半导体器件基础教案
半导体器件电子教案
• 数字集成电路 • 模拟集成电路 • 混合集成电路
集成电路的设计与制造工艺
集成电路的设计
• 电路设计 • 布图设计 • 工艺设计
集成电路的制造工艺
• 硅片制备 • 光刻 • 掺杂 • 薄膜沉积 • 刻蚀 • 测试
集成电路的应用与实例
集成电路的应用
• 计算机芯片 • 通信芯片 • 消费电子产品
半导体器件电子教案
01
半导体器件基础知识
半导体材料的性质与应用
半导体材料的特点
• 介于导体和绝缘体之间 • 能带结构 • 温度和掺杂影响导电性
半导体材料的分类
• 元素半导体（如硅、锗） • 化合物半导体（如镓砷化物） • 合金半导体（如硅锗合金）
半导体材料的应用
• 集成电路 • 二极管、三极管等半导体器件 • 光电器件 • 传感器
二极管的实例
• 整流二极管在电源电路中的应用 • 发光二极管在显示屏中的应用 • 稳压二极管在稳压电路中的应用
03
半导体三极管
三极管的结构与类型
三极管的结构
• NPN型 • PNP型 • MESFET型
三极管的类型
• 双极型三极管 • 结型场效应晶体管 • 高电子迁移率晶体管
三极管的特性与参数
07
半导体传感器
传感器的基本概念与分类
传感器的基本概念
• 将物理量或化学量转换为电信号 • 敏感元件与转换电路的结合
传感器的分类
• 物理传感器 • 化学传感器 • 生物传感器
传感器的原理与应用
传感器的原理
• 压电效应 • 热电效应 • 光电效应 • 化学效应
传感器的应用
• 压力检测 • 温度检测 • 光照检测 • 气体检测
半导体的基本知识教案
半导体的基本知识教案第一篇：半导体的基本知识教案电工电子技术教案第一章半导体二极管§1-1 教学目的：1、了解半导体导电性及特点。
2、初步掌握PN结的基本特性及非线性的实质。
3、熟悉二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。
4、了解特殊功能的二极管及应用。
半导体的基本知识教学重点、难点：教学重点：1）半导体导电性及特点。
2）PN结的基本特性及非线性的实质3）二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数。
教学难点：二极管外形和电路符号，伏安特性和主要参数一、半导体的基本概念人们按照物质导电性能，通常将各种材料分为导体、绝缘体和半导体三大类。
导电性能良好的物质称为导体，例如金、银、铜、铝等金属材料。
另一类是几乎不导电的物质称为绝缘体，例如陶瓷、橡胶、塑料等材料。
再一类是导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓等都是半导体。
纯净半导体也叫本征半导体，这种半导体只含有一种原子，且原子按一定规律整齐排列。
如常用半导体材料硅（Si）和锗（Ge）。
在常温下，其导电能力很弱；在环境温度升高或有光照时，其导电能力随之增强。
常常在本征半导体中掺入杂质，其目的不单纯是为了提高半导体的导电能力，而是想通过控制杂质掺入量的多少，来控制半导体的导电能力的强弱。
在硅本征半导体中，掺入微量的五价元素(磷或砷)，就形成N型半导体。
在硅本征半导体中，掺入微量的三价元素(铟或硼)，就形成P 型半导体。
二、PN结及单向导电性1、当把一块P型半导体和一块N型半导体用特殊工艺紧密结合时，在二者的交界面上会形成一个具有特殊现象的薄 1电工电子技术教案层，这个薄层被称为PN结。
2、PN结的单向导电性1）PN结加正向电压――正向导通正极接Ｐ区，负极接Ｎ区，称“正向偏置”或正偏。
２）PN结加反向电压――反向截止电源负极接Ｐ区，正极接Ｎ区，称“反向电压”或反偏。
ＰＮ结加正向电压导通，加反向电压截止，即ＰＮ结的――单向导电性§1-２一、二极管的结构、符号和分类 1.二极管的结构、符号半导体二极管晶体二极管是由一个PN结构成的，从P区引出的电极为二极管正极，N区引出的电极为二极管负极，用管壳封装起来即成二极管。
半导体的基础知识教案
半导体的基础知识教案第一章：半导体概述1.1 半导体的定义与特性解释半导体的概念介绍半导体的物理特性讨论半导体的重要参数1.2 半导体的分类与制备说明半导体材料的分类探讨半导体材料的制备方法分析半导体器件的制备过程第二章：PN结与二极管2.1 PN结的形成与特性解释PN结的概念与形成过程探讨PN结的特性分析PN结的应用领域2.2 二极管的结构与工作原理介绍二极管的结构解释二极管的工作原理探讨二极管的主要参数与规格第三章：双极型晶体管（BJT）3.1 BJT的结构与分类解释BJT的概念介绍BJT的结构与分类分析BJT的运作原理3.2 BJT的特性与参数探讨BJT的输入输出特性讨论BJT的主要参数与规格分析BJT的应用领域第四章：场效应晶体管（FET）4.1 FET的结构与分类解释FET的概念介绍FET的结构与分类分析FET的运作原理4.2 FET的特性与参数探讨FET的输入输出特性讨论FET的主要参数与规格分析FET的应用领域第五章：半导体器件的应用5.1 半导体二极管的应用介绍半导体二极管的应用领域分析二极管在不同电路中的应用实例5.2 半导体晶体管的应用解释半导体晶体管在不同电路中的应用探讨晶体管在不同电子设备中的应用实例5.3 半导体集成电路的应用介绍半导体集成电路的概念分析集成电路在不同电子设备中的应用实例第六章：半导体存储器6.1 存储器概述解释存储器的作用与分类探讨半导体存储器的发展历程分析存储器的主要参数6.2 RAM与ROM介绍RAM（随机存取存储器）的原理与应用解释ROM（只读存储器）的原理与应用分析RAM与ROM的区别与联系6.3 闪存与固态硬盘探讨闪存（NAND/NOR）的原理与应用介绍固态硬盘（SSD）的结构与工作原理分析固态硬盘的优势与挑战第七章：太阳能电池与光电子器件7.1 太阳能电池解释太阳能电池的原理与分类探讨太阳能电池的优缺点分析太阳能电池的应用领域7.2 光电子器件解释光电子器件的分类与应用探讨光电子器件的发展趋势第八章：半导体传感器8.1 传感器的基本概念解释传感器的作用与分类探讨传感器的基本原理分析传感器的主要参数8.2 常见半导体传感器介绍常见的半导体传感器类型解释半导体传感器的原理与应用分析半导体传感器的优势与挑战8.3 传感器在物联网中的应用探讨物联网与传感器的关系介绍传感器在物联网应用中的实例分析物联网传感器的发展趋势第九章：半导体激光器与光通信9.1 半导体激光器解释半导体激光器的工作原理探讨半导体激光器的特性与参数分析半导体激光器的应用领域9.2 光通信原理解释光纤通信与无线光通信的区别探讨光通信系统的组成与工作原理9.3 光通信器件与技术介绍光通信器件的类型与功能解释光通信技术的分类与发展趋势分析光通信在现代通信系统中的应用第十章：半导体技术与未来趋势10.1 摩尔定律与半导体技术发展解释摩尔定律的概念与意义探讨摩尔定律对半导体技术发展的影响分析半导体技术的未来发展趋势10.2 纳米技术与半导体器件介绍纳米技术在半导体器件中的应用解释纳米半导体器件的特性与优势探讨纳米半导体器件的未来发展趋势10.3 新兴半导体技术与应用分析新兴半导体技术的种类与应用领域探讨量子计算、生物半导体等未来技术的发展前景预测半导体技术与产业的未来发展趋势重点和难点解析重点环节一：半导体的定义与特性重点环节二：半导体的分类与制备重点环节三：PN结与二极管重点环节四：双极型晶体管（BJT）重点环节五：场效应晶体管（FET）重点环节六：半导体存储器重点环节七：太阳能电池与光电子器件重点环节八：半导体传感器重点环节九：半导体激光器与光通信重点环节十：半导体技术与未来趋势全文总结和概括：本文主要对半导体的基础知识进行了深入的解析，包括半导体材料的分类与特性、半导体的制备方法、PN结与二极管、双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）、半导体存储器、太阳能电池与光电子器件、半导体传感器、半导体激光器与光通信以及半导体技术与未来趋势等内容进行了详细的阐述。
半导体基础知识教案
半导体基础知识教案教案：半导体基础知识一、教学目标1.了解半导体的基本概念和特性。
2.认识半导体器件的分类和特点。
3.理解PN结的形成原理。
4.掌握半导体材料的基本性质和载流子的性质。
5.能够解释N型和P型半导体的形成过程及其特点。
二、教学重点1.半导体的基本概念和特性。
2.PN结的形成原理和性质。
三、教学难点1.半导体材料的基本性质和载流子的性质。
2.N型和P型半导体的形成过程及其特点。
四、教学过程1.导入（10分钟）通过展示一些常见的电子器件，引导学生思考半导体在电子器件中的作用，并提出相关问题。
2.讲解半导体的基本概念和特性（30分钟）（1）什么是半导体？（2）半导体的特性：导电性介于导体和绝缘体之间，自由载流子密度较低，导电性可通过控制去控制。
（3）半导体的晶体结构：满足共价键结构，可分为三维晶体和二维薄膜。
3.讲解PN结的形成原理和性质（40分钟）（1）PN结的形成原理：在P型和N型半导体相接触时，P型区域的空穴会向N型区域扩散，而N型区域的电子会向P型区域扩散，从而形成PN结。
（2）PN结的特性：具有整流作用，在正向偏置时导通，在反向偏置时截止。
4.讲解半导体材料的基本性质和载流子的性质（40分钟）（1）半导体材料的基本性质：硅和锗是常见的半导体材料，它们的常见性质包括禁带宽度和载流子浓度等。
（2）载流子的性质：包括载流子类型、载流子浓度和载流子迁移率等。
5.解释N型和P型半导体的形成过程及其特点（40分钟）（1）N型半导体的形成：掺杂少量的五价元素，如砷、锑等，形成多余电子，增加了电子浓度，形成N型半导体。
（2）N型半导体的特点：导电性主要由电子提供，因此电子迁移到P 型区域发挥导电作用。
（3）P型半导体的形成：掺杂少量的三价元素，如硼、铝等，形成多余空穴，增加了空穴浓度，形成P型半导体。
（4）P型半导体的特点：导电性主要由空穴提供，空穴迁移到N型区域发挥导电作用。
6.总结与讨论（20分钟）总结半导体的基本概念、特性以及PN结的形成原理和性质。
半导体器件物理教案课件
半导体器件物理教案课件PPT第一章：半导体物理基础知识1.1 半导体的基本概念介绍半导体的定义、特点和分类解释n型和p型半导体的概念1.2 能带理论介绍能带的概念和能带结构解释导带和价带的概念讲解半导体的导电机制第二章：半导体材料与制备2.1 半导体材料介绍常见的半导体材料，如硅、锗、砷化镓等解释半导体材料的制备方法，如拉晶、外延等2.2 半导体器件的制备工艺介绍半导体器件的制备工艺，如掺杂、氧化、光刻等解释各种制备工艺的作用和重要性第三章：半导体器件的基本原理3.1 晶体管的基本原理介绍晶体管的结构和工作原理解释n型和p型晶体管的概念讲解晶体管的导电特性3.2 半导体二极管的基本原理介绍半导体二极管的结构和工作原理解释PN结的概念和特性讲解二极管的导电特性第四章：半导体器件的特性与测量4.1 晶体管的特性介绍晶体管的主要参数，如电流放大倍数、截止电流等解释晶体管的转移特性、输出特性和开关特性4.2 半导体二极管的特性介绍半导体二极管的主要参数，如正向压降、反向漏电流等解释二极管的伏安特性、温度特性和频率特性第五章：半导体器件的应用5.1 晶体管的应用介绍晶体管在放大电路、开关电路和模拟电路中的应用解释晶体管在不同应用电路中的作用和性能要求5.2 半导体二极管的应用介绍半导体二极管在整流电路、滤波电路和稳压电路中的应用解释二极管在不同应用电路中的作用和性能要求第六章：场效应晶体管（FET）6.1 FET的基本结构和工作原理介绍FET的结构类型，包括MOSFET、JFET等解释FET的工作原理和导电机制讲解FET的输入阻抗和输出阻抗6.2 FET的特性介绍FET的主要参数，如饱和电流、跨导、漏极电流等解释FET的转移特性、输出特性和开关特性分析FET的静态和动态特性第七章：双极型晶体管（BJT）7.1 BJT的基本结构和工作原理介绍BJT的结构类型，包括NPN型和PNP型解释BJT的工作原理和导电机制讲解BJT的输入阻抗和输出阻抗7.2 BJT的特性介绍BJT的主要参数，如放大倍数、截止电流、饱和电流等解释BJT的转移特性、输出特性和开关特性分析BJT的静态和动态特性第八章：半导体存储器8.1 动态随机存储器（DRAM）介绍DRAM的基本结构和工作原理解释DRAM的存储原理和读写过程分析DRAM的性能特点和应用领域8.2 静态随机存储器（SRAM）介绍SRAM的基本结构和工作原理解释SRAM的存储原理和读写过程分析SRAM的性能特点和应用领域第九章：半导体集成电路9.1 集成电路的基本概念介绍集成电路的定义、分类和特点解释集成电路的制造工艺和封装方式9.2 集成电路的设计与应用介绍集成电路的设计方法和流程分析集成电路在电子设备中的应用和性能要求第十章：半导体器件的测试与故障诊断10.1 半导体器件的测试方法介绍半导体器件测试的基本原理和方法解释半导体器件测试仪器和测试电路10.2 半导体器件的故障诊断介绍半导体器件故障的类型和原因讲解半导体器件故障诊断的方法和步骤第十一章：功率半导体器件11.1 功率二极管和晶闸管介绍功率二极管和晶闸管的结构、原理和特性分析功率二极管和晶闸管在电力电子设备中的应用11.2 功率MOSFET和IGBT介绍功率MOSFET和IGBT的结构、原理和特性分析功率MOSFET和IGBT在电力电子设备中的应用第十二章：光电器件12.1 光电二极管和太阳能电池介绍光电二极管和太阳能电池的结构、原理和特性分析光电二极管和太阳能电池在光电子设备中的应用12.2 光电晶体管和光开关介绍光电晶体管和光开关的结构、原理和特性分析光电晶体管和光开关在光电子设备中的应用第十三章：半导体传感器13.1 温度传感器和压力传感器介绍温度传感器和压力传感器的结构、原理和特性分析温度传感器和压力传感器在电子测量中的应用13.2 光传感器和磁传感器介绍光传感器和磁传感器的结构、原理和特性分析光传感器和磁传感器在电子测量中的应用第十四章：半导体器件的可靠性14.1 半导体器件的可靠性基本概念介绍半导体器件可靠性的定义、指标和分类解释半导体器件可靠性的重要性14.2 半导体器件可靠性的影响因素分析半导体器件可靠性受材料、工艺、封装等因素的影响14.3 提高半导体器件可靠性的方法介绍提高半导体器件可靠性的设计和工艺措施第十五章：半导体器件的发展趋势15.1 纳米晶体管和新型存储器介绍纳米晶体管和新型存储器的研究进展和应用前景15.2 新型半导体材料和器件介绍石墨烯、碳纳米管等新型半导体材料和器件的研究进展和应用前景15.3 半导体器件技术的未来发展趋势分析半导体器件技术的未来发展趋势和挑战重点和难点解析重点：1. 半导体的基本概念、分类和特点。
半导体器件教案
第1 章半导体二极管及其应用本章规定：1、理解本证半导体、P 型和N 型半导体的特性及PN 结的形成过程。
2、熟悉二极管的伏安特性及其分类。
3、掌握直流稳压电源的构成及各部分电路的作用。
本章重点：1、PN 结的单向导电性。
2、二极管的伏安特性及应用。
本章难点：PN 结的形成。
教学时数：8 学时教学办法：自学+多媒体教学1.1半导体的特性及其类型一、半导体的独特特性１、导体、半导体和绝缘体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属普通都是导体。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。
半导体：导电特性处在导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和某些硫化物、氧化物等。
2、半导体的导电特性：（1）热敏性：当环境温度升高时，导电能力明显增强。
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。
（2）光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。
(可做成多个光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管教学办法阐明通过生产生活中的电子产品引入课题。
等)。
（3）掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显变化。
(可做成多个不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
3、本征半导体的晶体构造（1）本征半导体 --- 完全纯净的、不含其它杂质且含有晶体构造的半导体称为本征半导体。
（2）、本征半导体中的两种载流子----自由电子和空穴使本征半导体含有导电能力，但很微弱。
注意：温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好因。
此，温度对半导体器件性能影响很大。
二、杂质半导体注意阐明：本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差。
1、N 型半导体----掺入五价元素如磷、锑、砷等。
自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
2、P 型半导体掺入三价元素如硼、镓、铟等。
空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
注意：1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。
2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。
半导体基础知识教案
课序： 1课题：第一章第 1.1 节半导体基础知识目的要求： 1.了解本征半导体的结构和特征2.掌握杂质半导体的结构和特征3.牢固掌握P型和N型半导体的特点重点难点：重点P型和N型半导体的特点难点本征激发教学手段: 结合电子课件讲解教具：电子课件、计算机、投影屏幕复习提问 1.三、四、五价化学元素有哪些？2.惰性气体有何特点？课堂讨论 1.何谓本征半导体？其导电能力由什么因素决定。
2. P型和N型半导体的特点？3.半导体的导电能力与哪些因素有关？课时分配:2课时授课内容：引言模拟电子电路的核心是半导体器件，而半导体器件是由半导体材料制成的。
因此，我们必须首先了解半导体的有关知识，尤其应当了解半导体的导电特性。
1.1.1导体、绝缘和半导体物质按其导电能力的强弱，可分为导体、绝缘体和半导体。
一. 导体导电能力很强的物质，叫导体。
如低价元素铜、铁、铝等。
二、绝缘体导电能力很弱，基本上不导电的物质,叫绝缘体.如高价惰性气体和橡胶、陶瓷、塑料等高分子材料等.三. 半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，叫半导体。
如硅、锗等四价元素，其简化原子结构模型如图课本１.１所示。
为什么物质的导电能力有如此大的差别呢？这与它们的原子结构有关，即与它们的原子最外层的电子受其原子核束缚力的强弱有关。
１.１.２本征半导体纯净且呈现晶体结构的半导体，叫本征半导体。
一. 本征半导体结构通过特殊工艺加工，可以使硅或锗元素的原子之间靠共有电子对—共价键，形成非常规则的晶体点阵结构。
结果每个原子外层相对排满８个电子，形成相对稳定的状态。
这种结构整齐且单一的纯净半导体，叫本征半导体。
如课本图１-２所示二. 本征激发在常温下，由于热能的激发，使本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子。
同时，在共价键中留下一个空位，叫空穴。
这种产生自由电子和空穴对的现象，叫本征激发。
温度一定，自由电子和空穴对的浓度也一定。
电工与电子技术-半导体器件电子教案
电工与电子技术-半导体器件电子教案第一章：半导体基础知识1.1 半导体的概念与分类1.2 半导体的导电特性1.3 掺杂对半导体的影响1.4 半导体材料的制备方法第二章：二极管2.1 二极管的结构与分类2.2 二极管的伏安特性2.3 二极管的应用电路2.4 特殊二极管介绍第三章：晶体三极管3.1 晶体三极管的结构与分类3.2 晶体三极管的工作原理3.3 晶体三极管的伏安特性3.4 晶体三极管的应用电路第四章：场效应晶体管4.1 场效应晶体管的结构与分类4.2 场效应晶体管的工作原理4.3 场效应晶体管的伏安特性4.4 场效应晶体管的应用电路第五章：集成电路5.1 集成电路的基本概念5.2 集成电路的分类与特点5.3 集成电路的封装与测试5.4 常见集成电路的应用案例第六章：晶闸管及其应用6.1 晶闸管的结构与分类6.2 晶闸管的工作原理6.3 晶闸管的伏安特性6.4 晶闸管的应用电路第七章：功率集成电路7.1 功率集成电路的基本概念7.2 功率集成电路的分类与特点7.3 功率集成电路的封装与测试7.4 常见功率集成电路的应用案例第八章：光电器件8.1 光电器件的基本概念8.2 光电器件的分类与特点8.3 光电器件的伏安特性8.4 光电器件的应用电路第九章：半导体传感器9.1 半导体传感器的概念与分类9.2 半导体传感器的原理与应用9.3 常见半导体传感器的特点与选择9.4 半导体传感器在自动化技术中的应用第十章：半导体器件的测试与保护10.1 半导体器件测试的基本方法10.2 半导体器件保护电路的设计10.3 半导体器件的可靠性与失效分析10.4 半导体器件测试与保护在实际应用中的重要性重点和难点解析重点一：半导体的导电特性解析：半导体的导电特性是理解半导体器件工作的基础，其中载流子（电子和空穴）的浓度、迁移率和寿命是关键参数。
需要通过实验和模拟来加深学生对这些特性的理解。
重点二：二极管的伏安特性解析：二极管的伏安特性曲线是教学中的难点，需要通过图解和实验来让学生理解正向导通和反向截止的物理过程。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
半导体器件基础教案
课程目标：
通过本课程的学习，学生将能够掌握半导体器件的基本原理和应用，了解其在电子设备中的重要性，培养学生的分析和解决问题的能力。
教学内容：
第一节：半导体材料
1.硅和锗的基本性质
2.p型和n型半导体的特点
3.禁带宽度和载流子浓度的关系
第二节：pn结和二极管
1. pn结的形成与特点
2. pn结的正向和反向偏置
3.二极管的工作原理和特性曲线
4.常见二极管应用：整流、电压稳定器等
第三节：晶体管和放大器
1.晶体管的结构和工作原理
2. npn型和pnp型晶体管的区别
3.放大器的基本原理
4.常见晶体管放大器电路的设计和应用
第四节：场效应管和操作放大器
1.MOSFET的特点和工作原理
2.MOSFET与JFET的区别
3.操作放大器的组成和特性
4.操作放大器的基本应用电路：反相放大器、非反相放大器等
第五节：光电子器件
1.光电二极管和光敏电阻的工作原理和特性
2.发光二极管和激光二极管的工作原理和应用
3.光电晶体管和光耦合器件的工作原理和应用
教学方法：
1.演讲教学：介绍半导体器件的基本原理和概念，引导学生理解。
2.实验演示：展示实验装置，演示相关实验操作及结果分析，加深学生对器件原理的理解。
3.小组讨论：组织学生就特定话题进行讨论，激发学生思维，培养学生分析和解决问题的能力。
4.案例分析：引用实际案例，分析器件在电子设备中的应用，并结合实际问题进行讨论，加深学生对理论的理解和应用能力。
教学辅助：
1.教材：选用适合初学者的半导体器件基础教材，遵循课程目标和内容。
2.实验设备：提供基本的半导体器件实验设备，如二极管、晶体管等，以进行相关实验演示。
3.多媒体教学：准备课件，包括图表、实验操作演示视频等，用于清
晰展示器件的结构和原理。
评估方式：
1.课堂互动：结合课堂准备情况、提问回答情况等，评估学生的知识
掌握程度和思维能力。
2.实验报告：要求学生根据实验内容和结果撰写实验报告，评估学生
对实验原理的理解和实验操作能力。
3.期末考试：组织学生进行书面考试，用于综合评估学生对课程内容
的掌握程度。
教学进度安排：
本课程共计5节课，每节课2学时，具体安排如下：
第一、二节课：半导体材料与pn结
第三、四节课：晶体管和放大器
第五节课：场效应管和光电子器件
参考教材：。