第二章 光学曝光技术课件(2)..
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摄影曝光及用光技巧(课堂PPT)
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根据一天中太阳位置的高低大约 可分为：
• 早晨和黄昏时刻 • 正常时刻 • 顶光时刻 • 天光时刻
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早晨和黄昏时刻
• 太阳与地平线保持在15°之内时，阳光 要透过极厚的雾气和尘埃层才能照亮地 面上的景物
• 光线较弱且柔和，拍摄出的照片垂直面 和水平面的反差较大，照片画面冷暖对 比强烈。由于阳光照射的角度低，景物 的投影往往被拉得很长。
• 1. 确保我们自己的皮肤色调与被摄对象的 皮肤色调相差无几。
• 2. 确保落到我们自己手臂皮肤上的光线与 落到被摄对脸上的光线相同。
• 3. 转动手臂，让落到手臂上光线所呈的角 度与落到被摄对象脸上的光线所呈角度相 同。
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18%灰板
18
自动曝光
• 自动相机上三种不同的测光系统类型 • 全自动测光系统 • 内置式测光系统 • 模式型曝光系统
• （5）逆光：又称“背光”光线来自被摄 体的正后方，逆光能使被摄体产生生动 的轮廓线条，使主体与背景分离，从而 使画面产生立体感、空间感。
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2、光位
• （6）顶光：光线来自被摄体的正上方， 如正中午的阳光、顶光会使人物脸部产 生不讨巧的浓重阴影，通常忌拍人像。
•
• （7）脚光：光线来自被摄体的下方，常 用于丑化人物的一种灯光方向。自然光 中没有脚光的光位。
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6．光色——指“光的颜色”或者说“色光 成分”。
• 通常把光色称为“色温”。光色无论在 表达上还是在技术上都是重要的，光色 决定了光的冷暖感，这方面能引起许多 感情上的联想。
• 光色对构图的意义主要表现在彩色摄影 中。
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第三节：自然光的运用
根据一天中太阳位置的高低大约 可分为：
• 早晨和黄昏时刻 • 正常时刻 • 顶光时刻 • 天光时刻
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早晨和黄昏时刻
• 太阳与地平线保持在15°之内时，阳光 要透过极厚的雾气和尘埃层才能照亮地 面上的景物
• 光线较弱且柔和，拍摄出的照片垂直面 和水平面的反差较大，照片画面冷暖对 比强烈。由于阳光照射的角度低，景物 的投影往往被拉得很长。
• 1. 确保我们自己的皮肤色调与被摄对象的 皮肤色调相差无几。
• 2. 确保落到我们自己手臂皮肤上的光线与 落到被摄对脸上的光线相同。
• 3. 转动手臂，让落到手臂上光线所呈的角 度与落到被摄对象脸上的光线所呈角度相 同。
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自动曝光
• 自动相机上三种不同的测光系统类型 • 全自动测光系统 • 内置式测光系统 • 模式型曝光系统
• （5）逆光：又称“背光”光线来自被摄 体的正后方，逆光能使被摄体产生生动 的轮廓线条，使主体与背景分离，从而 使画面产生立体感、空间感。
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2、光位
• （6）顶光：光线来自被摄体的正上方， 如正中午的阳光、顶光会使人物脸部产 生不讨巧的浓重阴影，通常忌拍人像。
•
• （7）脚光：光线来自被摄体的下方，常 用于丑化人物的一种灯光方向。自然光 中没有脚光的光位。
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6．光色——指“光的颜色”或者说“色光 成分”。
• 通常把光色称为“色温”。光色无论在 表达上还是在技术上都是重要的，光色 决定了光的冷暖感，这方面能引起许多 感情上的联想。
• 光色对构图的意义主要表现在彩色摄影 中。
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第三节：自然光的运用
《曝光机要点技术》课件
详细描述
机械故障表现为运动部件异常、卡滞或磨损；电路故障表现为电源故障、传感器故障或控制电路故障；软件故障表现为程序崩溃、数据传输错误或系统更新失败。解决方案包括定期维护保养、检查更换损坏部件、修复电路故障和更新软件系统等。
总结词
06
CHAPTER
曝光机维护与保养
每天使用柔软的干布擦拭曝光机表面，保持清洁。
详细描述
高精度和高分辨率的曝光机需要采用先进的曝光技术，如光学曝光、电子束曝光等，同时还需要采用精密的制造工艺，如超精密加工、纳米加工等，以确保设备的稳定性和可靠性。
01
02
03
04
总结词：高效能和稳定性是曝光机发展的另一个重要趋势。详细描述：高效能的曝光机能够提高生产效率，降低生产成本，而高稳定性的曝光机能够保证设备的长期可靠运行，减少维护和维修成本。为了实现高效能和稳定性，需要采用先进的控制系统和精密的部件。总结词：高效的控制系统能够实现快速、准确的运动控制和精密的定位控制。详细描述：先进的控制系统能够实现快速、准确的运动控制和精密的定位控制，从而提高设备的加工效率和精度。同时，高效的控制系统还能够实现设备的自动化和智能化，进一步提高设备的生产效率和稳定性。
总结词：智能化和自动化已经成为现代曝光机的重要特征。详细描述：智能化和自动化的曝光机能够实现自动化加工、智能化检测和故障诊断等功能，从而提高设备的生产效率和可靠性。智能化和自动化的曝光机还能够减少人工干预，降低人为因素对设备精度和稳定性的影响。总结词：为了实现智能化和自动化，需要采用先进的人工智能技术和传感器技术。详细描述：先进的人工智能技术能够实现设备的自适应控制和自主学习，从而提高设备的智能化水平。传感器技术则能够实现设备的实时监测和故障预警，进一步提高设备的可靠性和稳定性。
机械故障表现为运动部件异常、卡滞或磨损；电路故障表现为电源故障、传感器故障或控制电路故障；软件故障表现为程序崩溃、数据传输错误或系统更新失败。解决方案包括定期维护保养、检查更换损坏部件、修复电路故障和更新软件系统等。
总结词
06
CHAPTER
曝光机维护与保养
每天使用柔软的干布擦拭曝光机表面，保持清洁。
详细描述
高精度和高分辨率的曝光机需要采用先进的曝光技术，如光学曝光、电子束曝光等，同时还需要采用精密的制造工艺，如超精密加工、纳米加工等，以确保设备的稳定性和可靠性。
01
02
03
04
总结词：高效能和稳定性是曝光机发展的另一个重要趋势。详细描述：高效能的曝光机能够提高生产效率，降低生产成本，而高稳定性的曝光机能够保证设备的长期可靠运行，减少维护和维修成本。为了实现高效能和稳定性，需要采用先进的控制系统和精密的部件。总结词：高效的控制系统能够实现快速、准确的运动控制和精密的定位控制。详细描述：先进的控制系统能够实现快速、准确的运动控制和精密的定位控制，从而提高设备的加工效率和精度。同时，高效的控制系统还能够实现设备的自动化和智能化，进一步提高设备的生产效率和稳定性。
总结词：智能化和自动化已经成为现代曝光机的重要特征。详细描述：智能化和自动化的曝光机能够实现自动化加工、智能化检测和故障诊断等功能，从而提高设备的生产效率和可靠性。智能化和自动化的曝光机还能够减少人工干预，降低人为因素对设备精度和稳定性的影响。总结词：为了实现智能化和自动化，需要采用先进的人工智能技术和传感器技术。详细描述：先进的人工智能技术能够实现设备的自适应控制和自主学习，从而提高设备的智能化水平。传感器技术则能够实现设备的实时监测和故障预警，进一步提高设备的可靠性和稳定性。
微细和纳米加工技术 光学曝光技术2.1 引言 2.2光学曝光方式与原理.ppt
图2.2 接触式、接近式与投影式3种曝光方式的示意
4
图
2.2.1掩模对准式曝光
★掩模对准式曝光可以真实地再现掩模图形，但是它要求掩模必 须与光刻胶表面完全接触。
★掩模对准式曝光又可分为接触式曝光和接近式曝光（非接触式 光学曝光）。
掩模对准式曝光
5
1．接触式曝光
★接触式曝光又可分为 ①硬接触与②软接触 曝光。
参数。
★由式可见，若要曝光成像与掩模设计图形尽可能一致，只有 减小间隙和缩短照明波长。
10
2.2.2投影式曝光
★投影式曝光既有接触式曝光的高分辨率，而又避免了接触式 曝光容易产生缺陷的弊端。
★光学投影成像曝光技术是用光学投影的方法将掩模版图形的 影像(以等倍方式或缩小的方式)投影在半导体基片表面上，这 时掩模版作为光学成像系统的物方，基片表面上的光致抗蚀 剂层为像方。
λ ：照明光波长； NA：光学透镜的数值孔径； K2：一个与具体的曝光系统及光刻胶工艺特性
有关的常数。
★由上式可见，焦深与数值孔径的平方成反比。
★单纯地追求分辨率会使焦深大大减低。
R k1 NA
21
焦深甚至比分辨率更为重要
★大规模集成电路的硅晶圆直径都是在6～8in，甚至是12in。大的晶圆本 身就不可能做到绝对的平整，加之每一道曝光工序都是在前面已经加工 过的晶圆上进行，前道工序已在晶圆表面形成了高低起伏的电路结构形 貌。如果曝光系统的焦深很小，则掩模成像只能在很小的高度起伏范围 内才能保证聚焦，超出这一范围就散焦了。散焦的结果，使得分辨率下 降。
★投影式曝光的光学分辨率(R)取决于照明光波长(λ)、光学透 镜的数值孔径(NA)和工艺条件，如下式所示：
R k1 NA
摄影曝光及用光ppt讲解
摄影曝光及用光ppt 讲解
• 摄影曝光基础知识 • 用光技巧与实例分析 • 曝光控制方法与技巧 • 特殊场景曝光与用光策略 • 后期处理中曝光和色彩调整 • 总结与展望
目录
Part
01
摄影曝光基础知识
曝光定义与原理
曝光定义
曝光是指相机在拍摄过程中，通过控制光线进入相机的时间和强度，使感光元件（胶片 或数字传感器）获得适当的光量，从而记录下被摄物体的影像。
作品三
肯定了曝光控制和色彩还原上的准 确性，建议加强主题表达和情感传 递的深度。
未来发展趋势预测
1 2 3
技术创新
随着科技的进步，未来摄影技术将更加注重智能 化、自动化和高效能，例如AI辅助构图、智能曝 光控制等。
艺术与科技的融合
摄影将更加注重与其他艺术形式的跨界融合，如 虚拟现实、增强现实等技术的结合，创造出更加 丰富多样的视觉体验。
测光模式
2
介绍了评价测光、中央重
点平均测光和点测光的原
理及应用场景。
曝光补偿 3 阐述了在复杂光线条件下，
如何运用曝光补偿功能来 调整曝光量。
学员作品点评与改进建议
作品一
点评了构图、光线运用和主题表 现等方面的优点，提出了在曝光 控制和色彩处理上的改进建议。
作品二
分析了创意构思和用光技巧上的亮 点，指出了在画面层次感和细节表 现上的不足。
Part
03
曝光控制方法与技巧
测光模式选择及调整策略
矩阵测光
对画面整体进行测光，适 用于光线均匀的场景。
中央重点测光
以画面中央区域为重点进 行测光，适用于主体位于 画面中央的场景。
点测光
对画面中的特定点进行测 光，适用于光线复杂或需 要精确控制曝光的场景。
• 摄影曝光基础知识 • 用光技巧与实例分析 • 曝光控制方法与技巧 • 特殊场景曝光与用光策略 • 后期处理中曝光和色彩调整 • 总结与展望
目录
Part
01
摄影曝光基础知识
曝光定义与原理
曝光定义
曝光是指相机在拍摄过程中，通过控制光线进入相机的时间和强度，使感光元件（胶片 或数字传感器）获得适当的光量，从而记录下被摄物体的影像。
作品三
肯定了曝光控制和色彩还原上的准 确性，建议加强主题表达和情感传 递的深度。
未来发展趋势预测
1 2 3
技术创新
随着科技的进步，未来摄影技术将更加注重智能 化、自动化和高效能，例如AI辅助构图、智能曝 光控制等。
艺术与科技的融合
摄影将更加注重与其他艺术形式的跨界融合，如 虚拟现实、增强现实等技术的结合，创造出更加 丰富多样的视觉体验。
测光模式
2
介绍了评价测光、中央重
点平均测光和点测光的原
理及应用场景。
曝光补偿 3 阐述了在复杂光线条件下，
如何运用曝光补偿功能来 调整曝光量。
学员作品点评与改进建议
作品一
点评了构图、光线运用和主题表 现等方面的优点，提出了在曝光 控制和色彩处理上的改进建议。
作品二
分析了创意构思和用光技巧上的亮 点，指出了在画面层次感和细节表 现上的不足。
Part
03
曝光控制方法与技巧
测光模式选择及调整策略
矩阵测光
对画面整体进行测光，适 用于光线均匀的场景。
中央重点测光
以画面中央区域为重点进 行测光，适用于主体位于 画面中央的场景。
点测光
对画面中的特定点进行测 光，适用于光线复杂或需 要精确控制曝光的场景。
曝光原理课件
50 100 200 400 800 1600
3200 6400 12800 25600
在数码相机中ISO定义和胶卷相同，代表着 CCD或者CMOS感光元件的感光速度，ISO数 值越高就说明该感光材料的感光能力越强。
数码相机能自由调整感光度。
如设为高感光度，就能提高接受光信号的 数量，从而在黑暗环境下实现较快的快门 速度(或较小的光圈)，但也有其缺陷，由于 数码相机是通过放大电子信号实现高感光 度的，所以同时也会增加不明显的微小噪 点。
感光度——表示感光材料感光的快慢程度。感光 度的单位用“度”或“定”来表示，如“ISO100” 表示感光度为100度(21定)的胶卷。感光度越高， 胶片越灵敏（就是在同样的拍摄环境下正常拍摄 同一张照片所需要的光线量越少，其表现为能用 更高的快门或更小的光圈）。200度的胶卷感光 的灵敏度是100度胶卷的2倍，400度的胶卷的灵 敏度是200度胶卷的2倍，其余以此类推。
类似拍摄图例照片中人物时，远摄端不仅可 以将远处的人物拉近，还可将远处的背景虚 化，从而突出了画面中的人物。
• 最便捷的曝光模式推荐：光圈优先 A或AV
•
光圈优先：拍摄者根据自己需要的景深效果设定光圈， 曝光速度让相机自动确定的曝光方式。
•
当光线或背景异常导致拍摄照片曝光不正常，偏暗或偏 亮，这时候就需要曝光补偿。
，例如荧光灯的光偏绿、钨丝灯的光偏红或 偏桔色。白平衡的功能就是对光线颜色的影 响进行补偿。在这里，让我们来看看白平衡 的种类和效果
与胶片相机不同，数码相机具有不管在何
种光源下都能以正确的色调进行拍摄的特征， 而白平衡就是用于实现色调调节的。白平衡 的基本概念是“不管在任何光源下，都能将 白色物体还原为白色”，对在特定光源下拍 摄时出现的偏色现象，通过加强对应的补色 来进行补偿。
3200 6400 12800 25600
在数码相机中ISO定义和胶卷相同，代表着 CCD或者CMOS感光元件的感光速度，ISO数 值越高就说明该感光材料的感光能力越强。
数码相机能自由调整感光度。
如设为高感光度，就能提高接受光信号的 数量，从而在黑暗环境下实现较快的快门 速度(或较小的光圈)，但也有其缺陷，由于 数码相机是通过放大电子信号实现高感光 度的，所以同时也会增加不明显的微小噪 点。
感光度——表示感光材料感光的快慢程度。感光 度的单位用“度”或“定”来表示，如“ISO100” 表示感光度为100度(21定)的胶卷。感光度越高， 胶片越灵敏（就是在同样的拍摄环境下正常拍摄 同一张照片所需要的光线量越少，其表现为能用 更高的快门或更小的光圈）。200度的胶卷感光 的灵敏度是100度胶卷的2倍，400度的胶卷的灵 敏度是200度胶卷的2倍，其余以此类推。
类似拍摄图例照片中人物时，远摄端不仅可 以将远处的人物拉近，还可将远处的背景虚 化，从而突出了画面中的人物。
• 最便捷的曝光模式推荐：光圈优先 A或AV
•
光圈优先：拍摄者根据自己需要的景深效果设定光圈， 曝光速度让相机自动确定的曝光方式。
•
当光线或背景异常导致拍摄照片曝光不正常，偏暗或偏 亮，这时候就需要曝光补偿。
，例如荧光灯的光偏绿、钨丝灯的光偏红或 偏桔色。白平衡的功能就是对光线颜色的影 响进行补偿。在这里，让我们来看看白平衡 的种类和效果
与胶片相机不同，数码相机具有不管在何
种光源下都能以正确的色调进行拍摄的特征， 而白平衡就是用于实现色调调节的。白平衡 的基本概念是“不管在任何光源下，都能将 白色物体还原为白色”，对在特定光源下拍 摄时出现的偏色现象，通过加强对应的补色 来进行补偿。
曝光原理与曝光机2讲课文档
曝光原理与曝光机
现在一页，总共四十九页。
課程綱要
• 多層板製程 • 曝光製程 • 光阻曝光原理 • 曝光光源系統 • 曝光量測
现在二页，11总/共50四十九页。
多層板製程
现在三页，1总1/共50四十九页。
多層板Multilayer PCB 結構
線寬
線距
孔環Annular Ring 孔徑
線路
絕緣介質層
– L4/L5 0.38mm, 1/1: 17.8 mil
– 7628: 7.0 mil – 1080: 2.5 mil
– L6 - 1/2 oz, 0.7 mil
– Total = 64 mil = 1.6 mm
现在七页，11总/共50四十九页。
多層板製程示意
现在八页，1总1/共50四十九页。
基板處理 內層製程 壓合鑽孔鍍銅 外層製程
– 濕膜：塗佈→預烘→曝光→顯像→蝕刻→剝膜 liquid film 10~15m厚，需80~120 mj/cm2 因無Mylar層可做較細線路
现在十二页1，1总/5共0四十九页。
曝光製程 - 外層
• 外層 Pattern Plate
– 光阻在線路製作製程 中使用，電鍍完成後除去
• 外層曝光 (負片流程)
• 外層曝光
– 負片流程 Pattern Plate
• 曝光聚合部分非線路 • 曝光顯像電鍍蝕刻
– 正片Tenting 流程 Tent and Etch
• 曝光聚合部分保護線路 • 曝光顯像蝕刻
现在十四页1，1总/5共0四十九页。
內層與外層製作比較
內層流程
外層負片電鍍流程
现在十五页1，1总/5共0四十九页。
成品檢查
內層AOI 鍍一次銅 外層剝膜
现在一页，总共四十九页。
課程綱要
• 多層板製程 • 曝光製程 • 光阻曝光原理 • 曝光光源系統 • 曝光量測
现在二页，11总/共50四十九页。
多層板製程
现在三页，1总1/共50四十九页。
多層板Multilayer PCB 結構
線寬
線距
孔環Annular Ring 孔徑
線路
絕緣介質層
– L4/L5 0.38mm, 1/1: 17.8 mil
– 7628: 7.0 mil – 1080: 2.5 mil
– L6 - 1/2 oz, 0.7 mil
– Total = 64 mil = 1.6 mm
现在七页，11总/共50四十九页。
多層板製程示意
现在八页，1总1/共50四十九页。
基板處理 內層製程 壓合鑽孔鍍銅 外層製程
– 濕膜：塗佈→預烘→曝光→顯像→蝕刻→剝膜 liquid film 10~15m厚，需80~120 mj/cm2 因無Mylar層可做較細線路
现在十二页1，1总/5共0四十九页。
曝光製程 - 外層
• 外層 Pattern Plate
– 光阻在線路製作製程 中使用，電鍍完成後除去
• 外層曝光 (負片流程)
• 外層曝光
– 負片流程 Pattern Plate
• 曝光聚合部分非線路 • 曝光顯像電鍍蝕刻
– 正片Tenting 流程 Tent and Etch
• 曝光聚合部分保護線路 • 曝光顯像蝕刻
现在十四页1，1总/5共0四十九页。
內層與外層製作比較
內層流程
外層負片電鍍流程
现在十五页1，1总/5共0四十九页。
成品檢查
內層AOI 鍍一次銅 外層剝膜
摄影技术之准确曝光PPT课件
第六章 准确曝光
CHENLI
5
第一节 曝光
一、曝光(Exposure)
摄影时控制照相机的光圈和快门速度，让外界景物所反射的 适量光线通过镜头到达图像传感器上形成影像，这个过程就称为 曝光。
曝光是否准确是由曝光量决定的。
准确曝光
CHENLI
6
二、曝光量
第
曝光量的科学定义是光线的强度乘以光线所作用的时间。
曝 光
该变焦镜头在不同焦距下的光圈系数是不同的。如焦距为28～80毫米的
量
变焦镜头，最小光圈系数为F／3.6-5.6，这光圈系数范围中的前一数值
的
因
（3.6）是对应最短焦距的光圈系数，后一数值（5.6）对应最长焦距下
素
的光圈系数。在手动控制曝光摄影时要注意这个问题。
第六章 准确曝光
CHENLI
21
一、光圈系数
光 量
秒……1／8000秒，即所标快门速度表示实际快门开启时间(单位为秒)的
的
倒数，快门速度值越大，快门开启时间越短。
因
素
部分照相机还有长于1秒的快门速度档。照相机档次越高，快门速度档
位越多，适合拍摄的范围越广。
第六章 准确曝光
CHENLI
28
二、快门速度
第
1.快门速度
二
节
决
有的数字相机还有B档、T档快门。它们都是供长时间曝光使
第六章 准确曝光
CHENLI
25
一、光圈系数
2. 光圈对曝光量的控制
第 二 节
决
定
数字单反照相机一般是在未按快门释放按钮时，无论光圈
曝 光
系数是哪一挡，光圈孔径都开到最大，这样便于取景、聚焦、
曝光机概论培训资料(PPT30页)
5.平面反射鏡
平面反射鏡：關閉時，將聚焦 鏡所射入之光線，反射到下曲 鏡反射面。
6.曲鏡
曲鏡：將聚焦鏡所射入之光線， 平均反射於曝光玻璃之上，上面 之曲度可以確實的將射入之光線 由小面積之平行光線，轉換成為 大面積之平行光線。
7.光學玻璃
光學玻璃：為PCB與底片之載 體，為無色透明之光學玻璃， 使用真空方式固定PCB與底片， 安裝於上下框架之玻璃框， 一組框架共使用兩塊玻璃， 機台分為上下框架，可以提 昇機台之產速。
CBT曝光機概論
Agenda
製程概述 製程分類 感光劑種類 光源 對位系統 CBT曝光機 特殊設計 Q&A
製程概述
壓膜、曝光、顯影
曝光原理 利用紫外線(UV)
的能量，使感光油墨 中的光敏物質進行光 化學反應，而完成影 像轉移的目的。
常見PCB曝光所用UV光 源(如右圖) ,光源波 長365nm
2.鏡碗
鏡碗：將燈管所產生之光 線，反射後聚集於冷光鏡 上，鏡碗之材質為鋁合金， 內部為反射光線之鏡面。
3.冷光鏡
冷光鏡：將鏡碗所聚集之光 線，濾除其他光線後，僅反 射UV光線於聚焦鏡上，冷光 鏡之材質為耐熱玻璃，上面 鍍以特殊塗層以反射UV光。
4.聚焦鏡
聚焦鏡：將冷光鏡所反射之UV光線聚焦與 整理後，UV光穿透聚焦鏡射於曲鏡上，聚 焦鏡為多點聚焦，藉以整理所射入之UV散 射光。
CBT曝光機設備總表
5K 平行光 乾膜 製程
手動
E2002-5KMC E2002-10KMD
內層 防焊
單燈雙框雙面
E2100-5KMC E2100-5KAC
內層 外層
雙燈雙框雙面 E2100-7KMD
內層
CBT-810
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① 部分相干光成像理论——对于大数值孔径的光学曝光系统，需考 虑光波的矢量 效应，通过求解三维完全电磁方程的方法来计算曝。有些软件以标量衍射理论 计算投影式曝光的光强分布。 ② 以Dill方程计算光刻胶的曝光过程，以Dill模型或Mack模型来计算光刻胶的显影 过程。 光 刻 过 程 及 其 模 拟 模 型
虽然业界一再强调EUV的技术,我们有理由相信，EUV （极端远紫外光刻）将是未来纳米级光刻技术的主流工艺， 而一直沉默不语的Intel是否已经使用了这种技术呢？
Intel巨资开发的Intel’s Micro Exposure Tool（MET）
IMEC开发的EUV alpha demonstration tool
(4) EUV（极端远紫外光）光刻技术
EUV是目前距实用话最近的一种深亚微米的光刻技术。 他仍然采用前面提到的分步投影光刻系统，只是改变光源的 波长，即采用波长更短的远紫外线。采用的EUV进行光刻的 主要难点是很难找到合适的制作掩膜版的材料和光学系统。
EUV光刻技术
EUV极端远紫外光所处的位置 上图中，我们可以明确看到EUV极端远紫外光在光谱中的位置， 这是一种波长极短的光刻技术，其曝光波长大约为13.5nm。按 照目前理论上认为的波长与蚀刻精度关系，EUV技术能够蚀刻 出5nm以下工艺的晶体管。
东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室
(1) 光学无掩模光刻
无掩膜光刻技术的两大研究方向为光学无掩模光刻（Optical Maskless Lithography）和带电粒子无掩膜光刻（Charged Particle Maskless Lithography）。
光学无掩膜技术是从传统的光学光刻机 构造发展而来的，最大的不同是掩膜版 被一排光调制器（DMD，Digital Micromirror Device，数字微镜阵列）取代， 通过实时控制制作出需要的图形。
干涉光学曝光技术原理示意图
(3) 灰度曝光技术
灰度曝光技术——制造准三维浮雕结构的光学曝光技术，可以产生曲面的光刻胶剖 面。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来 表示的。一般实现灰度掩膜板有下列几种方法：改变透光点的大小；改变透光点的 数目；将灰度区划分为许多单元。 注意： （1）单纯按剖面高度分布函数来确定灰度掩模并不能得到预想的光刻胶剖面，还 必须考虑各种成像的非线性因素，对掩模的灰度加以校正。 （2）并非所有的光刻胶都可以用于灰度曝光。光刻胶要具有较大的黏度；光刻胶 要具有比较低的对比度；光刻胶的抗蚀比尽量与衬底材料接近。
PROLITH（ KLA-Tencor）
SIGMA-C （ SOLID-C ）
SAMPLE（Berkeley）
曝光质量比较
① 模拟的目的是找出最佳的工艺条件和曝光条件，找出最佳的掩模设计方案。 光学曝光质量的比较的标准—Ⅰ：比较光学像;Ⅱ:比较显影后的光刻胶图形。 Ⅰ：比较光学像—光学像的比较主要是比较像分布的对比度和焦深。比较光学像可 排除光刻胶及具体工艺条件的影响，直接对光学系统和掩模系统进行评价。是一种
最大的优点就是降低了掩模的成本。由 于采用了无掩模光刻工具，可以根据所 需制造芯片结构的变化而做出相应的改 变，不需针对每一种芯片专门制造一套 掩模。 总体生产率仍较低，光束校正确认、套 准误差控制、光束的选择、分辨力的延 展性以及光束调节器等
(2)干涉曝光技术
投影式曝光适用于大规模生产，但由于其设备过于昂贵，并不 适用于科学研究，故开发了一系列的低成本曝光技术，同样可 以获得100nm以下的曝光能力。
定性的评价。
Ⅱ:比较显影后的光刻胶图形—对某一种光刻胶比较曝光剂量和散焦对图形关键尺寸 CD的影响。
（1） 。
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
台积电公司订购ASML公司极紫外光 刻系统Twinscan NXE3100
Intel应用EUV技术获得的一些实验结果
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
干涉光学曝光技术——又叫作“全 息曝光”。 实现干涉光学曝光技术的关键是要 获得具有较好的空间和时间相干性 的相干光，为了实现这一目的，通 常需要特制的相位光栅调制来获得 干涉光分布。 干涉光学曝光技术的优点：设备简 单；不需要光学掩模。 缺点：只能形成二维平面周期分布 的线条图形。 提高曝光分辨率的方法：调整曝光 光刻胶的曝光阈值；采用浸没式曝 光。
东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室
厚胶曝光技术
超大规模集成电路加工追求的是光学曝光的极限分辨率，而微 系统或微机电系统追求的是光学曝光的另一个极端——超厚胶 曝光。
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
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光刻工艺模拟的作用
最大限度提高半导体制造商 对现有曝光机的利用率，实 现对光刻工艺战略的快速定 义并认证，从而缩短进入市 场的时间； 缩短量产化进程 ，对光刻结 果提供可靠的预测能够对光 刻过程，结构设计及掩模进 行校正； 提高生产率和增加收益 ，减 少暇疵提高，缩小IC设计与
成品之间的差距。
光刻工艺模拟技术简介
虽然业界一再强调EUV的技术,我们有理由相信，EUV （极端远紫外光刻）将是未来纳米级光刻技术的主流工艺， 而一直沉默不语的Intel是否已经使用了这种技术呢？
Intel巨资开发的Intel’s Micro Exposure Tool（MET）
IMEC开发的EUV alpha demonstration tool
(4) EUV（极端远紫外光）光刻技术
EUV是目前距实用话最近的一种深亚微米的光刻技术。 他仍然采用前面提到的分步投影光刻系统，只是改变光源的 波长，即采用波长更短的远紫外线。采用的EUV进行光刻的 主要难点是很难找到合适的制作掩膜版的材料和光学系统。
EUV光刻技术
EUV极端远紫外光所处的位置 上图中，我们可以明确看到EUV极端远紫外光在光谱中的位置， 这是一种波长极短的光刻技术，其曝光波长大约为13.5nm。按 照目前理论上认为的波长与蚀刻精度关系，EUV技术能够蚀刻 出5nm以下工艺的晶体管。
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(1) 光学无掩模光刻
无掩膜光刻技术的两大研究方向为光学无掩模光刻（Optical Maskless Lithography）和带电粒子无掩膜光刻（Charged Particle Maskless Lithography）。
光学无掩膜技术是从传统的光学光刻机 构造发展而来的，最大的不同是掩膜版 被一排光调制器（DMD，Digital Micromirror Device，数字微镜阵列）取代， 通过实时控制制作出需要的图形。
干涉光学曝光技术原理示意图
(3) 灰度曝光技术
灰度曝光技术——制造准三维浮雕结构的光学曝光技术，可以产生曲面的光刻胶剖 面。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来 表示的。一般实现灰度掩膜板有下列几种方法：改变透光点的大小；改变透光点的 数目；将灰度区划分为许多单元。 注意： （1）单纯按剖面高度分布函数来确定灰度掩模并不能得到预想的光刻胶剖面，还 必须考虑各种成像的非线性因素，对掩模的灰度加以校正。 （2）并非所有的光刻胶都可以用于灰度曝光。光刻胶要具有较大的黏度；光刻胶 要具有比较低的对比度；光刻胶的抗蚀比尽量与衬底材料接近。
PROLITH（ KLA-Tencor）
SIGMA-C （ SOLID-C ）
SAMPLE（Berkeley）
曝光质量比较
① 模拟的目的是找出最佳的工艺条件和曝光条件，找出最佳的掩模设计方案。 光学曝光质量的比较的标准—Ⅰ：比较光学像;Ⅱ:比较显影后的光刻胶图形。 Ⅰ：比较光学像—光学像的比较主要是比较像分布的对比度和焦深。比较光学像可 排除光刻胶及具体工艺条件的影响，直接对光学系统和掩模系统进行评价。是一种
最大的优点就是降低了掩模的成本。由 于采用了无掩模光刻工具，可以根据所 需制造芯片结构的变化而做出相应的改 变，不需针对每一种芯片专门制造一套 掩模。 总体生产率仍较低，光束校正确认、套 准误差控制、光束的选择、分辨力的延 展性以及光束调节器等
(2)干涉曝光技术
投影式曝光适用于大规模生产，但由于其设备过于昂贵，并不 适用于科学研究，故开发了一系列的低成本曝光技术，同样可 以获得100nm以下的曝光能力。
定性的评价。
Ⅱ:比较显影后的光刻胶图形—对某一种光刻胶比较曝光剂量和散焦对图形关键尺寸 CD的影响。
（1） 。
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
台积电公司订购ASML公司极紫外光 刻系统Twinscan NXE3100
Intel应用EUV技术获得的一些实验结果
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
干涉光学曝光技术——又叫作“全 息曝光”。 实现干涉光学曝光技术的关键是要 获得具有较好的空间和时间相干性 的相干光，为了实现这一目的，通 常需要特制的相位光栅调制来获得 干涉光分布。 干涉光学曝光技术的优点：设备简 单；不需要光学掩模。 缺点：只能形成二维平面周期分布 的线条图形。 提高曝光分辨率的方法：调整曝光 光刻胶的曝光阈值；采用浸没式曝 光。
东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室
厚胶曝光技术
超大规模集成电路加工追求的是光学曝光的极限分辨率，而微 系统或微机电系统追求的是光学曝光的另一个极端——超厚胶 曝光。
第二章 光学曝光技术
光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术
东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室
光刻工艺模拟的作用
最大限度提高半导体制造商 对现有曝光机的利用率，实 现对光刻工艺战略的快速定 义并认证，从而缩短进入市 场的时间； 缩短量产化进程 ，对光刻结 果提供可靠的预测能够对光 刻过程，结构设计及掩模进 行校正； 提高生产率和增加收益 ，减 少暇疵提高，缩小IC设计与
成品之间的差距。
光刻工艺模拟技术简介