三极管最低驱动电流
BCP54驱动电路实验
BCP54驱动电路实验在H13产品中该电路使用Q25（BC817）作为钥匙灯口线的驱动三极管，BC817为SOT23封装，功率较小，故障率高。
因此更换SOT223封装Q54（BCP54)，增大功率承受力，并增加恒流源保护电路，以期满足驱动口线对电源短路时的可靠性要求。
更换Q54（BCP54)后电路参数如上图，Q27（BC817）与R155（1.2Ω）组成恒流源电路限制该驱动口线的最大通过电流。
BC817 Vbe与电流和温度曲线该电路接真实负载测试波形如下（采样1.2Ω电阻压降，电源电压13V）：通过波形可以看出，由于钥匙灯为阻性灯泡，在导通初始，灯丝温度低阻抗小，存在一个持续约5ms脉冲启动电流使灯丝温度快速升高，灯丝阻抗稳定后工作电流约为100mA。
此时1.2Ω电阻压降低于Q27（BC817）Vbe结压，恒流源电路没有工作，Q54（BCP54)工作在饱和导通状态。
该驱动电路对电源短路测试波形如下（1.2Ω电阻压降，电源电压13V）：通过波形可以看出，Q27（BC817）Vbe压降限制了1.2Ω电阻上通过的电流，此时Q54（BCP54)、Q27（BC817）、R155（1.2Ω）三个器件组成恒流源电路，Q54（BCP54)和Q27（BC817）工作在线性导通状态。
在对电源短路情况下，Q27（BC817）Ib电流较大，导致Q27（BC817）Vbe压降达到1V，短路电流为Vbe/R155=1V/1.2Ω=835mA。
而Q54（BCP54)工作在线性导通时，Vce压降达到12V，Q54（BCP54)承受的功耗为12V*835mA=10W，远超过该器件手册功率0.96W（collector 1 cm2，PCB实际铺铜面积约为1 cm2）。
测试环境温度约16℃，通电后13秒后元件温度超过125℃，31秒后达到191℃，很快损毁。
通电13S温度通电31S温度该电路的结构是通过恒流源电路限制口线的最大电流，以保护电路。
关于IGBT和MOS的比较
是的，在低压下igbt相对mos管没任何优势（电性能上没有，价格上更没有，所以你基本上看不到低压igbt，并不是低压的造不出来，而是毫无性价比）。
在600v以上，igbt的优势才明显，电压越高，igbt越有优势，电压越低，mos管越有优势。
开关速度，目前mos管最快，igbt较慢，大概慢一个数量级（因为igbt原理是mos管驱动三极管，mos要先导通然后导通电流驱动三极管导通，三极管导通比mos慢很多）。
导通压降，一般低压mos管使用都控制在0.5v以下（基本不会超过1v的）。
比如ir4110，内阻4毫欧姆，给它100a的导通电流，导通压降是0.4v左右。
mos开关速度快，意味着开关损耗小（开关发热小），同样电流导通压降低，意味着导通损耗小（还是发热小）。
上面说的是低压状况。
高压情况就差很多了。
开关速度无论高压低压都是mos最快。
但高压下mos的导通压降很大，或者说mos管内阻随耐压升高迅速升高，比如600v 耐压的coolmos，导通电阻都是几百毫欧姆或几欧姆，这样它的耐流也很小（通过大电流就会烧掉），一般耐流几安或者几十安培。
而igbt在高耐压压下，导通压降几乎没明显增大（原因还是主要导通电流是通过三极管），所以高压下igbt 优势明显，既有高开关速度（尽管比mos管慢，但是开关比三极管快很多），又有三极管的大电流特性。
IGBT PK MOSFET ,需要耐压超过150V的使用条件，MOS管已经没有任何优势！以典型的IRFS4115为例：VDS-150V，ID-105A（Tj=25摄氏度,这个唬人指标其实毫无实际使用价值），RDS-11.8 m 欧姆;与之相对应的即使是第四代的IGBT型SKW30N60对比；都以150V,20A 的电流，连续工况下运行，前者开关损耗6mJ/pulse,而后者只有1.15mJ/pulse，不到五分之一的开关损耗！就这点，能为用户省去多少烦恼？要是都用极限工作条件，二者功率负荷相差更悬殊！其实，很多时候，我们的影像中，还停留在多年前的IGBT的概念中。
三极管PWM方式驱动的电流线性度测试实验
三极管PWM方式驱动的电流线性度测试实验目的：测试npn 三极管s8050，基极通过PWM 方式驱动，占空比与电流关系是否为线性关系。
设备：三极管，电阻（500R），洞洞板，示波器，LED（3.3V-3.6V），stm8 单片机（产生PWM 信号），带电流显示可调电源。
方法：电路硬件方面与试验4 相同，信号源，采用stm8 产生243hz 的可调占空比PWM 信号。
电路图：暂无测试环境：常温下编译环境：IAR程序初始化程序：TIM2->PSCR = 0x00; TIM2->ARRH = 0xff; TIM2->ARRL= 0xff; TIM2->CCMR1 = 0x60; TIM2->CCER1 = 0x01; TIM2->CCMR1 |= 0x08; TIM2->CCR1H = 0; TIM2->CCR1L = 0;电源电压为5V，测试分辨率为8 位，0-ffffTIM2->CCR1H 占空比电流基极平均电压00 0% 0.00A 0V01 1% 0.01A 85mV10 6.8% 0.04A 312mV20 12.6%0.08A 586mV30 19.4% 0.12A 795mV40 25.2% 0.16A 1.06V50 31.4% 0.19A1.33V60 37.9% 0.23A 1.61V70 43.7% 0.27A 1.88V80 49.5% 0.31A2.14V90 55.9% 0.35A 2.41Va0 62.1% 0.39A 2.69V b0 68.0% 0.43A 2.97Vc0 74.8% 0.47A3.24Vd0 80.6% 0.50A 3.52Ve0 87.4% 0.54A 3.79Vf0 93.2% 0.58A4.05Vff 99.0% 0.62A 4.23Vff ff 100.0% 0.62A 4.25V从以上数据可以反映出，占空比与电流的线性度，还是比较好的，每个档位，基本控制在0.04A 左右，在要求不高的情况下，用这个，应该没什么问题直接使用电压进行控制基极控制电压，集电极电流720mV 0.01A756mV 0.02A770mV 0.03A785mV 0.04A880mV 0.08A960mV 0.12A1.00V 0.16A1.07V 0.19A1.10V 0.23A1.20V 0.27A1.32V 0.31A1.52V 0.35A1.76V 0.39A2.14V 0.43A2.48V 0.47A2.80V 0.50A3.28V 0.54A3.76V 0.58A4.37V 0.62A。
SA系列(PNP型)三极管参数表
-2
-50
-50
100M
40-240
CK77B
2SA1020T
UTC
硅PNP三极管,功率放大，功率开关，配对管2SC2655
900m
-2
-50
-50
100M
40-240
CK77B
2SA1021
TOSHIBA
停产，用2SA1408代替
20
-1.5
-150
20M
3CA10F
2SA1022
PANASONIC
25
-1.5
-180
-160
120M
60-200
3CA10F
2SA1011S
SANYO
硅PNP三极管,功率放大，场输出，配对管2SC2344
25
-1.5
-180
-160
120M
60-200
3CA10F
2SA1011W
WS
硅PNP三极管,功率放大，场输出，配对管2SC2344
25
-1.5
-180
-160
3CG120A
2SA1031C
HITACHI
硅PNP三极管,高频低噪声放大，配对管2SC458/2SC2310
300m
-100m
-30
-30
200M
100-500
3CK14F
2SA1031D
HITACHI
硅PNP三极管,高频低噪声放大，配对管2SC458/2SC2310
300m
-100m
-30
-30
硅PNP三极管,低频放大，配对管2SC2295
200m
-30m
-30
-20
三极管参数
三极管参数篇一：选用三极管(主要看的参数)t选用三极管(主要看的参数)当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢?一、三极管的类型及材料初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。
常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。
由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。
三极管的材料有锗材料和硅材料。
它们之间最大的差异就是起始电压不一样。
锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。
在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。
但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。
二、三极管的主要参数选用三极管需要了解三极管的主要参数。
若手中有一本晶体管特性手册最好。
三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。
1. ICM是集电极最大允许电流。
三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。
为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。
所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。
2. BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。
如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。
三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。
3. PCM是集电极最大允许耗散功率。
三极管在工作时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。
若耗散功率过大，三极管将烧坏。
在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作，将会损坏三极管。
常用三极管参数大全
玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理玉林万顺达电脑芯片级维修资料 2010-07-20整理。
s8050电流驱动能力测试实验
s8050电流驱动能力测试实验目的：测试npn 三极管s8050 的电流驱动能力设备：电阻，面包板，带电流显示的可调电源。
方法：电路为最简单的开关管电路，e 极接地，b 极串4.7k 电阻接控制端，控制端是5v 电源，5v 电源接led 正极，led 负极接三极管c 极。
led 电流为700ma。
电压为3.3-3.6v（三极管单位楼底下买滴）分别用不同的电源电压，控制电压和串接在基极的不同阻值的电阻，测试电流与基极电阻，与控制电压和电源电压之间的变化。
控制端串4.7k 电源电压控制端电压led 电流温度开始时， 3.3V 5V 0.16A 手摸大概30 度左右调节电源电压5V 5V 0.28A 手摸烫大概50-60 度的样子调节控制电压5V 9V 0.38A 手摸很烫大概60-70 度的样子控制端并两个4.7k 时（也就是串1 个2.35K）开始时，3.3V 5V 0.20A 手摸大概30 度左右调节电源电压5V 5V 0.38A 手摸烫大概50- 60 度的样子调节控制电压5V 9V 0.48A 手摸很烫大概70 度以上的样子控制端串1k 开始时， 3.3V 5V 0.25A 手摸大概30 度左右调节电源电压5V 5V 0.51A 手摸烫大概60 度的样子调节控制电压5V 9V 0.65A 手没敢摸控制端并两个1k电阻（也就是串一个500 欧）开始时， 3.3V 5V 0.22A 调节电源电压5V 5V 0.67A 调节控制电压5V 5.5V 0.70A 调节控制电压5V 7.5V 0.80A 此时基极电流到10ma 左右，LED 温度手摸已经灰常烫了。
当C 极并联两个LED 时调节控制电压5v 9V 0.85A 调节控制电压5v 29V 1.40A 此时基极电流到50ma 左右，LED 附近，三极管附近，开始冒烟。
在试验的过程中还发现了一个问题，温漂的问题，开始的时候，LED 温度和室温一样，这时候，控制端加5v，电源电压是3.3v 的时候，是0.22A，将电源电压加到5V 时，电流提升到0.67A 这时候，LED 和三极管的温度会急剧上升。
51单片机驱动能力(拉电流_灌电流)及上拉电阻
看来很多网友都搞不清灌电流和拉电流的概念，下面就此解释一下，希望看过本文后不再就此困扰。
一个重要的前提：灌电流和拉电流是针对端口而言的。
名词解释——灌：注入、填充，由外向内、由虚而实。
渴了，来一大杯鲜榨橙汁，一饮而尽，饱了，这叫“灌”。
灌电流（sink current），对一个端口而言，如果电流方向是向其内部流动的则是“灌电流”，比如一个IO通过一个电阻和一个LED连接至VCC，当该IO输出为逻辑0时能不能点亮LED，去查该器件手册中sink current参数。
名词解释——拉：流出、排空，由内向外，由实而虚。
一大杯鲜橙汁喝了，过会儿，憋的慌，赶紧找卫生间，一阵“大雨”，舒坦了，这叫“拉”。
拉电流（sourcing current），对一个端口而言，如果电流方向是向其外部流动的则是“拉电流”，比如一个IO通过一个电阻和一个LED 连至GND，当该IO输出为逻辑1时能不能点亮LED，去查该器件手册中sourcing current参数。
/viewthread.php?tid=219138&highlight=%2Byez hubenyue单片机输出低电平时，将允许外部器件，向单片机引脚内灌入电流，这个电流，称为“灌电流”，外部电路称为“灌电流负载”(sink current)单片机输出高电平时，则允许外部器件，从单片机的引脚，拉出电流，这个电流，称为“拉电流”，外部电路称为“拉电流负载“(source current)这些电流一般是多少？最大限度是多少？这就是常见的单片机输出驱动能力的问题。
分析一下TTL 的输入特性，就可以发现，51 单片机基本上就没有什么驱动能力。
它的引脚，甚至不能带动当时的LED 进行正常发光。
记得是在AT89C51 单片机流行起来之后，做而论道才发现：单片机引脚的能力大为增强，可以直接带动LED 发光了。
看看下图，图中的D1、D2 就可以不经其它驱动器件，直接由单片机的引脚控制发光显示。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
三极管最低驱动电流
三极管是一种电子器件，具有电流放大作用，是电子设备中最重要的无源元件之一。
而驱动电流的大小，与三极管的种类、用途和状态等有关。
通常来说，普通小功率三极管的工作电流在几毫安到几百毫安之间。
在实际应用中，需要根据三极管的规格、电路要求等因素来选择合适的驱动电流大小。
如果驱动电流过大或过小，都可能对三极管的工作产生不利影响，甚至损坏三极管。
因此，在选择和使用三极管时，需要仔细阅读三极管的规格书和相关资料，了解其正常工作电流范围，以避免对三极管造成损害。
以上内容仅供参考，如需更准确的信息，建议咨询电子工程师或查阅相关技术手册。