掌握深度负反馈的近似计算、了解负反馈对放大电路性能的影响，了解自激振荡现象12、基本运算电路掌握基本运算电路的分析方法13、正弦波振荡电路掌握正弦波振荡电路的组成和分析方法14、电压比较器掌握电压比较器的组成特点和分析方法15、数制、码制及逻辑代数、逻辑代数的基本公式和基本定理掌握数制、码制的概念及逻辑代数的三种基本运算；掌握逻辑代数的基本公式和基本定理16、逻辑函数及公式法化简掌握逻辑函数的表示方法和公式法化简、掌握逻辑函数的卡诺图化简法17、基本门电路了解二极管、三极管的开关特性和基本门电路18、组合电路掌握组合电路的分析方法和设计方法。
了解编码器、译码器、数据选择器、加法器、数值比较器的工作原理及其应用19、触发器掌握RS、JK、D、T触发器的结构、工作原理与动作特点；掌握触发器的功能及描述方法20、时序电路了解时序电路的分类，掌握时序电路的分析方法。
了解寄存器和移位寄存器的工作原理，掌握其使用方法、掌握计数器的功能和任意进制计数器的构成方法。
模电复习提纲(16级)
复习提纲(一)常用半导体器件1.PN结的单向导电性2.二极管的伏安特性3.稳压二极管的应用4.三极管的类型、电流放大原理、主要参数、输出特性曲线（理解三个工作区）(二)基本放大电路1.基本放大电路：三种组态及特点2.基本放大电路的分析方法（重点共射、共集Q点、动态分析）1)图解法（失真分析）2)小信号等效电路法(三)多级放大电路1.多级放大电路的耦合方式及分析（简单理解Au Ri Ro）2.几个概念：零点漂移、差模信号、共模信号、共模抑制比3.差分放大电路的分析（电路识别、定性分析）（四）放大电路的频率响应（会看波特图、f L、f H、BW、A u）（五）负反馈放大电路三会：1)会判断负反馈的组态2)会估算负反馈放大电路的放大倍数（重点：电压放大倍数A uf）3)会连线(即负反馈对性能指标的影响，根据要求，引入负反馈)（六）信号的运算与处理1.理想运算放大器a)条件b)虚断和虚短2.运算放大电路的分析a)同相比例运算（放大)电路（电压跟随器）b)反向比例运算电路c)求和运算电路d)减法运算电路e)积分运算电路及应用f)微分运算电路及应用3.滤波电路的基本概念和分类、滤波电路的选用（定性）（七）波形的发生和信号的转换1.RC正弦波振荡电路（振荡器组成、振荡条件、振荡频率计算、引入负反改善波形）2.LC正弦波振荡电路（起振相位条件的判断）3.电压比较器的分析（重点：单限比较器）（八）功率放大电路甲乙类OCL、OTL主要考查双电源互补对称电路的分析计算（P om、效率、选管、交越失真等）（九）直流电源1.桥式整流电路2.电容、电感滤波电路3.串联型稳压电路4.三端稳压器。
河北科技大学 模拟电子技术基础课程复习提纲
河北科技大学 模拟电子技术基础课程复习提纲
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《模拟电子技术基础》课程复习提纲
一、基本要求
（一）基本要求
1.掌握半导体器件的基本工作原理
2.掌握放大电路的基本分析方法，能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。
3.掌握多级放大电路的耦合方式的优缺点，正确估算多级放大电路的动态参数。
4.能够正确判断电路中反馈的性质和交流负反馈的组态。
5.掌握集成运放组成的基本运算电路的分析方法。
（二）重点掌握的内容
常用半导体器件的工作原理，外特性；放大电路的基本概念及分析方法，放大电路中反馈的判断，基本运算电路的分析。
二、复习内容
1.半导体器件基础 （1）半导体器件基础 （2）半导体二极管 （3）晶体三极管
2.放大电路基础 （1）性能指标
（2）放大电路的分析方法
（3）放大电路静态工作点的稳定 （4）放大电路的三种组态（以共射为 主）
（5）多级放大电路 3.集成运算放大电路
（1）集成运放的基本组成与功能 （2）差分放大电路 （3）功率放大电路 4.负反馈放大电路
（1）负反馈的基本概念和判别方法 （2）负反馈电路表示方法和近似估算 （3）负反馈对放大电路性能的影响。
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1.模拟电子技术：有关模拟电路的分析、设计、应用研究和工程实践，称为模拟电子技术。
2、电子技术：分析、设计电子电路；应用电子电路实现-—能量的控制、转换，—信号的采样、传输、变换、存储，—信号的分析、处理，
等功能的应用研究和工程实践，总称为电子技术。
3.电子电路：由电子元件、电子器件相互连接而成，具有一定功能的电路。
4.模拟电子电路：处理模拟信号的电子电路。
模拟信号：在时间和幅值上都是连续的电信号。
数字信号：在时间和幅值上都是离散的电信号。
电信号：载有特定物理信息的电压或电流，简称信号。
5.增益=输入/输出（s信号源，i输入、o输出）
6.（Rs信号源内阻，Ri放大电路输入电阻）
7.放大电路：对电子信号进行放大的电路。
( 最基本的模拟信号处理功能 )
放大电路是构成其他模拟电路（滤波、振荡、稳压）的基本单元电路.
8.放大电路的模型：放大电路是双端口网络：一个信号——输入口;一个信号——输出口。
放大电路有4种类型：电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。
9.在模拟电子系统里，一般而言，传感器的作用是把非电的物理量转换为电信号，传输给后面电子系统进行处理。
.放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。
放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
10.运算放大器：具有极高开环增益（105以上）的、多级直接耦合放大电路。
11.集成电路：将所有元器件及其之间的连接，同时制造在一小块单晶硅芯片上，并具有一定功能的电子电路。
11.运算放大器：输入电阻r i ≥ 106Ω（很大）; 输出电阻r o ≤ 100Ω（很小）
开环电压增益Av o ≥ 105（很高）
12.理想化条件下，集成运放工作在线性区的两个最重要的基本特征是：
虚短， Vp ≈ Vn ;虚断，ip ≈0， in ≈0
如何使运放工作在线性区？加入深度负反馈！前提:运放：理想；输入：小信号。
反馈 : 将输出信号引回到输入端，对放大电路的净输入产生影响。
负反馈 :净输入被削弱！
同向：反向：
13.本征半导体：完全纯净的，结构完整的半导体。
本征激发（热激发）：当半导体温度 > 0 K或受到光的照射时,价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，成为自由电子。
14温度一定时，本征半导体的自由电子和空穴浓度一定，温度升高时，该浓度升高，温度降低时，该浓度降低。
自由电子的定向运动形成电子电流，空穴的定向运动形成空穴电流。
15.半导体的掺杂特性：本征半导体中掺入杂质后，自由电子和空穴浓度都变化。
本征半导体中掺入五价杂质元素（如磷）后，自由电子浓度升高空穴浓度降低称为N 型半导体
本征半导体中掺入三价杂质元素（如硼）后，自由电子浓度降低空穴浓度升高称为P 型半导体。
16.多子的浓度取决于掺杂浓度；少子的浓度取决于温度。
17.N 型半导体自由电子是多数载流子，主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。
P 型半导体空穴是多数载流子，主要由杂质原子提供；自由电子是少数载流子，由热激发形成。
18.漂移运动：在电场作用引起的载流子的运动。
扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动
19.对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层、阻挡层。
20.外加电压使 PN 结 P 区的电位高于 N 区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。
21.PN结加正向电压：低电阻、大的正向扩散电流。
PN结加反向电压：高电阻、很小的反向漂移电流（反向饱和电流）。
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。
PN结具有单向导电性。
22.当V BR＜V＜0时，反向电流很小，基本不随反向电压变化，称为反向饱和电流I S 。
当V≥VBR时，反向电流急剧增加，这种现象称为反向击穿，VBR称为反向击穿电压。
23.二极管的主要参数 1、最大整流电流I F ：二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
2）、反向击穿电压V BR ：二极管反向击穿时的电压。
最大反向工作电压V RM ：实际工作时，V RM一般取1/2 V BR。
3）、反向电流I R ：室温下，在规定的反向电压(一般是V RM)下的反向电流值。
硅二极管的I R一般在纳安 (nA)级；锗二极管在微安(μA)级。
4）、反向恢复时间T RR：反映二极管正向导通到反向截止所需的时间。
24.二极管电路的简化模型分析方法：二极管 V/ I 特性的建模（理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型）、模型分析法应用举例（整流电路、静态工作情况分析、
限幅电路、开关电路）。
25.三极管结构特点：发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低。
基区很薄。
三极管具有电流放大作用的内部条件！。