芯片反向设计的流程图整理
反向工程开发流程图
销售部
客户提供样品和特 殊要求 客户提供图纸与特 殊要求 结束 与客户确认更改
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱYES
OK
客户反馈
阻尼力测试
特征全尺寸测 量
NO
制订产品的初步设 计方案
NO
NO
OK? NO
研发部
依据客户提供图纸 \样品以及特殊要 求进行设计与开发
是否能完全满 足客户要求?
YES
产品图纸 物料清单 新零件图纸 工艺图纸 新的工装要求及图纸等
YES
样品制做(至少5 支)并测试其性能 与尺寸
与样品或 图纸对比是否可接 收?
OK
确定产品的阻 力及尺寸标准
生产部
NG
小批量生产 至少50支
研发部/质量 部/生产部
批量生产(结束)
OK
验证
对产品性能进 行监控记录并 对内部结构进 行验证
ADD-PCD-RD-001.A1V
芯片工艺流程标准图
芯片工艺流程标准图芯片工艺流程标准图是指根据芯片生产的工艺要求，将整个制造过程分解为多个步骤，并将其按照特定的顺序排列在一张图中。
以下是一个常见的芯片工艺流程标准图的示例，包含了主要的工艺步骤和顺序。
1. 设计阶段：- 设计及验证芯片的功能、电路结构和布局。
- 通过电子设计自动化（EDA）工具完成电路布图设计和验证。
- 生成对应的掩膜图形，并验证其准确性。
2. 晶圆制备：- 购买或制造晶圆（通常为硅基材料）。
- 清洗晶圆以去除表面污染物。
- 进行化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）来形成用于制造芯片的薄膜层。
- 使用光刻技术将掩膜图形转移到薄膜层上。
3. 掺杂：- 使用离子注入或扩散将特定元素（如硼、磷或氮）掺入芯片的特定区域，以改变其电学特性。
- 进行退火处理来激活掺杂的材料。
4. 晶圆制作：- 制造晶体管的导电通道。
- 使用光刻技术将掩膜图形转移到芯片表面。
- 使用刻蚀工艺来去除暴露的材料，以形成导电通道及其他结构。
5. 金属化：- 使用物理气相沉积或化学气相沉积来形成金属薄膜层，以连接导电通道和其他电路元件。
- 使用光刻和刻蚀来定义金属薄膜层的形状和位置。
6. 封装：- 将芯片放置在封装基板上，并使用导热胶或焊接将其固定在上面。
- 使用线束将芯片的电连接引出到封装基板的外部。
7. 测试：- 对封装好的芯片进行功能和性能测试。
- 检查芯片是否符合规格要求。
8. 成品：- 经过测试合格的芯片将被封装在塑料封装或其他封装材料中。
- 打标和包装芯片以便运输和销售。
这是一个简化的芯片工艺流程标准图，实际的芯片工艺流程通常更加复杂，并包含更多的工艺步骤和细节。
芯片工艺流程标准图的制定有助于确保工艺步骤的顺序和准确性，并提高芯片的制造质量和可靠性。
集成电路版图设计(反向提取与正向设计)
集成电路设计综合实验报告班级：微电子学1201班姓名：学号：日期：2016年元月13日一.实验目的1、培养从版图提取电路的能力2、学习版图设计的方法和技巧3、复习和巩固基本的数字单元电路设计4、学习并掌握集成电路设计流程二.实验内容1. 反向提取给定电路模块（如下图所示），要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。
2. 设计一个CMOS结构的二选一选择器。
（1）根据二选一选择器功能，分析其逻辑关系。
（2）根据其逻辑关系，构建CMOS结构的电路图。
（3）利用EDA工具画出其相应版图。
（4）利用几何设计规则文件进行在线DRC验证并修改版图。
三.实验原理1. 反向提取给定电路模块方法一:直接将版图整体提取（如下图）。
其缺点：过程繁杂,所提取的电路不够直观,不易很快分析出其电路原理及实现功能。
直接提取的整体电路结构图方法二：将版图作模块化提取，所提取的各个模块再生成symbol，最后将symbol按版图连接方式组合成完整电路结构（如下图）。
其优点：使电路结构更简洁直观、结构严谨、层次清晰，更易于分析其原理及所实现的功能。
CMOS反相器模块CMOS反相器的symbolCMOS传输门模块 CMOS传输门的symbolCMOS三态门模块 CMOS三态门的symbolCMOS与非门模块 CMOS与非门的symbol各模块symbol按版图连接方式组合而成的整体电路经分析可知，其为一个带使能端的D锁存器，逻辑功能如下:①当A=1，CP=0时，Q=D，Q—=D—；②当A=1，CP=1时，Q、Q—保持；③当A=0，Q=0，Q—=1。
2.CMOS结构的二选一选择器二选一选择器（mux2）的电路如图所示，它的逻辑功能是：①当sel=1时，选择输入A通过，Y=A；②当sel=0时，选择输入B通过，Y=B。
二选一选择器（mux2）由三个与非门（nand）和一个反相器（inv）构成(利用实验1 的与非门和反相器symbol即可)。
集成电路反向设计流程
集成电路反向设计流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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使用化学或物理方法将芯片封装打开，暴露出芯片的内部结构。
CMOS反相器版图流程N+
P-SUB
N-WELL
4. 有源区注入——P+，N+区（select)。
CMOS反相器版图流程(8) Contact孔
P-SUB
N-WELL
5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。
CMOS反相器版图流程(9) Metal 1
P-SUB
N-WELL
6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝
集成电路设计版图设计制版掩膜版集成电路设计制造过程加工制造晶圆划片裸片封装封装完后的成品芯片下面以简化nwell工艺制作反相器版图设计的流程工艺制作反相器版图设计的流程cmos反相器的电路结构用用n沟道和p沟道mos管联合组成反相器
IC的设计流程
集成电路设计制造过程
电路系统架构
确定电路的制造工艺，搭建系统架构，明确电路的整体参数和性能。
CMOS反相器版图流程(10)
NMOS
INPUT
PMOS
GND
P-SUB
OUTPUT
N-WELL
VDD
谢谢
CMOS反相器版图流程(5) Poly Gate
P-SUB
N-WELL
3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处， 保留多晶硅
CMOS反相器版图流程(6) N+ Implant
P-SUB
N-WELL
4. 有源区注入——P+，N+区（select)。
CMOS反相器版图流程(7) P+ Implant
集成电路设计制造过程
集成电路设计
版图设计
制版
掩膜版
加工制造 晶圆
划片
裸片
封装
封装完后的成品芯片
下面以简化N-WELL工艺制 作反相器版图设计的流程
MCS51单片机芯片反向解剖以及正向设计的研究
二、MCS51单片机芯片正向设计
4、调试过程：调试是整个设计过程中必不可少的一环。通过调试，可以发现 和纠正硬件和软件中的问题，确保系统的正常运行。在调试过程中，通常需要利 用开发板、仿真器和调试软件等工具进行测试和验证。
三、实例分析
三、实例分析
在设计一个基于MCS51单片机的温度传感器系统时，以下问题可能会遇到：
关键词
关键词
1、MCS51单片机：本系统的主要控制器，负责处理输入信号、发出控制指令 等。
关键词
2、温度传感器：用于监测环境温度，将温度信号转换为电信号，再传输给单 片机。
关键词
3、继电器：一种电气开关设备，根据单片机的指令来控制加热装置的电源通 断。
关键词
4、加热装置：用于加热物体，可根据温度传感器的反馈调节加热功率。
二、MCS51单片机芯片正向设计
二、MCS51单片机芯片正向设计
在进行MCS51单片机芯片正向设计时，需要考虑以下几个方面：电路设计、软 件设计、硬件设计和调试过程。
二、MCS51单片机芯片正向设计
1、电路设计：首先需要定义芯片的功能和性能要求，然后根据需求进行逻辑 设计和电路布局。同时，需要考虑电源、时钟和复位等基本模块的设计。最后， 通过仿真和调试来验证电路设计的正确性。
三、实例分析
3、利用MCS51单片机的I/O端口和SCI接口实现数据的传输和处理。定义通信 协议，编写相关的软件代码，通过串口发送采样数据至计算机或其他设备进行处 理和显示。
三、实例分析
该温度传感器系统已经成功应用于实际生产中，具有测量准确、稳定性好、 易于维护等特点。但同时也存在一些不足之处，例如成本相对较高，不适用于大 规模普及等。因此，在后续设计中需要考虑如何降低成本和提高实用性等问题。
模拟集成电路反向设计流程简介
如何进行集成电路反向设计？
• 与之相比较的超大规模集成电路（数字电 路）设镜或者专门的看图软件（如上海 圣景微电子公司的ChipsmithLite）
知识产权是一个笼统的称呼，具体到芯片中，其包含的 知识产权主要是布图(Layout)的著作权和专利独享权。在美 国司法实践中，通常认为布图的相同部分超过70%则视为侵 权。
芯片反向工程和软件反向工程的比较
一个经常被混淆的概念是：软件反向工程是违法的，类似的芯片反向工 程也是违法的。
的确，在大多数情况下，软件反向工程是违法的，这是因为大多数软件 的包装盒上都印有版权信息，其中通常都包括了不允许用各种形式对该软件 进行反向工程的条款，购买该软件则意味着接受所有条款。一旦购买软件就 形成了一种契约关系，受合同法保护。因此，对软件进行反向工程就违反了 购买软件时承诺的合同义务。
即使是从网络上下载的共享软件或者免费软件在安装前也会显示一些信息作为安装软件所必须接受的协议条款其中同样包括不允许进行反向工程的内容只有同意所有条款通常是选择accept或agree按钮才能够继续安装
集成电路 反向设计流程简介
什么是反向设计？
反向设计（reverse design）也叫反 向工程（reverse engineering），就是通 过对终端产品的拆卸、破解而得出它 的设计方案或者它的原料配方，以便 于投入大批量生产，这通常被认为是 取得他人商业秘密的一种方法。
• 使用的工具软件：
专用的EDA软件，如Cadence公司DFII 软 件包中的电路仿真器。
• 使用的工具软件：
集成电路反向设计解析
集成电路反向设计解析作者：姚森宝滕谋艳陈璐来源：《科技视界》 2014年第12期姚森宝滕谋艳陈璐（深圳创维半导体设计中心有限公司，广东深圳 518108）【摘要】反向设计是IC设计方法的一个专有名词，是通过拍摄和放大已有芯片照片得到版图的几何图形。
反向设计和直接复制不同。
直接复制是对原芯片的集成电路布图设计进行直接复制和简单修改，反向设计充分了解原芯片关键技术原理的基础上，重新设计出功能相同或相似的芯片。
【关键词】版图；集成电路；反向设计１反向设计流程反向设计流程见图1所示，主要就是把待分析芯片转换成电路图和版图的过程。
１．１芯片解剖拍照我们所看到的照片图形是氧化层刻蚀形成的轨迹。
每个物理层看到的图形就是芯片通过解剖、染色、去层后得到逆向设计所需的图形信息，然后用光学显微镜摄取芯片图形信息再进行拼接对准。
国内外有多家能够提供完整解剖和电路提取的反向设计服务的公司。
图2所示就是某反向设计服务公司将芯片解剖拍照后的数据。
１．２芯片网表提取因为反向设计是一种自底向上的设计方法，所以芯片网表数据的提取质量显得尤其重要，初始数据的正确率直接影响电路整理、分析、物理验证。
为了得到高准确率的网表，一般会安排两组工程师分别独立对网表数据进行提取。
在两组工程师完成网表提取后分别进行电学规则检查以提高正确率，最后再进行网表对比验证（SVS）。
图3为已经提取完成的部分芯片网表１．３芯片电路分析整理将通过验证的网表通过EDIF、VERILOG、SPICE等格式导入EDA设计工具进行电路图的分析整理。
图３左边为网表通过ＥＤＩＦ格式导入，我们得到的是一个平层的网表数据，电路整理是把平层的电路进行层次化整理，形成一个电路的层次化结构，以便理解设计者的思路与技巧。
图3右边所示为经过整理的电路图。
１．４芯片电路仿真根据新的工艺调整电路器件参数，将已经层次化的电路图，通过仿真工具例如Hspice、Spectre、Hsim等EDA工具对电路模块功能进行仿真验证。
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芯片反向设计的流程图整理
什么是芯片反向设计？它是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理，实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉，可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题，也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。
芯片反向工程的意义：现代IC产业的市场竞争十分激烈，所有产品都是日新月异，使得各IC设计公司必须不断研发新产品，维持自身企业的竞争力。
IC设计公司常常要根据市场需求进入一个全然陌生的应用和技术领域，这是一件高风险的投资行为。
并且及时了解同类竞争对手芯片的成本和技术优势成为必然的工作。
如果让工程师在最短的时间以最有效率的方式设计电路才是最难解决的问题，逆向工程看来是其中一个解决方案。
逆向工程能将整颗IC从封装，制成到线路布局，使用将内部结构，尺寸，材料，制成与步骤一一还原，并能通过电路提取将电路布局还原成电路设计。
目前，国外集成电路设计已经非常成熟，国外最新工艺已经达到10nm，而国内才正处于发展期，最新工艺达到了28nm。
有关于集成电路的发展就不说了，网络上有的是资料。
对于IC设计师而言，理清楚IC设计的整个流程对于IC设计是非常有帮助的。
然而，网络上似乎并没有有关于IC设计整个流程的稍微详细一点的介绍，仅仅只是概略性的说分为设计、制造、测试、封装等四大主要板块，有的资料介绍又显得比较分散，只是单独讲某个细节，有的只是讲某个工具软件的使用却又并不知道该软件用于哪个流程之中，而且每个流程可能使用到的工具软件也不是太清楚（此观点仅为个人经历所得出的结论，并不一定真是这样）。
芯片正向设计与反向设计。
目前国际上的几个大的设计公司都是以正向设计为主，反向设计只是用于检查别家公司是否抄袭。
当然，芯片反向工程原本的目的也是为了防止芯片被抄袭的，但后来演变为小公司为了更快更省成本的设计出芯片而采取的一种方案。
目前国内逐渐往正向设计转变的公司也越来越多，正逐渐摆脱对反向设计的依赖。
当然，正处于发展初期的公司也不少，自然反向设计也是不少的。
本文章从芯片反向设计开始进行总结。