锂电池保护板常用IC、MOS场效应管
锂电池保护板工作原理
锂电池保护板工作原理
锂电池保护板是一种用于保护锂电池的重要组件，它能够有效地监控和控制锂
电池的充放电过程，以确保电池的安全和稳定工作。
锂电池保护板通常由电路板、保护芯片、电阻、MOS管等部件组成，其工作原理主要包括过充保护、过放保护、短路保护和温度保护等方面。
首先，我们来了解一下锂电池保护板的过充保护原理。
当锂电池充电至额定电
压时，保护板会监测电池电压，一旦电压超过设定值，保护板会通过控制MOS管
断开电路，阻止电池继续充电，从而避免过充，保护电池安全。
其次，过放保护是锂电池保护板的另一个重要功能。
在放电过程中，如果电池
电压降至一定程度以下，保护板会及时切断电路，停止放电，以防止电池过放，延长电池寿命。
此外，锂电池保护板还具有短路保护功能。
当电池输出短路时，保护板会迅速
切断电路，防止短路电流对电池造成损害，保障电池和设备的安全。
最后，温度保护也是锂电池保护板的重要功能之一。
在电池工作过程中，如果
温度超出安全范围，保护板会及时采取措施，如停止充放电等，以保护电池不受过热损坏。
总的来说，锂电池保护板通过监测电池状态和控制电路，实现对锂电池的多方
面保护，确保电池在安全、稳定的工作状态下运行。
这些保护功能的实现，不仅可以延长锂电池的使用寿命，提高电池的安全性，也可以保障电池在各种工作环境下的稳定性和可靠性。
因此，在设计和应用锂电池时，合理选择和配置锂电池保护板是非常重要的。
只有充分了解锂电池保护板的工作原理，才能更好地发挥其保护作用，确保电池和设备的安全可靠运行。
锂电池保护芯片原理
锂电池保护原理锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护；在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值一般±20mV,实现电池组各单体电池的均充,有效地改善了串联充电方式下的充电效果；同时检测电池组中各个单体电池的过压、欠压、过流、短路、过温状态,保护并延长电池使用寿命；欠压保护使每一单节电池在放电使用时避免电池因过放电而损坏;成品锂电池组成主要有两大部分,锂电池芯和保护板,锂电池芯主要由正极板、隔膜、负极板、电解液组成；正极板、隔膜、负极板缠绕或层叠,包装,灌注电解液,封装后即制成电芯,锂电池保护板的作用很多人都不知道,锂电池保护板,顾名思义就是保护锂电池用的,锂电池保护板的作用是保护电池不过放、不过充、不过流,还有就是输出短路保护;01锂电池保护板组成1、控制ic,2、开关管,另外还加一些微容和微阻而组成;控制ic 作用是对电池的保护,如达到保护条件就控制mos进行断开或闭合如电池达到过充、过放、短路、过流、等保护条件,其中mos管的作用就是开关作用,由控制ic开控制;锂电池可充型之所以需要保护,是由它本身特性决定的;由于锂电池本身的材料决定了它不能被过充、过放、过流、短路及超高温充放电,因此锂电池锂电组件总会跟着一块精致的保护板和一片电流保险器出现;锂电池的保护功能通常由保护电路板和PTC协同完成,保护板是由电子电路组成,在-40℃至+85℃的环境下时刻准确的监视电芯的电压和充放回路的电流;02保护板的工作原理1、过充保护及过充保护恢复当电池被充电使电压超过设定值VC,具体过充保护电压取决于IC后,VD1翻转使Cout变为低电平,T1截止,充电停止.当电池电压回落至VCR,具体过充保护恢复电压取决于IC时,Cout变为高电平,T1导通充电继续, VCR必须小于VC一个定值,以防止频繁跳变;2、过放保护及过放保护恢复当电池电压因放电而降低至设定值VD,具体过充保护电压取决于IC时, VD2翻转,以短时间延时后,使Dout变为低电平,T2截止,放电停止,当电池被置于充电时,内部或门被翻转而使T2再次导通为下次放电作好准备;3、过流、短路保护当电路充放回路电流超过设定值或被短路时,短路检测电路动作,使MOS管关断,电流截止;03保护板主要零件的功能介绍R1：基准供电电阻；与IC内部电阻构成分压电路,控制内部过充、过放电压比较器的电平翻转；一般在阻值为330Ω、470Ω比较多；当封装形式即用标准元件的长和宽来表示元件大小,如0402封装标识此元件的长和宽分别为和较大时,会用数字标识其阻值,如贴片电阻上数字标识473, 即表示其阻值为47000Ω即47KΩ第三位数表示在前两位后面加0的位数;R2：过流、短路检测电阻；通过检测VM端电压控制保护板的电流,焊接不良、损坏会造成电池过流、短路无保护,一般阻值为1KΩ、2KΩ较多;R3：ID识别电阻或NTC电阻前面有介绍或两者都有;总结：电阻在保护板中为黑色贴片,用万用表可测其阻值,当封装较大时其阻值会用数字表示,表示方法如上所述,当然电阻阻值一般都有偏差,每个电阻都有精度规格,如10KΩ电阻规格为+/－5％精度则其阻值为Ω－Ω范围内都为合格;C1、C2：由于电容两端电压不能突变,起瞬间稳压和滤波作用;总结：电容在保护板中为黄色贴片,封装形式0402较多,也有少数0603封装长,宽；用万用表检测其阻值一般为无穷大或MΩ级别；电容漏电会产生自耗电大,短路无自恢复现象;FUSE：普通FUSE或PTCPositive Temperature Coefficient的缩写,意思是正温度系数；防止不安全大电流和高温放电的发生,其中PTC有自恢复功能;总结：FUSE在保护板中一般为白色贴片,LITTE公司提供FUSE会在FUSE上标识字符D-T,字符表示意思为FUSE能承受的额定电流,如表示D额定电流为,S为4A,T为5A等;U1：控制IC；保护板所有功能都是IC通过监视连接在VDD-VSS间的电压差及VM-VSS间的电压差而控制C-MOS执行开关动作来实现的;Cout：过充控制端；通过MOS管T2栅极电压控制MOS管的开关;Dout：过放、过流、短路控制端；通过MOS管T1栅极电压控制MOS管的开关; VM：过流、短路保护电压检测端；通过检测VM端的电压实现电路的过流、短路保护UVM=IRMOSFET;总结：IC在保护板中一般为6个管脚的封装形式,其区别管脚的方法为：在封装体上标识黑点的附近为第1管脚,然后逆时针旋转分别为第2、3、4、5、6管脚；如封装体上无黑点标识,则正看封装体上字符左下为第1管脚,其余管脚逆时针类推C-MOS：场效应开关管；保护功能的实现者；连焊、虚焊、假焊、击穿时会造成电池无保护、无显示、输出电压低等不良现象;总结：CMOS在保护板中一般为8个管脚的封装形式,它时由两个MOS管构成,相当于两个开关,分别控制过充保护和过放、过流、短路保护；其管脚区分方法和IC 一样;在保护板正常情况下,Vdd为高电平,Vss、VM为低电平,Dout、Cout为高电平；当Vdd、Vss、VM任何一项参数变换时,Dout或Cout的电平将发生变化,此时MOSFET 执行相应的动作开、关电路,从而实现电路的保护和恢复功能;04保护板常见不良分析一、无显示、输出电压低、带不起负载：此类不良首先排除电芯不良电芯本来无电压或电压低,如果电芯不良则应测试保护板的自耗电,看是否是保护板自耗电过大导致电芯电压低;如果电芯电压正常,则是由于保护板整个回路不通元器件虚焊、假焊、FUSE不良、PCB板内部电路不通、过孔不通、MOS、IC损坏等;具体分析步骤如下：一、用万用表黑表笔接电芯负极,红表笔依次接FUSE、R1电阻两端,IC的Vdd、Dout、Cout端,P+端假设电芯电压为,逐段进行分析,此几个测试点都应为;若不是,则此段电路有问题;1. FUSE两端电压有变化：测试FUSE是否导通,若导通则是PCB板内部电路不通；若不导通则FUSE有问题来料不良、过流损坏MOS或IC控制失效、材质有问题在MOS或IC动作之前FUSE被烧坏,然后用导线短接FUSE,继续往后分析;2. R1电阻两端电压有变化：测试R1电阻值,若电阻值异常,则可能是虚焊,电阻本身断裂;若电阻值无异常,则可能是IC内部电阻出现问题;3. IC测试端电压有变化：Vdd端与R1电阻相连;Dout、Cout端异常,则是由于IC 虚焊或损坏;4. 若前面电压都无变化,测试B-到P+间的电压异常,则是由于保护板正极过孔不通;二、万用表红表笔接电芯正极,激活MOS管后,黑表笔依次接MOS管2、3脚,6、7脚,P-端;管2、3脚,6、7脚电压有变化,则表示MOS管异常;2.若MOS管电压无变化,P-端电压异常,则是由于保护板负极过孔不通;二、短路无保护：1. VM端电阻出现问题：可用万用表一表笔接IC2脚,一表笔接与VM端电阻相连的MOS管管脚,确认其电阻值大小;看电阻与IC、MOS管脚有无虚焊;2. IC、MOS异常：由于过放保护与过流、短路保护共用一个MOS管,若短路异常是由于MOS出现问题,则此板应无过放保护功能;3. 以上为正常状况下的不良,也可能出现IC与MOS配置不良引起的短路异常;如前期出现的BK-901,其型号为‘312D’的IC内延迟时间过长,导致在IC作出相应动作控制之前MOS或其它元器件已被损坏;注：其中确定IC或MOS是否发生异常最简易、直接的方法就是对有怀疑的元器件进行更换;三、短路保护无自恢复：1. 设计时所用IC本来没有自恢复功能,如G2J,G2Z等;2. 仪器设置短路恢复时间过短,或短路测试时未将负载移开,如用万用表电压档进行短路表笔短接后未将表笔从测试端移开万用表相当于一个几兆的负载;3. P+、P-间漏电,如焊盘之间存在带杂质的松香,带杂质的黄胶或P+、P-间电容被击穿,IC Vdd到Vss间被击穿.阻值只有几K到几百K;4. 如果以上都没问题,可能IC被击穿,可测试IC各管脚之间阻值;四、内阻大：1. 由于MOS内阻相对比较稳定,出现内阻大情况,首先怀疑的应该是FUSE或PTC 这些内阻相对比较容易发生变化的元器件;2. 如果FUSE或PTC阻值正常,则视保护板结构检测P+、P-焊盘与元器件面之间的过孔阻值,可能过孔出现微断现象,阻值较大;3. 如果以上多没有问题,就要怀疑MOS是否出现异常：首先确定焊接有没有问题；其次看板的厚度是否容易弯折,因为弯折时可能导致管脚焊接处异常；再将MOS管放到显微镜下观测是否破裂；最后用万用表测试MOS管脚阻值,看是否被击穿;五、ID异常：1. ID电阻本身由于虚焊、断裂或因电阻材质不过关而出现异常：可重新焊接电阻两端,若重焊后ID正常则是电阻虚焊,若断裂则电阻会在重焊后从中裂开;2. ID过孔不导通：可用万用表测试过孔两端;3. 内部线路出现问题：可刮开阻焊漆看内部电路有无断开、短路现象;。
MOSFET场效应管的应用及主要型号
MOSFET场效应管的应用及主要型号:型号封装主要参数应用领域PTP50N06 TO-220 50A/60V，RDS(on)=22mΩ 电动车充电器，控制器，工业控制、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=25A）PTP830 TO-220 5A/500V，RDS(on)=1.5Ω UPS电源、电源控制器.电动车控制器,转换器.充电器、小家电、智能麻将机控制（VGS=10V，ID=2.5A）PTP840 TO-220 9A/500V，RDS(on)=0.8Ω（VGS=10V，ID=4A）PTD2N60 TO-252 1.9A/600V，RDS(on)=4.7Ω 节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器（VGS=10V，ID=0.95A）PTU2N60 TO-251 1.9A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=0.95A）PTF2N60 TO-220F 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A）PTP2N60 TO-220 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A）PTF5N60 TO-220F 4.5A/600V，RDS(on)=2.5Ω 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=2.25A）PTP5N60 TO-220 4.5A/600V，RDS(on)=2.5Ω（VGS=10V，ID=2.25A）PTF8N60 TO-220F 7.5A/600V，RDS(on)=1.2Ω 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=3.75A）PTP8N60 TO-220 7.5A/600V，R DS(on)=1.2Ω（VGS=10V，ID=3.75A）PTD5N50 TO-252 4A/500V，RDS(on)=0.8Ω HID电子镇流器，节能灯，开关电源、（VGS=10V，ID=4.0A）PTP630 TO-220 9A/200V，RDS(on)=0.4Ω 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器、（VGS=5V，ID=5.4A）PTP640 TO-220 18A/200V，RDS(on)=0.18Ω（VGS=5V，ID=9.0A）PTP9N20 TO-220 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、PTF9N20 TO-220FPTP10N40 TO-220 18A/200V，RDS(on)=0.18Ω HID电子镇流器，节能灯，开关电源、（VGS=5V，ID=9.0A）PTF10N40 TO-220F 工控设备，电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、PTP10N60 TO-220 9.5/600V，RDS(on)=0.73Ω（VGS=5V，ID=4.75A）PTF10N60 TO-220F 9.5/600V，RDS(on)=0.73Ω 工业电源，HID电子镇流器，节能灯，开关电源、（VGS=5V，ID=4.75A）PTP12N60 TO-220 12A/600V，RDS(on)=0.65Ω 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=6.0A）PTF12N60 TO-220F 12A/600V，RDS(on)=0.65Ω（VGS=10V，ID=6.0A）PTP18N20 TO-220 18A/600V，RDS(on)=0.145Ω 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=9.0A）PTF18N20 TO-220F 18A/600V，RDS(on)=0.145Ω（VGS=10V，ID=9.0A）SI2300 SOT-23 2.3A/20V，RDS(on)=70mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等（VGS=10V，ID=3.0A）用途。
锂电池保护板工作原理资料
锂电池保护板工作原理锂电池保护板根据使用IC,电压等不同而电路及参数有所不同,下面以DW01 配MOS 管8205A 进行讲解:锂电池保护板其正常工作过程为:当电芯电压在2.5V 至4.3V 之间时，DW01 的第1 脚、第3 脚均输出高电平(等于供电电压)，第二脚电压为0V。
此时DW01 的第1 脚、第3 脚电压将分别加到8205A 的第5、4 脚，8205A 内的两个电子开关因其G 极接到来自DW01 的电压，故均处于导通状态，即两个电子开关均处于开状态。
此时电芯的负极与保护板的P-端相当于直接连通，保护板有电压输出。
2.保护板过放电保护控制原理:当电芯通过外接的负载进行放电时, 电芯的电压将慢慢降低, 同时DW01 内部将通过R1 电阻实时监测电芯电压,当电芯电压下降到约 2.3V 时DW01 将认为电芯电压已处于过放电电压状态，便即将断开第1 脚的输出电压，使第1 脚电压变为0V，8205A 内的开关管因第5 脚无电压而关闭。
此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。
即电芯的放电回路被切断，电芯将住手放电。
保护板处于过放电状态并向来保持。
等到保护板的P 与P- 间接上充电电压后，DW01 经B-检测到充电电压后便立即住手过放电状态，重新在第1 脚输出高电压，使8205A 内的过放电控制管导通，即电芯的B-与保护板的P-又重新接上，电芯经充电器直接充电。
4.保护板过充电保护控制原理:当电池通过充电器正常充电时,随着充电时间的增加, 电芯的电压将越来越高，当电芯电压升高到4.4V 时,DW01 将认为电芯电压已处于过充电电压状态，便即将断开第3 脚的输出电压，使第3 脚电压变为0V，8205A 内的开关管因第4 脚无电压而关闭。
此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。
即电芯的充电回路被切断，电芯将住手充电。
保护板处于过充电状态并一直保持。
等到保护板的P 与P- 间接上放电负载后，因此时虽然过充电控制开关管关闭,但其内部的二极管正方向与放电回路的方向相同,故放电回路可以进行放电, 当电芯的电压被放到低于4.3V 时,DW01 住手过充电保护状态重新在第3 脚输出高电压，使8205A 内的过充电控制管导通，即电芯的B-与保护板P-又重新接上，电芯又能进行正常的充放电.5.保护板短路保护控制原理:如图所示，在保护板对外放电的过程中，8205A 内的两个电子开关并不彻底等效于两个机械开关，而是等效于两个电阻很小的电阻，并称为8205A 的导通内阻，每一个开关的导通内阻约为30m\U 03a9 共约为60m\U 03a9，加在G 极上的电压实际上是直接控制每一个开关管的导通电阻的大小当G 极电压大于1V 时，开关管的导通内阻很小(几十毫欧)，相当于开关闭合，当G 极电压小于0.7V 以下时，开关管的导通内阻很大(几MΩ)，相当于开关断开。
保护板保护电路知识
锂离子电池保护电路1．什么是锂离子电池保护IC？在锂离子电池使用过程中，过充电、过放电对锂电池的电性能都会造成一定的影响，为避免使用中出现这种现象，专门设计了一套电路，并用微电子技术把它小型化，成为一个芯片，该芯片俗称锂电池保护ic。
2．保护IC外形是什么样的？保护ic外形常用的有两种：一种称为SOT-23-6封装。
1:过放电检测输出端子,输出.-/2:过电流检测端子。
3:过充电检测输出端子，输出。
4:延迟时间测定用测试端子。
5:正极电源输入端子。
6:负极电源输入端子。
另一种较薄,称TSSOP-8封装。
3．IC内部有些什么电路，能大概介绍一下吗？IC内部的简化的逻辑图如下：其各个端口的功能简述如下：V DD：1。
IC芯片电源输入端。
2．锂电池电压采样点。
V SS：1。
IC芯片测量电路基准参考点。
2．锂电池负极和IC连接点。
D O：IC对放电MOS管的输出控制端C O：IC对充电MOS管的输出控制端V M：IC芯片对锂电池工作电流的采样输入端从简化的逻辑图可见：电池过充电、过放电，放电时电流过大（过电流），外围电路短路，该ic都会检测出来，并驱动相应的电子器件动作。
4．IC有哪些主要技术指标？1）过充电检测电压：V CU 4.275±25mv （4.25 4.275 4.30）2）过充电恢复电压：V CL 4.175±30mv （4.145 4.175 4.205）3) 过放电检测电压：V DL 2.3±80mv (2.22 2.3 2.38 ）4) 过放电恢复电压：V DU 2.4±0.1mv (2.3 2.4 2.5 )5) 过电流检测电压：VIOV10.1±30mv (0.07V 0.1 0.13V)VIOV20.5±0.1mv (0.4 0.5 0.6 )6) 短路检测电压：VSHORT -1.3V (-1.7 -1.3 -0.6 )7) 过充电检测延时：tcu 1s （0.5 1 2 ）8) 过放电检测延时：tdl 125ms （62.5 125 250 ）9) 过流延时：TioV1 8ms （4 8 16 ）TioV2 2ms （1 2 4 ）10）短路延时：Tshort 10us （10 50us）11）正常功耗：10PE 3uA （1 3 6uA）12）静电功耗：1PDN 0.1 uA5．锂电池保护电路的PCB板上，除了保护IC外，还需要哪些元件，才能组成一个完整的保护PCB？还需要作为开关功能用的两只场效应管、若干电阻、电容。
锂电池保护板常用MOS丝印对照表
锂电池保护板常用MOS丝印对照表MOSFET资料统计序号物料名称物料型号码刻丝印封装形式产地生产商供应商英文缩写备注16MOSFET D2017D2017TSSOP-8日本三泮淇诺电子SANYO17MOSFET ECH8601ECH8日本三泮淇诺电子SANYO18MOSFET TPCS82108210TSSOP-8日本东芝金微科TOSHIBA 18MOSFET8212TSSOP-8日本东芝金微科TOSHIBA18MOSFET AO8810TSSOP-8美国AOS晶宇通AOS19MOSFET AO8822TSSOP-8美国AOS晶宇通AOS20MOSFET AO8814TSSOP-8美国AOS晶宇通AOS21MOSFET SI6968BEDQ968BE1438AA美国威舍聚力通22MOSFET STC5NF20V5NF20V TSSOP-8美国/马来西亚ST金微科ST23MOSFET STC6NF30FV6NF30FV TSSOP-8美国/马来西亚ST 金微科ST24MOSFET H9926CTS H9926TSSOP-8台湾华新伟亿25MOSFET SM8205COC台湾茂达伟亿26MOSFET SM9926TSSOP-8台湾茂达宽恒27MOSFET TM8205TSSOP-8台湾宣晶科28MOSFET SDG8203SOT-23-6台湾三和微森普29MOSFET S8210台湾金微科金微科30MOSFET SSS8205SOT-23-6台湾森觅得森觅得31MOSFET STS8201/SOT-23-6台湾三和微森普32MOSFET GK8205C TSSOP-8中国广州南科南科NANKER低端市场33MOSFET NK5N20V TSSOP-8中国广州南科南科NANKER 34MOSFET GE9926SO-8中国江苏南通捷拓晶宇通35MOSFET UPA1870B TSSOP-8日本日电NEC NEC36MOSFET APM6968TSSOP-8金微科37MOSFET BF9025TSSOP-9美国黑森林BFE38MOSFET ST2300SOT-23单保护39MOSFET NK230000A6C SOT-23单保护40MOSFET GDS8205SOT-23-6艮科。
锂电池保护板的mos管极限参数
锂电池保护板的mos管极限参数锂电池保护板是一种用于保护锂电池充电和放电过程中的电路板，其中的MOS管是其关键组成部分之一。
MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的电子元件，具有良好的开关特性和低功耗特点。
了解和掌握MOS管的极限参数对于设计和使用锂电池保护板至关重要。
我们来了解一下MOS管的一些极限参数。
首先是最大漏极电压（Vds_max），它表示MOS管能够承受的最大电压。
超过这个电压，MOS管就会发生击穿，导致损坏。
其次是最大漏极电流（Id_max），它表示MOS管能够承受的最大电流。
超过这个电流，MOS管就会过载，导致性能下降甚至损坏。
还有一些其他的极限参数需要注意。
静态漏极电阻（Rds_on）是指在MOS管导通时，漏极与源极之间的电阻。
静态漏极电阻越小，代表MOS管导通时的功耗越低。
而门极电压（Vgs）是指在MOS管导通时，门极与源极之间的电压差。
合适的门极电压能够确保MOS管正常工作。
除了以上极限参数，还有一些其他的特性参数也需要了解。
例如，开启时间（ton）和关闭时间（toff）是指MOS管从导通到截止以及从截止到导通的时间。
这两个参数对于MOS管的开关速度和效率都有一定影响。
另外，还有一些与温度相关的参数，如温度系数（TC），用于描述MOS管在不同温度下的性能变化。
在实际应用中，我们需要根据具体的需求选择合适的MOS管。
首先要考虑的是MOS管的额定电压和额定电流是否满足要求。
其次要考虑静态漏极电阻和门极电压是否合适。
较小的静态漏极电阻和合适的门极电压能够提高MOS管的功耗和效率。
此外，还需要考虑MOS 管的开启时间和关闭时间，以及在不同温度下的性能表现。
在实际应用中，我们还需要注意一些问题。
首先是MOS管的散热问题。
由于MOS管在工作时会产生一定的热量，如果不能及时散热，就会导致温度过高，影响MOS管的性能和寿命。
因此，需要合理设计散热系统，以确保MOS管的正常工作。
另外，还需要防止过压和过流等异常情况对MOS管的损害，这需要通过合适的保护电路来实现。
主流锂电池保护板原理
主流锂电池保护板原理2015年12月22日16:44:21阅读数：1752S8261和DW01-8205A主流锂电池保护板原理图说明S8261, DW01, 8205A, 锂电池, 保护板平保护，低电平常态）状态打开两个MOS开关。
1.锂电池保护板其正常工作过程为:当电芯电压在2.5V至4.3V之间时，DW01 的第1脚、第3脚均输出高电平(等于供电电压)，第二脚电压为0V。
此时DW01 的第1脚、第3脚电压将分别加到8205A的第5、4脚，8205A内的两个电子开关因其G极接到来自DW01 的电压，故均处于导通状态，即两个电子开关均处于开状态。
此时电芯的负极与保护板的P-端相当于直接连通，保护板有电压输出。
2.保护板过放电保护控制原理:当电芯通过外接的负载进行放电时,电芯的电压将慢慢降低,同时DW01 内部将通过R1电阻实时监测电芯电压,当电芯电压下降到约2.3V时DW01 将认为电芯电压已处于过放电电压状态，便立即断开第1脚的输出电压，使第1脚电压变为0V，8205A 内的开关管因第5脚无电压而关闭。
此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。
即电芯的放电回路被切断，电芯将停止放电。
保护板处于过放电状态并一直保持。
等到保护板的P 与P-间接上充电电压后，DW01 经B-检测到充电电压后便立即停止过放电状态，重新在第1脚输出高电压，使8205A内的过放电控制管导通，即电芯的B-与保护板的P-又重新接上，电芯经充电器直接充电。
3.保护板过充电保护控制原理:当电池通过充电器正常充电时,随着充电时间的增加,电芯的电压将越来越高，当电芯电压升高到4.4V时,DW01 将认为电芯电压已处于过充电电压状态，便立即断开第3脚的输出电压，使第3脚电压变为0V，8205A内的开关管因第4脚无电压而关闭。
此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。
即电芯的充电回路被切断，电芯将停止充电。
保护板处于过充电状态并一直保持。
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锂电池保护板常用IC、MOS场效应管，详细清单如下:
S-8261AANMD-G2NT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节
S-8261AAJMD-G2JT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节
S-8261ABJMD-G3JT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节
S-8261ABPMD-G3PT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节
S-8261ABRMD-G3RT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节
S-8261ABMMD-G3MT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节
S-8261ACEMD-G4ET2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：磷酸铁锂保护板
S-8261AAOMD-G2OT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节
S-8241ACLMC-GCLT2G 封装：SOT-23-5 品牌：SEIKO 备注：单节
S-8242AAA-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节
S-8242AAD-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节
S-8242AAF-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节
S-8242AAY-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节
S-8242AAK-M6T3GZ 封装：SOT-23-7 品牌：SEIKO 备注：双节
S-8232AAFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节
S-8232ABFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节
S-8232AUFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节
S-8253AAAFT-TB-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：2-3节
S-8253AAD-T8T1GZ 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：2-3节
S-8254AAAFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节
S-8254AABFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节
S-8254AAFFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节
S-8254AAGFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节
S-8254AAJFT-TB-G 封装：TSSOP-17 品牌：SEIKO 备注：三-四节
S-8254AANFT-TB-G 封装：TSSOP-18 品牌：SEIKO 备注：三-四节
S-8254AAKFT-TB-G 封装：TSSOP-19 品牌：SEIKO 备注：三-四节
R5400N101FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节
R5400N110FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节
R5400N150FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节
R5400N149FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节
R5402N101KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节
R5402N110KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节
R5402N149KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节
R5402N163KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节
R5402N128EC-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节
R5402N163KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节
R5460N207AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节
R5460N207AA 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节
R5460N208AA 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节
R5460N208AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节
R5460N212AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节
R5460N214AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节
R5460N214AC 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节
R1211N002D-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC升压
R1224N102H-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC降压
R1224N332F-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC降压
MM1414CVBE 封装：TSSOP-20 品牌：MITSUMI 备注：三-四节
MM3076XNRE 封装：SOT23-6 品牌：MITSUMI 备注：单节
MM3177FNRE 封装：SOT23-6 品牌：MITSUMI 备注：单节
VA7021P/C 封装：SOT-23-6 品牌：中星微备注：单节，中星微代理，中国最低价格DW01+ 封装：SOT-23-6 品牌：富晶备注：单节
FS312 封装：SOT-23-6 品牌：富晶备注：单节
CS213 封装：SOT-23-6 品牌：新德备注：单节
STC5NF20V 封装：TSSOP-8 品牌：ST 备注：配套MOS管
FTD2017M 封装：TSSOP-8 品牌：三洋备注：配套MOS管
ECH8601M 封装：SNT-8A 品牌：三洋备注：配套MOS管
UPA1870BGR 封装：TSSOP-8 品牌：NEC 备注：配套MOS管
FS8205A 封装：TSSOP-8 品牌：富晶备注：配套MOS管
SM8205ACTC 封装：SOT-23-6 品牌：茂达备注：配套MOS管
SM8205AOC 封装：TSSOP-8 品牌：茂达备注：配套MOS管
AO8810 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管
AO8820 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管
AO8822 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管
AO8830 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管
AO9926B 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管
SDC6073 封装：MSOP-8 品牌：SDC光大备注：单节，二合一的保护IC。