材料科学基础第九章复习资料 西南石油大学 北京工业大学版
《材料科学基础》部分章节试题及答案(大学期末复习资料).docx
第三章作业答案1.说明面心立方结构的潜在滑移系有12个，体心立方结构的潜在滑移系有48个。
解：面心立方晶体的滑移系是｛111｝ < 1-10> , (111｝有四个，每个｛111｝面上有三个〈110〉方向，所以共有12个潜在滑移系。
体心立方晶体的滑移系是(110｝ <- 111 > , ｛211｝ <- 111 >以及｛312｝ < -111 >o｛110｝面共有6个，每个｛110｝面上有两个<-111 >方向，这种滑移系共有12个潜在滑移系; ｛211｝面有12个，每个“211”面上有1个〈111〉方向，这种滑移系共有12个潜在滑移系；｛312｝面共有24个，每个｛312｝面上有1个<-111 >方向，这种滑移系共有潜在滑移系24个, 这样，体心立方晶体的潜在滑移系共有48个。
2.一个位错环能否各部分都是螺位错？能否各部分都是刃位错？为什么？解：螺位错的柏氏矢量与位错线平行，而一个位错只有一个柏氏矢量，一个位错环不可能与一个方向处处平行，所以一个位错环不能各部分都是螺位错。
刃位错的柏氏矢量与位错线垂直，如果柏氏矢量垂直位错环所在的平面，则位错环处处都是刃位错。
这种位错的滑移面是位错环与柏氏矢量方向组成的棱柱面，这种位错又称棱柱位错。
3.纯铁的空位形成能为105kJ/mol.将纯铁加热到850°C后激冷至室温(20°C),假设高温下的空位能全部保留，试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。
解：G，=4exp(-g)850 °C (1123K)后激穆室温可以认为全部空位保留下来Exp(31.87)4.写出距位错中心为R1范围内的位错弹性应变能。
如果弹性应变能为R1范围的一倍，则所涉及的距位错中心距离R2为多大？解：距位错中心为&范围内的位错弹性应变能为E = 竺瓦马。
4忒Ab如果弹性应变能为&范围的一倍，则所涉及的距位错中心距离R2为2 竺= 也4.K Ab A TT K Ab即R,=¥2 Ab5.简单立方晶体(100)面有一个b=[001]的螺位错。
材料科学基础复习资料
材料科学基础复习资料材料科学基础是各个工程领域的基本学科，是各个领域的基础。
材料科学基础涵盖了材料的结构、物理与化学性质、制备工艺等方面内容，是材料科学领域学习过程中必须掌握的知识。
因此，为帮助有需要的人顺利复习材料科学基础知识，本文整理了一些相关的复习资料。
一、材料基础知识1. 基本的物理性质：包括化学成分、密度、电导率、热导率等基本参数，通常在每种材料的材料数据表中都可查到。
2. 结构相关：晶体结构：晶体结构指材料中原子、离子、分子排布的类型和规律，常用的晶体结构有：立方晶系、四方晶系、六方晶系、等轴晶系、正交晶系、单斜晶系、三斜晶系等。
非晶态：非晶态作为一种新兴的材料类型，其分子呈无序排列，在某些情况下可能拥有更好的性能。
3. 材料特性：热膨胀系数：在温度变化时，材料线膨胀的速度大小，通常用公式ΔL/L0 = αΔT 表示，其中α为热膨胀系数。
韧性：材料在受到剪切力或拉伸力时的弹性变形程度，是一种考量材料性能的指标，通常可以通过材料变形曲线进行查看。
4. 金属与合金相关：金属材料通常具有良好的导电、导热等特性，同时在高温、高压等环境下具有较强的稳定性。
合金则通常是由多个金属或者非金属元素组成的混合物，其性质与材料组分、配比等有关。
二、材料治理、工艺及应用1. 材料的处理：常用材料的处理包括固化、焊接、框架处理、表面处理以及高压工艺等，其中固化的过程包括了煅烧、烧结等过程。
2. 材料配方：通常材料的配方根据材料的成分、目的等进行确定，其中分子键长、键能以及分子排列等指标都可能用来确定最终配方。
3. 材料的加工工序：通常材料加工工序包括切削、钣金、打压成形等过程，每个工序都会影响材料的性质和特性。
三、材料的主要分类1. 材料的物理分类：主要涉及到材料的形态、密度以及各种物理性质，通常有固体、液体、气体以及等离子体等分类方式。
2. 材料的化学分类：不同的元素应用于不同的方案分类，这种分类通常依据材料的化学成分。
材料科学基础第九章复习资料西南石油大学北京工业大学版
材料科学基础第九章复习资料西南⽯油⼤学北京⼯业⼤学版材料科学基础第九章1.弹性模量：产⽣弹性形变时所需的应⼒，⼯程上表征材料对弹性变形的抗⼒。
2.滞弹性：在弹性范围内，应变落后于应⼒的⾏为称为滞弹性。
3.普弹性：陶瓷材料，⾦属材料及玻璃态⾼分⼦材料在较⼩负荷下⾸先发⽣的形变。
特征：1：应⼒与应变符合线性关系及胡克定律。
2：加上或去除应⼒时，应变都能瞬时达到平衡4.⾼弹性：特点是弹性模量⼩、形变量⼤，变性具有热效应，伸长时放热，回缩时吸热，且在⼀定条件下表现出明显的松弛效应。
5.内耗：由于应变滞后于应⼒，在适当频率的外⼒作⽤下，应⼒-应变曲线就变成了封闭回线，这⼀过程将产⽣不可逆的能量消耗，回线所包围的⾯积就是应⼒循环⼀周所消耗的能量，称内耗。
10.施密特定律：==式中称为取向因⼦，记作。
ON、OP、OT，都在同⼀平⾯上时，则有，当时=，滑移处于最有利的位置，称为软取向。
当，称为硬取向。
11.临界分切应⼒：能引起滑移或孪⽣所需要的最⼩分切应⼒。
12.多系滑移：由临界分切应⼒定律可知，当对⼀个晶体施加外⼒时，可能会有两个以上的滑移系上的分切应⼒同时满⾜的条件，⽽使各⾃滑移⾯上的位错同时启动，这种现象称为多系滑移。
13.交滑移：螺位错因柏⽒⽮量与位错线平⾏，滑移⾯有⽆限多个。
因此当螺位错在某⼀⾯上的运动受阻时，可以离开这个⾯⽽沿另⼀个与原滑移⾯有相同滑移⽅向的晶⾯继续滑移，由于位错的柏⽒⽮量不变，为错在新的滑移⾯上仍按照原⽅向运动，这⼀过程就叫做交滑移。
14.主滑移系：当外⼒在某⼀滑移系上的分切应⼒值超过时，该滑移系开始启动，我们把这⼀滑移系称作主滑移系。
15.共轭滑移系：随着⼀次滑移的进⾏，晶体的取向相对于加载轴发⽣着变化，滑移到⼀定程度后，另⼀个等同的滑移系也能满⾜条件⽽参与滑移，该滑移系称为共轭滑移系。
16.扭折带：晶体在滑移和转动时，若在某些部位受阻，位错在那⾥堆积，使滑移和转动只发⽣在⼀个狭窄的带状区域，这个区域就叫做扭折带。
北工大材料科学基础09及11年考研真题(09附答案)
北工大材料科学基础09及11年考研真题(09附答案)试卷九2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：材料科学基础适用专业：材料科学与工程一、名词解释1．共价键2．晶族3．电子化合物4．相平衡5．线缺陷6．稳态扩散7．形变织构8．动态再结晶9．一级相变10．调幅分解二、填空1．可以按旋转轴和旋转反伸轴的轴次和数目将晶体分成立方晶系、三方晶系、四方晶系、 (1) 、 (2) 、 (3) 和 (4) 共七个晶系。
2．原子或离子的 (5) 是指在晶体结构中，该原子或离子的周围与它直接相邻结合的原子个数或所有异号离子的个数。
3．固溶体中，当溶质原子和溶剂原子分别占据固定位置，且每个晶胞中溶质原子和溶剂原子数之比一定时，这种有序结构被称为 (6) 。
4．一个滑移面和其面上的一个 (7) 组成一个滑移系。
5．结晶过程中晶体界面向液相推移的方式被称为 (8) ，与液固界面的微观结构有关。
6．相平衡时，系统内的相数可以通过系统自由度、 (9) 和对系统平衡状态能够产生影响的外界因素数目的关系式来进行计算。
7．铸锭三晶区是指紧靠膜内壁的细晶区、 (10) 、铸锭中心的等轴粗晶区。
8．小角度晶界由位错构成，其中对称倾转晶界由 (11) 位错构成，扭转晶界由 (12) 位错构成。
9．强化金属材料的方法有 (13) 强化、 (14) 强化、 (15) 强化、 (16) 强化。
10．再结晶完成后，晶粒长大可分为 (17) 晶粒长大和 (18) 晶粒长大。
11．线性高分子可反复使用，称为 (19) 塑料；交联高分子不能反复使用，称为 (20) 塑料。
三、判断正误1．在密堆结构中会形成两种空隙，一是由8个球形成的八面体空隙，另一种是由4个球形成的四面体空隙。
2．尖晶石型晶体(AB2O4)具有正型和反型结构，其本质是正型中A离子的八面体择位能大于B离子，而反型中是B离子的八面体择位能大于A离子。
3．形成连续固溶体的最主要条件是溶质和溶剂的晶体结构要一致，例如，银和铝都具有面心立方结构。
北工大材料科学基础2002-2012真题及部分答案
五、下面题目偏重考察金属材料方面的基础知识：
6、渗碳是将零件置于渗碳介质中试碳原子进出工件表面，然后以下坡扩散的方式使碳原子 从表面相内部扩散的热处理方法。分析说明： （1）钢中空位密度、位错密度和晶粒大小对渗碳速度有何影响？ （2）温度对于扩散速度有何影响？将碳在 γ-Fe 中的扩散温度由 927oC 提高到 1027oC，扩 散系数将增加几倍（已知碳在 γ-Fe 中的扩散常数 D0=2.0*10-5m2/s，扩散激活能 Q=140*103J/mol）（10 分）
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
50 北工大专业课课本和真题双重重点
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
51 北工大专业课课本和真题双重重点
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北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
28 北工大专业课课本和真题双重重点
力。( ) 5、一个位错环上必定同时存在刃位错和螺型位错。( ) 6、由一个固相同时析出成分和晶体结构均不相同的两个新固相的过程称为共析转变。( ) 7、非平衡凝固的终结温度高于平衡凝固的终结温度。( ) 8、相图表示的是体系的热力学平衡状态。( ) 9、固溶体合金结晶时，只要液相中存在足够的能量起伏和结构起伏，就可以形核。( ) 10、玻璃在常温下能长期稳定存在，因而它是热力学稳定态。( ) 四、论述及计算题（1-5 题必做，偏金属方向选做 6-9 题，偏无机材料方向选做 10-13 题） （共 100 分）。
《材料科学基础》总复习(完整版)
《材料科学根底》上半学期容重点第一章固体材料的结构根底知识键合类型〔离子健、共价健、金属健、分子健力、混合健〕与其特点；键合的本质与其与材料性能的关系，重点说明离子晶体的结合能的概念；晶体的特性〔5个〕；晶体的结构特征〔空间格子构造〕、晶体的分类；晶体的晶向和晶面指数〔米勒指数〕确实定和表示、十四种布拉维格子；第二章晶体结构与缺陷晶体化学根本原理：离子半径、球体最严密堆积原理、配位数与配位多面体；典型金属晶体结构；离子晶体结构，鲍林规那么〔第一、第二〕；书上表2－3下的一段话；共价健晶体结构的特点；三个键的异同点〔举例〕；晶体结构缺陷的定义与其分类，晶体结构缺陷与材料性能之间的关系〔举例〕；第三章材料的相结构与相图相的定义相结构合金的概念：固溶体置换固溶体〔１〕晶体结构无限互溶的必要条件—晶体结构一样比拟铁〔体心立方，面心立方〕与其它合金元素互溶情况〔表３－１的说明〕〔２〕原子尺寸：原子半径差与晶格畸变；〔３〕电负性定义：电负性与溶解度关系、元素的电负性与其规律；〔４〕原子价：电子浓度与溶解度关系、电子浓度与原子价关系；间隙固溶体〔一〕间隙固溶体定义〔二〕形成间隙固溶体的原子尺寸因素〔三〕间隙固溶体的点阵畸变性中间相中间相的定义中间相的根本类型：正常价化合物：正常价化合物、正常价化合物表示方法电子化合物：电子化合物、电子化合物种类原子尺寸因素有关的化合物：间隙相、间隙化合物二元系相图：杠杆规那么的作用和应用；匀晶型二元系、共晶〔析〕型二元系的共晶〔析〕反响、包晶〔析〕型二元系的包晶〔析〕反响、有晶型转变的二元系相图的特征、异同点；三元相图：三元相图成分表示方法；了解三元相图中的直线法那么、杠杆定律、重心定律的定义；第四章材料的相变相变的根本概念：相变定义、相变的分类〔按结构和热力学以与相变方式分类〕；按结构分类：重构型相变和位移型相变的异同点；马氏体型相变：马氏体相变定义和类型、马氏体相变的晶体学特点，金属、瓷中常见的马氏体相变〔举例〕〔可以用许教授提的一个非常好的问题――金属、瓷马氏体相变性能的不同――作为题目〕有序-无序相变的定义玻璃态转变：玻璃态转变、玻璃态转变温度、玻璃态转变点与其黏度按热力学分类：一级相变定义、特点，属于一级相变的相变；二级相变定义、特点，属于二级相变的相变；按相变方式分类：形核长大型相变、连续型相变〔spinodal相变〕按原子迁动特征分类：扩散型相变、无扩散型相变第5章 金属材料的显微结构特征一、纯金属的凝固与结晶1、结晶的热力学条件➢ 结晶后系统自由能下降。
北工大材料科学基础09及11年考研真题(09附答案)
试卷九2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：材料科学基础适用专业：材料科学与工程一、名词解释1．共价键2．晶族3．电子化合物4．相平衡5．线缺陷6．稳态扩散7．形变织构8．动态再结晶9．一级相变10．调幅分解二、填空1．可以按旋转轴和旋转反伸轴的轴次和数目将晶体分成立方晶系、三方晶系、四方晶系、 (1) 、 (2) 、 (3) 和 (4) 共七个晶系。
2．原子或离子的 (5) 是指在晶体结构中，该原子或离子的周围与它直接相邻结合的原子个数或所有异号离子的个数。
3．固溶体中，当溶质原子和溶剂原子分别占据固定位置，且每个晶胞中溶质原子和溶剂原子数之比一定时，这种有序结构被称为 (6) 。
4．一个滑移面和其面上的一个 (7) 组成一个滑移系。
5．结晶过程中晶体界面向液相推移的方式被称为 (8) ，与液固界面的微观结构有关。
6．相平衡时，系统内的相数可以通过系统自由度、 (9) 和对系统平衡状态能够产生影响的外界因素数目的关系式来进行计算。
7．铸锭三晶区是指紧靠膜内壁的细晶区、 (10) 、铸锭中心的等轴粗晶区。
8．小角度晶界由位错构成，其中对称倾转晶界由 (11) 位错构成，扭转晶界由 (12) 位错构成。
9．强化金属材料的方法有 (13) 强化、 (14) 强化、 (15) 强化、 (16) 强化。
10．再结晶完成后，晶粒长大可分为 (17) 晶粒长大和 (18) 晶粒长大。
11．线性高分子可反复使用，称为 (19) 塑料；交联高分子不能反复使用，称为 (20) 塑料。
三、判断正误1．在密堆结构中会形成两种空隙，一是由8个球形成的八面体空隙，另一种是由4个球形成的四面体空隙。
2．尖晶石型晶体(AB2O4)具有正型和反型结构，其本质是正型中A离子的八面体择位能大于B离子，而反型中是B离子的八面体择位能大于A离子。
3．形成连续固溶体的最主要条件是溶质和溶剂的晶体结构要一致，例如，银和铝都具有面心立方结构。
材料科学基础复习资料整理
材料科学基础复习资料整理一.名词解释塑性韧性强度弹性比功分子键（空间）点阵固溶体间隙固溶体固溶强化位错多晶体单晶体反应扩散柯肯达尔效应二次结晶共晶转变包晶转变共析转变铁素体（非）均匀形核结构起伏成分过冷过冷度加工硬化再结晶淬透性（过）时效回火脆性调幅分解二. 需掌握的知识点1. 延性断裂和脆性断裂的区分标准—断裂前有无明显塑性变形。
2. 原子核外电子分布规律遵循的三个原则。
3. 金属键、离子键、共价键、分子键的特点。
4. 混合键比例计算与电负性差的关系。
5. fcc、bcc、hcp的常见金属、一个晶胞内原子数、配位数、致密度、常见滑移系等。
6. 固态合金相分为两大类：固溶体（间隙固溶体与置换固溶体）和中间相（区别点）。
7.影响固溶体溶解度的因素。
8.间隙相和间隙化合物的区别。
9. 晶体缺陷几何特征分类-点、线、面缺陷。
10. 点缺陷的种类及其区别（肖脱基缺陷和弗兰克尔缺陷）。
11.获得过饱和点缺陷的方法及原因。
12. 各类位错运动方向与柏氏矢量、切应力、位错线的位向关系。
13. 位错的主要运动方式；常温下金属塑性变形的方式。
14. 位错的增殖机制：F-R位错增殖机制、双交滑移增殖机制的主要内容。
15.说明柏氏矢量的确定方法。
掌握利用柏氏矢量和位错线的位向关系来判断位错类型。
16.两根平行的螺型位错相遇时的相互作用情况。
17.刃型位错和螺型位错的不同点。
18. 大小角度晶界的位向差、常见类型、模型描述、能量等。
19. 扩散第一定律、第二定律的数学表达式及其字母的物理含义。
20. 体扩散的主要机制、适用对象、扩散激活能大小等；短路扩散等；反应扩散与原子扩散；多晶材料的三种扩散途径—晶内、晶界、表面扩散。
21.柯肯达尔效应的含义及说明的问题（重要意义）。
22. 上坡扩散：物质由低浓度→高浓度，说明扩散的真正原因是化学势梯度而非浓度梯度。
23. 反应扩散定义、特点、扩散层增厚速度的决定因素。
24. 影响扩散的主要因素简述及分别叙述。
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材料科学基础
第九章
1.弹性模量：产生弹性形变时所需的应力，工程上表征材料对弹性变形的抗力。
2.滞弹性：在弹性范围内，应变落后于应力的行为称为滞弹性。
3.普弹性：陶瓷材料，金属材料及玻璃态高分子材料在较小负荷下首先发生的形变。
特征：1：应力与应变符合线性关系及胡克定律。
2：加上或去除应力时，应变都能
瞬时达到平衡
4.高弹性：特点是弹性模量小、形变量大，变性具有热效应，伸长时放热，回缩时吸热，且
在一定条件下表现出明显的松弛效应。
5.内耗：由于应变滞后于应力，在适当频率的外力作用下，应力-应变曲线就变成了封闭回
线，这一过程将产生不可逆的能量消耗，回线所包围的面积就是应力循环一周所消
耗的能量，称内耗。
10.施密特定律：==式中
称为取向因子，记作。
ON、OP、OT，都在同一平面上时，则有，当时=，滑移处于最有利的位置，称为软取向。
当，称为硬取向。
11.临界分切应力：能引起滑移或孪生所需要的最小分切应力。
12.多系滑移：由临界分切应力定律可知，当对一个晶体施加外力时，可能会有两个以上的
滑移系上的分切应力同时满足的条件，而使各自滑移面上的位错同时启动，
这种现象称为多系滑移。
13.交滑移：螺位错因柏氏矢量与位错线平行，滑移面有无限多个。
因此当螺位错在某一
面上的运动受阻时，可以离开这个面而沿另一个与原滑移面有相同滑移方向的晶
面继续滑移，由于位错的柏氏矢量不变，为错在新的滑移面上仍按照原方向运动，
这一过程就叫做交滑移。
14.主滑移系：当外力在某一滑移系上的分切应力值超过时，该滑移系开始启动，我们把
这一滑移系称作主滑移系。
15.共轭滑移系：随着一次滑移的进行，晶体的取向相对于加载轴发生着变化，滑移到一定
程度后，另一个等同的滑移系也能满足条件而参与滑移，该滑移系称为共轭滑移
系。
16.扭折带：晶体在滑移和转动时，若在某些部位受阻，位错在那里堆积，使滑移和转动只
发生在一个狭窄的带状区域，这个区域就叫做扭折带。
17.形变带：材料变形过程中出现在单个晶粒内的位向与晶粒其余部分明显不同并具有很高
位错密度的带状区域。
18.孪生：晶体在外应力作用下以产生孪晶的方式而进行的切变过程称为孪生。
19.孪晶：在晶体中形成的以共格界面相联接与晶体取向呈镜面对称的一对晶体即孪晶。
20.孪生与滑移的特点：①滑移使滑移面两侧相对滑动一个完整的平移矢量，而孪生则在孪
晶内所有的面都滑动，滑动的距离并非是完整的平移矢量，每个面的滑动量和距
孪生面的距离成正比。
②滑移后整个晶体的位向没有改变，而孪晶则使孪晶部分
的位向与基体呈对称。
③滑移使表面出现台阶，表面重新抛光后滑移线消失，孪
生则使表面出现浮凸，因孪晶与基体的取向不同，表面重新抛光并侵蚀后仍能看
到。
④孪生变形在应力应变曲线上呈锯齿形变化，这是因为孪生可以分为形核和
扩展2个阶段，形核所需的切应力大于生长阶段，于是随着孪晶的形核和发展出
现了载荷的突然上升和下降。
⑤孪生时平行于孪晶面的同层原子的位移均相同，
位移量正比于该层至孪晶面的距离。
即原子位移的距离随孪晶面间距的增加而加
大。
因此孪晶的长大时必然对周围基体产生较大的切应变，以发生塑性变形。
如
果集体不协调的话，就会在孪晶附近产生裂纹。
21.晶界的作用：①阻碍作用：大角度晶界使滑移受阻，而不宜直接传到相邻晶粒。
②取向
差作用:多晶体中不同位向晶粒滑移系取向不相同，滑移不能从一个晶粒直接延
伸到另一个晶粒中③起裂作用：多晶体塑性变形时裂纹往往起源于晶界，主要
有两方面原因。
其一，晶界阻碍位错滑移造成较大应力集中，其二，材料中的杂
质和第二项往往优先分布于晶界，使晶界变脆另外由于晶界处缺陷多，原子处于
能量较高的不稳定状态，在腐蚀介质作用下，往往被优先腐蚀成微裂纹。
22.多晶体塑性变形的特点：①各晶粒变形的不同时性和不均匀性②各晶粒变形的相互协调
性③滑移的传递，必须激发相应晶粒的位错源。
④多晶体的变形抗力比单晶体大，
变形更不均匀⑤属性变形时，导致一些物理、化学性质的变化。
23.霍尔佩奇方程：= d为晶粒的平均直径；为单晶体屈服强度；为
晶界对强度的影响系数。
使用条件：①室温下②非纳米尺度。
24.蠕变：是在一定的温度和较小的恒定外力作用下，材料的形变随时间的增加而逐渐增大
的现象。
25.应力松弛：是指在恒定温度和形变保持不变的情况下，高分子材料内部的应力随时间增
加而逐渐衰减的现象。
26.滞后：是指高分子材料在交变应力作用下，形变落后于应力变化的现象。
27.内耗：是指回缩功和伸长功之间有一定的差额。
28.加工硬化：把金属经屈服后欲继续变形须增加应力的现象。
29.择优取向：多晶体在变形过程中，每个晶粒的变形都受其周围晶粒的制约，为保持晶体
的连续性，各晶粒也会发生转动，结果使每个晶粒的某一取向都转动到力轴方向
上来，此称为择优取向。
30.织构：择优取向的多晶体取向结构称为织构。
31.形变织构：当晶体中的塑性变形量较大时形成形变织构。
分为丝织构和板织构。
32.加工硬化的3个阶段：易滑移阶段，线性硬化阶段，抛物线硬化阶段。
33.多晶体加工硬化的特点：①加工硬化率明显高于单晶体，且没有硬化第一阶段。
②细晶
粒的加工硬化率一般大于粗晶粒金属。
③合金比纯金属的加工硬化率要高，溶质
原子的加入，在大多数情况下提高加工硬化率。
34.储存能：冷变形所消耗能量的百分之几到百分之十几就以各种不同的形式储存在于晶体
内部称为储存能。
35.储存能的影响因素：①储存能随形变量的增加而增大，但增速逐渐变缓，最后趋于饱和。
②加工温度越低，形变速度越大，材料的加工硬化率越大，应力、应变分布越不
均匀，消耗总能量越高，储存能也就越大。
③加工方式应力状态越复杂，加工时
的摩擦力越大，应力应变分布越不均匀，消耗的总能量越高，储存能也就越大。
④金属的型熔点越高，形变越难，经同等变形的总功耗越大，储存能越高。
⑤固
溶体中的溶质因其对变形的阻碍作用而使储存能增加。
⑥在其他条件相同时，细
晶粒中的储存能高于粗晶粒。
⑦合金总的弥散第二相对储存能的影响视第二相的
性质而定。
36.残余应力的分类：第一类残余应力又称宏观残余应力，第二类内应力属微观内应力，第
三类内应力即晶格畸变应力。
37.回复：是指金属冷变形加热时，在新的无畸变晶粒出现之前，所产生的亚结构与性能变
化的过程。
38.回复的特点：⑴回复过程中组织不会发生改变。
⑵经过回复可完全消除宏观残余内应力，
但微观残余内应力仍部分残存。
⑶回复过程中力学性能变化不大。
⑷回复过程对
物理性能影响较大。
39.回复动力学特点：⑴回复过程没有孕育期，随着退火的开始进行发生软化。
⑵在一定温
度下，初期的回复速率很大，以后逐渐变慢，直到最后回复速率为零。
⑶每一温
度的回复程度有一极限值，回复温度越高，这个极限值也越高，而达到此极限值
所需时间越短⑷回复不能使金属性能恢复到冷变形前的水平。
40.公式：–c =t =+常数
41.再结晶：是指无畸变的等轴新晶粒逐渐取代变形晶粒的过程。
42动态回复和动态再结晶：晶体在高温下形变，同时也发生回复和再结晶。
这种与变形同时发生的回复与再结晶称为动态回复和动态再结晶。
而变形
43.蠕变：是指材料在恒定的小应力（或负荷）及较高温度下发生的缓慢而连续的塑性流变
过程。
44.再结晶温度：一般工程上所说的再结晶温度是完成再结晶的温度，它是指在1h内再结晶
完成95%所对应的温度。
45.再结晶规律：需超过一最小形变量。
随的增加
再降低;但当大到一定值后，
再
趋于
一稳定值。
再结晶刚完成时的d取决于而和的关系不大。
原始增加，要想
获得相同的
再
的越大。
增加，要获得相同程度的应变硬化所需的增加。
新晶粒不会长入取向相近的形变晶粒中。
再结晶后继续加热，d增加。
46.再结晶的影响因素：
①变形程度随变形量的增大，再结晶的形核率和长大速率均呈上升趋势。
这是由于形变量大，储存能高，使再结晶形核及长大的驱动力增加的必然结果。
②金属纯度杂质阻碍变形使储存能增加，N和G增大；另一方面，杂质又钉扎晶界降低界面迁移率使形核率减小生长速率减慢③原始晶粒大小材料的原始组织晶粒越细小，阻碍变形的能力越强，储存能越高，从而N和G也就越大。
另外晶粒越细小，晶界面积越多，可提供的形核位置越多，N也会相应增大④温度再结晶温度越高，位错的攀移，亚晶界的移动、转动和聚合都变得容易，因此N增加。
同时温度越高，晶界迁移率增大，G也随之增加。