第一章、晶体二极管测试题1
第1章 晶体二极管和二极管整流电路单元测试题一（时限45分钟）1、 判断题：
1、 在半导体内部，只有电子是载流子。（ ）
2、 在N型半导体中，多数载流子是空穴。（ ）
3、 少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（ ）
4、 在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（ ）
5、 一般来说，硅二极管的死区电压（门槛电压）小于锗晶体二
极管的死区电压。（ ）
6、 用万用表测某晶体二极管的正向电阻式、时，插在万用表
有“+”号插孔中测试表笔（红表笔）所连接的二极管的管脚是
二极管的阳极，另一极是阴极。（ ）
7、 晶体管击穿后立即烧毁。（ ）
8、 晶体二极管在反向电压小于击穿电压时，反向电流极小；当
反向电流大于反向击穿电压后，反向电流会迅速争大。（ ）
2、 选择题：
1、 当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（ ）。
A.少数载流子 B.多数载流子 C.暨有少数载流子又有多数载
流子
2、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管
处于（ ）。
A.零偏 B.反偏 C.正偏
3、面接触型晶体二极管比较适合于（ ）。
A.小信号检波 B.大功率整流 C.大电流开关
4、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（ ）。
A.减小 B.增大 C.不变
5、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡
拨到（ ）。
A.R A.R A.R*100Ώ或R*1KΏ挡 B.R*1Ώ挡 C.R*10KΏ挡
6、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（
）。
A.P型半导体 B.本征半导体 C.N型半导体
7、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向
电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于（ ）。A.大电阻 B.断开的开关 C.接通的开关
8、当硅二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（ ）。
A.小阻值电阻 B.阻值很大的电阻 C.内部短路
三、填空题：
1、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。
2、PN结具有 性能，即：加 电压时PN结导通；加 电压时PN结
截止。
3、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向电压降为 V，锗二极管
的正向压降为 V。
4、2AP系列晶体二极管是 半导体材料制成的，2CP、2CZ系列晶
体二极管是 半导体材料制成的。
5、晶体二极管因所加 电压过大而 ，并且出现 的现象，称为
热击穿。
6、把交流电转换成直流电的过程称为 。原理是利用晶体二极管
的 性。常用的整流电路有： 、 、 等。
7、硅稳压二极管的主要参数是： 、 、 、 。
8、滤波电路的作用是： 。
9、常见的滤波器有： 、 、 等。
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第一章 半导体二极管
I类题
一、简答题
1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？
答杂质半导体有P型半导体和N半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN结？PN结最基本的特性是什么？
答；P型半导体和N型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN结。PN结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？
答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题
1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？
答：b不亮
2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y的电位UY及各元件（R，VDA，VDB）中通过的电流；（1）UA=UB=0V；（2）UA=+3V，UB=0V；
答：（1）VY=0V
mA33.9KΩ12VRI mA5.1232RDBDAIII （2）DB导通，DA截止 VY=0V
mA39.312RI V0DAI mA3DBI
3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求UAO=？
答：a）图中，二极管导通，UAO=-6V；b）图，二极管截止，UAO=-12V；c）图V1导通，V2截止，UAO=0V。
II类题
一、简答题
1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？
答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3． 为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。加不同电压时二极管的内阻不同，而万用表的不同电阻档的表笔之间的电压不同，造成测量值差别很大。
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第一章 常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、 填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体
三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。
2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N
型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数
相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是
空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是
电子 。
4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止
。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为
0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路
及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。 7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。
9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、
稳压二极管 、
开关 、 热敏 、 发光 和 光电二极管 等二极管。
10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。
第1章 习题及答案
第1章 习题及答案
选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入
元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C.
变宽
（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小
（4）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C
写出图所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
图
解：（1）UO1=2V （2）UO2=2V （3）UO3=2V
写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝。
图
解：（1）UO1=0V （2）UO2= （3）UO3=-2V
电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。
图
解：uO的波形如解图所示。
解图
电路如图所示，二极管导通电压UD＝，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少
解：二极管的直流电流 图
ID＝（V－UD）/R＝
晶体二极管复习题
.
. 晶体二极管复习题
一、填空题：
1、晶体二极管加 时导通，加 时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
2、所谓半导体是指 。半导体中存在两种载流子： 和 。
3、 的半导体称为本征半导体。
4、P型半导体又称为 半导体，其内部 为多数载流子， 为少数载流子。
5、N型半导体又称为 半导体，其内部 为多数载流子， 为少数载流子。
6、晶体二极管是在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从 区引出，负极从 区引出。P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层称为PN结，PN结具有 性。
7、加在二极管两端的 和 间的关系称为二极管的伏安特性，二极管的伏安特性曲线是 的（填“线性”或“非线性”）。
8、二极管的门坎电压：硅： ，锗： 。
9、二极管的导通电压：硅： ，锗： 。
10、当二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管处于 状态。
11、当二极管的反向电压小于反向击穿电压时，反向电流很小，它不随反向电压而变化，称为 。
12、用万用电表测试二极管时，将万用表拨到 挡，一般用
挡。用红黑表笔分别接二极管的两端测试一次，再将红黑表对调再测试一次，若两次测得的值都很大，则表明 ；若两次测得的值都很小，则表明 ；若一次大一次小，则表明 ，其中电阻较小的那一次黑表笔所接的为二极管的 极。
电子电路基础判断题
第一章
常用半导体器件
1-1 晶体二极管
二．判断题
1． 在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（T）
2． P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（F）
3． 晶体二极管有一个PN结。所以有单向导电性。（T）
4． 晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（T）
5． 硅稳压管的动态电珠愈小，则稳压管的稳压性能愈好。（T）
6． 将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其叫界处形成PN结。（T）
7． 稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（F）
8． 用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻。其数值是相同的。（F）
9． 二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（F）
10． 二极管的反向电阻越大，其单向导电性能就越好。（T）
11． 用500型万用表测试发光二极管，应该R*10k挡。（T）
1-2 晶体三极管
二．判断题
1．晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。（F） 2． 三极管的放大作用具体体现在Ic=ßIb。（T）
3． 晶体三极管具有能量放大作用。（F）
4． 硅三极管的Icbo值要比锗三极管的小。（T）
5． 如果集电流Ic大于集电极最大允许电流Icm时，晶体三极管可顶损坏。（F）
6． 晶体二极管和三极管都是非线性器件。（T）
7． 3CG21管工作在饱和状态时，一定是Ube
8． 某晶体三极管的Ib=10μA时。Ic=044mA;当Ib=20μA时。Ic=0.89mA,则它的电流放大系数ß=45。（T）
9． 因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结。所以用两个二极管可以连接成一个三极管。（F）
10． 判断题1-2-1所示各三极管的工作状态（NON型为硅管。PNP型为锗管）。
a)(放大)；b)(饱和)；c)(截止)；d)(放大)
11． 复合管的共发射极电流放大倍数ß等于两管的ß1，ß2之和。（F）
晶体二极管三极管测试题
晶体二极管、三极管测试题
中国计量学院2021 ~ 2021学年第 二 学期 《 模拟电子线路 》单元考试试卷
开课系部： 信息工程学院 _ ， 考试时间： 年____月____日 时 考试形式：闭卷□√、开卷□，允许带 笔、尺子、计算器等文具 入场
考生姓名： 学号： 专业： 班级：
题序 得分 评卷人 一 二 三 四 五 六 七 总分 一、选择题（共22分，1-6，8各2分，第七题1分） 1、稳压二极管是工作在伏安特性的（ ）区。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 D．放大区 2、某三极管工作于放大状态，则其发射结和集电结的偏置为( )。 装 A. 正偏，正偏
B. 正偏，反偏 C. 反偏，正偏 D. 反偏，反偏 3、下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是 ( )。 ++ RLRLVi Vi 定 --AB
++ 线
ViViC--D4、共集电极放大电路的特点是( )。
A． 输入电阻很小，输出电阻很大 B. 输入电阻很大，输出电阻很小 C． 电压放大倍数很高 D. 可用作振荡器
5、下列各组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用是（ ）
A． 共射组态 B. 共基组态 C. 共集组态
6、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。
A. 83 B. 91 C. 100 7、现有直接耦合基本放大电路如下：
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第一章 常用半导体器件
§1-1 晶体二极管
一、 填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体
三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。
2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N
型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数
相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是
空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是
电子 。
4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止
。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为
0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路
及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。 精品文档
精品文档 7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。
9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、
稳压二极管 、
开关 、 热敏 、 发光 和 光电二极管 等二极管。
10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。
13级《计算机电路基础》半导体 晶体二极管习题一答案2021 10 2
13级《计算机电路基础》半导体 晶体二极管习题一答案2021 10
2
13级《计算机电路基础》半导体晶体二极管习题一答案2021-10-2
13级“计算机电路基础”练习1的答案
§2.1半导体的基本知识§2.2晶体二极管
一、 填空
（1）二极管按所用材料可分为硅和锗两类；按pn结的结构特点可分为点接触和面接触两种。（2）pn结的正向接法是p型区接电路源的正极，n型区接电源的负极。
（3） 二极管的电压-电流关系可以简单地理解为正偏压（二极管两端的正电压）开启和反向偏压（二极管两端的反向电压）关闭的特性。导通后，硅管压降约为0.6~0.7V，锗管压降约为0.2~0.3V。
（4）在判别锗硅二极管时，当测出正向压降为0.2～0.3v，此二极管为锗二极管；当测出正向压降为0.6～0.7v，此二极管为硅二极管。
（5） 当施加在二极管上的反向电压增加到一定值时，反向电流将突然增加。这种现象被称为反向击穿现象。（6） 理想二极管正向导通时，管压降为0V。反向截止时，其电流为0μa
7半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”，称为载流子8载流子包括自由电子和空穴
二极管的导电性由施加在二极管两端的电压和流过二极管的电流决定。两者之间的关系称为二极管的伏安特性
10自然界的物质，就其导电性能，大致分为三类：一类是导电性能良好的物质叫导体，如银、铜、铝、铁等金属；另一类是在一般条件下不能导电的物质叫绝缘体，如陶瓷、塑料、橡胶、玻璃等；还有一类物质，其导电性能介于导体和绝缘体之间称之为半导体，如硅、锗、砷化镓等。
11没有任何杂质的单晶半导体称为本征半导体。本征半导体被加热或获得其他能量以激发电子-空穴对的现象称为本征激发。在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子空穴对。
12在本征半导体硅或锗的晶体内掺入微量的五价元素杂质，如磷或锑等，就形成了n型半导体。 经过特殊处理后，如果p型半导体和n型半导体紧密结合，在两个半导体的界面上将出现一个具有特殊物理现象的极薄区域，称为PN结
电子技术基础试题库NO1晶体二极管和三极管的基本特性.docx
NO1 •晶体二极管和三极管的基本特性
一、填空题
A类
1 .半导体是一种导电能力介于 ______ 与 ______ Z间的物质。
2・半导体按导电类型分为 _______ 型半导体与 _______ 型半导体。
3 . N型半导体主要靠 _______ 来导电，P型半导体主要靠 _______ 来导电。
4 . PN结具有 _______ 性能，即加正向电压时，PN结 ________ ,加反向电压时，PN结 ___________ o
5 .晶体二极管主要参数是 _________________ 与 _________________ o
6. __________________________________________________________________________ 晶体二极管按所用的材料可分为—和—两类，按PN结的结构特点可分为—和 _________________________ 两种。
7 . PN结的正向接法是P型区接电源的 _______ 极，N型区接电源的 ____ 极。
8. 晶体二极管的伏安特性可简单理解为 _____ 导通， _______ 截止的特性。导通后，硅管的管压降约
为—，错管约为 ________ o
9. P型半导体中的多数载流子是 _______ ,少数载流子是 ________ o
1 0. N型半导体中的多数载流子是 __________ 、少数载流子是 _______ o
1 1・晶体三极管三个电极分别称为 ______ 极、—极和—极，它们分别用字母_、_和_表示。
1 2.为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加 ________ 电压，集电结须加 ______ 电压。
1 3.由晶体三极管的输出特性可知，它在 __________ 、 _______ 和 ______ 三个区域。
1 4、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做 ______________ ,另一个叫
晶体二极管及应用练习题
- 1 - 第一题 晶体二极管及应用练习题
一、 填空题。
1、物质按其导电性能分为 、 、 。
2、半导体具有 、 、 。
3、本征半导体是指 的半导体。其内部自由电子数
空穴数。
4、自由电子带一个单位的 电荷，空穴带一个单位的 电荷，它们电性 ，电量 。
5、运载电荷，形成电流的微粒称为 。
6、半导体中的载流子有 和 两种。
7、N型半导体是在 中掺入微量的 价元素形成一种
型半导体。其内部自由电子数 空穴数。
8、P型半导体是在 中掺入微量的 价元素形成一种
型半导体。其内部自由电子数 空穴数。
9、在一块本征半导体基片上，采用特殊方式，使一边形成P型半导体区域，另一边形成N型区域，在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。这个薄层就是
。
10、PN结的内电场方向是 。
11、如果给PN结加上电压称为给PN结以 。
12、若PN结的P区接电源的 极，N区接电源
极，称为正向偏置，简称 ；若PN结的P区接电源的 极，N区接电源 极，称为反向偏置，简称 。