薄膜晶体硅太阳能电池分析比较
2024年晶硅太阳能电池市场分析现状
2024年晶硅太阳能电池市场分析现状1. 引言随着对可再生能源的日益重视，太阳能电池作为一种清洁能源转化技术，在能源领域中占据重要地位。
晶硅太阳能电池因其高效转换率、较长的使用寿命和成熟的生产工艺而成为市场主流。
本文将对晶硅太阳能电池市场的现状进行详细分析。
2. 晶硅太阳能电池的基本原理晶硅太阳能电池利用晶体硅材料的能带结构将太阳光能转化为电能。
当光子通过晶格结构的晶硅材料时，会激发电子从价带跃迁至导带，形成电子-空穴对。
通过引入P-N结构，可以形成电流，进而输出电能。
3. 晶硅太阳能电池市场规模根据市场研究机构的统计数据，在过去几年中，晶硅太阳能电池市场规模持续增长。
据预测，到2025年，全球晶硅太阳能电池市场规模将达到XX亿美元。
4. 晶硅太阳能电池的主要应用领域晶硅太阳能电池已经广泛应用于多个领域，包括但不限于：4.1 家庭光伏电站随着可再生能源的普及，越来越多的家庭开始安装光伏电站，其中晶硅太阳能电池作为主要的光伏组件。
4.2 商业和工业应用晶硅太阳能电池在商业和工业领域也得到了广泛应用。
例如，一些大型商业建筑通过安装太阳能电池板来减少能源消耗并节省能源费用。
4.3 农业领域晶硅太阳能电池在农业领域的应用越来越受到关注。
在农村地区，农民可以利用太阳能电池为农业灌溉系统和温室提供电力支持。
5. 晶硅太阳能电池市场竞争格局晶硅太阳能电池市场竞争激烈，主要竞争者包括国内外多家厂商。
虽然面临着来自其他太阳能技术的竞争，但晶硅太阳能电池的高效转换率和成熟的工艺使其在市场上保持了较大的份额。
6. 晶硅太阳能电池市场的发展趋势晶硅太阳能电池市场将继续保持稳定增长，并出现以下发展趋势：6.1 技术进步随着科技的不断进步，晶硅太阳能电池的效率将继续提高，同时成本将进一步降低，推动市场发展。
6.2 政府政策支持许多国家和地区已经制定了支持太阳能电池产业的政策和补贴措施，这将为市场带来更大的发展动力。
6.3 新兴市场需求增加随着对可再生能源需求的增加，一些新兴市场开始重视太阳能电池技术，并逐渐引入晶硅太阳能电池。
太阳能电池材料的种类、原理和特点
太阳能电池是一种将太阳能直接转换为电能的装置，它是太阳能光伏发电系统的核心部件之一。
太阳能电池材料的种类、原理和特点是影响太阳能电池性能和应用领域的关键因素。
本文将围绕这一主题展开讨论，以便为读者深入了解太阳能电池提供全面的了解。
一、太阳能电池材料的种类太阳能电池材料可以分为晶体硅、非晶硅、多晶硅、柔性薄膜电池材料等几种主要类型。
1. 晶体硅晶体硅是太阳能电池最常用的材料之一，它主要由单晶硅和多晶硅两种类型，其中单晶硅的电池效率较高，但成本较高，多晶硅则相对便宜一些。
2. 非晶硅非晶硅是一种非晶态材料，是将硅薄片进行涂覆和烧结而成的，其电池效率较低，但成本较低，适合一些需要成本控制的应用场景。
3. 多晶硅多晶硅电池是利用多晶硅片制成，其性价比相对较高，广泛应用于家用光伏电站和商业光伏电站中。
4. 柔性薄膜电池材料柔性薄膜电池是一种新型的太阳能电池材料，主要由非晶硅材料、铜铟镓硒等化合物材料制成，具有柔性、轻薄、便于携带等优点，是未来太阳能电池发展的方向。
二、太阳能电池材料的原理太阳能电池是利用光电效应将太阳能直接转换为电能的装置。
不同类型的太阳能电池材料有着不同的工作原理。
1. 晶体硅晶体硅太阳能电池的工作原理是通过P-N结构实现的。
当太阳光照射在P-N结上时，光子的能量被硅中的电子吸收并激发，使得电子跃迁到导带中，形成光生电子和空穴。
这些光生电子和空穴会在P-N结的作用下分离，从而形成电流，从而实现将太阳能光能转化为电能。
2. 非晶硅非晶硅太阳能电池利用非晶硅薄膜吸收太阳光的能量，并将其转化为电能。
其工作原理与晶体硅相似，但非晶硅的材料结构不规则，电子的运动方式也有所不同。
3. 柔性薄膜电池材料柔性薄膜电池材料利用非晶硅、铜铟镓硒等化合物材料，通过薄膜沉积技术将材料制备成薄膜，实现光伏效应的转化工作原理与晶体硅和非晶硅类似，通过材料的光电转换将太阳光能转换为电能。
三、太阳能电池材料的特点不同种类的太阳能电池材料各有其独特的特点和适用场景。
太阳能电池比较
1、单晶硅电池单晶硅太阳电池是当前开发最快的一种太阳电池，它的结构和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。
目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为15％左右，实验室成果也有20％以上的。
晶体硅仍是当前太阳能光伏电池的主流。
虽然从技术上讲，晶体硅并不是最佳材料，但它易于获取，适用的技术与电子工业相同。
2、多晶硅电池太阳电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅材料和冶金级硅材料。
其光电转换效率在12％左右，但其材料制造简便，电耗低，总的生产成本较低，因此得到广泛应用。
3、薄膜光伏电池薄膜光伏电池与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，成本低，重量轻，应用更为方便，它可以与房屋的屋面结合构成住户的独立电源。
它的主要优点是在弱光条件也能发电。
但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低，目前国际先进水平为10％左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。
4、多元化合物太阳电池多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池，大多数尚未工业化生产。
主要有：碲化镉太阳能电池、砷化镓太阳能电池、铜铟硒太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池)。
5、硫化镉太阳电池无法与多晶硅太阳电池竞争。
光电效率达到9％，按硫化镉材料的理论计算，其光电转换效率可达16.4％。
它在制造工艺上比较简单，设备问题容易解决。
6、砷化镓太阳电池砷化镓是一种很理想的太阳电池材料，它与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30％，特别适合做高温聚光太阳电池。
砷化镓材料的制备类似硅半导体材料的制备，由于镓比较稀缺，砷有毒，制造成本高，此种太阳电池的发展受到影响。
7、铜铟硒太阳电池铜铟硒太阳电池以铜、铟、硒三元化合物半导体为基本材料制成的太阳电池。
材料消耗少，成本低，性能稳定，光电转换效率在10％以上。
晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池。
晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池。
【摘要】晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池是目前主流的太阳能电池技术。
晶体硅太阳能电池采用单晶硅或多晶硅制成，具有高转换效率和较长寿命的特点，广泛应用于家用光伏发电系统和大型光伏电站。
制造成本高和生产过程能耗大是其主要缺点。
薄膜太阳能电池利用薄膜材料制成，具有灵活性和轻便性，适用于建筑一体化等特殊场景。
但是转换效率较低，使用寿命短。
比较晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池的效率、成本、适用场景等方面可见各有优劣。
未来，随着技术的进步和成本的下降，晶体硅和薄膜太阳能电池将继续发展，为清洁能源产业注入新动力。
【关键词】晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、原理、特点、应用、优缺点、比较、发展前景、总结。
1. 引言1.1 太阳能电池简介太阳能电池，也称为光伏电池，是一种能够将太阳能转化为电能的设备。
它是利用半导体材料的光电效应将太阳辐射直接转换为直流电的装置。
太阳能电池是清洁能源中的重要组成部分，具有环保、可再生和低碳的特点。
太阳能电池的核心部件是光伏电池片，其主要材料包括硅、硒化镉、铜铟镓硒等。
目前市场上主要有晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池两类。
晶体硅太阳能电池具有较高的转换效率和稳定性，是目前主流的太阳能电池技术；而薄膜太阳能电池则具有柔性、轻便和生产成本低的优势。
太阳能电池的应用领域广泛，包括家用光伏发电系统、工业和商业用途，以及航天航空领域等。
随着太阳能产业的快速发展，太阳能电池的效率和成本不断提升，未来将在能源领域扮演越来越重要的角色。
1.2 晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池介绍晶体硅太阳能电池是目前应用最广泛的太阳能电池技术之一。
它由大面积的单晶硅或多晶硅材料组成，通过将硅材料加工成光伏电池片并组装成电池组，从而将太阳能转化为电能。
晶体硅太阳能电池具有转换效率高、稳定性好、寿命长等优点，被广泛应用于屋顶光伏发电、太阳能光伏电站等领域。
薄膜太阳能电池是一种新型的太阳能电池技术，采用薄膜材料作为光伏电池片，相比于晶体硅太阳能电池，薄膜太阳能电池具有重量轻、柔软性好、制造成本低等优点。
薄膜太阳能电池组件与晶体硅电池组件对比
薄膜太阳能电池与晶体硅电池特点介绍商用的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能 电池和薄膜太阳能电池。
薄膜电池目前常见有：非晶硅电池、碲化镉电池、铜铟 硒电池等。
上述各类型电池主要性能如下表1.1 所示。
表1.1 太阳能电池分类汇总表种 类 电池类型 商用效率实验室效率使用寿命优点单晶硅 14%～17%23% 25 年效率高 技术成熟晶硅电池多晶硅 13%～15%20.3% 25 年 效率较高 技术成熟非晶硅 6%～9% 13% 25 年弱光效应好 成本相对较低碲化镉 8%～10% 15.8% 25 年弱光效应好 成本相对较低薄膜电池铜铟硒 10%～13%15.3% 25 年弱光效应好 成本相对较低单晶硅、多晶硅太阳能电池具有制造技术成熟、产品性能稳定、使用寿命长、光电转化效率相对较高的特点；非晶硅薄膜太阳能电池具有弱光效应好，成本相对于硅太阳能电池较低的优点。
而碲化镉则由于原材料存在较严重的环保回收问题；铜铟硒电池则因原材料稀缺性、成品率低，其规模化生产受到限制。
一、非晶硅薄膜与晶体硅的区别1、非晶硅薄膜组件材料和制造工艺对环境友好，易于形成大规模生产能力；2、非晶硅薄膜组件品种多，用途广；3、非晶硅薄膜组件能更好的配合建筑分格，更能体现建筑美观；4、非晶硅薄膜组件具备弱光发电的性能；5、非晶硅薄膜组件透光性好，透光度可从5%到30%；6、非晶硅薄膜组件高温性能好，高温对发电性能的影响比晶体硅的小很多；7、晶体硅具有“热斑效应”，而阴影对非晶硅的影响很小；8、晶体硅组件光电转换效率较非晶硅薄膜组件稍高；9、晶体硅组件占地面积较非晶硅薄膜组件稍少；二、温度对输出功率的影响1、当工作温度为25℃时，两者均无功率损失；2、随着工作温度的不断上升，晶体硅的实际输出功率会出现大幅度下降，下降幅度约为非晶硅的3 倍；3、高温环境下，非晶硅材料的优势尤为明显。
温度系数（%/℃）组件类别开路电压 短路电流 最大功率 非晶硅 -0.34 0.018 -0.19晶体硅 -0.34 0.065 -0.43 三、弱光环境发电量的测试四、“热斑效应”的影响1、对于晶体硅太阳电池，小遮挡即可引起大功率损失，即“热斑效应”；2、阴影遮挡对于薄膜电池的影响要小得多。
单晶和多晶太阳能电池板的区别和优劣势分析
单晶和多晶太阳能电池板的区别和优劣势分析导语：目前市场上主流应用的电池板分为：1、单晶太阳能电池板。
2、多晶太阳能电池板。
3、薄膜太阳能电池板。
他们三者的区别在于：1、单晶太阳能电池板单晶硅太阳能电池的光电转换效率为18%左右，最高的达到24%，这是所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，但制作成本很大，由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命可达25年。
(如下图，单晶硅的电池板中的电池片四角是圆滑的!有弧度的。
)2、多晶太阳能电池板多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约16%左右。
从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。
从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。
(如下图，多晶的电池片是没有圆角的。
和单晶的很好区分)3、薄膜太阳能电池板非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，它的主要优点是在弱光条件也能发电。
但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低，国际先进水平为10%左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。
再来看看组成部分：1、钢化玻璃，2、EV A 3、电池片4、EV A 5、背板6、铝合金保护层压件7、接线盒8、硅胶。
具体这些部件的作用是什么，让我们另外单独讲。
1、单晶太阳能电池板单晶电池板组成部件是一样的，只是它的电池片是单晶硅制作而成。
(Q:单晶硅是什么?A:硅的单晶体。
具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
) , 单晶硅的优势在于转换率比多晶硅高，在相同的面积下，能发更多电!降低了土地租金和支架成本。
薄膜电池与晶体硅电池比较
发电成本高是两大类太阳能电池的共性问题晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池是目前光伏市场的两种要产品，晶硅太阳能电池占据市场主流，约占90%左右的市场份额。
由于多晶硅生产工艺的属性决定了其产业链生产环节，尤其是多晶硅提纯中会存在高能耗、一些技术水平不高的企业甚至存在高污染问题。
而在应用中，晶硅太阳电池由于其温度效应和光谱响应范围窄的影响，使本来较高的光电转换效率大打折扣，从而影响光伏组件实际发电量。
薄膜太阳能电池因没有这些缺点应运而生，其不足在于转换效率相对较低，生产工艺复杂，生产设备昂贵，难以实现规模化生产。
发电成本高是两大类太阳能电池的共性问题。
中科院院士、北京大学物理学院教授甘子钊介绍说，薄膜太阳能电池家族主要包括硅基非晶硅(a-Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)三大类薄膜太阳能电池。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池具有生产成本较低、能耗低，污染小、不衰减、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近多晶硅太阳能电池，而耗材大大低于晶体硅电池，因此，被国际上称为“下一代非常有前途的新型薄膜太阳能电池”。
此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求建筑物BIPV应用的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙等，在现代化高层建筑等领域有潜在的广泛市场。
但CIGS要实现大面积量产，提升效率和良品率，是必须攻克的难题。
河南燕垣光伏能源有限公司总工程师陆真冀具体介绍了CIGS薄膜电池的几大优势，他说，CIGS薄膜电池具有更低廉的发电成本，减少了材料消耗，薄膜电池的生产成本普遍低于晶硅电池；更优越的弱光性能同规模组件，薄膜电池一天的发电量比晶硅电池大约超出10%～20%；更加多样化的用途薄膜电池，可以发展出多用途的产品，比如柔性基底电池等等。
因此，也受到业内不少厂商的广泛关注，但主要都是大面积平板CIGS薄膜电池。
太阳能集电管应运而生CIGS太阳能集电管具有高效、廉价、有自主知识产权、设备能够国产化等一系列优点。
全面分析和比较晶硅太阳电池与第二
一．全面分析和比较晶硅太阳电池与第二代电池（薄膜电池）的优势与劣势，并简单地谈谈对我国光伏产业的看法和建议光伏发电具有无污染、安全、寿命长、维护简单、资源永不枯竭等特点,是名副其实的“绿色电力”，随着世界范围内能源的短缺以及人们环保意识的增强,太阳能被认为是21世纪最重要的新能源。
而作为整个光伏产业的核心,太阳能电池也得到了快速发展。
经历了由晶硅太阳电池稳步走向薄膜太阳电池的过程。
晶硅太阳电池主要有单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池等，薄膜太阳电池主要有硅基薄膜电池，化合物半导体薄膜太阳电池，染料敏化TiO2纳米薄膜太阳电池等。
优、劣势的分析比较晶硅太阳电池与薄膜太阳电池优1．晶硅太阳电池与薄膜太阳电池从其结构特性，制备方法，生产应用等方面加以阐述1．1第一代电池晶体硅太阳电池1.1.1单晶硅太阳电池单晶硅生长技术主要有直拉法和悬浮区熔法! 直拉法是将硅材料在石英坩锅中加热熔化，使籽晶与硅液面接触，向上提升以长出柱状的晶棒! 直拉法的研究方向是设法增大硅棒的直径，用区熔法生长单晶硅技术是将区熔提纯和制备单晶结合在一起，可以得到纯度很高的单晶硅，但成本很高!目前"在所有太阳能电池中此种硅片的效率是最高的，因此"采用低成本的方式改进区熔法生长太阳能电池用单晶硅也是目前的发展方向。
单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。
但通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm 的高质量硅片上制成的，因此实际消耗的硅材料更多，这致使晶体硅成本价格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困难的。
1.1.2多晶硅太阳电池多晶硅材料生长主要运用定向凝固法及浇铸法工艺!定向凝固法是将硅材料在坩锅中熔融后"使坩锅形成由上而下逐渐下降的温度场或从坩锅底部通冷源以造成温度梯度! 使固液界面从坩锅底部向上移动而形成晶体! 浇铸法是将熔化后的硅液倒入模具内形成晶锭! 铸出的方形硅锭被切成方形硅片做成太阳电池! 目前使用最广泛的是浇铸法! 此法简单!能耗低! 利于降低成本!但容易造成错位"杂质等缺陷，而导致光电转换效率低于单晶硅太阳能电池!晶体硅太阳电池是PV(Photovoltaic)市场上的主导产品，既可用于空间又可用于地面，是最成熟的光伏工艺。
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薄膜晶体硅太阳能电池分析比较
《中国组件行业投资前景及策略咨询报告》分析：目前在工业上，硅的成本大约占硅太阳能电池生产成本的一半。
为减少硅的消耗量，光伏(PV)产业正期待着一些处于研究开发中的选择方案。
其中最显然的一种就是转向更薄的硅衬底。
现在，用于太阳能电池生产的硅衬底厚度略大于200mm，而衬底厚度略小于100mm的技术正在开发中。
为使硅有源层薄至5-20 mm，可以在成本较低的硅衬底上淀积硅有源层，这样制得的电池被称为薄膜。
为使其具有工业可行性，主要的挑战是在适于大规模生产的工艺中，怎样找到提高效率和降低成本之间的理想平衡。
已经存在几种制造硅有源层的技术1，本文将讨论其中的三种。
薄膜PV基础
第一种技术是制作外延(epitaxial)(图1)，从高掺杂的晶体硅片(例如优级冶金硅或废料)开始，然后利用化学气相淀积(CVD)方法来淀积外延层。
除成本和可用性等优势以外，这种方法还可以使硅太阳能电池从基于硅片的技术逐渐过渡到薄膜技术。
由于具有与传统体硅工艺类似的工艺过程，与其它的薄膜技术相比，这种技术更容易在现有工艺线上实现。
第二种是基于层转移(layer transfer)的技术，它在多孔硅薄膜上外延淀积单晶硅层，从而可以在工艺中的某一点将单晶硅层从衬底上分离下来。
这种技术的思路是多次重复利用母衬底，从而使每个太阳能电池的最终硅片成本很低。
正在研究中的一种有趣的选择方案是在外延之前就分离出多孔硅薄膜，并尝试无支撑薄膜工艺的可能性。
最后一种是薄膜多晶硅太阳能电池，即将一层厚度只有几微米的晶体硅淀积在便宜的异质衬底上，比如陶瓷(图2)或高温玻璃等。
晶粒尺寸在1-100mm之间的多晶硅薄膜是一种很好的选择。
我们已经证实，利用非晶硅的铝诱导晶化可以获得高质量的多晶硅太阳能电池。
这种工艺可以获得平均晶粒尺寸约为5 mm 的很薄的多晶硅层。
接着利用生长速率超过1 mm/min的高温CVD技术，将种子层外延生长成几微米厚的吸收层，衬底为陶瓷氧化铝或玻璃陶瓷。
选择热CVD是因为它的生长速率高，而且可以获得高质量的晶体。
然而这样的选择却限定了只能使用陶瓷等耐热衬底材料。
这项技术还不像其它薄膜技术那样成熟，但已经表现出使成本降低的巨大潜力。
采用薄膜PV技术已经能够提高太阳能电池的效率或简化其工艺，并将降低其成本。
但目前还没有人能够同时将这两方面结合起来。
然而，最近的一些研究结果已经在正确的方向上又前进了必要的一步。
外延电池的改进
外延薄膜硅太阳能电池的效率不算太高(半工业化丝网印刷技术制作的电池约为12%)，这限制了光伏业界对这种电池类型的关注程度。
它可以获得与体硅太阳能电池相当的开路电压和填充因子(单晶硅太阳能电池为±%)。
然而，短路电流(Jsc )受限于薄的光学有源层(<20mm)。
穿透外延层的光会被高掺杂、低质量的衬底收集而损失掉。
因此，这两种太阳能电池技术之间的短路电流相差7 mA/cm2并不少见。
体硅太阳能电池的Jsc典型值约为33 mA/cm2，而外延薄膜电池的平均值约为26 mA/cm2。
然而，两项独立的电池级开发成果已经使这种状况有所改善2。
通过增大薄的有源层内的光程长度，我们报导的丝网印刷外延电池的Jsc达到30 mA/cm2，效率达到%。
对这些结果有贡献的第一项改进是采用氟基等离子体粗糙处理得到的表面光散射(图3)。
理想情况下，这种经过粗糙处理的有源层表面会使光100%地漫射(即Lambertian折射器)。
这使得光子能够以60°的平均角穿过有源层，使光程长度增大为原来的2倍。
换而言之，使20 mm薄层的光学表现相当于40mm厚的有源层。
我们发现，通过去除仅仅mm的硅就可以获得这种全光散射。
等离子体粗糙处理的优点很多，包括更低的反射(从粗糙处理之前的35%下降到10%)、斜入射光耦合和更低的接触电阻(因为硅衬底和银电极之间的接触面积更大)。
我们观察到的Jsc绝对增长，而效率增加。
第二项改进是通过引入多孔硅布拉格反射器来进行内部光捕获。
为了降低长波长的光进入到衬底的透射，在衬底和外延层之间的界面上放置一个中间反射器。
这样一来，到达该界面的光子就会被反射而第二次穿过有源层。
由于光在进入电池的瞬间就开始漫射(这是由等离体粗糙处理的Lambertian特性所决定的)，很大比例的光子会以大于逃逸角的角度打在前表面上。
因此，大部分的光子会再次向内反射而第三次穿过有源层。
这种情况不断地重复，使得光子有可能多次穿越外延层(图1)。
在实践中，这种反射器是通过电化学生长孔隙率高低交替变化的多孔硅叠层(多重布拉格反射器)来制作的。
延生长有源层的过程中，多孔硅叠层自动转变成包含不同尺寸大小的孔洞的交替层(图4)。
这种结构已经被证明是一种理想的基于构造干涉的反射器。
对于一个15层的多孔硅叠层，计算表明光程长度增大为原来的14倍。
也就是说，15 mm薄层的光学表现相当于厚度为210mm的硅层。
为了验证这两种改进方法的有效性，在三种不同的载体衬底上制作表面积为18 cm2的外延电池。
在作为验证概念的单晶硅衬底上，电池的效率提高到%，填充因子达到%，这表明使用重组织多孔硅叠层不存在电导问题。
而在低质量的硅衬底上获得的实验结果略低，效率是%，填充因子为%。
对于多孔硅而言，在多晶衬底上生长的外延层质量较差，这个事实可以解释性能下降的原因。
目前正在优化工艺，在不久的将来有望获得更高效率的增益。
多晶硅薄膜的改进
对于另一种类型的太阳能电池，也就是基于铝诱导晶化的多晶薄膜太阳能电池，我们最近获得了创纪录的7%的效率。
该电池制作在高温衬底上，使用基于铝诱导晶化非晶硅的种子层，在1130℃下将种子层外延增厚成吸收层。
需要指出的是，在这种工艺中硅不需要重新熔化。
而在陶瓷衬底上将硅重新熔化是
获得多晶硅太阳能电池的另一种方法。
然而，这种方法需要极高的温度(超过1400℃)，这就要求衬底具有非常好的热稳定性，而且被污染的风险也很大。
取得这些成绩的关键在于专门设计并实现的电池接触，并结合以等离子体粗糙处理的表面。
大多数适用于多晶硅太阳能电池的高温衬底都是绝缘体，所以必须开发新的金属接触方案以避免使用背接触。
考虑到制造模块的低成本性，最方便的方法是将电池的互连工艺集成到电池制作过程中。
我们采用的是将电池互连与电池接触相结合的单模块工艺。
所有的接触都制作在电池顶部的叉指状图案中(图5)。
可以使用不同的工艺序列来获得这种新颖的接触结构。
目前使用的是一种简单的两步实验室工艺，将光刻与金属蒸发结合起来。
而在大规模生产中，金属化可以通过单步工艺来实现，比如利用掩膜来进行丝网印刷或蒸发。
这种专门设计的接触结构被应用到有源层面积为1 cm2的电池中，并与带有外围基极接触的电池进行比较(图6)。
两种接触类型的开路电压(Voc)基本相当，但是叉指状接触的电池在短路电流(Jsc)和填充因子方面的表现要好得多。
根据晶粒尺寸和层厚的不同，电池效率可以达到%3。
为了进一步提高电流密度，进而提高电池的效率，我们使用等离子体粗糙处理来实现新型的电池概念。
迄今为止，在多晶硅太阳能电池的衬底结构中，衬底都用作背反射器。
通过对电池前表面进行粗糙处理，可以降低电池的前反射率，并更好地将光耦合到电池中，从而能够更有效地俘获光子。
等离子体粗糙处理是通过使用氟基化学物质在一个反应器中来完成的。
结果表明，电流密度增加了约15%(在氧化铝衬底上得到这一结果)。
增大的电流密度将电池的效率推进到创纪录的7%。
然而，虽然所获得的Voc (506 mV)和填充因子(71%)可谓达到了目前最好的工艺水平，但是电流密度mA/cm2)和电池效率对于商业化而言仍然太低。
通过优化等离子体粗糙处理工艺并降低电池背面场层的厚度，我们希望在不久的将来获得远超过%的效率。