扩散工艺介绍
半导体不同扩散工艺的特点
半导体不同扩散工艺的特点半导体扩散工艺是一种用于改变半导体材料中杂质浓度分布的方法。
通过控制杂质的浓度分布，可以改变半导体材料的电学特性，从而实现半导体器件的制备和调控。
根据不同的扩散工艺，可以分为几种常见的类型，包括固相扩散、液相扩散和气相扩散，每种工艺都有其特点和适用范围。
1. 固相扩散：固相扩散是最早被广泛应用的扩散工艺之一。
其特点是使用固态杂质源，如固态的金属盐或金属氧化物，通过热处理将杂质扩散到半导体材料中。
固相扩散的过程较为简单，易于控制，适用于大批量半导体器件的生产。
然而，固相扩散工艺的主要缺点是扩散速度较慢，需要较长的时间完成杂质的扩散，且扩散深度不易控制。
2. 液相扩散：液相扩散是使用液态杂质源将杂质扩散到半导体材料中的工艺。
液相扩散的特点是扩散速度较快，扩散深度和浓度也较容易控制。
液相扩散的主要优点是可以在相对较短的时间内完成扩散过程，并且可以实现较高的杂质浓度。
然而，液相扩散过程中，需要使用到液态杂质源，这可能会对半导体材料的结构和性能产生不利影响，需要注意杂质源的选择和处理，以避免对器件性能造成负面影响。
3. 气相扩散：气相扩散是使用气态杂质源将杂质扩散到半导体材料中的工艺。
与固相和液相扩散相比，气相扩散具有更高的扩散速率和更好的控制性能。
气相扩散工艺通常是在高温下进行，通过将气态杂质源分解生成活性的杂质气体，然后将其扩散到半导体材料中。
气相扩散的优点是可以实现较高的杂质浓度和较深的扩散深度，且扩散速度较快。
然而，气相扩散工艺需要较高的温度和气压条件，且对设备和工艺环境要求较高，因此工艺的成本较高，适用于对器件性能要求较高、生产规模较小的应用领域。
总之，不同的扩散工艺具有各自的特点和适用范围。
在选择和使用扩散工艺时，需要根据实际需求综合考虑工艺的控制性能、扩散速度、成本等因素，以及对半导体器件性能的影响。
对于不同类型的半导体器件，可能需要采用不同的扩散工艺来实现特定的杂质浓度分布和形状控制，以满足器件设计和制备的要求。
扩散的工艺流程
扩散的工艺流程扩散工艺是集成电路制造中的一项重要工艺，主要用于在半导体材料表面形成掺杂区域，以改变材料的电学性质。
下面将介绍一种典型的扩散工艺流程。
首先是准备工作，包括物料准备、设备检查和工艺参数设置。
物料准备包括半导体晶片、扩散材料和掩膜材料的选择与准备。
设备检查主要是确保扩散炉和扩散源的正常运行状态。
工艺参数设置根据掺杂要求和材料特性，确定扩散温度、时间和气氛等工艺参数。
其次是扩散源的制备，扩散源一般是通过在高温条件下将掺杂材料与半导体材料反应生成的。
按照所需的掺杂浓度和材料属性，可以选择不同的扩散源。
通常情况下，将掺杂材料和半导体材料混合，并加入任何必要的添加剂，形成均匀的混合物。
然后，将混合物放入扩散源槽或坩埚中，在高温条件下进行预热、热分解和扩散源的形成。
形成的扩散源粉末可以直接用于扩散过程，也可以制备成片状等形状。
接下来是掩模制备，掩模是指在扩散过程中所需的模板，用于限制掺杂区域的形成。
一般使用光刻技术将掩模图案转移到掩膜材料上，形成掩模。
然后，将掩模放置在待扩散的半导体晶片表面，并通过光刻和显影等步骤将掩模图案转移到晶片表面。
扩散工艺是在控制的温度条件下进行的，常用的扩散方式有氧化物扩散和固相扩散。
以氧化物扩散为例，首先将掺杂源和半导体片放置在扩散炉中，然后控制炉温使其达到扩散温度。
在扩散温度下，掺杂源释放出掺杂原子，这些原子通过热扩散作用在半导体片中形成掺杂区域。
扩散时间的长短决定了掺杂的深度和浓度。
固相扩散的工艺流程类似，只是没有氧化物参与，直接通过固态反应实现掺杂。
扩散完成后，进行清洗和后续处理。
清洗是为了去除掉表面的杂质和残留的化学物质，以及掩模材料。
清洗可以使用不同的溶液和超声波等方法。
后续处理包括表面加工、封装和测试等步骤，以完成集成电路的制造。
总的来说，扩散工艺是集成电路制造中的一项关键工艺，通过控制温度、时间和掺杂原料，将掺杂原子引入半导体材料中，实现电学性质的改变。
扩散工艺和离子注入
扩散工艺和离子注入
扩散工艺和离子注入分别是半导体工业中重要的加工技术。
这些
技术在半导体器件的制作中扮演着至关重要的角色。
在本文中，我们
将介绍这两种技术，了解它们的原理，应用和一些注意事项。
首先，我们来谈论一下扩散工艺。
扩散工艺是一种在半导体加工
中广泛使用的技术，可用于将杂质掺入到晶体中，从而改变晶体材料
的性质。
由于其具有可重复性，高效率和稳定性，因此扩散技术成为
当今半导体行业广泛使用的技术之一。
需要注意的是，扩散工艺在运用时需要严谨的控制条件，例如温度、离子浓度、扩散时间等，以控制金属杂质的扩散深度和引入量。
扩散工艺是一个复杂的过程，涉及到多个步骤，包括表面处理、扩散
和后处理等。
接下来，让我们来介绍离子注入技术。
离子注入是通过将离子轰
击到晶体表面的过程来改变其电学性能的一种技术。
离子源可以是氩、磷、硼和氮等离子，而这些离子又可以控制其注入能量和浓度，从而
定向改变晶体表层性质。
与扩散工艺相比，离子注入采用直接轰击晶体表面的方法，因此
没有扩散时间限制，更加高效。
但需要注意的是，离子注入技术对于
材料的损害较大，因此在使用时应该进行精细的控制。
而且，注入能
量和浓度等参数需要进行仔细的选择，以保证合适的材料性质改变而
不损害器件的整体性能和寿命。
总之，扩散工艺和离子注入技术是现代半导体器件制造中必不可少的工艺，对于半导体行业的发展和进步有着重要的作用。
因此，在使用这些技术时，一定要掌握其原理，选择合适的条件并特别注意细节，从而确保制造出高质量、可靠的半导体器件。
扩散工艺的化学原理
扩散工艺的化学原理扩散工艺是一种将固体材料中的原子或分子在另一固体材料中扩散的方式。
它是一种重要的材料加工技术，被广泛应用于半导体行业、材料科学、电子设备制造等领域。
1.气相扩散：气相扩散是一种将气体原子或分子从高浓度区域扩散到低浓度区域的过程。
它广泛应用于半导体制造中。
在气相扩散过程中，气体原子或分子通过与被处理材料的表面发生化学反应来扩散。
这种化学反应的速率由固体表面与气体界面之间的反应速率决定。
例如，氮化硅薄膜的制备常采用氨气(NH3)与硅表面上的硅原子发生反应，形成氮化硅层。
氨气的浓度差异使其向硅表面扩散，反应的速率主要取决于氨气与硅表面反应的速率。
2.液相扩散：液相扩散是指液体中原子或分子通过扩散来实现的过程，这种扩散通常发生在固体表面和液体之间。
液相扩散常用于金属合金的制备。
在液相扩散过程中，金属原子在固相间扩散，并在固体和液体相界面处重新结晶。
液体中的浓度差异是驱动液相扩散的主要原因。
例如，当固体镍和固体铬在液体中混合时，镍原子和铬原子会相互扩散使合金形成均匀的镍铬分布。
这种液相扩散过程中，镍原子和铬原子之间的化学反应被加速，形成新的镍铬化合物。
3.固相扩散：固相扩散是指固体材料中的原子或分子通过固体晶界、点缺陷、空位等的移动来实现的扩散过程。
固相扩散通常发生在材料的固态结构中，是一种非常缓慢的过程。
固相扩散的速率取决于晶体中原子或分子的浓度差异以及晶界和缺陷的性质。
例如，金属在高温下会发生固相扩散。
当金属中的原子在晶界或点缺陷处移动时，它们会在固态结构中扩散，从而改变金属的组织结构和性能。
这种固相扩散对于合金的制备和材料的加工具有重要意义。
总之，扩散工艺是通过利用浓度差异从而使固体材料中的原子或分子在其它材料中扩散的一种技术。
气相扩散、液相扩散和固相扩散是扩散工艺的常见形式，它们的化学原理基于热运动和化学反应，其中浓度差异是驱动扩散的主要力量。
这些扩散过程对于材料的合成、改性和加工具有重要作用，广泛应用于各个领域。
扩散工艺——精选推荐
扩散⼯艺扩散⼯艺培训⼀、扩散⽬的在P型衬底上扩散N型杂质形成PN结。
达到合适的掺杂浓度ρ/⽅块电阻R□。
即获得适合太阳能电池PN结需要的结深和扩散层⽅块电阻。
R□的定义：⼀个均匀导体的⽴⽅体电阻 ,长L，宽W，厚dR= ρ L / d W =(ρ/d) (L/W)此薄层的电阻与（L / W）成正⽐，⽐例系数为（ρ /d）。
这个⽐例系数叫做⽅块电阻，⽤R□表⽰：R□ = ρ / dR = R□（L / W）L= W时R= R□，这时R□表⽰⼀个正⽅形薄层的电阻，与正⽅形边长⼤⼩⽆关。
单位Ω/□，⽅块电阻也称为薄层电阻Rs在太阳电池扩散⼯艺中，扩散层薄层电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要⼯艺指标之⼀。
制造⼀个PN结并不是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在⼀起就能形成的。
必须使⼀块完整的半导体晶体的⼀部分是P型区域，另⼀部分是N型区域。
也就是晶体内部形成P型和N型半导体接触。
⽬前绝⼤部分的电池⽚的基本成分是硅，在拉棒铸锭时均匀的掺⼊了B(硼)，B原⼦最外层有三个电⼦，掺B的硅含有⼤量空⽳，所以太阳能电池基⽚中的多数载流⼦是空⽳，少数载流⼦是电⼦，是P型半导体.在扩散时扩⼊⼤量的P(磷)，P原⼦最外层有五个电⼦，掺⼊⼤量P的基⽚由P型半导体变为N型导电体，多数载流⼦为电⼦,少数载流⼦为空⽳。
在P型区域和N型区域的交接区域，多数载流⼦相互吸引，漂移中和，最终在交接区域形成⼀个空间电荷区，内建电场区。
在内建电场区电场⽅向是由N区指向P区。
当⼊射光照射到电池⽚时，能量⼤于硅禁带宽度的光⼦穿过减反射膜进⼊硅中，在N 区、耗尽区、P区激发出光⽣电⼦空⽳对。
光⽣电⼦空⽳对在耗尽区中产⽣后，⽴即被内建电场分离，光⽣电⼦被进⼊N区，光⽣空⽳则被推进P区。
光⽣电⼦空⽳对在N区产⽣以后,光⽣空⽳便向PN结边界扩散，⼀旦到达PN结边界，便⽴即受到内建电场作⽤，被电场⼒牵引做漂移运动,越过耗尽区进⼊P区，光⽣电⼦(多⼦)则被留在N区。
扩散工艺知识
扩散工艺知识咱先来说说啥是扩散工艺哈。
就拿生活里常见的事儿打个比方，您要是在房间里喷了香水，那香味是不是会慢慢扩散到整个房间？这其实就有点像扩散工艺的原理。
扩散工艺呢，简单来讲，就是让一种物质从高浓度的地方向低浓度的地方移动，从而实现均匀分布。
这在很多领域都有应用，比如说在半导体制造中，那可是至关重要的一步。
我记得有一次，我去参观一家半导体工厂。
那时候，我就亲眼看到了扩散工艺的神奇之处。
工厂里的工人们穿着那种一尘不染的白色工作服，戴着帽子和口罩，只露出一双眼睛。
他们在一个巨大的车间里忙碌着，里面摆满了各种高科技的设备。
我走到一台正在进行扩散工艺的设备前，隔着玻璃仔细观察。
只见一片片小小的硅片被小心地放进一个像烤箱一样的设备里，然后设备开始运作，里面的温度和压力都被精确地控制着。
我就好奇地问旁边的工作人员：“这到底是咋回事呀？”工作人员特别耐心地给我解释说：“这就好比是在给这些硅片‘注入灵魂’，通过扩散工艺，把一些特殊的杂质均匀地‘撒’进硅片里，这样才能让硅片具备特定的电学性能，成为有用的半导体器件。
”咱再回到扩散工艺的知识上哈。
在化学领域，扩散工艺也常常被用到。
比如说，把一种溶液滴到另一种溶液里，如果不搅拌，它们也会慢慢地混合均匀，这也是扩散在起作用。
还有在生物领域，细胞之间物质的交换，也离不开扩散。
想象一下，细胞就像一个个小小的房子，它们之间的“门窗”就是用来进行物质扩散的通道。
扩散工艺的影响可大了去了。
就拿我们用的手机来说吧，里面的芯片能这么厉害，少不了扩散工艺的功劳。
要是没有精确的扩散控制，芯片的性能可就没法保证啦，您的手机可能就会变得又慢又卡。
在工业生产中，为了让扩散工艺更高效、更精准，科学家和工程师们可是费了不少心思。
他们不断地改进设备，优化工艺参数，就为了能让扩散的效果更好。
比如说，他们会研究怎么控制温度，因为温度高一点或者低一点，扩散的速度和效果都会不一样。
还有扩散的时间，多一秒少一秒，都可能影响最终的产品质量。
芯片扩散工艺
芯片扩散工艺芯片扩散工艺是集成电路制造过程中的重要环节之一，它直接影响着芯片的性能和可靠性。
本文将从芯片扩散工艺的定义、工艺步骤、工艺参数和应用领域等方面进行详细介绍。
一、芯片扩散工艺的定义芯片扩散工艺是指将掺杂源材料中的掺杂原子通过扩散过程引入到硅片表面或内部特定位置的一种技术。
通过扩散工艺，可以改变硅片的电学性质，实现不同功能和性能的芯片制备。
1. 准备工作：包括硅片清洗、掺杂源材料制备和掺杂源液体的制备等。
2. 掺杂源涂覆：将掺杂源液体均匀地涂覆在硅片表面。
3. 扩散过程：将涂覆了掺杂源液体的硅片放入高温炉中，在特定温度下进行扩散，使掺杂原子从掺杂源液体向硅片内部扩散。
4. 清洗工艺：将扩散后的硅片进行清洗，去除表面的杂质和残留物。
5. 其他工艺步骤：根据具体需求，可能还需要进行退火、腐蚀、沉积等工艺步骤。
三、芯片扩散工艺的参数1. 温度：扩散过程中的温度是一个重要的参数，它决定了掺杂原子的扩散速率和深度。
2. 时间：扩散时间也是一个关键参数，它决定了掺杂原子扩散的程度。
3. 掺杂浓度：掺杂源液体中掺杂原子的浓度决定了最终芯片的电学性质。
4. 扩散气氛：在扩散过程中，气氛的成分和压力也会对扩散效果产生影响。
四、芯片扩散工艺的应用领域1. 集成电路制造：芯片扩散工艺是集成电路制造过程中的核心环节，它决定了芯片的性能和功能。
2. 太阳能电池：芯片扩散工艺可以用于制备太阳能电池中的p-n结。
3. 传感器制造：芯片扩散工艺可以用于传感器的制造，改变其电学特性，实现不同的传感功能。
芯片扩散工艺是集成电路制造中不可或缺的一环。
通过合理选择工艺参数和优化工艺步骤，可以实现对芯片电学特性的精确控制，进而提高芯片的性能和可靠性。
随着科技的不断进步和创新，芯片扩散工艺也将不断发展，为各个领域的应用提供更加优质的芯片产品。
扩散的工艺流程
扩散的工艺流程
《扩散的工艺流程》
扩散是一种重要的化工工艺，用于在固体材料之间或在固体和液体之间进行物质交换。
扩散工艺在许多领域都有广泛的应用，包括制造半导体、热处理金属、药物传递等。
扩散的工艺流程通常包括以下几个步骤：
1. 初步准备：在进行扩散之前，首先需要准备好需要进行扩散的材料和介质。
这包括清洗和处理表面，以确保材料表面的纯净度和平整度。
2. 热处理：扩散通常需要高温条件下进行，因此热处理是一个关键的步骤。
材料被置于高温炉中进行加热，以促进扩散的进行。
3. 扩散介质选择：选择合适的介质对于扩散的进行是非常重要的。
一般来说，气体、液体和固体都可以作为扩散介质。
4. 扩散过程：一旦准备好材料和介质，扩散过程就可以进行了。
材料置于介质中，并在一定的时间和温度条件下进行扩散操作。
5. 控制扩散速率：在扩散过程中，需要对扩散速率进行控制。
这可以通过调节温度、压力和介质浓度来实现。
6. 结果分析：一旦扩散完成，需要对扩散结果进行分析。
这包
括检测扩散的深度和速率，以及材料的性能变化情况。
扩散工艺流程需要严格控制各个环节，以确保最终的扩散效果符合预期。
同时，还需要对扩散过程中的安全性进行充分考虑，以确保操作过程稳定可靠。
通过严谨的工艺流程，扩散工艺可以为各种领域提供高质量的材料和产品。
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作业步骤
1. 开始正常生产 2. 开始选定的作业项目 3. 结束选定的作业项目 4. 结束所有项目 5. 删除项目信息 6. 重新发送项目到系统
作业步骤介绍----正常生产
1，激活石英舟，验证舟的ID，类型，状态和承载位置
作业步骤介绍----正常生产
l 2，选择炉管,
潜在错误源
机械方面 破碎的硅片 舟未放对位置或方向、位置偏离 有物体妨碍器件移动 传感器方向偏离（在出现冲突后） 工艺方面 气体流量超出范围（MFC或供应出现故障） 温度超出范围 材料突然改变 软件方面 有人做了某些改动，但其他人员不知道谁改的，改 了什么地方
l 故障处理
如何对一个错误做出反应
l POCL3
安全---磷化物
防护措施
避免直接接触！
存放在有强制通风系统保护的气柜。 防护手套、防护服。 面罩或者眼罩与呼吸器联合使用。
l POCL3
安全---磷化物
临时处理措施
一旦起火，不能使用水或含水剂去灭火，可以使用干粉、 二氧化碳灭火器或者沙子。 如果不慎吸入：新鲜空气，休息，半直立放置，如有必要 ，可进行人工呼吸。 除去受到污染的衣物、用大量的清水冲洗皮肤、脸、眼等 部位或者进行冲淋。 呼叫医生。
Thank you！
指令集使函数更简单。
l 硅片载卸操作
硅片操作的防范措施
避免硅片划伤、沾污、破碎的方法
保持工作区空旷、无障碍物； 每个工作区仅保留一位操作人员； 坚持使用真空镊子、吸笔； 稳重操作 避免片盒和片架、舟的震动； 如有可能，尽量使用柔软表面的盒子； 避免由摩擦造成的划伤（硅片之间或硅片与其他表面之间）； 不要急；
1. 2. 3. 4. 5. 6.
确认J&R 与 CMI上的错误信息， 删除失败的作业项目， 手动把舟移动到存储架2-6上，
重新加载作业信息，别忘了设置舟当前的位置， 重新开始自动运行，
如果有其他作业项目即将结束，CMI会先完成，然后再重新 开始原来重新加载的项目。
l 记录分析及工艺编辑
l 使用软件‘Protgraf’ l “Protgraf”的介绍
扩散工艺介绍
l centrotherm 扩散炉
扩散工艺介绍
通过工艺炉管内的气流
扩散工艺介绍
4 POCl3 + 3 O2 2P2O5 + 5 Si
2 P2O5 + 6 Cl2 4P + 5SiO2
扩散工艺介绍 工艺控制
►温度 ►时间 ►浓度 ►源温
►N2-POCL3流量 ►炉管内的压力
扩散工艺介绍 典型的工艺参数
1，勾选‘set boat to inactive after unloading’
作业介绍----删除作业信息
选择‘delete load information of this boat’
作业步骤介绍----重新开始项目
解决好J&R 操作错误后的步骤
从机台里移走一个工艺: 1. 打开工艺组织界面 2. 在左边选择相应的机台和工艺 3.用箭头‘==>’符号将工艺从机台移走 提示: 在此过程中删除程序并没有风险
工艺编辑
返回历史工艺 如何返回原来的工艺版本？ 1. 打开工艺组织界面 2. 选择所需要的工艺 3. 选择‘view older versions’ 4. 点选所希望的工艺版本并且点击 ‘check out’ 5. 选择 ‘view current recipes’ 6. 点击‘check in’激活旧版本工艺 注意: 任何时间双击均可预览工艺内容
工艺编辑 保存所有数据、备份
工艺编辑
工艺编辑 1. 打开工艺版本管理界面
2. 在机台 POCL1-1上检查所需工艺 3. 进入机台 POCL1-1的输入/输出窗口 4. 输出工艺 5. 编写工艺 （用“edit”按钮启动 GnuEdit 软件) 6. 保存并退出 GnuEdit软件 7. 输入工艺: 正确的工艺输入会显示错误及警告信息，如果有的话 8. 成功输入工艺后返回工艺版本管理界面 9. 重新记录工艺，更改后的工艺会被传送到其他炉管
工艺编辑
编写新工艺或复制工艺的程序
1. 打开工艺版本管理界面 2. 在机台POCL1-1上检查现有的工艺 3. 转到机台POCL1-1的输入/输出界面 4. 输出工艺 5. 复制工艺 6. 编写更改复制后的工艺 (用“edit”按钮启动 GnuEdit) 7. 保存并退出 GnuEdit 8. 输入旧的和新的工艺:正确的工艺输入会显示错误及警告，如果有。
记录分析 正文窗口 – 重要事件
记录分析 所选项目的列表显示
记录分析 发生了什么? – 事件显示
记录分析 图形显示- 全部
记录分析 图形显示 – 放大
工艺编辑 启动软件‘CCC-RM’
工艺编辑 工艺组织、传送
工艺编辑 工艺版本管理
工艺编辑 工艺编写的输入输出
工艺编辑 用‘GnuEdit’软件进行工艺编写
CESAR 手动操作 手动开启工艺
CESAR 组成菜单 用于高级操作的代表性项目 Manual/Gas
Manual/Bubbler Manual/Boat
Service/Recovery/Handling（复位）
Service/InitDevices（初始化） Service/Calibration/EFM horiz（校准）
逻辑布线(控制单元)
系统的逻辑布线
组成结构
组成结构
组成结构
组成结构
组成结构 炉体及气柜(CMS / PLC)
组成结构
扩散工艺流程图
控制器功能
机器控制 CMI 电脑 次级 lift PLC 次级 lift 电动机控制 次级 slider 电动机控制 CESAR 炉管控制器 次级 Reg97 温度控制器 次级 炉管载片控制器 次级气体控制器
l 舟的操作
舟操作时的防范措施
允许放置舟的位置：炉管内，冷却台，装卸台，舟柜。 进入舟承载区域前停止自动操作系统。 注意：舟及其附近可能处于高温，接触前必须先检查温度。 在手动操作时检查： 舟有无损坏、裂纹？ 舟是否干净？ 是否有破损硅片？（即使很小的部分也可能影响操作）
l 故障处理
9. 成功输入后返回工艺版本管理界面 10.重新登记新的（复制后的）工艺. 11.解开第2步开始的工艺锁定.
工艺编辑
工艺组织---将工艺分配到炉管 添加一个工艺到炉管（机台）
1. 2. 3. 3.
打开工艺组织界面 在右边的“pool”里选择我们需要的工艺 在左边选择我们需要的机台 用箭头‘<==’符号将工艺传送到机台
设备控制器
CMI - lift 功能
CMI – 警告及安全
CMI – 警告与安全 CMS -设备安全水平的设定
CMI – 警告与安全 CMS -错误显示与复位
CMI – CESAR的显示及操作界面
CESAR 控制器 炉管载片设备 工艺运行次序
气流, 源瓶, (压力) 工艺温度
每个炉管单独记录
仔细阅读错误信息并记录（错误代码、部件代码、提及内容） 确认错误并停止生产 定位错误源并检查其周围环境
处理错误 检查并改正后尝试“继续”按钮 如果不成功：取消操作并手动将舟及硅片移走
要点：炉门应该尽可能关闭，设定桨位置为0或者手动将其缩回。
l 故障处理—操作失误
如出现以下状况如何处理？
no boat in grip detected / unexpected change of grip state 检查抓手上舟的位置；如有必要，调整使其正常。 boat collision 由于舟位置不正确造成活动抓手的开关倾斜或旋转。 arm movement locked 开始自动操作前先将机械臂移动到中间位置。 boat not correct on paddle 在CESAR菜单，完成service/recovery/handling操作。 检查舟的位置，如果错误再次出现则执行Homing操作。 boat speed out of 2nd tolerance 随着“boat not correct on paddle”出现的潜在错误。
独立式结构: 一个炉管错误不会影响整个机台运行。
CESAR 自动操作 CESAR 自动操作
CESAR 手动操作
手动操作菜单
CESAR 手动操作 所有器件都可以进行手动操作
气体： 设定流量, 开关, 选项 温度： 设定实时值, 设定最终值，温度速率，内部/外部热电偶 舟: 位置, 速度, 复位, 上下 源瓶: 流量，温度，状态
and ‘CCC-RM’进行。
►参数及数据由记录中输入； ►分析图形、曲线数据
l
“CCC-RM”的介绍
►用于编辑工艺
l 记录分析
l Protgraf是最简单的检查、分析记录的方法
l 记录分析
l 用Protgraf开始进行记录分析
记录分析 选择需要列表输出或者图形显示的项目
记录分析 typical screen content of protocol text window
石英舟位置, 承载模式, 舟的状态
作业步骤介绍----正常生产
l 3，检验工艺选择及信息概要
作业步骤介绍----特定生产
1，激活石英舟并定义硅片承载模式
作业步骤介绍----特定生产
l 2，检验石英舟ID，类型，承载位置及状态
作业步骤介绍----特定生产
3，工艺选择及信息概要
作业步骤介绍----结束特定作业
CMS 系统 (Centrothem Machine Safety)
控制器功能
CCC - centrotherm cell control
► 保存所有连接的CESAR and CMI的备份 ► 所有记录的存储中心 ► 遥控服务的通道 ► 工艺的设计和组织 ► 记录的评估和分析 ► 舟的计算/ 系统生产信息的通路 ► 认知的基础: 保存了所有的介绍、文件、设备信息等 ► 备份中心: CD + DVD 记录器, 软件备份