CETC48半导体工艺设备
中国电子科技集团(CECT)介绍
中国电子科技集团（CECT）介绍发表于：2007年11月21日 18时47分3秒阅读(122)评论(0)举报本文链接：/23582740/blog/1195642023中国电子科技集团（CECT）介绍中国电子科技集团公司（CETC）成立于2002年3月1日，是经国家批准组建的大型国有企业集团，也是国家批准授权的20家投资机构之一。
中国电子科技集团公司是在信息产业部直属的46家电子科研院所及26家全资或控股高科技企业基础上组建而成的。
集团公司所属单位分布在北京、上海、天津、广东、四川、陕西等18个省市区。
集团公司注册资本63.5亿元，总资产158亿元，2001年实现总收入97亿元，出口额达到5563万美元。
现有职工5.4万人，专业技术人员3.3万人，其中中国工程院院士10人，国家级有突出贡献的中青年技术、管理专家63人，享受政府津贴的专家有1357人，高级专业技术人员6326人。
50年来，中国电子科技集团公司所属科研院所作为信息产业的国家队，为我国四个现代化做出了巨大的贡献。
其研究领域覆盖了电子信息技术的各专业门类，具备从电子元器件、整机到系统工程的综合技术创新开发、系统集成实力，现拥有14个国家级重点实验室、12个国家级与9个部级质量检测机构，拥有一批国内一流的中试线、生产线、装配线和机加工中心，形成了完整的研究、设计、试制、生产及试验能力体系，在集成电路技术、软件技术、新型电子元器件与电子信息材料技术、光电技术、计算机信息处理技术、通信与网络技术、音视频与多媒体技术、电子产品制造技术、信息安全技术和互联网应用技术等专业领域具有明显优势。
“九五”期间，集团公司所属研究院所曾获得国家级科技进步奖54项、部级科技成果奖493项，是国内最具技术竞争实力的大型企业集团。
中国电子科技集团公司所属单位长期服务于国防、通信、航天、金融、能源、交通等国民经济各行业，开发成功航天测控系统、航天指挥中心安全系统、联合信息发布系统、导航系统、空中交通管制系统、铁路车站信息综合处理系统、金融网络系统、社会劳动保障系统、城市照明自动监控管理系统、公共安全报警联联网综合系统、智能建筑管理系统、政务信息系统，智能交通系统、汽车电子系统、能源电子控制系统等，并面向市场提供各类雷达、计算机、通信网络产品、集成电路、数字视频产品、新型元器件（PDP、液晶显示等）、专用设备仪器、基础材料等，创造了良好业绩。
中国电子科技集团公司(CETC)成员单位
中国电子科技集团公司(CETC)成员单位一览表电科院电子科学研究院2所西北电子装备技术研究所3所电视电声研究所7所通信研究所8所光纤光缆传输技术研究所9所西南应用磁学研究所10所西南电子技术研究所11所华北光电技术研究所12所真空电子技术研究所13所半导体研究所14所电子技术研究所15所华北计算技术研究所16所低温电子研究所18所电源研究所20所导航技术研究所21所微电机研究所22所中国电波传播研究所23所传输线研究所24所固体电路研究所26所压电与声光技术研究所27所中原电子技术研究所28所电子工程研究所29所西南电子设备研究所30所西信研究所32所华东计算技术研究所33所磁记录技术研究所34所激光通信研究所36所江南电子通信研究所38所华东电子工程研究所39所西北电子设备研究所40所接插件继电器研究所41所华东电子测量仪器研究所43所华东微电子技术研究所44所光电技术研究所45所半导体专用设备研究所46所电子材料研究所47所东北微电子研究所48所半导体工艺设备研究所49所东北传感技术研究所50所微波技术研究所51所微波设备研究所52所计算机外部设备研究所53所东北电子技术研究所54所通信测控技术研究所55所电子器件研究所58所微电子研究所（微电子科研中心）信息化工程总体研究中心中电科技国际贸易中电华通通信中电科投资开发中电科技电子信息系统中电科卫星导航系统中电科技旅游产业发展中电科技德清华莹电子长江数据通讯股份中华通信系统有限责任公司科控微电子工程公司1、电子科学研究院.caeitedu./index.asp地址：石景山八大处科技园区双园路10号1984年在创建的国家级研究机构，是中国电子科技集团的中央研究院，是国家电子信息系统顶层设计、系统总体研究开发和系统集成以及组织重大科技项目实施的总体研究院。
电子科学研究院院部和主要的科研基地在石景山高科技开发区，它毗邻风光秀丽的西山风景区，拥有科研、试验、办公、学术报告、专家公寓、教育培训设施及各类配套生活和服务设施。
HE-480C 半导体清洁过程中的导电度计说明书
Mass
Approx. 400g
Conforming standards
CE Marking, FCC Part15
Compatible sensor
ESH –series conductivity GC sensor, cell constant : 0.1/cm
(Sensor)
Model
ESH-01-L-GC5 ESH-01-L-GC6
For Semiconductor Cleaning Processes
Conductivity Meter Low Concentration Type
HE-480C
Perfect for Chemical Solution Measurement and Recycle of Pure Water in Semiconductor Wet Processes
Measurement method
2-electrode method
Sensor input
1-channel
Cell constant
Approx. 0.1/cm
Temperature sensor specifications Platinum resistance 1000Њ/0ˆ
Mnction
Conductivity : Based on the specified compensation coefficient for the cell constant
(parameter input)
Temperature : Calibrated by comparing with the reference thermometer
Power supply
常用电子元器件筛选方法概述
60│INTELLIGENT SENSING│智能传感常用电子元器件筛选方法概述A Survey of Screening Methods for Common Electronic Components•江苏自动化研究所 蒋勇Jiang Yong摘 要：电子元器件作为电子系统和设备最基本的单元，其可靠性直接影响系统及设备的可靠性与稳定性，因此二次筛选是电子元器件在装机使用前可靠性的重要保障过程。
为了使工程技术人员更加方便的开展电子元器件的筛选，本文系统地阐述了常用电子元器件二次筛选的基本概念、常用电子元器件的分类、筛选目的，并对筛选流程、试验方法等进行了详细的梳理和总结。
关键词：电子元器件；筛选；检测方法；失效Abstract: As the most basic unit of electronic system and equipment, the reliability of electroniccomponents play an important role of the reliability and stability of the entire system andequipment. Secondary screening becomes an ubiquitous scheme to ensure the reliability ofelectronic components before installation and usage. The paper highlights the basic conceptsofsecondary screening of common electronic components, the catogories of common electroniccomponents, screening procedures, test methods, screening purposes, etc.Key words: Electronic components; Screening; Screen methods;Invalid【中图分类号】TN61 【文献标识码】B 文章编号1606-5123（2020）09-0060-03引言电子元器件是构成电子产品最基本的部件，也是制造过程较为常见的物料。
半导体专业术语
1.a c c e p t a n c e t e s t i n g(W A T:w a f e r a c c e p t a n c e t e s t i n g)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）5.Alignmark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammoniumfluoride：NH4F10.Ammoniumhydroxide：NH4OH11.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）15.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。
半导体常用词汇汇总
1. accepta nce testing (WAT: wafer accepta nce testing)2. accepto r: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Enginee ring Data Analysi s）系统4. Acid：酸5. Activedevice：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminu m：铝9. Ammonia：氨水10. Ammoniu m fluorid e：NH4F11. Ammoniu m hydroxi de：NH4OH12. Amorpho us silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstro m：A（1E-10m）埃15. Anisotr opic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Accepta nce Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antiref lectiv e coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimon y(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxid e(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodop ing：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baselin e：标准流程28. Benchma rk：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critica l Dimensi on）临界（关键）尺寸。
第三讲 氧化
Oxidation
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氧化膜的应用
杂质扩散掩蔽膜 器件表面保护或钝化膜 电料
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Application of Oxidation
ÆDiffusion Masking Layer ÆSurface Passivation "Screen oxide, pad oxide, barrier oxide ÆIsolation "Field oxide and LOCOS ÆGate oxide
Si + O2 →SiO2 热（二）氧化硅
Æ热生长氧化层的温度：750～1100ºc Æ二氧化硅具有熔点温度1732ºc的本征 （纯）玻璃体，不导电，良好的介质特性 Æ自然氧化膜：
"硅片在空气中暴露，就会在其表面形成几个 原子层的自然氧化膜。厚度：40埃
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二氧化硅的特性
Æ密度：2.20g/cm3,密度大表示致密程度高 Æ折射率：薄膜光学性质，较大 Æ电阻率：1016Ω⋅cm Æ介电强度：击穿电压参数，106～107V/cm Æ介电常数：电容性能，相对介电常数3.9 Æ腐蚀：化学性能稳定，只与氢氟酸反应； 与强碱溶液发生极慢的反应
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Blanket Field Oxide Isolation
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LOCOS Process
18
LOCOS
ÆCompare with blanket field oxide "Better isolation "Lower step height "Less steep sidewall ÆDisadvantage "rough surface topography "Bird’s beak ÆReplacing by shallow trench isolation (STI)
HMDS预处理系统
·新设备与新技术·
电 子 工 业 专 用 设备
中图分类号： ＴＮ３０５
文献标识码： Ｂ
文章编号： １００４－４５０７（２００６）１０－００７０－０３
ＨＭＤＳ Ｐｒ ｅ－ ｐｒ ｏｃｅｓｓ Ｓｙｓｔｅｍ
ＰＡＮＧ Ｋｅ－ｊｉａｎ
（ Ｔｈｅ １３ｔｈ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＣＥＴＣ， ＳｈｉＪｉａｚｈｕａｎｇ ２０５００５１）
Ａｂｓｔｒ ａｃｔ ： Ｄｅｓｃｒｉｂｅｓ ｔｈｅ ｃｏｕｒｓｅ ｏｆ ＨＭＤＳ ｐｒｅ－ｐｒｏｃｅｓｓ ， ｔｈｅ ａｄｖａｎｔａｇｅ ｏｆ ＨＭＤＳ ｐｒｅ－ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｙｓｔｅｍ， ｄｅｓｃｒｉｂｅｓ ｔｈｅ ｗｏｒｋｉｎｇ ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ ｓｙｓｔｅｍ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｔｈｉｓ ｓｙｓｔｅｍ． Ｋｅｙｗｏｒ ｄｓ： Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ； Ｒｅｓｉｓｔ ｃｏａｔｉｎｇ； Ｐｒｅ－ｐｒｏｃｅｓｓ； Ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ
最初，人们用液态的 ＨＭＤＳ 直接涂到晶片上， 然后借着晶片的高速旋转在晶片表面形成一层
收 稿 日 期 ： ２００６－０９－１０ 作者简介： 庞克俭（１９７１）男，ＣＥＴＣ 十三所工程师，现主要从事半导体专用非标设备的研制开发与生产，曾主持开发了等离子
去胶机，电镀系统，快速合金炉，退火炉，ＨＭＤＳ 预处理系统等一系列设备。
在参数设置窗口中设置运行中所需的几个参 数，如重复充气次数，加药时间，保持时间等。
晶圆刻蚀设备的制作方法
晶圆刻蚀设备的制作方法晶圆刻蚀设备是半导体制造过程中必需的一种设备，它可以将晶圆表面的材料刻蚀掉，从而制造出半导体器件。
晶圆刻蚀设备采用了化学反应的原理，在高温高压的环境下进行刻蚀处理。
下面我们将介绍晶圆刻蚀设备的制作方法。
一、设备的外部结构晶圆刻蚀设备的外部是由钢架、玻璃门、观察窗、电子控制屏幕和排风管道组成的，比较简单，可以按照图纸进行制作。
二、设备的内部结构晶圆刻蚀设备的内部结构较为复杂，主要由反应室、氟化氢发生器、气体控制系统、氦气贮存罐、温度控制系统、泵及阀门组成。
1、反应室反应室是晶圆刻蚀设备最重要的部分，它采用了三角形的构造，选择这样的构造是为了更好地利用化学反应进行刻蚀处理。
反应室的材质一般采用聚四氟乙烯(PTFE)或石英玻璃制成。
反应室中间有一个钨丝加热器，可以调节温度。
2、氟化氢发生器氟化氢发生器是晶圆刻蚀设备的核心部分之一，主要负责产生氟化氢气体，氟化氢通过管道送入反应室，与晶圆表面的材料发生化学反应从而进行刻蚀。
氟化氢发生器采用了电石灰法产生氢氟酸的方式来制造氟化氢。
3、气体控制系统气体控制系统包括了气缸、气体流量计、阀门和电磁阀等组成，主要负责将氟化氢、氢气、氦气等气体送入反应室，并控制其流量。
4、氦气贮存罐氦气贮存罐主要用于贮存氦气，并在反应室中起到冷却作用。
氦气可以有效地降低反应室内的温度，从而提高反应的效果。
5、温度控制系统温度控制系统主要用于控制反应室的温度，调节反应的速率。
反应室内的温度可以通过钨丝加热器来调节。
6、泵及阀门泵及阀门主要负责将残余的气体、液体和固体物质排出，从而避免对设备和操作者的危害。
以上就是晶圆刻蚀设备的制作方法，相信大家看完后对晶圆刻蚀设备的制作有了一定的了解。
三、设备的工作原理晶圆刻蚀设备的工作原理是将氟化氢和晶圆表面材料进行化学反应，从而使晶圆表面的材料被刻蚀掉。
氟化氢和晶圆表面的材料反应后，会生成气体或固体物质，这些物质需要通过泵和阀门流出反应室，以避免对设备和操作者的危害。
功率半导体分立器件产业及标准化白皮书
本白皮书编写专家来自功率半导体器件产业链上下游各个环节 相关企事业单位，并面向全行业进行了广泛的征求意见。但由于编者
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水平有限，疏漏和不足之处，欢迎读者批评指正，编制组将根据技术 发展和行业意见进行持续修订完善。
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2 功率半导体分立器件概述 2.1 功率半导体分立器件的概念
功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子 器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电 能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护和整流等。功率半导体大致可分为功率半导体分 立器件（Power Discrete）(包括功率模块)和功率半导体集成电路 （Power IC）两大类，在半导体产业中的结构关系如图 1 所示。其中， 功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能 上不能再细分的半导体器件。
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目录 1 前言........................................................................................................1 2 功率半导体分立器件概述................................................................... 3