第二节 晶体二极管

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《晶体二极管》PPT课件 (2)

《晶体二极管》PPT课件 (2)
在本征半导体中,掺入少量的三价元素杂质(硼、镓、 锢或铝等)则可使晶体中的空穴浓度大大增加,把这种 半导体称为P型半导体。
空穴称为多数载流子, 简称为多子;自由电子 称为少数载流子,简称 为少子。
7
(3)、多子和少子热平衡浓度
多子浓度约等于掺杂浓度。
当温度一定时,两种载流子的热平 衡浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度 值n i 的平方。
整块晶体内部晶格排列完全一致的晶体称为单晶。硅和锗的单 晶称为本征半导体,它是制造半导体器件的基本材料。
3
(2)、本征激发和复合
价电子从外界获得能量,将挣脱共价键的束缚成为自 由电子,简称为电子。同时,在共价键中留下了空位, 称为空穴,(自由电子和空穴统称为载流子)这种现 象称为本征激发 。
半导体的温度特性。 复合是激发的逆过程。
导体为容易传导电流的物质,如银、铜、 铝等金属。
绝缘体为几乎不传导电流的物质,如橡 胶、陶瓷、塑料……等。
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之 间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓 (GaAs)等。
2
1-1-1 本征半导体
(1)、本征半导体
硅和锗原子的简化模型
硅和锗晶体共价键结构示意图
将硅和锗提纯后制成晶体,其相邻原子之间靠共价键结合,
本征激发产生自由电子-空穴对
4
(3)、热平衡载流子浓度
当温度一定时,上述本征激发和复合在某一热平衡
载流子浓度值 n i(单位体积内的载流子数)上达到动
态平衡。
其值随温度升高而迅速增大,在室温附近,温度
每升高8℃时,硅的 n i 增加一倍、温度每升高12℃时, 锗的 n i 增加一倍,近似计算时认为温度每升高10℃ 时 n i 增大一倍。利用这种特性,本征半导体可以制 成热敏元件。另外,光照增强时 n i 也增大,导电能

晶体管基础知识

晶体管基础知识

第1章 半导体器件
I / mA
UZ UZ A O IZmin U/V + Ui B IZmax - R
(b)
+ Uz -
(a)
(c)
图10 稳压管的伏安特性曲线、 (a)伏安特性曲线;(b)图形符号;(c)稳压管电路
稳压管工作在击穿区时的稳定电压
5、汽车用整流二极管:P82—图5-21

汽车交流发电机用硅整流二极管,具有 一个引出极,另一个是外壳,参见教材P82 图5-21
汽车用二极管分为正向二极管和反向二 极管两种。正向二极管的引出端为正极,外 壳为负极,通常在正向二极管上涂有红点; 反向二极管的引出端为负极,外壳为正极, 通常在反向二极管上涂有黑点。
路里的开关元件,以及作为小电流的整流管。
N型锗片 阳极 引线 阴极 引线
铝合金小球
阳极引线 PN结
N型硅
金锑合金 底座
金属触丝 (a)
外壳 (b) 阴极引线
a)点接触二极管PN结接触面积小,不能通过很大的正向电
流和承受较高的反向工作电压,工作效率高, 常用来作为检波器件。
图7 半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型结构;(b)面接触型结构;
流很小,PN结截止,这就是PN结的单向导电性。
第1章 半导体器件
2. 半导体二极管
把PN结用管壳封装,然后在P区和N区分别向外引出一 个电极,即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基 本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、 稳压管和整流管等。
硅高频检波管
开关管
稳压管
整流管
发光二极管
电子工程实际中,二极管应用得非常广泛,上图所示即 为各类二极管的部分产品实物图。
图8 二极管的伏安

§2.2 晶体二极管习题4---2018-4-24

§2.2 晶体二极管习题4---2018-4-24

1第2章§2.2 晶体二极管习题4【考核内容】1、二极管工作状态的判断。

二极管电路习题【分析方法】:直接判断二极管两端正极对负极的电位差。

若题已经给出二极管两端的电位,可以直接判断二极管两端正极对负极的电位差。

(1)若二极管两端正极电位大于负极电位,0>PN U ,则二极管正向导通。

(1)若二极管两端正极电位小于负极电位,0<PN U ,则二极管反向截止。

【电路变型】电路如图所示,试判断电路中二极管的通断情况及输出电压。

V DD =10V (1)理想模型, V 0D =V (2)恒压模型,V 7.0D =V 硅二极管二极管习题4【例题1】电路如图所示,试判断电路中二极管的通断情况及A 点对地电压。

(设二极管均为硅管,其正向导通电压为0.7V)。

解答: 判断正极对负极的电位差,v U PN 7.0606<-=--=,二极管VD 反偏截止,-6V =U A【例题2】电路如图所示,试判断电路中各二极管的通断情况及A 点对地电压。

(设二极管均为硅管,其正向导通电压为0.7V)。

解答: V A =V B , AB 短路,V AB =0,D 1反偏截止。

【例题3】、电路如图所示,已知输入10sin i u t ω=(V ) 波形,试画出o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

二极管正向输入电压导通,二极管反向输入电压截止。

ttuu OOi o/V/V 10102晶体二极管自测题41、电路如图所示,试判断电路中二极管的通断情况及A 点对地电压。

(设二极管均为硅管,其正向导通电压为0.7V)。

2、电路如图所示,试判断电路中各二极管的通断情况及A 点对地电压。

(设二极管均为硅管,其正向导通电压为0.7V)。

3、电路如图所示,已知输入10sin i u t ω=(V ) 波形,试画出o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

4、电路如图所示,已知输入10sin i u t ω=(V ) 波形,试画出o u 的波形。

§2.2 晶体二极管习题2与答案---2018-4-18

§2.2 晶体二极管习题2与答案---2018-4-18

第2章§2.2 晶体二极管习题2与参考答案【考核内容】1、二极管工作状态的判断。

2.2 半导体二级管 2.2.4 二极管的用途2.2.4.1二极管恒压模型:考虑二极管正向导通两端电压恒压二极管电路习题【分析方法】1、判断二极管两端正极对负极的电位差,即二极管正负极电压:(1)若二极管两端正极电位大于负极电位,0>PN U ,N P V V >则二极管正向导通。

二极管处于正向导通状态,此时管子两端电压降变化不大,利用此特性,可将二极管看成电压源,一般电路判断为硅管,典型值V 7.0D =V 。

对于锗二极管,取V 3.0D =V 。

【注意】:硅二极管处于正向导通,P 区接正极,N 区接负极。

硅二极管导通等效电路(2)若二极管两端正极电位小于负极电位,0<PN U ,N P V V <,则二极管反向截止,二极管视为断路。

2、回路的“绕行方向”一般以二极管正极开始绕行,绕行到负极,在判断二极管两端正极对负极的电位差时,要写出正极对负极的所有电源的代数和,遇正为正,遇负为负。

习题 1--恒压二极管【例题1】如图所示电路,判断二极管的工作状态,写出电路的输出电压值。

设二极管为硅二极管硅二极管导通压降取0.7v 。

(1)解:分析:以二极管开始正极绕行,v E U AB 7.02>=≈,则二极管正向导通,U D =0.7V ,视为0.7V 电压源。

【注意】P 区接正极,N 区接负极。

电阻不标出阻值,并联两端电压相等,列出电源一端电压。

所以, V O1= -0.7+2=1.3V 。

简写:二极管正向导通,V O1= -0.7+2=1.3V 。

【例题2】如图所示电路,判断二极管的工作状态,写出电路的输出电压值。

设二极管为硅二极管硅二极管导通压降取0.7v 。

(2)解:以二极管开始正极绕行,v E U 7.012<-=-≈,则二极管反向截止,视为断路。

电阻R 无电流,所以, V O1=0V 。

晶体二极管ppt课件

晶体二极管ppt课件

+
VD2 = -12+6=-6v
uAO -
D1 , D2截止
UAO =-12V
思考题:
VD1
VD2
+
3v
3K 12v
uAO -
(c)
优先导通,
另一重新判断
习题
D1
D2
B
C
+
9V
2K 3V
3K U0
8V
-
求: U0 =? U0 =8v
+5V
求输出电压u0 , D的导通电压为0.7v
D1
3.6V
u0
1.4V
D2
0.3V
D3
u0 =1V
习题
1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为
B
( A、本征半导体 B、P型半导体 C、N型半导体)
2、N型半导体中少数载流子为 (A、自由电子 B、空穴 C、带正电的杂质离子) B
3、P型半导体是( A、带正电 B、带负电 C、中性) C 4、PN结加正向电压时,其正向电流是 (A、多数载流子扩散形成的 B、多数载流子漂移形成的 C、少数载流子漂移形成的) A 5、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体
反偏:是反向偏置的简称,反向偏置是指给PN结的
P端接电源的“-”极,N端接电源的“+”极的一种接法。 而PN结的反偏特性就是给PN结加反偏电压时所表现出的 特性。
晶体二极管(简称二极管)
构成:实质上就是一个PN结。
PN结+引线+管壳
+
阳极
PN
-
阴极
特性:单向导电性。 符号:
二极管的几种外形 主要用途:用于整流、开关、检波电路中。

§2.2 晶体二极管习题1与答案---2018-4-16

§2.2 晶体二极管习题1与答案---2018-4-16

第2章§2.2 晶体二极管习题1与参考答案【考核内容】1、二极管工作状态的判断。

2.2 半导体二级管*【模拟实验1】引入如图所示,直流电源E为6v,小灯电压6v,电阻900Ω;二极管的正向压降0.7v;R1=100Ω。

实验结果:开关在1位置,二极管D1导通,小灯亮。

实验结果:开关在2位置,二极管D1截止,小灯不亮。

实验结论:二极管是具有单向导电性的两极器件。

2.2.1 晶体二极管的结构和分类1.二极管结构半导体二极管又称晶体二极管,它由管芯(主要是PN结),从P区和N区分别焊出的两根金属引线正负极,P区引出为正极,或阳极,用“+”表示;N区引出为负极,或负极,用“-”表示。

以及用塑料、玻璃或金属封装的外壳组成,如图所示二极管的结构。

二极管的核心部分是PN 结,二极管是具有单向导电性的两极器件,这也是二极管的主要特性。

二极管符号:diode [daɪəʊd]2. 二极管分类(1)按半导体材料划分有硅二极管、锗二极管、砷化镓二极管等。

(2)按PN结结构划分有点接触型二极管、面接触型二极管、平面型二极管。

(3)按用途划分有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。

点接触型:结面积小,结电容小,允许电流小,最高工作频率高,用于检波和变频等高频电路。

面接触型:结面积大,结电容大,允许电流大,最高工作频率低,用于工频大电流整流电路。

*平面型:结面积可小、可大,小的工作频率高,大的结允许的电流大。

3、半导体器件型号命名方法半导体器件的型号命名,表2-1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。

表2-1-型号组成部分的符号及意义【举例】:2CZ3 :硅整流二极管,序号3 2CP11:硅普通二极管,序号112.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性:二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

描述了二极管两端电压与流过二极管的电流之间的关系。

晶体二极管(说课课件)2012

晶体二极管(说课课件)2012
1.二极管的组成分为: 2.二极管加正向电压时 、
高等教育出版社出版

。 。 之间
,加反向电压时 和
3.二极管的伏安特性是指流过二极管的 的关系。
4.从二极管的伏安特性曲线上我们知道:一般硅二极管 的“死区”电压约为 V。正向电压超过“死区”电压 后,电流随电压按指数规律增长。此时,两端电压降 基本保持不变,硅二极管约为 V,锗二极管约为 V。
《电子技术基础与技能》 张金华主编 说教法
高等教育出版社出版
以学生为主体,落实教学目标。
以学生为中心,教师采用“探究— 发现—证明—应用”的教学模式;突出 活动的组织设计与方法的引导,为学生 搭建参与、交流的平台。
多种教学手段并用,解决重、难点
结合本节教材的重点难点和我们学生 的特点,考虑到中职学校学生已经具有一 定的思维能力,主要突出能力目标的实现。 采取情境教学、实验教学、探究教学、多 媒体动画演示等教学方法,把主动权交给 学生,使学生主动参与到课堂中来。
SHEXIANZHIYEJISHUJIAOYUZHONGXIN
《电子技术基础与技能》 张金华主编
高等教育出版社出版
学情分析
授课对象: 职专12春电子电工班
理论基础差 分析能力较弱
好奇心强
对具体事务 比较感兴趣
喜欢动手 和实践操作
涉县职教中心 张晓刚
SHEXIANZHIYEJISHUJIAOYUZHONGXIN
难 点 问 题 解 决
涉县职教中心 张晓刚
SHEXIANZHIYEJISHUJIAOYUZHONGXIN
分组讨论:当加在二极管两端的电压大小 和方向发生变化时,流过二极管的电流又是如 何变化的呢? 教师引导学生在原有实验基础上设计新电 路,一起研究二极管电压和电流的关系。教师 和学生一起动手做“研究二极管电压电流关系” 的演示实验,边做边指导学生读数并让学生记 录实验数据;根据数据一起做练习:绘制出 “二极管伏安特性曲线”;利用多媒体课件具 体分析“二极管伏安特性曲线”的特点,并介 绍二极管的主要参数。这个过程重在强化“实 验―记录数据―分析数据―总结规律”的研究 方法,并改变以往演示实验的做法,充分发挥 学生的主体地位。教师引导学生动脑设计、亲 自操作、相互交流、归纳总结,使学生既学习 知识又锻炼能力,爱学更会学。

电工电子技术晶体二极管教案

电工电子技术晶体二极管教案

电工电子技术晶体二极管教案一、教学内容本节课选自《电工电子技术》教材第四章第二节,详细内容为晶体二极管的基本原理、性质、主要参数以及应用。

重点介绍晶体二极管的结构、工作原理、单向导电特性以及其在电路中的应用。

二、教学目标1. 理解晶体二极管的基本原理,掌握其性质和主要参数。

2. 学会分析晶体二极管在电路中的作用,并能正确选择和使用。

3. 培养学生的实验操作能力和动手能力,提高学生解决实际问题的能力。

三、教学难点与重点教学难点:晶体二极管的工作原理和单向导电特性。

教学重点:晶体二极管的应用及电路分析。

四、教具与学具准备1. 教具:多媒体课件、实验演示装置、晶体二极管样品。

2. 学具:实验箱、晶体二极管、电阻、电容、直流电源等。

五、教学过程1. 实践情景引入:通过展示发光二极管、整流器等实际应用,引导学生了解晶体二极管在实际电路中的作用。

2. 理论讲解:a. 晶体二极管的结构与原理。

b. 晶体二极管的单向导电特性。

c. 晶体二极管的主要参数。

3. 例题讲解:分析一个简单的晶体二极管电路,让学生理解其工作原理。

4. 随堂练习:设计一个晶体二极管整流电路,并进行分析。

5. 实验操作:a. 观察晶体二极管单向导电特性。

b. 制作一个简单的晶体二极管整流电路,并测试。

六、板书设计1. 晶体二极管的结构与原理2. 单向导电特性3. 主要参数4. 应用实例七、作业设计1. 作业题目:设计一个晶体二极管电路,实现直流电源的整流。

2. 答案:电路图及整流原理分析。

八、课后反思及拓展延伸1. 反思:本节课学生掌握晶体二极管的基本原理和应用情况,但对实验操作部分还需加强指导。

2. 拓展延伸:引导学生了解其他类型的二极管,如光敏二极管、稳压二极管等,以及它们在实际电路中的应用。

重点和难点解析1. 晶体二极管的工作原理和单向导电特性。

2. 晶体二极管的应用及电路分析。

3. 实验操作部分的指导。

一、晶体二极管的工作原理和单向导电特性晶体二极管是一种半导体器件,其内部由P型半导体和N型半导体组成。

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第二节 晶体二极管
一、二极管的结构和分类
1.二极管的结构 PN 结加上引出线和管壳就构成了晶体二极管(简称二极管),由P 型半导体引出的是正极(又称阳极),由N 型半导体引出的是负极(又称阴极)。

使用二极管时,要注意极性不能接错,为此,常常在管壳上标明色点,表示该端为正极,或标以二极管的符号,二极管的符号如图1-2-1所示,其箭头表示正向导通电流的方向。

2.分类 按二极管的结构不同,二极管可分点接触型和面接触型两种,点接触型二极管的PN 结面积和极间电容均很小,不能承受高的反向电压和大电流,因而适用于制做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件,以及作为小电流的整流管。

面接触型二极管或称面结型二极管的PN 结面积大,可承受较大的电流,其极间电容大,因而适用于整流,而不宜用于高频电路中。

k 阴极
阳极a
二、二极管的伏安特性
二极管的导电性能可用伏安特性曲线表示.它是指通过二极管的电流与加于管子两端电压之间的关系,硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线如图1-2-2所示.它可用晶体管特性图示仪或实验测试出来,下面以硅二极管为例分述如下。

1.正向特性 曲线从坐标原点开始,当外加正向电压很小时,外电场不足以克服内电场的阻挡作用,多子扩散运动受阻,二极管呈高阻,正向电流几乎为零,这段区域通常称为死区.锗管的死区电压纶0.1V ,硅管的死区电压约0.5V 。

当外加电压为正且超过死区电压后,内电场被大大削弱,二极管导通,电阻大大减小,正向电流随电压增高而迅速增大,在正常使用电流范围内,二极管两端电压几乎维持恒定。

在室温下,小功率锗管约为0.2--0.3V ,硅管约为0.6-0.8V 。

2.反向特性 二极管外加反向电压时,内电场被加强,少子漂移运动形成了反问饱和电流Is 。

由于少子数量有限,反向饱和电流很小,而且与反向电压大小基本无关,在室温下,硅管的反向饱和电流在1微安以下,而锗管的反向饱和电流约几~几十微安,反向饱和电流越大,二极管的反向特性越差,反向饱和电流会随温度升高而迅速增加。

由正向特性和反向特性可知,二极管具有单向导电性,二极管的实质就是PN 结。

3.反向击穿特性 当反向电压超过一定值后,反向电流突然急剧增大,二极管失去单向导电性,这种现象称为二极管的反向击穿,如图1-2-3所示。

相应的电压称反向击穿电压,二极管击穿时,加在PN 结上的电压,电流均很大.若没有限流措施,将会因电流过大,烧毁PN 结,一般点接触型二极管的反向击穿电压为数十伏,面接触型的为数百伏,最高可达几千伏。

4.温度对特性的影响 由于二极管的核心是一个PN 结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。

 
-I
S
锗管
硅管击穿
三、二极管的主要参数
为了正确选择和使用二极管,必须了解二极管的类型,用途和性能参数,供实际应用参考,二极管有以下主要参数。

1.最大整流电流I FM
二板管长期工作时,允许通过二极管的最大正向平均电流值,与环境温度和散热条件有关。

实际应用时,通过二极管的正向平均电流不得超过此值,否则将使管子过热而损坏。

2.最高反向工作电压U RM 该电压是指允许加在二极管两端的反向电压的峰值,为安全起见,最高反向工作电压约为反向击穿电压的一半,使用时,加在二极管两端的反向电压峰值不能超过U RM 值。

例如2AP1最高反向工作电压规定为20V ,而实际反向击穿电压可大于40V 。

3.反向饱和电流I R 反向饱和电流I R 是指二极管未被击穿时的反向电流。

I R 越小说明二极管的单向导电性能越好,它会随温度升高而急剧增大。

4.最高工作频率f M 最高工作频率f M 是指保持二极管单向导通性能时,外加电压允许的最高频率。

二极管工作频率与PN 结的极间电容大小有关,容量越小,工作频率越高。

二极管的参数很多,除上述参数外,还有结电容、正向压降等,实际应用时,可查阅半导体器件手册。

四、选择二极管的原则
首先要保证所选管子能安全,可靠地工作,也就是使用不超过它的极限值,并留有
一定余地。

此外,根据要求,选择经济、实用的管子。

一般的原则是:要求反向电压高、耐高温、反向电流小、正向电流大时,选硅管。

要求死区电压小、正向电压小,工作频率高时,选锗管。

例1.1 有同型号二极管三只,测得数据如下表所示,试问哪个管子性能好?哪个管子性能差?
解:甲管单向导电性能最好,因为它耐压高,反向电流小,正向电压相同情况下,正向电流大。

五、特殊晶体管
除了普通二极管,还有特殊用途的二极管,如稳压二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管等。

1.硅稳压二极管稳压管是一种用特殊工艺制造的面结合型硅半导体二极管,它与电阻配合具有稳定电压的特点
(1)稳压管的伏安特性
图1-2-3是稳压管的伏安特性曲线和电路符号,与普通二极管不同的是,稳压管正常工作在反向击穿状态.只要反向电流控制在一定范围内,PN结的功率损耗和结温不超过允许值,管子就不会烧坏。

由图可见,在反向击穿区,当反向电流在一定范围内变化时,稳压管两端的反向电压基本不变。

因此,利用这一特性,可在电路起稳压作用。

(2)稳压管的主要参数
1)稳定电压Uz 稳定电压是指稳压管中的电流为规定电流时稳压管两端的电压值,由于制造的分散性,即使同一型号的稳压管的稳定电压也略有不同,例2CW55,其稳定电压Uz在6.2—7.5之间,但对某一稳压管,其稳定电压是一确定值。

2)稳定电流Iz 稳定电流I Z是指稳压管工作至稳压状态时流过的电流。

当稳压管稳定电流小于最小稳定电流I Z max时,没有稳定作用;大于最大稳定电流I Z max时,管子因过流而损坏。

 
3)最大耗散功率P ZM 稳压管额定功耗P ZM是保证稳压管安全工作所允许的最大功耗。

其数值为稳定电压Uz和允许的最大稳定电流I zmax的乘积。


4)动态电阻r Z 动态电阻r Z是指稳压管两端电压的变化量ΔU Z与对应电流变化量ΔI Z 之比,r Z随工作电流不同而变化,电流越大,r Z越小,稳压性能也越好5)电压温度系数α当温度变化1℃时稳压管的稳压值U Z的相对变化量。

例如,2CW17的电压温度系数为9×10-4/℃。

稳压值低于4V的稳压管,电压温度系数为负(表现为齐纳击穿);高于7V的稳压管,系数为正(表现为雪崩击穿);而在4V和7V之间的管
子(呈现两种击穿),温度系数度很小。

(3)稳压管的应用图1-2-4是稳压二极管用来构成的稳压电路,其中R1为限流电阻,负载R L两端直流电压Uo=U Z
1)当稳压电路的输入电压Ui保持不变,负载电阻R L增大时,输出电压U O将升高,稳压管两端的电压U Z上升,电流I Z将迅速增大,流过R的电流I R也增大,导致R1上的压降U R上升,从而使输出电压U O下降。

上述过程简单表述如下:
R L↑ 
U O↓
如果负载R,输出电压
2)当负载电阻电网电压下降导致U O也将随之下降,但此时稳压管的电流R1U I的下降,使输出电压基本保持不变。

上述过程简单表述如下:

如果输入电压U I升高,R上压降增大,其工作过程与上述相反,输出电压U O仍保持基本不变。

 
由以上分析可知,硅稳压管稳压原理是利用稳压管两端电压U Z的微小变化,引起电流I Z的较大的变化,通过电阻R1起电压调整作用,保证输出电压基本恒定,从而达到稳压作用。

在汽车的仪表电路和部分电子控制电路中,一些需要精确电压值的地方常利用稳压管来获取所需电压。

如图1-12所示简化汽车仪表稳压电路中,利用稳压管可为汽车仪表提供稳定的工作电压。

由图可见,稳压管与汽车仪表并联,当电源电压发生变化时,将引起不同大小的电流流过电阻和稳压管,从而改变降落在电阻上的电压,而稳压管始终维持其稳压值不变。

仪表
图1-2-5 稳压管在汽车上的应用
2.发光二极管发光二极管(简称LED)与普通二极管一样,也是由PN结构成的,同样具有单向导电性,但在正向导通时能发光,所以它是一种把电能转换成光能的半导体器件。

发光二极管常用砷化镓、磷化镓等化合物半导体制成。

发光的颜色主要取决于所用材料,有红,橙、黄,绿等颜色。

此外,还有变色发光二极管,即当通过二极管的电流改变时,发光颜色也随之改变,发光二极管外形及电路符号如图1-13所示。

发光二极管具有体积小,工作电压低(正向电压约为1-2V)工作电流小(几毫安一几十毫安),寿命长等优点,从而得到广泛应用。

常被用来作为显示器件,除单个使用外,也常做成七段式或矩阵式器件。

发光二极管的另一个重要的用途是将电信号变为光信号,通过光缆传输,然后再用光电二极管接收,再现电信号
3.光敏二极管光敏二极管工作在反偏状态,它的管壳上有一个玻璃窗口,以便接受光照,在无光照时,反向饱和电流很小(一般小于1μA),称为暗电流.当有光照时,产生电子一空穴对,统称光生载流子.光线越强,光生载流子越多,在外电路反偏电压作用下,形成的反向电流越大,称为光电流.光电流与光照强度成正比,通过电路外接负载,可获得随光照强弱变化的电信号,从而实现光电转换,其反向电流随光照强度的增加而上升,即反向电流与光照度成正比。

图1-2-7是红外光敏二极管的电路符号及其
简易检测方法示意图,光敏二极管常用作传感器的光敏元件,可将光信号转换为电信号,大面积的光敏二极管可用作能源,即光电池。

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