s8050三极管
s8050中文资料_数据手册_参数
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UTC S8050NPN外延硅晶体管S8050半导体技术有限公司1QW-R201-013,ALOW电压高电流小 信号特性*集电极电流可达700mA*集电极-发射极电压可达20v *，补充S8550TO-9211:发射极 2:基数3:COLLECTORABSOLUTE最高评级(Ta = 25°C,除非另有说 明)PARAMETERSYMBOLVALUEUNITCollector-Base VoltageVCBO30VCollector-Emitter VoltageVCEO20VEmitter-Base VoltageVEBO5VCollector耗散(Ta = 25°C)Pc1WCollector CurrentIc700mAJunction TemperatureTj150°CStorage temperaturetstg - 65 ~ + 150° CELECTRICAL特征(Ta = 25°C,除非另有说明)PARAMETERSYMBOLTEST CONDITIONSMINTYPMAXUS8050NITCollector-Base击穿VoltageBVCBO-emitter击穿VoltageBVCEOIc = 1 ma,IB = 020 vemitter-base分解VoltageBVEBOIE = 100 a,Ic = 05 vcollector截止CurrentICBOVCB = 30 v,IE = 01 aemitter截止CurrentIEBOVEB = 5 v,Ic = 0100 nadc电流增益(注意)hFE1hFE2hFE3VCE = 1 v,Ic = 1 mAVCE = 1 v,Ic = 150 mAVCE = 1 v,Ic = 500 ma10012040110400collector-emitter饱和VoltageVCE(坐)Ic = 500 ma,IB = 50 ma0.5vbase-emitter饱和度VoltageVBE(satS8050)Ic=500mA,IB= 50ma1.2 vbase -发射器饱和 VoltageVBEVCE=1V,Ic=10mA1.0VCurrent Gain Bandwidth ProductfTVCE=10V,Ic=50mA100MHzOutput capacity itancecobvcb =10V,IE=0f=1MHz9.0p绝对 最大额定值(Ta = 25°C,除非另有说明)PARAS8050METERSYMBOLRATINGSUNITCollectorBase VoltageVCBO30VCollector-Emitter VoltageVCEO20VEmitter-Base VoltageVEBO5VCollector CurrentIc700mACollector耗散(Ta = 25°C)Pc1WJunction TemperatureTJ150°CStorage temperaturetstg - 65 ~ + 150°CNote:绝对最大额定参数的值超过此设备可以永久损坏。绝对 最大额定值仅为应力额定值，功能器S8050件操作不包含在内。电特性(Ta = 25°C,除非另 有说明)PARAMETERSYMBOLTEST CONDITIONSMINTYPMAXUNITCollector-Base击穿 VoltageBVCBOIc = 100μa,IE = 030 vcollector-emitter击穿VoltageBVCEOIc = 1 ma,IB = 020 vemitter-base分解VoltageBVEBOIE = 100μa,Ic = 05 vcollector截止CurrentICBOVCB = 30 v,IE = 01μaemitter截止CurrentIEBOVEB = 5 v,Ic = 0100 nahfe1vce = 1 v,Ic = 1 ma100hfe2vce = 1 v,Ic = 150 mA120110400DC当前GainhFE3VCE = 1 v,Ic = 500 ma40collector-emitter饱和 VoltageVCE(坐)Ic马= 500,IB= 50ma0.5 vbase -发射器饱和度VoltageVBE(SAT) Ic=500mA, IB= 50ma1.2 vbase -发射器饱和度VoltageVBEVCE=1V, Ic=10mA1.0VCurrent Gain Bandwidth ProductfTVCE=10V, Ic= 50ma100mhz100mhzS8050输出容量itancecobvcb =10V, icb20 2h282hfpv25
s8050放大电路实验
s8050放大电路实验S8050 DF331最优方案12V 基极电阻 4.7K 1.8K集电极电流5.87V/50=117mA集电极电阻功率为0.686W,基极电阻功率为0.000423W，三极管功率为0.336W7.55V/50=151mA集电极电阻功率为1.14W,基极电阻功率为0.000624w，三极管功率为0.135W二极管电压 2.17V 2.35V基极电流 1.41V/4.7K=0.3mA 1.06V/1.8K=0.589mA 发射结电压0.56V 正偏0.7V 正偏ULN2003输出脚电压0.84V0.9V集电结电压 2.57V 反偏（放大区）0.2V 反偏（放大区）三极管放大倍数117mA/0.3mA=390151mA/0.589mA=256 S8050 DF3315V 基极电阻 4.7K 1.8K集电极电流2.27V/50=45.4mA集电极电阻功率为0.103W,基极电阻功率为0.000589W，三极管功率为0.0045W2.32V/50=46.4mA集电极电阻功率为0.107W,基极电阻功率为0.0015W，三极管功率为0.0027W二极管电压 1.88V 1.86V基极电流 1.67V/4.7K=0.353mA 1.66V/1.8K=0.92mA发射结电压0.70V 正偏0.72V 正偏ULN2003输出脚电压0.75V0.76V集电结电压0.61v 正偏（截止区）0.66V 正偏（截至区）三极管放大倍数45.4mA/0.353mA=12846.4mA/0.92mA=40.6 1K8.15V/50=163mA（非常烫手）集电极电阻功率为1.328W,基极电阻功率为0.0008836W，三极管功率为0.048W 2.42V0.94V/1K=0.94mA0.74正偏0.90V0.44V 正偏（截止区）163mA/0.94mA=1731K2.28V/50=45.6mA集电极电阻功率为0.104W,基极电阻功率为0.00256W，三极管功率为0.001824W 1.90V1.60V/1K=1.6mA0.73V 正偏0.76V0.69V 正偏（截至区）45.6mA/1.6mA=28.5。
s8050电流驱动能力测试实验
s8050电流驱动能力测试实验目的：测试npn 三极管s8050 的电流驱动能力设备：电阻，面包板，带电流显示的可调电源。
方法：电路为最简单的开关管电路，e 极接地，b 极串4.7k 电阻接控制端，控制端是5v 电源，5v 电源接led 正极，led 负极接三极管c 极。
led 电流为700ma。
电压为3.3-3.6v（三极管单位楼底下买滴）分别用不同的电源电压，控制电压和串接在基极的不同阻值的电阻，测试电流与基极电阻，与控制电压和电源电压之间的变化。
控制端串4.7k 电源电压控制端电压led 电流温度开始时， 3.3V 5V 0.16A 手摸大概30 度左右调节电源电压5V 5V 0.28A 手摸烫大概50-60 度的样子调节控制电压5V 9V 0.38A 手摸很烫大概60-70 度的样子控制端并两个4.7k 时（也就是串1 个2.35K）开始时，3.3V 5V 0.20A 手摸大概30 度左右调节电源电压5V 5V 0.38A 手摸烫大概50- 60 度的样子调节控制电压5V 9V 0.48A 手摸很烫大概70 度以上的样子控制端串1k 开始时， 3.3V 5V 0.25A 手摸大概30 度左右调节电源电压5V 5V 0.51A 手摸烫大概60 度的样子调节控制电压5V 9V 0.65A 手没敢摸控制端并两个1k电阻（也就是串一个500 欧）开始时， 3.3V 5V 0.22A 调节电源电压5V 5V 0.67A 调节控制电压5V 5.5V 0.70A 调节控制电压5V 7.5V 0.80A 此时基极电流到10ma 左右，LED 温度手摸已经灰常烫了。
当C 极并联两个LED 时调节控制电压5v 9V 0.85A 调节控制电压5v 29V 1.40A 此时基极电流到50ma 左右，LED 附近，三极管附近，开始冒烟。
在试验的过程中还发现了一个问题，温漂的问题，开始的时候，LED 温度和室温一样，这时候，控制端加5v，电源电压是3.3v 的时候，是0.22A，将电源电压加到5V 时，电流提升到0.67A 这时候，LED 和三极管的温度会急剧上升。
S8050三极管规格书 长电S8050参数
V
—— I
CEsat
C
100
Ta=100℃
30
Ta=25℃
10
1
3
10
30
100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
I —— V
500
C
BE
COMMON EMITTER
VCE=1V
100
β=10
500
30
10
Ta=100℃
3
1
Ta=25℃
0.3 0.1
0.2
1000
0.4
0.6
0.8
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
【 南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
S8050 TRANSI STOR (NPN)
V(BR)EBO
IE=100μA, IC=0
ICBO
V= CB=40 V , IE 0
ICEO IEBO HFE(1)
= VCB= 20V , I E 0 = VEB= 5V , IC 0 VCE= 1V, I C= 50mA
HFE(2) VCE(sat) VBE(sat)
fT
VCE= 1V, I C= 500mA
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency
8050是什么管子？
8050是什么管子？三极管8050是一种NPN型三极管，它最常见的有S8050，SS8050、C8050、SC8050等。
其实这四种其特性基本都是一致的。
我们最常见的是S8050这种标识的三极管。
在一些电子电路中常会看到S8050与S8550（PNP型）配对使用，例如在OCL小功率功放电路中就可以用到这一对管子，例如下面的功率输出级电路中Q9和Q10就可以用到S8050和S8550两个三极管作为对称管轮流输出。
下面我们分别对这几个型号分别与朋友们聊聊。
S8050三极管的主要参数TO-92封装形式的三极管S8050主要参数S8050三极管有两种封装形式，其中有一种称为TO-92形式的，对于TO-92封装形式的S8050三极管，它的集电极Ic 电流为0.5A 。
集电极电压与基极电压Ucbo为40V 、集电极与发射极击穿电压（最大耐压）Uceo为25V 、集电极与发射极饱和电压Uce为0.6V、频率可达到150MHZ，这种三极管的耗散功率是0.625W。
三极管的管脚排列顺序:E、B、C。
这种三极管常用在小功率放大电路做放大管使用也可以作为在开关电路当中充当开关管使用。
像与此类似TO-92封装形式的NPN型三极管常用的还有9013、9014和9018等三极管，这些管子在小信号放大电路中是经常用到的。
SOT-32封装形式SOT-32封装形式是贴片形式的一种三极管，对于S8050三极管其贴片上的标识符号为“JY3”，它的集电极Ic 电流为0.3A 、它的耗散功率比直插式封装的小一些只有0.3W，其它参数基本相同。
这种贴片三极管是存放在盘带中，便于安装在贴片机上进行装贴，因为贴片安装是电子产品发展的一种趋势，其存放方式如下图表示。
对于SOT-23贴片三极管的基极B、发射极E、集电极C的三个引脚的排列顺序一般是固定的，其排列方式如下图所示的那样，最上面是集电极C，左下边是基极B、右下边是发射极E，我们若用手工焊接时一定要注意。
PNP三极管S8550规格书
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
pnp三极管s8550规格书 collectorsot-23 plastic-encapsulate transistors s8550 transistor (pnp) features collectorcurrent: =0.5amarking 2tymaximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit cbocollector-base voltage -40 ceocollector-emitter voltage -25 eboemitter-base voltage -5 collectorcurrent -continuous -0.5 collectorpower dissipation 0.3 junctiontemperature 150 stgstorage temperature -55-150 electricalcharacteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min max unit collector-base breakdown voltage collector-emitterbreakdown voltage emitter-basebreakdown voltage collectorcut-off current collectorcut-off current emittercut-off current -50ma120 400 dc current gain -500ma50 collector-emitter saturation voltage ce(sat) -50ma-0.6 base-emittersaturation voltage -50ma-1.2 transitionfrequency -20maf=30mhz 150 mhz classification range120-200 200-350 300-400 c,mar,2013 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -0 -300 -600 -900 -1200 -1 -10 -100 -1 -10 -100 10 100 -0.1 -1 -10 2550 75 100
s8050基极电压
s8050基极电压摘要：1.引言2.s8050 简介3.s8050 基极电压的作用4.s8050 基极电压的计算方法5.s8050 基极电压对放大器性能的影响6.总结正文：【引言】s8050 是一款广泛应用于放大器电路的晶体管型号。
在设计或分析放大器电路时，了解s8050 基极电压的原理和作用至关重要。
本文将详细介绍s8050 基极电压的相关知识。
【s8050 简介】s8050 是一种双极型晶体管（BJT），具有NPN 结构。
它由三个区域组成：发射极（Emitter，E）、基极（Base，B）和集电极（Collector，C）。
在正常工作条件下，发射极接地，集电极连接负载电阻，基极则通过一个偏置电阻连接到地。
【s8050 基极电压的作用】s8050 基极电压的主要作用是控制晶体管的导通程度。
当基极电压足够大时，晶体管进入饱和状态，集电极电流达到最大值。
而当基极电压较小时，晶体管处于截止状态，集电极电流几乎为零。
通过改变基极电压，可以控制晶体管的放大倍数。
【s8050 基极电压的计算方法】s8050 基极电压的计算方法依赖于晶体管的工作状态和电路参数。
在实际应用中，常常使用晶体管的静态工作点（即基极电压和集电极电流的平衡点）来描述晶体管的工作状态。
静态工作点的计算公式为：Ub = (Uc * Rb) / Re其中，Ub 为基极电压，Uc 为集电极电压，Rb 为基极偏置电阻，Re 为发射极电阻。
【s8050 基极电压对放大器性能的影响】s8050 基极电压对放大器性能的影响主要体现在以下几个方面：1.决定放大器的放大倍数：基极电压越大，放大倍数越大；反之，放大倍数越小。
2.影响放大器的线性度：当基极电压接近静态工作点时，放大器具有较好的线性度。
3.决定放大器的输入和输出阻抗：基极电压的大小决定了晶体管的输入阻抗和输出阻抗，从而影响放大器与负载之间的匹配。
【总结】s8050 基极电压在放大器电路中起着关键作用。
S8050 三极管中文资料
S8050—NPN silicon —项目符 号额定值单位集电极—基极电压V CBO 40V 集电极—发射极电压V CEO 25V 发射极—基极电压VEBO 6V 集电极电流I C 800mA 集电极耗散功率P C 800mW 结温T J 150℃存储温度T stg﹣55~150℃项目符 号最小值典型值最大值单位测试条件直流电流增益h FE 85300V CE =1V ，Ic= 100 mA 集电极-基极截止电流I CBO 0.1μA V CB =35 V ，I E =0发射极-基极截止电流I EBO 0.1μA V EB =6V ，Ic=0集电极-基极击穿电压BV CBO40V Ic= 0.1 mA ，I E =0集电极-发射极击穿电压BV CEO 25V Ic= 2 mA ，I B =0发射极-基极击穿电压BV EBO 6V I E =0.1 mA ，Ic=0基极-发射极电压V BE1V V CE =1V ，Ic= 10 mA 集电极-发射极饱和压降V CE(sat)0.5V Ic= 500 mA ，I B =50 mA 基极-发射极饱和压降V BE(sat) 1.2V Ic=500 mA, I B =50 mA 电流增益-带宽乘积f T 100MHz Ic= 50 mA ，V CE =10 V 共基极输出电容C ob920PF V CB =10 V, I E =0, f = 1 MHz广东省粤晶高科股份有限公司■■主要用途：功率放大等。
■■绝对最大额定值（Ta ＝25℃）分档B C D h FE85～160120～200160～300■■电参数（Ta=25℃）■■h FE 分档及其标志。